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HORAS

DE LIBRE CONFIGURACIÓN: ELECTRÓNICA ANALÓGICA TEMA 1 CURSO


2018‐19
 

 
 
INTRODUCCIÓN A LA 
ELECTRÓNICA ANALÓGICA 
 
Contenidos 
 1.1.  Electrónica Analógica 
 1.2.  Resistencias. 
 1.3. Condensadores. 
 1.4. Inductores o bobinas. 
 1.5. Diodos. 
 1.6. Transistores. 
 1.7. Rectificación y filtrado. 
 4.8. Circuitos amplificadores basados en transistores. 
 

Objetivos 
 Distinguir entre componentes activos y pasivos. 
 Conocer los distintos tipos de componentes pasivos y sus aplicaciones . 
 Comprender el funcionamiento del diodo y del transistor. 
 Montar y analizar circuitos rectificadores basados en diodos. 
 Montar y analizar circuitos amplificadores basados en transistores. 

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1.1. Electrónica Analógica 
 La electrónica analógica es la parte de la electrónica que se encarga del procesado de señales analógicas 
que, como vimos anteriormente, son aquellas que pueden tomar valores infinitos distintos de forma 
continua en el tiempo. 

Aunque en numerosas funciones está siendo desbancada por la electrónica digital, tiene numerosas 
aplicaciones en la amplificación, rectificado, estabilización y filtrado de señales, así como en la construcción 
de osciladores y fuentes de alimentación. 

La electrónica analógica utiliza principalmente los siguientes tipos de componentes: 

 Componentes pasivos: son aquellos que disipan o almacenan energía eléctrica. No producen 
ningún tipo de amplificación en el circuito. 
 Resistencia o resistor. 
 Condensador. 
 Bobina o inductor. 

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‐ Componentes activos: permiten obtener una amplificación, excitación o control de las magnitudes 
eléctricas. Generalmente se obtienen a partir de semiconductores: 
 Diodo. 
 Transistor . 
 Amplificador operacional. 
 DIAC. 
 Tiristor. 
 Triac. 
‐ Componentes optoelectrónicos: son aquellos que tienen la capacidad de transformar la energía 
eléctrica en energía lumínica o viceversa. 
 Fotorresistor. 
 Fotodiodo. 
 Fototransistor. 
 Diodo emisor de luz (LED). 
 Diodo emisor de luz por emisión estimulada de radiación (láser). 
 Optoacoplador. 
 Componentes electromecánicos. 

1.2. Resistencias 
Recordemos que la resistencia eléctrica es la oposición que ofrece un cierto elemento o material al paso de 
la corriente eléctrica a través de él. Dependerá del material de que esté construido el elemento y de su 
geometría. Se mide en ohmios (Ω) y está relacionada con la tensión y la intensidad de la corriente eléctrica 
a través de la ley de Ohm: 

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Un  resistor,  conocido  también  como  resistencia,  es  un  elemento  pasivo  que  disipa  energía  eléctrica  en 
forma de calor, de acuerdo con la 1ey de Joule. En circuitos eléctricos se utiliza, generalmente, para reducir 
la intensidad de la corriente o para fijar el valor de la tensión. 

Las resistencias más utilizadas están construidas a partir de carbón o de otros materiales resistivos. 

1.2.1. Identificación de resistencias 
Para identificar las resistencias se emplea un código de colores basado en el uso de franjas transversales de 
distintos tonos. Cada una de estas franjas debe su valor al color y a su posición.  

Algunas resistencias disponen, además, de una tercera banda para el valor, que se interpreta del mismo 
modo que la primera y segunda. En este tipo de resistencias el multiplicador ocupará el cuarto lugar. La 
potencia que es capaz de disipar una resistencia sin dañarse viene dada por el tamaño de esta en longitud 
y grosor. 

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La tolerancia de una resistencia nos indica la precisión que podemos esperar del valor de la resistencia. Es 
decir, establece los valores máximos y mínimos que podrá tener esa unidad en concreto. 

 
Las  resistencias  de  montaje  superficial  (SMD:  surface-mount device)  se  identifican  mediante  un  código 
numérico impreso sobre ellas del siguiente modo: 

 1ª cifra: primera cifra del valor de la resistencia. 
 2ª cifra: segunda cifra del valor de la resistencia. 
 3ª cifra: multiplicador (10 elevado al valor de la cifra). 

De  este  modo,  por  ejemplo,  una  resistencia  SMD  etiquetada  como  100  tiene  un  valor  de  10  Ω  y  otra 
etiquetada como 205, de 2 MΩ. 

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ACTIVIDAD 

Identifica las siguientes resistencias y determina valores máximos y mínimos que podrán 
tener. 

