1 Circuito de polarizacin .

ja para JFET
Sea el circuito de la Fig. 1.

Para la malla de entrada, dado que iG = 0 (la unin compuerta-fuente se encuentra inversamente polarizada). -VGG = iGRG + vGS vGS = -VGG Para la malla de salida (2) (3) Donde (3) es la recta de carga de salida. Adicionalmente se tiene la ecuacin de Shockley Donde Vp es la tensin de estrangulacin del canal, tambin llamado VGS(OFF) e IDSS la corriente de saturacin, datos provistos por el fabricante. (1)

Para un punto Q dado (IDSQ; VDSQ), se determina RD de (2), como De (4), se determina vGS, luego de (1) se obtiene VGG.

2 Circuito de autopolarizacin para JFET

Un JFET se autopolariza usando un resistor en la fuente, de acuerdo a la Fig. 3. Para la malla de entrada

Para la malla de salida As la recta de carga de salida ser

3 Polarizacin del MOSFET de enriquecimiento

El MOSFET canal n de enriquecimiento o incremental requiere un voltaje positivo en la compuerta, ste puede ser polarizado de acuerdo al circuito indicado en la Fig.5a. Luego, planteando la malla de entrada y la malla de salida en la Fig. 5b. se tiene

Donde de (11) se obtiene la recta de carga de salida Luego usando la ecuacin de funcionamiento del MOSFET para zona activa se completa el sistema de ecuaciones

Dado iG = 0, el sistema se simplica.

Donde de ()13 se obtiene la recta de carga de entrada Para un punto de operacin (IDSQ; VDSQ), en conjunto con el voltaje umbral VT y la constante de fabricacin K, el sistema (12) y (13) se determina RS y vGS. Finalmente usando (11) se determina RD

4 Polarizacin alternativa de MOSFET de Acumulacin

El circuito de la Fig.7a usa un divisor de voltaje para alimentar la gate. La fuente queda conectada a tierra.

Redibujando la malla de entrada, se tiene el circuito de la Fig. 7b. Planteando la malla de entrada

Usando El sistema queda completo. Para el diseo es requerido un valor para RTH, el cual acostumbra a tomar un valor alto por lo general en torno a 1 [M]. Dado que iG = 0, el sistema se simpli.ca, pues vGS = VTH. Al igual que en la con.guracin anterior, son requeridas las constante K y el voltaje umbral VT .

5 Circuito de polarizacin universal del MOSFET de emprobrecimiento

A modo de complemento se ha incorporado un circuito con un MOSFET de empobrecimiento o de deplexin. Esta configuracin es de tipo polarizacin universal. Sea el circuito de la Fig. 8, donde

Figure 8: Circuito de polarizacin universal para MOSFET canal n. Para la malla de entrada, dado que iG = 0, se tiene

Para la malla de salida

Como este FET tambin usa la relacin de Schockley para definir la corriente ip, para un circuito dado se puede trazar una recta de carga para la malla de entrada, que establece el punto Q, de acuerdo a la Fig. 9. Por otro lado, para un punto Q dado, ms VDD, VTH o RTH, se obtiene el diseo.

6 Determinacin del punto de trabajo de un JFET

Sea el circuito de autopolarizacin del JFET de la Fig. 10. Considerando Vp = [V ], IDSS = 5 [mA], 4 considerando VDD = 12 [V ], determinar iD, vDS

Figure 9: Rectas de carga para distintos puntos Q. y vGS. De la ecuacin en la malla de entrada se tiene

Figure 10: Anlisis de circuito autopolarizado. Luego, usando la ecuacin de de Schockley

Resolviendo el sistema de ecuaciones vGS = 1:17 [V ] e iD = 2:5 [mA], por lo tanto de (8) se determina vDS = 12 2:5 [mA] (2:2 [K] + 470 []) = 5:33 [V ] : De esta forma, la recta de carga de la salida y la entrada estn indicadas en la Fig. 10.

7 Calculo de punto de operacin de un MOS-FET

Sea el circuito de la Fig. 11. Considerando K = 0:125 _mA V 2 _ y VT = 2:24 [V ]. Planteando la malla de entrada y la malla de salida.

Considerando iG = 0. Resolviendo se tiene

Se tiene vGS = -3.59 [V] ; vGS = 6.24 [V ] ; se descarta el primer valor debido a que es menor que VT . De esta forma ID = 2 [mA] ; vDS = 5 [V ] :