Regiones de Polarización de un transistor bipolar

Existen cuatro posibles regiones, según como estén polarizadas

las uniones base- emisor y base-colector
APLICACIÓN REGIÓN DE POLARIZACIÓN DE LAS UNIONES
POLARIZACIÓN
UNIÓN UNIÓN
BASE-EMISOR BASE-COLECTOR
Funcionamiento REGIÓN ACTIVA DIRECTA. INVERSA
como amplificador DIRECTA VBE  V VBC  V

(No se utiliza) REGIÓN ACTIVA INVERSA DIRECTA

VBE  V VBC  V
INVERSA
Func. como REGIÓN DE INVERSA INVERSA
VBE  V VBC  V
conmutador (off) CORTE
Func. como REGIÓN DE DIRECTA
V V DIRECTA
BE  VBC  V
conmutador (on) SATURACIÓN
04-08-18 1
 Recta de carga estática (Cont)

La intersección de la R.E.C. de la entrada, con la característica corriente tensión

de la unión base- emisor, es el Punto de operación del diodo base-emisor. IBQ,ICQ
La intersección de la R.E.C. de la salida, con las curvas características de salida
del transistor, es el Punto de operación de la portada de salida: ICQ, VCEQ

2
Principios de diseño de Circuitos de Polarización
(Continuación)
• Si el P.O. está muy cerca del eje de abcisas
significa que está próximo a la región de corte
• Si el P.O. está muy cerca de eje de ordenadas,
significa que está próximo a la región de
saturación.

3
Principios de diseño de Circuitos de Polarización (Cont.)
Al superponer una señal variable a la corriente de base, el P.O. se
desplazará por la “recta dinámica de carga”
Si el objetivo que perseguimos es obtener la máxima excursión
simétrica posible, el P.O. deberá estar ubicado en la mitad de la
recta dinámica de carga.
Si el objetivo perseguido es tener un consumo bajo en reposo, el
P.O. deberá fijarse cerca del eje de abcisas (ICQ pequeña)

4
 ib  iB  I BQ vbe  vBE  VBEQ

ic  iC  I CQ vce  vCE  VCEQ

Determinación gráfica de las componentes de señal vbe, ib, y vce, cuando se superpone
una componente de señal vi a la tensión VBB de polarización.
5
 Concepto de recta estática de carga y
Recta dinámica de carga
La recta de carga estática viene definida por la ecuación de
polarización.
La recta de carga dinámica viene definida por la relación que
impone el circuito exterior entre la componente alterna de la
corriente de colector y la componente alterna de la tensión
colector-emisor.(Circuito equivalente de alterna)

Tema 7.- Transistores bipolares 6

 R.E.C. (si:IC~IE ) Vcc  ( RL  RE )  I C  VCE

Si C2 es un cortocircuito para la c.a.:

R.D.C. : 0  ( RL  ic  vce )
(Recta Dinámica de Carga)
7
 C.F.D.=R.D.C.

(Camino de funcionamiento dinámico )

El C.F.D es una recta que pasa por el P.O y en este caso tiene mayor
Pendiente
Al superponer la c.a. , el P.O se desplazará a través del C.F.D.

8
Diseño Del P.O. Para Fijarlo En La Mitad De La R.D.C.

vce
R.D.C. Referida a los ejes centrados en Q: ic  0
RL
Donde RL es la resistencia equivalente del circuito de alterna
Pero ic=iC-ICQ , y vce=vCE-VCEQ

Tema 7.- Transistores bipolares 9

 Diseño Del P.O. Para Fijarlo En La Mitad De La R.D.C.
(Continuación)
• La ecuación de la R.D.C. , Referida a los ejes principales es:

iC  I CQ 
1
vCE  VCEQ 
RL

Para obtener la máxima excursión simétrica, el P.O debe estar

Situado en la mitad de la recta dinámica de carga
10
 Diseño del P.O. Para fijarlo en la mitad de la
R.D.C. (Continuación)

• La ordenada en el origen es (para vCE=0) :

iCmáx  I CQ 
1
VCEQ 
RL
Si deseamos que la excursión máxima del P.O sea simétrica:
ICMáx debe ser igual a 2 ICQ , y por tanto se debe de cumplir:
1
I CQ  VCEQ
RL
Que es la condición de diseño buscada para obtener
la máxima excusión simétrica del P.O.