1.2.2. Resistencias Variables 
Los resistores que hemos visto hasta ahora mantienen constante su valor de resistencia en el caso ideal y 
se  denominan  resistencias  fijas.  Suelen  fabricarse  con  una  base  de  carbón  (ya  sea  en  aglomerado  o 
película).  Las  resistencias  de  precisión  se  fabrican  con  una  película  metálica  y  las  de  potencia  se  suelen 
desarrollar con un bobinado de hilo resistivo. 

Sin  embargo,  en  algunas  aplicaciones  resulta  adecuado  el  uso  de  dispositivos  que  permitan  variar  su 
resistencia  desde  el  exterior.  Pensemos,  por  ejemplo,  en  el  control  de  volumen  de  una  radio.  Estas 
resistencias variables reciben el nombre de potenciómetros o reóstatos. 

Suelen  construirse  a  partir  de  una  película  resistiva  colocada  en  forma  circular.  A  diferencia  de  las 
resistencias fijas, disponen de 3 terminales, uno a cada uno de los extremos y un tercero que actúa como 
cursor, que se desplaza sobre la película para obtener, así, los distintos valores de resistencia. 

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1.2.3. Resistencias  dependientes  de  la 


temperatura 
Este  tipo  de  resistores  presentan  una  resistencia  variable  en  función  de  la  temperatura  que  exista  a  su 
alrededor. Se construyen a partir de óxidos semiconductores y se clasifican en dos tipos: 

 Resistencias con coeficiente de temperatura positivo (PTC): el valor de la resistencia aumenta al 
subir latemperatura.  

 
 Resistencias con coeficiente de temperatura negativo (NTC): presentan menor resistencia cuando 
disminuye la temperatura.  

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Estas resistencias no se comportan de manera lineal en todo el rango posible de temperaturas, por lo que 
será necesario consultar su curva característica para seleccionar la resistencia más adecuada. 

ACTIVIDAD 

 Comprueba  experimentalmente  la  variación  de  temperatura  de  una  resistencia  PTC  y 
NTC utilizando un óhmetro y una fuente de calor segura. 

1.2.4. Resistencias dependientes de la luz (LDR) 
Una  resistencia  dependiente  de  la  luz  (light  dependent  resistor,  LDR)  o  fotorresistencia  es  un  tipo  de 
resistor que tiene la capacidad de hacer variar la resistencia óhmica entre sus terminales en función de la 
intensidad lumínica que incide sobre ella. 

En concreto, la resistencia ofrecida decrece conforme aumenta la intensidad luminosa desde unos 100MΩ, 
en completa oscuridad, hasta 100 Ω, bajo la iluminación máxima. Ésto se debe al efecto fotoeléctrico, ya 
que la energía aportada por el fotón incidente permite que los electrones salten a la banda de conducción.  

Sus  aplicaciones  van  desde  la  detección  crepuscular  para  el  control  de  iluminación  exterior  hasta 
aplicaciones  de  control  industrial  o,  incluso,  la  medición  de  luminosidad  para  sensores  de  cámaras 
digitales. 

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1.2.5. Resistencias  dependientes  del  voltaje 


(VDR) 
Una resistencia dependiente del voltaje (VDR) o varistor es un dispositivo semiconductor con capacidad 
para variar la resistencia enfte sus terminales en función de la diferencia de potencial existente entre ellos. 

 
Suele utilizarse para proteger a los circuitos ante cambios importantes de tensión, regulando la intensidad 
de corriente. De este modo, se evita la aparición de chispas y los calentamientos excesivos. 

1.2.6. Magnetorresistores (MIH) 
Los  magnetorresistores  son  dispositivos  con  la  capacidad  de  variar  la  resistencia  óhmica  entres  sus 
tetminales en función del campo magnético externo que se les aplique en ese momento. 

Esto los hace especialmente útiles como cabezales de lectura de soportes de almacenamiento magnético 
de datos o como detectores de proximidad de objetos en procesos industriales. 

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1.3. Condensadores 
Un  condensador  es  un  componente  electrónico  pasivo  que  tiene  la  propiedad  de  almacenar  y,  después, 
entregar  pequeñas  cantidades  de  carga  eléctrica.  Habitualmente  está  constituido  por  dos  láminas  de 
material conductor entre las cuales se coloca un dieléctrico. 

La  cantidad  de  carga  almacenada  por  un  condensador,  expresada  en  culombios,  viene  dada  por  la 
expresión: 

 
donde C es 1a capacidad del condensador, expresada en faradios (F) y V,la diferencia de potencial aplicada 
entre sus terminales, expresada en voltios (V). 

Como el faradio es una unidad muy grande, en electrónica se utilizan sus submúltiplos, especialmente el 
picofaradio (pF), el nanofaradio (nF), el microfaradio (µF) y el milifaradio (mF). 

