PRACTICA TRANSISTOR JFET

ELECTRÓNICA ANÁLOGA II

NOMBRE Jaime Alejandro Ramírez García

CÓDIGO 1005036155
NOMBRE PRÁCTICA Curva característica del JFET

1. Objetivo de la práctica
En este laboratorio se va a aprender y comprobar la metodología para la obtención de
las curvas características de un Transistor de Efecto de Campo de Unión (Join Field
Effect Transistor – JFET)

2. Resumen

El transistor JFET 2N3819 es utilizado para hacer diferentes mediciones de V DS, V GS y I D

obteniendo los valores de la curva característica, se conectará 2 fuentes, las cuales
estarán variando su voltaje para obtener varios datos y formando la curva característica.

3. Materiales y equipos
 Transistor JFET 2N3819
 Hoja de datos (Datasheet) del transistor a utilizar
 Fuente de voltaje (2 salidas).
 Resistencia de 330 ohms
 Multímetro
 Proteus
 Hojas milimétricas

4. Desarrollo de la práctica
Paso 1: Realizamos el circuito mediante la herramienta proteus, colocando las
resistencias, las dos fuentes que usaremos (V GS y V DS ) y el JFET teniendo como objetivo
propósito la curva característica, Identificamos V DS , V GS indicados en el circuito como U2
y U3.

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 Figura 1: Montaje del circuito JFET

Paso 2: Colocamos los voltímetros para medir el V GS y V DS colocando los valores en 0 V

V GS y variando el voltaje que tendrá V DDde 0 V a 10 V de con pasos de 0.5 V , los valores
obtenidos son V GS , V DS y V RD se colocan en una tabla, la ecuación 1 es utilizada para
calcular I D :
VR
I D= (1)
R

VDD
(volts) VDS (U2) VGS (U3) VR1 (U1) R1 (Ohms) ID (Amper)
0,0 0 0 0 330 0
0,0012424
0,5 0,08 0 0,41 330 2
0,0024848
1,0 0,18 0 0,82 330 5
0,0036969
1,5 0,28 0 1,22 330 7
0,0049090
2,0 0,38 0 1,62 330 9
0,0060606
2,5 0,50 0 2,00 330 1
0,0072121
3,0 0,62 0 2,38 330 2
0,0083030
3,5 0,76 0 2,74 330 3
0,0093030
4,0 0,93 0 3,07 330 3
4,5 1,20 0 3,30 330 0,01
5,0 1,70 0 3,30 330 0,01
5,5 2,20 0 3,30 330 0,01
6,0 2,70 0 3,30 330 0,01
6,5 3,20 0 3,30 330 0,01
7,0 3,70 0 3,30 330 0,01
7,5 4,20 0 3,30 330 0,01
8,0 4,70 0 3,30 330 0,01
8,5 5,20 0 3,30 330 0,01
9,0 5,70 0 3,30 330 0,01
9,5 6,20 0 3,30 330 0,01
10,0 6,70 0 3,30 330 0,01
Tabla 1: Mediciones deV GS=0V y V DDde 0 V a 10 V

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Paso 3: Obtenemos las grafica de V DsVs I D

VDS Vs ID
0.01

0.01

0.01
ID(A)

0.01

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
VDS( Volts )

Figura 1: Grafica de V DsVs I D

Paso 4: Calculamos el voltaje de estrangulamiento del JFET ( V P ¿ de la figura 1 con la

ecuación (2)
V P=V GS −V GSoff (2)
V P=0 V −(−1 V )
V P=1 V (3)

Paso 5: Colocando los valores de la fuente V DD=10 V y variando el voltaje de la fuente V ¿

que tendrá de 0 V a 10 V de con pasos de 0.5 V , obteniendo los valores V GS , V DS y V RD se
colocan en una tabla y encontramos I D con la ecuación 1:

VR
I D= (1)
R

VDD (volts) VDS (U2) VGS (U3) VR1 (U1) R1 (Ohms) ID (Amper)
10 6,70 0,0 3,30 330 0,01
10 9,17 -0,5 0,83 330 0,00251515
10 10 -1,0 0 330 0
10 10 -1,5 0 330 0
10 10 -2,0 0 330 0
10 10 -2,5 0 330 0
10 10 -3,0 0 330 0
10 10 -3,5 0 330 0
10 10 -4,0 0 330 0
10 10 -4,5 0 330 0
10 10 -5,0 0 330 0
10 10 -5,5 0 330 0
10 10 -6,0 0 330 0
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 10 10 -6,5 0 330 0
10 10 -7,0 0 330 0
10 10 -7,5 0 330 0
10 10 -8,0 0 330 0
10 10 -8,5 0 330 0
10 10 -9,0 0 330 0
10 10 -9,5 0 330 0
10 10 -10,0 0 330 0
Tabla 2: Mediciones deV DD=10 V y V ¿de 0 V a 10 V

Paso 6: Obtenemos las grafica de V GsVs I D

VGS Vs ID
0.01

0.01

0.01
ID(A)

0.01

0
-12.0 -10.0 -8.0 -6.0 -4.0 -2.0 0.0
VGS ( Volts )

Figura 2: Grafica de V GsVs I D

Paso 7: Calculamos el voltaje corte del JFET (V GS ( corte) ¿

V GS ( corte)=V GSoff =−1 V (4)

Paso 8: Obtenemos el valor de I Dss por la ecuación

I Dss =10 mA (5)

5. Solución del cuestionario

a) Mencione las tres terminales de un JFET

Drenaje (D), Compuerta (G), Fuente (S)

b) Defina voltaje de estrangulamiento de un JFET.

El voltaje al cual la corriente se vuelve prácticamente constante se conoce como
Voltaje de Estrangulamiento y se denomina como Vp
c) Defina voltaje de corte de un JFET.
Si se continúa incrementando VGG (y por lo tanto VGS), la corriente en el drenaje
continuará también disminuyendo. El valor de voltaje entre compuerta y fuente
(VGS) al cual la corriente en el drenaje se vuelve prácticamente cero, se cono ce
como voltaje de corte del JFET, VGS (corte).

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 d) Qué parámetro del JFET puede modificarse para cambiar la corriente en el
drenaje.
El parámetro para cambiar la corriente del drenaje es aumentar el valor de VGG
e) Defina IDSS.
Es la corriente máxima que fluye a través de un transistor JFET es cuando el
voltaje compuerta VG, suministra 0V al JFET

f) ¿Qué condición se debe cumplir en un JFET para que ID = IDSS?

La condición que debe cumplir es VGS = 0 V y VDS ≥ VP

6. Conclusiones
 Observamos que en el canal n para el JFET en el momento que el VGG es
mayor la zona de estrangulamiento se estrecha para tener un valor de VGG
mas pequeño y el canal de ensancha.

 Dependiendo de las variaciones en el VDD en el primer caso y VGS en el

según caso pudimos determinar la relación entre la curva característica y la
curva de transferencia.

 Determinamos las curvas características de un transistor JFET de campo de

unión

 Comprobamos los datos obtenidos mediante diferentes voltajes en V GG Y VDD

[1] U. A. D. E. ESTADO, «MANUAL DE PRÁCTICAS DE LABORATORIO PARA LA U.A

"ELECTRONICA DIGITAL ",» Mexico, 2017.
[2] U. d. pamplona, «Practica Transistor JFET,» Pamplona , 2021.
7.
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Bibliografía

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