11
TAREA

12
 Potencia disipada en un Transistor
La potencia instantánea absorbida o entregada por un transistor, al
igual que en cualquier otro dispositivo tri-terminal, será:

p(t )  vCE (t )  iC (t )  vBE (t )  iB (t )

Normalmente la potencia de la portada de entrada es despreciable
frente a la potencia de la portada de salida.
El valor medio de la potencia será:
t T
 (v (t )  iC (t )  vBE (t )  iB (t )  dt
1
p (t )  CE
T t

t T
 (v (t )  iC (t )  dt
1
p (t )  CE
T t

13
 Potencia disipada en un Transistor
La potencia instantánea absorbida o entregada por un transistor, al
igual que en cualquier otro dispositivo tri-terminal, será:

p(t )  vCE (t )  iC (t )  vBE (t )  iB (t )

Normalmente la potencia de la portada de entrada es despreciable
frente a la potencia de la portada de salida.
El valor medio de la potencia será:
t T
 (v (t )  iC (t )  vBE (t )  iB (t )  dt
1
p (t )  CE
T t

t T
 (v (t )  iC (t )  dt
1
p (t )  CE
T t

14
 Potencia disipada en un Transistor (Cont)
t T
 (v (t )  iC (t )  dt
1
p (t )  CE
T t

Donde si estamos en la R.A.N: iC=ic+ICQ , y vCE=vce+VCEQ

Sustituyendo y operando:
t T
 (v (t )  ic (t )  dt
1
p (t )  I CQ  VCEQ  ce
T t

vce (t )
Pero:   RL (Resistencia dinámica de carga)
ic (t )

 (v 
1 1 t T
Por tanto: p (t )  I CQ  VCEQ  2
ce (t ) dt
RL T t

15
 Potencia disipada en un Transistor (Cont)

 (v 
1 1 t T
p (t )  I CQ  VCEQ  2
ce (t ) dt
RL T t

Valor eficaz al cuadrado

 (i (t )dt
1 t T
O bien: p (t )  I CQ  VCEQ  RL 2
c
T t

Donde :ICQ VCEQ es la potencia disipada en ausencia de señal (En reposo)

CONCLUSIÓN IMPORTANTE:
La potencia disipada por un transistor en la R.A.N
es máxima en ausencia de señal

16
Variación de las parámetros con la temperatura

La tensión de la unión base-emisor polarizada directamente, tal como vimos

en diodos, disminuye a razón de -2mV/ºC,
La características de salida aumentan su separación, y se desplazana hacia
arriba, debido al incremento de la temperatura, según la expresión:
XTB
T 
 T    TR    XTB es una constante denominada
exponente de temperatura
 TR  (con XTR 1,7 β se duplica de 27 a 175ºC)
17
 Funcionamiento del transistor
como interruptor estático

Con la señal vc(t), el transistor, idealmente pasa de saturación a corte instantáneamente.

Debido a los efectos de acumulación de cargas, el proceso de conmutación en el
transistor, tiene parecidas características que el de conmutación de diodos, limitando la
velocidad de conmutación, y por tanto la frecuencia útil de trabajo, en función de las
características dinámicas del transistor.
En el proceso de conmutación dinámica de un transistor, existe una pérdida de energía,
que habrá que limitar a valores admisibles.

18
 Conmutación dinámica del transistor bipolar

En la figura se aprecia como la tensión a la salida no cambia instantáneamente,

siguiendo a la señal de control, debido a los efectos de las capacidades de difusión
y deplexión.

19
Introducción a la Teoría de Cuadripolos y Triterminales Lineales
La linealización de dispositivos no lineales de tres terminales, es un proceso de aproximación
del modelo no lineal , a un modelo lineal, despreciando los correspondientes desarrollos en
serie de Taylor a partir de los términos de 2º Orden.
Aunque el proceso es válido para cualquier dispositivo de tres terminales, vamos a
particularizarlo para el transistor bipolar.

 
vBE  f 5 iB , vCE   f 5 I BQ , VCEQ   f 5 iB , vCE  I ,V  iB  f 5 iB , vCE  I ,V  vCE  ...
iB BQ CEQ
vCE BQ CEQ

 
iC  f 6 iB , vCE   f 6 I BQ , VCEQ   f 6 iB , vCE  I ,V  iB  f 6 iB , vCE  I ,V  vCE  ...
iB BQ CEQ
vCE BQ CEQ

Donde: vbe  vBE  VBEQ

f 5 I BQ , VCEQ   VBEQ
ic  iC  I CQ
f 6 I BQ , VCEQ   I CQ
20
 Introducción a la Teoría de Cuadripolos y Triterminales (Cont)