Además  de  la  capacidad,  a  la  hora  de  elegir  un  determinado  condensador  hay  que  tener  en  cuenta  las 
siguientes especificaciones: 

 Tensión  nominal  de  funcionamiento  (Vn):  es  la  tensión  máxima  a  la  que  puede  trabajar  un 
condensador de manera permanente sin resultar dañado o deteriorado. 
 Tensión  de  perforación  del  dieléctrico  (Vp):  es  la  diferencia  de  potencial  máxima  que  puede 
soportar  el  condensador  sin  que  se  genere  un  arco  eléctrico  entre  ambas  armaduras,  que 
produciría una perforción del dieléctrico y destruiría el condensador. 
 Coeficiente de temperatura (Tc): es la variación que experimenta la capacidad de un condensador 
en función de los cambios de temperatura. 

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1.3.1. Tipos de Condensadores 
En  el  mercado  existen  numerosos  tipos  de  condensadores,  dependiendo  de  su  modo  de  fabricación  y 
funcionamiento. De este modo, pueden adaptarse a las distintas aplicaciones. 

 Condensadores electrolíticos: suelen estar formados por una lámina de plomo y otra de aluminio, 
enrolladas,  junto  a  una  capa  de  papel  absorbente  impregnado  en  un  electrólito  (ácido  bórico, 
borato  de  sodio,  cloruro  de  amonio,  etc.).  En  este  tipo  de  condensadores  es  muy  importante 
respetar la polaridad del condensador, la cual suele estar indicada en su cubierta y que depende de 
la longitud de sus patillas (el cátodo es más corto). Esto limita sus aplicaciones. 
 Condensadores de poliéster: se construyen depositando aluminio sobre láminas finas de poliéster  
mylar. Son condensadores de tamaño reducido. 
 Condensadores  de  poliestireno:  similares  al  tipo  anterior.  Una  de  sus  características  más 
interesantes es que presentan un coeficiente de temperatura negativo. 

 Condensadores  de  mica:  son  condensadores  con  muy  buen  comportamiento  a  frecuencias  altas, 
que aprovechan las características físicas de la mica para obtener finas láminas de dieléctricos. Sin 
embargo, el coste es mayor que el originado con otras tecnologías. 
 Condensadores  cerámicos:  se  utilizan  distintos  compuestos  cerámicos  como  dieléctricos. 

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Generalmente presentan capacidades y tensiones nominales bajas. 

 
 Condensadores  variables:  del  mismo  modo  que  existen  resistores  variables,  disponemos  de 
dispositivos que permiten la regulación de su capacidad. Suelen construirse a partir de unas láminas 
metálicas semicirculares situadas sobre un soporte giratorio. Este soporte aumenta o disminuye Ia 
superficie superpuesto de las láminas, variando en el mismo sentido la capacidad. 
 

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Además, existen condensadores en los que el dieléctrico es el aire o papel. Otros, como los de electrodo 
de tantalio están cayendo en desuso. 

1.3.2. Comportamiento del condensador ante 
la corriente eléctrica 
Un  condensador  ideal  se  comporta  como  un  circuito  abierto  ante  la  coriente  continua  en  régimen 
permanente.  Sin  embargo,  hasta  que  se  alcanza  dicho  régimen  permanente,  el  comportamiento  es 
distinto. 

Al  conectar  un  condensador  en  un  circuito,  este  comienza  a  almacenar  carga  eléctrica  entre  sus  placas. 
Una  vez  que  ha  alcanzado  su  capacidad  de  carga  máxima,  deja  de  circular  corriente  eléctrica  y  el 
condensador  se  comporta  como  un  circuito  abierto.  El  tiempo  que  tarda  en  alcanzarse  este  estado  se 
denomina tiempo de carga. 

Del mismo modo, al retirar la fuente de voltaje, el condensador entregará la carga almacenada, durante un 
periodo de tiempo denominado tiempo de descarga. 

Ante  el  paso  de  la  corriente  alterna,  el  condensador  ofrece  una  reactancia  capacitiva  definida  por  la 
expresión: 

 
Donde  

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C: capacidad del condensador, expresada en faradios. 

Por el condensador circulará una corriente eléctrica, adelantada 90º (π/2 radianes) respecto a la tensión 
aplicada. 

Carga de un condensador 
Consideremos  un  condensador  inicialmente  descargado.  Si  se  cierra  el  interruptor  que  le  conecta  a  la 
batería, la carga empieza a fluir produciendo corriente en el circuito, el condensador se empieza a cargar. 
Una vez que el condensador adquiere la carga máxima, la corriente cesa en el circuito. 

