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TRANSISTORES

3.1 TRANSISTORES BIPOLARES

El Transistor es un dispositivo de tres terminales que se utiliza principalmente para amplificar la

porción de la señal aplicada que varía con el tiempo. Este se compone de tres capas alternas de material
semiconductor.

Un Semiconductor puede contaminarse de tal manera que se obtenga un cristal npn. Un cristal
como este (ver la Figura Nº 3.1), se denomina Transistor de Juntura. Las regiones n tienen una gran
cantidad de electrones en la banda de conducción, y las regiones p muchísimos huecos. Por tal razón, el
Transistor de Juntura se llama Transistor Bipolar.

n p n p n p
Emisor Emisor
Colector Colector
Base Base
a) b)

Figura Nº 3.1: Las tres Regiones del Transistor Bipolar;

a) Transistor npn, b) Transistor pnp.

LAS TRES REGIONES CONTAMINADAS.

La figura Nº 3.1 a), muestra un cristal npn. El Emisor (llamado así, ya que es la fuente de la
mayor parte del flujo de portadores), esta fuertemente contaminado, su función es emitir o inyectar
electrones en la Base. Esta base (llamada así, por que era la base de la estructura original), está
levemente contaminada y es muy delgada, permitiendo el mayor paso de electrones que han sido
inyectados desde el emisor, los cuales van a dar al Colector. Este colector (llamado así por que “colecta”
la mayor cantidad de flujo de portadores), tiene una contaminación que esta entre la fuerte del emisor y la
suave de la base. Su función es colectar o reunir los electrones que vienen de la base. Esta región es la
mas grande de las tres, por que debe disipar mayor cantidad de calor que el emisor y la base.

Este transistor tiene dos junturas, una entre la base y el emisor y la otra entre la base y el
colector. Debido a esto el transistor es como dos diodos. El diodo de la izquierda se denomina diodo base
emisor o diodo del emisor. El diodo de la derecha es el diodo base colector o diodo del colector.

La figura Nº 3.1 b), muestra la otra posibilidad, el Transistor pnp. Este transistor es el
complemento del npn, esto quiere decir que las corrientes y los voltajes implicados en la operación del
transistor pnp, son opuestos al npn.

Existen varias formas de polarizar un transistor, pero para poder entender el concepto básico y
asociarlo con los diodos, se analizarán para empezar dos métodos, que son la polarización directa -
directa y la polarización inversa - inversa.

TRANSISTORES
UNIDAD III 2

POLARIZACION DIRECTA - DIRECTA (FF).

n p n

- - - -
VBE VBC
+ + + +

a)
IE IC

- - - -
VBE VBC
+ + + +

b)
Figura Nº 3.2: Polarización FF;
a) Cto. Real, b) Cto. Eq.

La figura Nº 3.2 a) muestra la polarización Directa - Directa (FF), así llamada por que los diodos
del emisor y el colector están polarizados directamente. Los circuitos que excitan los diodos del emisor y
del colector pueden concentrarse como se muestran en la figura, o pueden representarse por circuitos
equivalentes de Thevenin. De cualquier forma, los portadores cruzan la juntura y fluyen hacia abajo por la
base hacia la conexión externa de la base como se muestra en la figura.

La figura Nº 3.2 b) muestra el circuito equivalente para la polarización FF. El voltaje Base -
Emisor VBE polariza directamente al diodo del Emisor y genera una corriente convencional IE, en forma
similar el voltaje VBC tambien polariza directamente al diodo del colector, causando con esto que fluya
una corriente convencional IC.

TRANSISTORES
UNIDAD III 3

POLARIZACION INVERSA - INVERSA (RR).

n p n

+ + + +
VBE VBC
- - - -

a)

+ +
+ +
VBE VBC
- - - -

b)
Figura Nº 3.3: Polarización RR;
a) Cto. Real, b) Cto. Eq.