Llamando:
 
f 5 iB , vCE  I ,V  hie f 5 iB , vCE  I ,V  hre
iB BQ CEQ
vCE BQ CEQ

 
f 6 iB , vCE  I ,V  h fe f 6 iB , vCE  I ,V  hoe
iB BQ CEQ
vCE BQ CEQ

vbe  hie ib  hre vce

ic  h fe ib  hoe vce
Donde los hje son los denominados:
Parámetros incrementales híbridos h referidos a emisor común
21
Introducción a la Teoría de Cuadripolos y Triterminales (Cont)

vbe  hie ib  hre vce

ic  h fe ib  hoe vce
De estas ecuaciones lineales, podemos
deducir el circuito incremental equivalente:

vbe vbe
hie  hre 
ib vce  0
vce ib  0

ic ic
h fe  hoe 
ib vce  0
vce ib  0

22
Parámetros incrementales Híbridos h
vbe vbe
hie  hre 
ib vce  0
vce ib  0

ic ic
h fe  hoe 
ib vce  0
vce ib  0

23
 Condiciones que debe de cumplir la señal aplicada para
poder emplear el circuito incremental equivalente del B.J.T:

Límite inferior:La señal mínima que se podrá aplicar ,

depende del ruido eléctrico inherente al circuito
Límite superior:La señal máxima aplicada, depende de
la máxima señal sin distorsión a la salida.
vT
En teoría, se demuestra que : vbe 
5
Donde vT es la tensión térmica
a.. 27ºC, vbe debe ser menor o igual que 5 mv.
24
 Transistores conectados como diodos

 I CQ
Ya que: r  y gm 
gm VT
En consecuencia: Un transistor conectado como diodo
(uniendo base con colector),equivale incrementalmente a
una resistencia de valor :
1 1
r 
gm gm
25
CIRCUITOS EQUIVALENTES EN PEQUEÑA SEÑAL
Una vez polarizado el transistor en un punto de operación (P.O.) en
la región activa normal (R.A.N.), el siguiente paso es superponer una
señal variable,aplicándola en un punto del circuito, y extraer la
respuesta en algún otro punto, sin que el acoplamiento de la fuente
de señal modifique el punto de operación del transistor cuando la
fuente de señal es nula.
También, en el acoplamiento de la señal de salida de una etapa , a la
entrada de otra etapa, no se puede alterar el P.O. de los transistores,
si la señal variable de entrada es nula.
El acoplamiento de las señales, y el de las etapas, puede realizarse de
dos formas: Con circuitos de acoplamiento directo, y circuitos de
acoplamiento a través de condensadores o capacidades.

26
CIRCUITOS EQUIVALENTES EN PEQUEÑA SEÑAL
CIRCUITOS DE ACOPLAMIENTO DIRECTO

En la mayoría de los circuitos integrados, el acoplamiento de las

señales, y entre etapas es directo.
Los circuitos de polarización deben diseñarse adecuadamente para
que dicho acoplamiento no altere sensiblemente el P.O. de los
transistores en ausencia de señal, (vs=0) (cortocircuito).
Es importante además, en ausencia de señal, que la tensión de
salida sea también nula. Si el acoplamiento es directo, la única
posibilidad es emplear alimentaciones dobles y/o fuentes de
corriente constantes.

27
CIRCUITOS EQUIVALENTES EN PEQUEÑA SEÑAL
CIRCUITOS DE ACOPLAMIENTO DIRECTO (CONT)

En la figura: a) Observamos como al cerrar en interruptor, aún

cuando la señal sea nula, el punto de operación del transistor se
altera.
En la figura b), una alternativa poco práctica, superponer a la
fuente de señal un nivel de continua igual a VBQ

28
CIRCUITOS EQUIVALENTES EN PEQUEÑA SEÑAL
CIRCUITOS DE ACOPLAMIENTO DIRECTO (CONT)
VENTAJAS E INCONVENIENTES DE LOS CIRCUITOS CON
ACOPLAMIENTO DIRECTO:
VENTAJAS: Pueden procesar señales que varíen muy lentamente,
amplificando tanto niveles de continua como de alterna.
Hay muchas magnitudes físicas en el campo industrial, cuyas variaciones
son muy lentas, como por ejemplo: temperatura, presión ,
deformaciones, humedad relativa, velocidad del viento, luminosidad
ambiental, etc.
INCONVENIENTES: Cualquier desviación del P.O. de alguno de los
transistores del circuito, afecta a la salida en mayor o menor grado,
provocando tensiones de desplazamiento a la salida en ausencia de señal.
29
 CIRCUITOS EQUIVALENTES EN PEQUEÑA SEÑAL
CIRCUITOS CON ACOPLAMIENTO CAPACITIVO