 
En el circuito de la figura tendremos que la suma 

Vab+Vbc+Vca=0 

El  extremo a tiene  un  potencial  mayor  que  el  extremo b de  la  resistencia R ya  que  la  corriente  fluye 
de a a b. De acuerdo a la ley de Ohm Vab=iR. 

La placa positiva del condensador b tiene mayor potencial que la placa negativa c, de modo que Vbc=q/C. 

El  terminal positivo  de  la  batería a tiene  mayor  potencial  que  el  terminal  negativo c,  de  modo  que Vca=‐
Vε , donde Vε es la fem de la batería 

La ecuación del circuito es: 

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Teniendo en cuenta que la intensidad se define como la carga que atraviesa la sección del circuito en la 
unidad de tiempo, i=dq/dt, tendremos la siguiente ecuación para integrar: 

Derivando con respecto al tiempo, obtenemos la intensidad en función del tiempo 

Descarga de un condensador 
Consideremos un circuito que consta de un condensador, inicialmente cargado, unido a una resistencia. Se 
cierra el interruptor y la carga del condensador disminuye exponencialmente con el tiempo. 

Consideremos  ahora  el  circuito  que  consta  de  un  condensador,  inicialmente  cargado  con  carga Q y  una 
resistencia R y se cierra el interruptor I. 

La ecuación del circuito será la siguiente. 

Vab+Vba=0 

Como  la  corriente  va  de a hacia b,  el  potencial  de a es  más  alto  que  el  potencial  de b.  Por  la  ley  de 
Ohm Vab=iR. 

En el condensador la placa positiva a tiene más potencial que la negativa b, de modo que  Vba=‐q/C. 

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La ecuación del circuito es 

Como la carga disminuye con el tiempo i=‐dq/dt. La ecuación a integrar es 

La carga del condensador disminuye exponencialmente con el tiempo. Derivando con respecto del tiempo, 
obtenemos la intensidad, en el sentido indicado en la figura. 

que disminuye exponencialmente con el tiempo. 

Valores
típicos
Tipo Formato Observaciones Aplicaciones
Tensión
máx

en filtros,
100pF a 10nF no polarizados; reducido
osciladores,
Cerámicos tamaño pero amplias
acoplamientos de
25V a 3kV tolerancias
circuitos

en circuitos de
Película:
no polarizados; resistente audio y propósito
10nF a 47uF
a la humedad; reducido general,
Poliéster, Poliestireno,
tamaño, pérdidas (salvo osciladores,
Policarbonato, 25 a 2000V
poliéster) y distorsión integradores,
Polipropileno
sintonizadores

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polarizados o no; de gran


rendimiento volumétrico,
fuentes de
1uF a 10mF pero también de grandes
Electrolítico de alimentacion de cc,
tolerancias y pérdidas;
aluminio filtros, bloqueo de
5 a 450V vida útil desde 1000 hs
cc
(se deterioran aunque no
se usen)

radiales o axiales;
polarizados o no; de tipo:
gota, rectangular, o
fuentes de
47nF a 1.2mF tubular; de gran
alimentación de cc,
Electrolítico de tantalio rendimiento volumétrico;
filtros, aplicaciones
3 a 450V menor corriente de fuga,
generales
más caro y menor rango
de valores que los
electrolíticos de aluminio
10pF a 10uF
aplicaciones
Chip polarizados o no
generales
6 a 16V

1pF a 500pF no polarizados; de aire, circuitos


Ajustables o trimmers mica, cerámica, vidrio, sintonizadores y
5 a 100V cuarzo y plástico filtros

1.4. Inductores o bobinas 
Un  inductor  o  bobina  es  un  elemento  pasivo  que  tiene  la  propiedad  de  almacenar  energía  eléctrica  en 
forma  de  campo  magnético  gracias  al  efecto  de  la  autoinducción.  Esta  capacidad  de  almacenamiento  se 
mide  en  henrios  (H).  Generalmente,  se  construye  mediante  un  arrollamiento  de  hilo  conductor  al  aire  o 
sobre un núcleo ferromagnético. 

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En cierto modo, su funcionamiento ante el paso de la corrientees inverso al del condensador, ya que se 
comporta  prácticamente  como  un  cortocircuito  para  la  corriente  continua,  una  vez  que  se  alcanza  el 
régimen permanente. Solo ofrece la resistencia debida al hilo con el que está construido, y puede llegar a 
modelarse como un circuito abierto para frecuencias elevadas. Así mismo, ofiece una reactancia inductiva 
al paso de la corriente definida por la expresión: 

 
Donde 

 
L: inductancia de Ia bobina expresada en henrios. 

Por la bobina circulará una corriente eléctrica, retrasada 90º (π/2 radianes) respecto a la tensión aplicada. 