Otra posibilidad es polarizar en forma Inversa – Inversa (RR), al transistor, como lo muestra la
figura Nº 3.3 a), donde ambos diodos están polarizados inversamente. Para esta condición, fluye solo una
pequeña corriente compuesta por la corriente de saturación producida térmicamente y por la corriente de
fuga superficial. La corriente producida térmicamente es dependiente de la temperatura y se duplica
aproximadamente cada 10 ºC de aumento de la temperatura. Por otra parte, la corriente de fuga
superficial, se incrementa con el voltaje, sin embargo, ambas corrientes son despreciables.

La figura Nº 3.3 b) es el circuito equivalente para la polarización RR. Ambos diodos están
abiertos, a menos que VBE o VBC excedan los voltajes de ruptura de los diodos.

TRANSISTORES
UNIDAD III 4

RELACIONES IMPORTANTES

Algunas de las relaciones importantes para el análisis de los Transistores Bipolares son las
siguientes:

ALFA DE CC.

Decir que el 95 % de los electrones inyectados alcanzan el colector, es lo mismo que decir que
la corriente del colector es casi igual a la del emisor, la Alfa de CC del transistor indica que tan próximos
están los valores de las dos corrientes y se define así.

IC
α CC =
IE

BETA DE CC.

También se puede relacionar la corriente del colector con la de la base definiendo la Beta de
CC. de un transistor de la siguiente manera:

IC
β CC =
IB

RELACION ENTRE αCC Y βCC.

Por ley de Kirchhoff:

IE = I C + IB

Dividiendo por IC:

IE I
=1+ B
IC IC

O bien:

1 1
=1+
α CC β CC

Finalmente rearreglando la expresión, se obtiene:

α CC
β CC =
1 − α CC

TRANSISTORES
UNIDAD III 5

SIMBOLO ESQUEMATICO

IC

n
IB
p

n IE

Figura Nº 3.4: Símbolo del Transistor Bipolar.

La figura muestra el símbolo esquemático de un transistor npn. El emisor tiene una punta de
flecha y el colector no tiene. La flecha indica el sentido de la corriente convencional del emisor. En otras
palabras los electrones fluyen hacia dentro del emisor y salen de la base y el colector. Las corrientes
convencionales fluyen en las direcciones contrarias a los electrones como se muestra en la figura.

POLARIZACION DE BASE

IC Saturación
RC Q
I B > I B(SAT)
V CC I B = I B(SAT)
RC
IC
RB +
VCE
IB VCC IB )
-
+
VBB VBE Corte
-
IB = 0
0 V CC
VCE

a) b)

Figura Nº 3.5: Polarización de Base y Recta de Carga.

La figura muestra un ejemplo de la polarización de base. VBB, polariza directo el diodo del
emisor mediante el resistor limitador RB. Por ley de kirchhoff el voltaje en RB es VBB - VBE. Con esto, la Ley
de Ohm nos da la corriente de base que es:

TRANSISTORES
UNIDAD III 6

VBB − VBE
IB = ,
RB
Donde:

VBE = 0.7 Volt, para transistores de silicio.

VBE = 0.3 Volt, para transistores de germanio.

LA RECTA DE CARGA DE CC.

En el circuito del colector tenemos la siguiente relación:

VCE = VCC − I C R C

En este circuito, dado que VCC y RC son constantes y VCE e IC son variables, la ecuación
anterior puede rearreglarse como sigue:

− VCE VCC
IC = + ,
RC RC

Esta es una ecuación lineal, similar a la ecuación de la recta y = mx + b, donde el intercepto

VCC −1
vertical es , el intercepto horizontal es VCC y la pendiente es , esta línea se denomina Recta de
RC RC
Carga de CC, por que representa todos los puntos posibles de operación. La intersección de la recta de
carga con la corriente de base es el punto de operación del transistor.