C1 es un condensador de acoplo de la señal de entrada a la base del transistor

C2 es un condensador de desacoplo de la componente alterna, para conseguir mas
ganancia de tensión ( Av= Vo/Vi).
C3 es un condensador de acoplo de la señal variable de salida a la carga RL.
30
CIRCUITOS EQUIVALENTES EN PEQUEÑA SEÑAL
CIRCUITOS CON ACOPLAMIENTO CAPACITIVO (CONT)
Al ser las capacidades circuitos abiertos para la
componente continua, los puntos de operación no
se son afectados.
Normalmente las capacidades se diseñan para que a
las frecuencias de trabajo se puedan considerar
cortocircuitos.
El procedimiento de análisis y diseño de las mismas
es sencillo, aplicado análisis frecuencial en módulo
y argumento.
El mayor inconveniente del empleo de capacidades es que la
frecuencia inferior de corte viene limitada por éstas, no pudiéndose
emplear si se desea procesar señales de muy baja frecuencia o que
varíen muy lentamente

MSc. Ing. Russell Córdova 31

 PROCEDIMIENTO DE ANÁLISIS DE CIRCUITOS
CON TRANSISTORES EN PEQUEÑA SEÑAL
ANÁLISIS DEL CIRCUITO DE POLARIZACIÓN:
1º) Anular “las fuentes de señal”; dejar las fuentes de polarización de
continua, ya sea de tensión o de corriente
2º) Sustituir los condensadores por circuitos abiertos, y las bobinas
por cortocircuitos (salvo su resistencia interna).
3º) Utilizar el modelo de gran señal del transistor
4º) Hallar el P.O. de cada transistor, utilizando las ecuaciones de
polarización, y el modelo del transistor de gran señal en la R.A.N..

En muchos casos el proceso se simplificará mucho utilizando la

hipótesis de β infinito.

32
 PROCEDIMIENTO DE ANÁLISIS DE CIRCUITOS
CON TRANSISTORES EN PEQUEÑA SEÑAL
MODELO DE PEQUEÑA SEÑAL:
5º) De los datos del punto de operación de cada transistor, así como de
las características suministradas por los fabricantes, calcular los
parámetros incrementales de los transistores.

ANÁLISIS EN PEQUEÑA SEÑAL (SEÑAL INCREMENTAL)

6º) Anular las fuentes de polarización (fuentes ideales de tensión
constantes cortocircuitos, fuentes ideales de corriente constante
circuito abierto). En el caso de no ser ideales habrá que considerar su
correspondientes resistencias equivalentes en alterna.

33
 ANÁLISIS DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
EN PEQUEÑA SEÑAL (cont)

ANÁLISIS EN PEQUEÑA SEÑAL (SEÑAL INCREMENTAL)

7º) Sustituir los condensadores de acoplo y desacoplo por
cortocircuitos,(si se han diseñado para ello)
8º) Sustituir los transistores por su modelo de pequeña señal.
9º) Aplicar la señal de entrada , y analizar su respuesta en la salida.
Evaluando en cada caso lo que interese:
Impedancias de entrada
 Ganancia en tensión
 Ganancia en corriente
 Ganancia en potencia
 Impedancia de salida
34
 AMPLIFICADORES BÁSICOS CON
TRANSISTORES BIPOLARES
De los tres terminales del transistor, normalmente se empleará
uno como referencia, común a la entrada y a la salida.
La señal de entrada se aplicará a uno de terminales, mediante el
acoplamiento correspondiente (directo , capacitivo...), y se
obtendrá la respuesta en el terminal restante
Dependiendo del terminal de referencia que se emplee, el
amplificador básico se denominará
En emisor común, entrada por base, salida por colector
En colector común. Entrada por base, salida por emisor
En base común, entrada por emisor, salida por colector

35
 AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN

a) Circuito completo b) Circuito equivalente en alterna

36
 El amplificador en emisor común(Cont)

r in  rp r R p r
vo  ( RC RL )  g m v   RC RL  g m  vi
R p r  R i
v prueba
Ro  vi 0  RC
i prueba
37
El amplificador en emisor común(Cont) Efecto de la
resistencia de emisor

38
ETAPA AMPLIFICADORA EN BASE COMÚN

Circuito completo

39
ETAPA AMPLIFICADORA EN BASE COMÚN (cont)

Si consideramos ro infinita, es fácil demostrar las siguientes expresiones:

(se propone como ejercicio las demostraciones)

40
ETAPA EN COLECTOR COMÚN

41