1.5. El diodo 
El diodo es un dispositivo semiconductor dotado de dos terminales y que solamente permite el paso de la 
corriente eléctrica en un sentido. 

Los diodos más utilizados son los diodos de unión P‐N.Estos diodos se fabrican empleando las propiedades 
de los semiconductores en función del tipo de dopado con el que se fabriquen. Así, estarán compuestos 
por  la  unión  de  un  cristal  de  tipo  P  (exceso  de  carga  positiva)  con  un  cristal  tipo  N  (exceso  de  cargas 
negativas): 

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http://www.areatecnologia.com/electronica/union‐pn.html 

Esta  cliferencia  de  cargas  en  la  unión  genera  una  barrera  de  potencial,  que  se  opone  al  paso  de  la 
corriente. Si el diodo se polariza en directa, tal y como aparece en la  siguiente,  será posible vencer esta 
barrera potencial y el diodo comenzará a permitir el paso de la corriente eléctrica, una vez que la tensión 
aplicada supere un mínimo, denominado tensión de polarización (VF). El valor de esta tensión dependerá 
del  tipo  de  semiconductor  empleado  para  la  fabricación  del  diodo;  puede  variar  entre  los  0,2  V  del 
germanio y los 0,6 V del silicio. 

 
Sin  embargo,  si  se  polariza  el  diodo  tal  y  como  aparece  en  la  Figura  ,  es  decir,  en  inversa,  la  tensión 
aplicada  refuerza  más  aún  la  barrera  de  potencial,  no  permitiendo  el  paso  de  la  comiente  hasta  que  se 
alcanza una determinada tensión de ruptura (VZ) debida al efecto avalancha y que provoca la destrucción 
del diodo. 

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1.5.1. Recta de carga de un diodo 
La  recta  de  carga  de  un  diodo  es  una  herramienta  gráfica  que  nos  permite  conocer  su  punto  de 
polarización,  es  decir,  la  diferencia  de  potencial  existente  entre  sus  terminales  y  la  intensidad  de  la 
corriente eléctrica que lo recorre. 

Para trazar la recta de carga, se parte de la curva de polarizacióren directa del diodo empleado y se calcula 
el punto de corte de la recta de carga con los ejes. La pendiente de esta recta dependerá del valor de la 
resistencia empleada. 

 
Si analizamos el circuito anterior, aplicando la ley de Ohm obtenemos que: 

 
donde  V  es  la  tensión  de  la  fuente  y  VF  (tensión  de  polarización)  e  IF  (intensidad  de  corriente  de 
polarización), los parámetros que deseamos obtener. 

Para ello, resolveremos esta expresión para dos casos particulares: 

 Si VF= 0, entonces 

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 Si VF= V entonces: 

 
Con  esto,  obtenemos  los  puntos  de  corte  de  la  recta  con  los  ejes.  Su  intersección  con  la  curva  de 
polarización del diodo determtnará el punto de trabajo o de polarización. 

ACTIVIDAD 

 A partir de la curva de polarización de un diodo, traza la línea de carga para el caso en el 
que la tensión de la fuente sea de 5 V y la resistencia de carga 470 ohmios. 
Como  hemos  visto  hasta  ahora,  la  curva  de  polarización  de  un  diodo  tiende  a  asemejarse  bastante  a  un 
circuito abierto para tensiones cuyo valor está por debajo de la tensión de polarización o tensión umbral y 
a un cortocircuito, para tensiones superiores. 

Esto hace que, en la mayoría de los casos, podamos modelar al diodo de manera sencilla sin que el error 
sea significativo. 

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1.5.2. 0tros tipos de diodo 
Además  del  diodo  de  unión  P‐N  estudiado  hasta  ahora,  existen  otros  tipos  de  diodos  con  múltiples 
aplicaciones prácticas. 

 Diodo  Zener:  es  un  diodo  diseñado  específicamente  para  trabajar  en  la  zona  de  ruptura.  Esto  lo 
hace prácticamente fundamental en los reguladores de tensión. Al contrario que el diodo de unión 
P‐N, se polariza en inversa, manteniendo una tensión constante entre sus terminales. Si se polariza 
en directa, su funcionamiento es similar al del diodo P‐N. 

 
 Diodo  de  efecto  túnel:  tiene  una  zona  de  functonamiento  en  la  que  presenta  una  resistencia 
negativa debido al efecto túnel; de este modo, se permite la amplificación de señales. 
https://es.slideshare.net/davidpachecojimenez/curva‐caracterstica‐de‐un‐diodo‐zener‐y‐un‐diodo‐

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tunel 
 Diodo regulador de corriente: tiene un funcionamiento análogo al diodo Zener pero, en este caso, 
la magnitud que se mantiene constante es la intensidad de la corriente eléctrica. 
 Diodo Gunn: similar al diodo de efecto túnel, presenta una zona con resistencia negativa. 
 Diodo  emisor  de  luz  (LED):  en  este  tipo  de  diodos,  los  portadores  (electrones  o  huecos)  que 
atraviesan la unión PN generan un fotón. Gracias a este efecto producen una iluminación de alta 
eficiencia energética. 