El punto donde la línea de carga intersecta a IB = 0, se conoce como punto de corte, de la

siguiente ecuación se puede demostrar como sigue:

VCE = VCC − I C R C

Como IB = 0, entonces IC = 0 y la ecuación se reduce quedando:

VCE(CORTE) = VCC

La intersección de la línea de carga y la curva para IB = IB(SAT) se denomina saturación. Por lo

tanto:

VCC
IC(SAT ) ≅
RC

Donde para efectos prácticos también lo explicamos a partir de la ecuación siguiente:

VCE = VCC − I C R C

El punto de saturación es donde aproximadamente VCE = 0, entonces de la ecuación anterior

despejamos y resulta la corriente de colector en saturación.

Además:

TRANSISTORES
UNIDAD III 7

IC ( SAT )
IB ( SAT ) ≅ y
β CC
VCE = VCE(SAT),

Donde VCE(SAT), se encuentra especificada en las hojas de datos de los transistores y

ordinariamente es de unas décimas de volt.

Todos los puntos de operación entre el corte y la saturación se conocen como la región
activa del transistor.

El punto de operación para el transistor es conocido como el punto de trabajo o punto Q,

donde sus valores quedan especificados según los datos y valores de los componentes externos
que se conectan al transistor de trabajo.

EJEMPLO 3.1:

El 2N3904 de la figura, es un transistor de silicio con una βCC de 100 ¿qué mediría un
voltímetro de CC en los terminales Colector - Emisor?.

5 KΩ

1 MΩ
2N3904
20 V

10 V

Figura Nº 3.6: Ejemplo 3.1.

Primero calculamos la corriente de base:

VBB − VBE 10 − 0.7

IB = = = 9.3 [µA ] ,
RB 10 6

La corriente de colector es entonces:

IC = β CC IB = 100 ∗ 9.3 [µA ] = 0.93 [mA ]

El voltaje Colector Emisor, es igual al voltaje de la fuente de voltaje del Colector menos la caída
en el resistor del colector:

VCE = VCC − I C R C = 20 − 0.93 10 −3 5 10 3 ( ) ( )

VCE = 15.4 V

TRANSISTORES
UNIDAD III 8

EJEMPLO 3.2:

El 2N4401 de la figura, es un transistor de silicio cuya βCC es 80. dibújese la recta de carga de
CC. ¿dónde se encuentra el punto Q si RB = 390 kΩ?

+ 30 V

RB 1.5 KΩ

2N4401

Figura Nº 3.7: Ejemplo 3.2.

Sabemos que:

= 20 [mA ]
VCC 30 V
IC( SAT ) ≅ =
RC 1. 5 K Ω

Y además:

VCE(CORTE) = VCC = 30 [V]

Entonces la recta de carga queda de la siguiente manera:

IC

20 mA

6 mA Q

VCE
0 21 V 30 V

Figura Nº 3.8: Recta de Carga y Punto Q.

TRANSISTORES
UNIDAD III 9

El punto Q se obtiene usando la ecuación:

VBB − VBE 30 − 0.7

IB = = = 75.1 [µA ]
RB ( )
390 10 3

La corriente de colector es entonces:

IC = β CC IB = 80 ∗ 75.1 [µA ] = 6 [mA ]

Finalmente con la siguiente ecuación se obtiene:

(
VCE = VCC − IC R C = 30 − 6 10 −3 1.5 10 3 ) ( )
VCE = 21 V

POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE

+ VCC

R1 RC

+
VCE
-

+ +
R2 V2 RE VE
- -

Figura Nº 3.9: Polarización por Divisor de Voltaje.

Esta figura nos muestra un divisor de voltaje de polarización. El nombre “Divisor de Voltaje”, se
debe a que el circuito divide el voltaje mediante los resistores R1 y R2. el voltaje a través de R2 polariza
directamente al diodo del Emisor y la fuente VCC polariza inversamente al diodo del Colector.

