Transistores BJT

Pablo Aqueveque N. (Sc.D)

Electrónica Biomédica
Transistores de Unión Bipolar (BJT)
 Es un dispositivo semiconductor formado por dos capas de material tipo
n (ó p) y una capa entre ellas de material tipo p (ó n).
 Existen transistores del tipo NPN ó PNP
 Dispositivos de 3 terminales (emisor, base y colector)
 Dopaje
 La capa del emisor está fuertemente dopada
 La del colector ligeramente dopada
 Y la de la base muy poco dopada, además más delgada.
 En circuitos analogos son usados en amplificadores y reguladores
lineales de voltaje.
 En circuitos digitales, los transistores funcionan como interruptores
electrónicos. Implementando compuertas lógicas, memorias,
microprocesadores, etc.

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El primer transistor
(Transistor de contacto)
El transistor de contacto fue el
primer tipo de transistor
electrónico de estado sólido.
John Bardeen & Walter Houser
Brattain en Laboratorios Bell,
Diciembre 1947.

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Tan simple como…

 Salida de agua puede ser ajustada desde

“nada” hasta “mucho”.
 Switch  define estado lógico: 0 y 1

 Pequeños cambios en la válvula (3er terminal)

crea grandes cambios en el flujo entra la
entrada y salida de agua (1er y 2do terminal).
 Amplificación  aplicaciones analógicas

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Transistores (analogías)

Source Vein Artery

Valve Ion Channel

Gate

Drain

Represa Corazón Axón

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Transistor de Unión Bipolar (BJT)
 Un transistor biopolar es
basicamente un par de
junturas PN que se conectan
entre sí.
 Por lo tanto hay 2
posibilidades, Transistores
NPN y transistores PNP.
 Las 3 capas resultantes son
denominadas Colector, Base,
Emitter.

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Transistores
Estructura de un BJT (Discreta)

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Ejemplo de transistores

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Terminales y operación

npn pnp

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Operación

•Tiene dos uniones: Emisor-Base y Colector-Base

•Tiene 3 modos de operación: Corte, Saturación y Activo.
Modo Unión E-B Unión C-B
Corte Inverso Inverso
Activo Directo Inverso
Saturación Directo
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Directo
Modos de Operación
 Activo:
 Modo más importante para amplificadores.
 La región donde las curvas de corriente son practicamente
planas.
 Saturación:
 La barrera de potencial entre las junturas se cancelan entre
ellas, produciendo un “puente” virtual.
 Transistor ideal se comporta como un switch electrónico
cerrado.
 Corte:
 La corriente se reduce a cero.
 Transistor ideal se comporta como un switch electrónico
abierto.
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Transistor en Modo Activo

 Operación
 Forward bias of EBJ injects electrons from emitter into base
(small number of holes injected from base into emitter)
 Most electrons shoot through the base into the collector across
the reverse bias junction (think about band diagram)
 Some electrons recombine with majority carrier in (P-type)
base region
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Transistor en Modo Activo

IC=IS(eVBE/VT)

IC=IB*
IE=IC+IB=IC/

•En este modo la corriente de colector es  veces la corriente de Base.

•El valor de  es típico de 100 a 200, y en dispositivos especiales hasta de
1000.
•La corriente del emisor es la suma de las corrientes de colector y base.

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Caraterísticas I-V

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Características I-V

IC
IC VBE3

VCE VBE2
VBE
VBE1
VBE3 > VBE2 > VBE1

VCE

 Corriente de colector vs. vCE (ideal)

 BJT reales se comportan levemente distinto
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Caracteristica I-V

La juntura Base –Emisor El comportamiento Colector-

se comporta como un Emisor es una familia de
diodo curvas que dependen de la
corriente de base.
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 Características I-V
• La resistencia interna del
colector hace decrecer la
pendiente de la recta en la
zona de saturación.
• En modo activo, la corriente
de colector es dependiente
de la corriente de base.
• La resistencia interna de
colector puede limita la
frecuencia máxima de
operación del transistor.

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Configuración de circuitos

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Polarización de transistores BJT
 Ic=*Ib

 Malla B-E

 Malla E-C

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Características del transistor y
sus parámetros
 El transistor se
puede polarizar en
cualquier punto de la
curva de operación.
A este punto
(polarización dc) se
le denomina «punto
Q».

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Ejemplo de análisis
 Qué configuración es?
 Cual es el punto de operación Q?

 Corte?
 Saturación?

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Análisis

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Utilizando superposición (DC+AC)
 Notar que ambas ecuaciones han sido escritas para calcular
los parámetros de operación del transistor para DC y AC.

 Usando superposición, se puede analizar por separado y

luego combinar sus respuestas:
 Primero, análisis DC para calcular el punto Q
 Cortocircuitar cualquier fuente de voltaje AC
 Abrir el circuito en cualquier fuente de corriente AC
 Segundo, análisis AC para calcular la ganancia.
 2 métodos para el análisis AC
 Método gráfico
 Circuito equivalente de pequeña señal

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BJT – Análisis DC
 Dibujar la recta de Base-Emisor

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BJT – Análisis DC
 Dibujar la recta Colector Emisor y ubicar el
punto Q de acuerdo a la corriente de base.

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Circuito de Polarización con divisor de
tensión

Pablo Aqueveque N. (Sc.D)

Circuito de Polarización con divisor de
tensión

Pablo Aqueveque N. (Sc.D)

Circuito de Polarización con divisor de
tensión

Pablo Aqueveque N. (Sc.D)

Circuito de Polarización con divisor de
tensión

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Simulación de amplificador emisor común
con una señal de entrada ac

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Análisis de amplificadores basados en
BJT
 Emisor común

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Análisis de amplificadores basados en
BJT - EC

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Análisis de amplificadores basados en
BJT - EC

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Análisis de amplificadores basados en
BJT - EC

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Análisis de amplificadores basados en
BJT - EC

Pablo Aqueveque N. (Sc.D)

Análisis de amplificadores basados en
BJT - EC

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Análisis de amplificadores en pequeña
señal
 Emisor común

Pablo Aqueveque N. (Sc.D)

Análisis de amplificadores en pequeña
señal - EC

Pablo Aqueveque N. (Sc.D)

Análisis de amplificadores en pequeña
señal - EC
 Resistencia de entrada

Pablo Aqueveque N. (Sc.D)

Análisis de amplificadores en pequeña
señal - EC
 Ganancia de corriente (Ai)

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Análisis de amplificadores en pequeña
señal - EC
 Ganancia de voltaje (Av)

Pablo Aqueveque N. (Sc.D)

Análisis de amplificadores en pequeña
señal - EC
 Resistencia de salida (Rout)

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Acoplamiento de amplificadores
 Conexión en cascada

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Acoplamiento de amplificadores

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Acoplamiento de amplificadores

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Acoplamiento de amplificadores

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