 
 Diodo PIN: está formado por la unión de un cristal de semiconductor sin dopar (intrínseco) situado 
entre los cristales P y N. Se utiliza principalmente como fotodiodo. 

 
 Diodo láser: parte de la base de funcionamiento del diodo LED, pero haciendo uso además de una 
cavidad resonante que provoca una gran amplificación. 
 Diodo  térmico:  bajo  este  nombre  se  conocen  tanto  los  diodos  empleados  para  controlar  que  la 
temperatura  de  funcionamiento  está  dentro  de  los  márgenes  adecuados,  como  los  diodos 
empleados  para  genera:  calor  (efecto  termoeléctrico)  o  refrigeración.  Este  último  es  el  caso,  por 
ejemplo, de los diodos Peltier. 
 Diodo  Schottky:  este  diodo  se  construye  mediante  la  unión  entre  un  metal  y  un  semiconductor. 
Tiene una tensión de ruptura mucho menor que los diodos PN. Se usan principalmente en circuitos 

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de alta velocidad y fuentes conmutadas. 

ACTIVIDADES 

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1.6. El transistor 
El nombre de transistor proviene de la contracción de transfer‐resistor o resistencia de transferencia. Su 
descubrimiento otorgó el Premio Nobel de Física a sus inventores, Bardeen, Brattain y Shockley.  

Es  un  dispositivo  semiconductor  de  tres  terminales,  que  puede  realizar  las  funciones  de  amplificación, 
conmutación, oscilación o rectificación, lo que hace que se encuentre presente en prácticamente todos los 
dispositivos electrónicos desarrollados en la actualidad. 

Existen varios tipos de transistores, en función de la tecnología en la que se base su funcionamiento. Los 
más importantes son el transistor bipolar de unión (BJT) y el transistor de efecto de campo (FET). 

1.6.1. El transistor Bipolar 
El transistor de unión bipolar (bipolar junction transistor, BJT) está formado por dos uniones P‐N, lo que 
permite controlar el paso de corriente entre sus terminales. 

Como se observa en la figura anterior, cada uno de los terminales del transistor bipolar recibe un nombre 
distinto. 

“Una  regla  mnemotécnica  sencilla  para  distinguir  los  transistores  PNP  de  los  NPN  es  comprobar  si  en  su 
símbolo, la flecha del emisor penetra o no penetra en la base” 

El transistor basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre el emisor y el colector 
mediante variaciones de la corriente de base. Analizaremos a continuaciónel transistor PNP. 

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Si  observamos  la  Figura  ,  podemos  comprobar  que  la  situación  es  similar  a  la  de  dos  diodos  PN 
enfrentados.  Teniendo  en  cuenta  que  el  transistor  es  un  nudo  de  tres  terminales,  la  suma  neta  de  las 
corrientes  entrantes  y  salientes  debe  ser  cero.  De  esta  forma  obtenemos  una  de  las  ecuaciones 
fundamentales del transistor. 

 
Además, podemos definir los siguientes parámetros: 

 Ganancia de corriente (β): es la relación entre la intensidad de corriente de colector y la intensidad 
de corriente de base. También se denota también como hFE. 

 
 Parámetro alfa (α): es la relación entre la corriente de colector y la de emisor. 

 
Ambos parámetros se relacionan entre sí mediante las siguientes expresiones: 

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ACTIVIDAD RESUELTA 
Calcula los pmámetro α y β de un ransistor PNP sabiendo que la corriente de colector es de 5 mA 
para una corriente de base de 0,025 mA. 
Solución: 
Aplicando las expresiones vistas anteriormente: 
 

 
De lo que, además, podemos deducir que la corriente deemisor será de 5,025 mA. 
  
El transistor bipolar tiene tres zonas de funcionamiento: 
 Corte: en esta zofiano circula corriente a través del transistor. Esto sucede cuando IE= 0 o incluso,  cuando 
tiene signo negativo. Para operar en zona de corte se debe eliminar la diferencia de potencial entre base 
y emisor, VBE= 0. 
 Activa: es aquella en la que circula corriente por todos los terminales del transistor. Se consigue polarizando 
en directa la unión base‐emisor y en inversa, la colector‐base: 

 
 
 Saturación:  es  aquella  en  la  que  ambas  uniones  se  encuentran  polarizadas  en  directa.  Esto  hace  que  la 
situación venga dada por las siguientes expresiones: 
 

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Para  estudiar  el  funcionamiento  del  transistor  bipolar,analizaremos  una  de  las  configuraciones  más 
empleadas en los circuitos, la configuración de emisor común. 