Por divisor de voltaje tenemos que:

R2
V2 = • VCC
R1 + R 2

TRANSISTORES
UNIDAD III 10

Por ley de Kirchhoff de voltajes:

VE = V2 − VBE

La corriente del emisor es:

V2 − VBE
IE =
RE

Los voltajes del colector y del emisor son:

VC = VCC − I C R C

VE = IE R E
El voltaje colector emisor es:

VCE = VC − VE = VCC − IC R C − IE R E

VCE = VCC − I C (R C + R E )

Debido a que IC e IE son aproximadamente iguales.

Si circula mucha corriente por el colector, el transistor se satura, esto significa, idealmente, que
existe un cortocircuito entre los terminales del colector y emisor, donde:

VCC
IC( SAT ) ≅
R C + RE

Y además:

VCE(CORTE) = VCC

VCC
Por lo tanto, la recta de carga de CC intersecta el eje vertical en , y el eje horizontal
R C + RE
en VCC.

El punto Q siempre se encontrará en esta recta de carga, especificada por las siguientes
ecuaciones:

V2 − VBE
IE =
RE

VCE = VCC − I C (R C + R E )

TRANSISTORES
UNIDAD III 11

EJEMPLO 3.3

Dibújese la recta de carga de CC para el circuito de la figura Nº 3.10. ¿dónde se encuentra el

punto Q?.

+ 30 V

20 KΩ 4 KΩ

2N3904

+
V2 10 KΩ 5 KΩ
-

Figura Nº 3.10: Ejemplo 3.3.

VCE(CORTE) = VCC = 30 [V]

= 3.33 [mA ]
VCC 30
IC( SAT ) ≅ =
R C + R E 9 KΩ

IC

3.33 mA

Q
1.86 mA

VCE
0 13.3 V 30 V

Figura Nº 3.11: Recta de Carga y Punto Q.

La figura muestra la recta de carga de CC.

TRANSISTORES
UNIDAD III 12

• 30 = 10 [V ]
R2 10
V2 = • VCC =
R1 + R 2 10 + 20

La caída del diodo del emisor es de 0.7 V,

V2 − VBE 10 − 0.7
IE = = = 1.86 [mA ]
RE 5 10 3

Como αCC es muy próximo a la unidad:

IC ≅ IE = 1.86 [mA]

El voltaje Colector – Emisor es:

( )
VCE = VCC − I C (R C + R E ) = 30 − 1.86 10 −3 ∗ 9 10 3 ( )
VCE = 13.3 [V ]

Quedando el Punto Q como se muestra en la figura.

Con estas dos últimas ecuaciones se puede encontrar el punto Q en la recta de carga.

POLARIZACION POR REALIMENTACION DEL COLECTOR

+ VCC

RC

RB

VCE

Figura Nº 3.12: Polarización por Realimentación del Colector.

Las formulas principales de este tipo de polarización son las siguientes:

TRANSISTORES
UNIDAD III 13

VCC − VBE
IC =
RC + RB
β CC

VCE ≅ VCC − I C R C

R B = β CC R C

POLARIZACION DEL EMISOR

+ VCC

RC

RB RE

+ VEE
Figura Nº 3.13: Polarización del Emisor.

Las formulas principales de este tipo de polarización son las siguientes:

VEE
IE ≅
RE

Se toma IE = IC como una buena aproximación.

TRANSISTORES
UNIDAD III 14

VCE ≅ VCC − I C R C

VCC + VEE
IC( SAT ) ≅
RC + RE

AMPLIFICACIÓN CON TRANSISTORES BIPOLARES

Una de las características principales de los transistores bipolares es su uso en amplificar una
señal pequeña.

Para entender mejor este tipo de amplificadores usando transistores utilizaremos un ejemplo
para introducir este tema.

Además se utilizará la Polarización por Divisor de Voltaje, la cual es la mas usada para
amplificar, dejando en claro que se pueden utilizar otras configuraciones.