Si aplicamos las leyes de Kirchhoff, comprobamos que la recta de carga vendrá dada por la expresión:   

 
Para trazarla, estudiaremos los dos puntos de corte con los ejes: 

 Cuando Ic = 0 la tensión entre el colector y el emisor es igual a la tensión de alimentación, luego:  

 
 Cuando la diferencia de potencial entre colector y emisor es nula, VCE= 0 y, por tanto, 

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Superponiendo  esta  recta  sobre  las  curvas  características  del  transistor,  que  relacionan  la  corriente  del 
colector con la tensión del colector‐emisor para varias intensidades de corriente de base constantes, que 
podemos obtener de sus especificaciones técnicas, obtendremos gráficamente el punto de trabajo Q. 

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Si aplicamos las leyes de Kirchhoff a la malla de la base, tenemos que: 

 
Sabemos que la unión base‐emisor se comporta como un diodo polarizado en directa, por lo que podemos 
aproximar: 

 
Además, como vimos anteriormente, en un transistor en zona activa se cumple que: 

 
 

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Por tanto: 

 
ACTIVIDAD 

Calcula Ic, IB y VCE  para un transistor polarizado en configuración de emisor común, sabiendo que VCC=12 
V RC = 220Ω, RB = 68 kΩ y la ganancia de corriente (β) del transistor es de 200. 

1.6.2. El transistor FET 
Los transistores de efecto campo (field effect transistor, FET) son un tipo de dispositivos que se basan en el 
campo eléctrico para controlar la conductividad de un <<canal>> en un material semiconductor. En cierto 
modo, podríamos decir que se comportan como resistencias controladas por tensión. 

Los transistores de efecto de campo más utilizados son los JFET (junction field‐effect transistor), MOSFET 
(metal‐oxide semiconductor FET) y MISFET (metal‐insulator semiconductor FET). 

Al igual que los transistores bipolares, disponen de tres terminales, denominados puerta (gate), drenador 
(drain) y surtidor o fuente (source). 

 Los JFET disponen de cinco zonas de funcionamiento: 

 Región  de  ruptura:  si  la  tensión  entre  drenador  (VDS)    es  muy  alta,  la  corriente  de  drenador 
aumenta rápida mente debido al efecto avalancha, que puede llegar a destruir el transistor. 

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 Región de corte: en ella, el transistor se comporta como un interruptor abierto. Esto sucede cuando 
lVGSl > lVPI, donde VP, es la tensión de puerta que consigue cerrar el canal. En esta situación ID= 0. 
 Región óhmica: en esta zona, el transistor se comporta como una resistencia variable por tensión. 
 Región  de  saturación:  aquí,  el  transistor  se  comporta  como  un  interruptor  cerrado.  Esto  sucede 
cuando  VGS  =0.  Bajo  estas  circunstancias,  la  corriente  del  drenador  se  mantiene  constante  en  un 
valor característico de cada transistor. Este valor se denomina IDSS. 
 Región activa: está situada entre las regiones de saturación y de ruptura. Bajo estas circunstancias, 
los parámetros del transistor vienen dados por la siguiente expresión. 
 

Los transistores MOSFET son similares a los JFET que acabamos de estudiar. La principal diferencia es que 
en ellos la puerta (G) está aislada del canal. Gracias a esto, lacorriente de puerta es prácticamente nula, 
presentando una altísima impedancia de entrada. 

Por  este  motivo,  los  MOSFET  son  prácticamente  los  transistores  más  utilizados  para  amplificación  de 

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señales débiles, ya que, además de la alta impedancia de entrada, poseen una reactancia capacitiva muy 
baja. 

Podemos distinguir entre dos tipos de MOSFET: 

 MOSFET  de  enriquecimiento:  se  basan  enla  creación  de  un  canal  entre  el  drenador  y  el  surtidor 
mediante  la  aplicación  de  una  tensión  en  la  compuerta.  Esto  produce  un  incremento  de  la 
conductividad eléctrica, debido a un aumento de la cantidad de  portadores de carga en la región 
corespondiente al canal. 
 MOSFET de empobrecimiento: tienen un canal conductor en su estado de reposo que desparece 
medianfe la aplicación de la tensión elécttica en la puerta, disminuyendo la cantidad de portadores 
de carga y la conductividad. 

1.7. Rectificadores 
Un rectificador es el circuito electrónico que permite convertir una señal de corriente alterna a corriente 
continua. 