EJEMPLO 3.4

En la figura Nº 3.14 se muestra un circuito amplificador transistorizado de silicio. Determinar la

ganancia de voltaje y calcular el circuito de corriente continua, entregando IB, IC y VCE. Si tenemos que
rπ = 1.28 KΩ y βCC = 100.

9V

724 KΩ 2.4 KΩ C2

1 KΩ C1
2N2712

1.8 KΩ V0
V2
1 MΩ

Figura Nº 3.14: Amplificador Transistorizado de Pequeña Señal.

Primero tenemos que calcular las condiciones de operación del transistor en corriente continua,
para lo cual utilizaremos las ecuaciones obtenidas de la figura Nº 3.15 del circuito de corriente continua:

TRANSISTORES
UNIDAD III 15

9V

724 KΩ 2.4 KΩ

2N2712

1 MΩ

Figura Nº 3.15 Circuito de Corriente Continua.

Las ecuaciones son:

• 9 = 5.22 [V ]
R2 1000
V2 = • VCC =
R1 + R 2 1000 + 724

La caída del diodo del emisor es de 0.7 V, entonces:

R1 • R 2 724 • 1000
RB = = = 419.9536 KΩ
R 1 + R 2 724 + 1000

Ahora podemos calcular la corriente de Base como sigue:

V2 − VBE 5.22 − 0.7

IB = = = 10.763 [µA ]
RB 419.9536 • 10 3

Con este resultado calculamos IC como sigue:

IC = β CC IB = 100 ∗ 10.763 • 10 −6 = 1.0763 [mA ]

Finalmente podemos calcular el Voltaje Colector – Emisor como sigue:

VCE = VCC − I C R C = 9 − 1.0763 • 10 −3 ∗ 2.4 • 10 3 = 6.4169 [V ]

Con estos datos tenemos polarizado el transistor y tenemos el punto Q donde operará para
poder amplificar.

TRANSISTORES
UNIDAD III 16

Ahora utilizaremos el circuito equivalente en corriente alterna para poder calcular la ganancia
de voltaje, donde se entregaran las dos formulas fundamentales para poder llegar al resultado final.

C1 C2

1 KΩ

V1 β ib
724 KΩ 1 MΩ 1.28 KΩ 2.4 KΩ 1.8 KΩ V0

Figura Nº 3.16: Circuito Equivalente en Corriente Alterna.

V1 R S R1 R2 rπ
ib = ∗
RS rπ

Empezamos calculando los paralelos ( I I ).

R1 • R 2 724 • 1000
RB = = = 419.9536 KΩ
R 1 + R 2 724 + 1000

1 • 419.9536
R E1 = = 0.9976 KΩ
1 + 419.9536

0.9976 • 1.28
R E2 = = 0.5606 KΩ
0.9976 + 1.28

Ahora reemplazamos en la ecuación principal:

561
i b = V1 ∗ = 4.3828 • 10 − 4 V1
1000 ∗ 1280

La segunda ecuación principal es:

V0 = − β ∗ i b (R C RL )

Primero calculamos el paralelo:

2.4 • 1.8
RC RL = = 1.029 KΩ
2.4 + 1.8

Ahora reemplazando en la segunda ecuación principal:

V0 = − 100 ∗ 4.3828 • 10 −4 V1 ∗ 1.029 • 10 3

TRANSISTORES
UNIDAD III 17

Finalmente despejando nos queda:

V0
= − 45.1
V1

Bueno el signo nos indica que el amplificador, nos está invirtiendo la señal de entrada.

Esta es una de las tantas aplicaciones del transistor Bipolar, la cual se entrega por ser una de
las mas importantes del punto de vista electrónico.

BIBLIOGRAFÍA

™ Malvino, Alvert.
Principios de Electrónica.

™ Boylestad, Robert.
Fundamentos de Electrónica.

™ Boylestad, Robert.
Electrónica: Teoría de Circuitos.

™ Apuntes Personales.

™ www.elprisma.com

™ www.universia.cl

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