Resulta de utilidad, por ejemplo, en una fuente de alimentación para dispositivos electrónicos, ya que debe 
convertir la señal alterna de 230 V de la red eléctrica en una señal continua de una tensión más adecuada. 

El elemento fundamental de los tipos de rectificadores que estudiaremos a continuación es el diodo 

1.7.1. Rectificador de media onda 
El  rectificador  de  media  onda,  como  su  propio  nombre  indica,  elirnina  un  semiperiodo  de  la  señal  de 
entrada. Se realtza utilizando solalnente un diodo. 

Tal como se puede deducir fácilmente del esquema, cuando la tensiónde entrada tiene un valor positivo, el 
diodo estará polarizado en directa, permitiendo el paso de la corriente. 

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Sin embargo, para valores negativos de la tensión de entrada, este se comportará como un circuito abierto. 

La tensión media de salida, también llamada tensión de corriente continua, vendrá dada por la siguiente 
expresión: 

donde 0,7 V es la caída de tensión en el diodo aplicando el modelo simplificado visto anteriormente. 

ACTIVIDAD 

Calcula la tensión de corriente continua a la salida de un rectificador de media onda, sabiendo que está 
añimentada por una tensión alterna de 110 V de valor eficaz. 

(Es  importante  tener  en  cuenta  de  que  el  diodo  debe  ser  capaz  de  soportar  la  tensión  máxima  del 
semiperiodo negativo, si entra en zona de ruptura) 

1.7.2. Rectificador de onda completa 
La técnica más habitual para conseguir una rectificación de onda completa consiste en la utilización de un 
puente de diodos. 

En este rectificador, durante el semiciclo positivo están polarizados en directa los diodos D2 y D3. Por el 
contraiio, durante el semiciclo negativo estarán polarizados en directa los diodos D4 y D1. Esto hace que la 
carga reciba siempre una señal de la misma polaridad. 

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En este caso, la tensión de continua vendrá dada por: 

ACTIVIDAD 

Calcula la tensión de corriente continua a la salida de un rectificador de media onda, sabiendo que está 
añimentada por una tensión alterna de 230 V de valor eficaz. 

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1.7.3. FILTRADO 
En los rectificadores que hemos visto hasta ahora, si bien la señaL de salida tiene un valor medio distinto 
de cero, presenta fuertes oscilaciones en su amplitud y dista mucho de tener el aspecto de una señal de 
corriente continua.  

Para reducir este efecto, denominado rizado,la solución más sencilla consiste en utilizar un condensador en 
paralelo con la salida del rectificador. 

Con esta Técnica, la tensión de rizado de la salida pasará a ser: 

Donde  “f”  es la frecuencia del rizado en Hz y C la capacidad del condensador en F. Es impofiante tener en 
cuenta que en el caso de un rectificador de onda completa, la frecuencia del rizado será el doble de la de la 
señal de entrada. 

Tal como se observa en la expresión anterior, cuanto mayor sea la capacidad del condensador menor será 
el rizado resultante. 

Tras el filtrado la tensión de cor:riente continua será: 

En los casos en los que es necesario reducir aún más la tensión de rizado, se puede recurrir a filtros LC, 
denominados  así  porque  están  formados  por  bobinas  y  condensadores,  que  consiguen  mejorar 
notablemente  la  señal  de  salida.  Sin  embargo,  en  la  actualidad  resultan  más  precisos  y  eficaces  los 
estabilizadores y reguladores de tensión integrados. 

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1.8. Circuitos amplificadores basados en transistores 
Un amplificador es un elemento que tiene la capacidad de aumentar la amplitud de la señal presente a su 
entrada. Esta relación entre la entrada y la salida se denomina ganancia y puede distinguirse entre: 

 Ganancia de tensión: relación entre el nivel de tensión de la señal de entrada (Vi) y ta de la salida 
(Vo). 

 
 Ganancia  de  corriente:  si  el  parámetro  de  estudio  es  la  intensidad  de  corriente  eléctrica,  su 
ganancia se define como: 

 
 Ganancia de potencia: es la relación entre la potencia de entrada y la potencia de salida. 
 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

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1.8.1. Amplificador de emisor común 
El amplificador de emisor común es uno de los amplificadores más utilizados para aplicaciones de pequeña 
señal. Se construye apartir de un transistor bipolar en configuración de emisor común, al que se le añade 
un  condensador  de  acoplamiento  (C1),  paru  evitar  el  paso  de  la  componente  de  corriente  continua  que 
tenga  la  fuente  de  entrada,  y  un  condensador  de  paso  (CE),  para  que  la  resistencia  de  emisor  quede 
cortocircuitada para la señal de corriente alterna. 

Del  razonamiento  anterior  se  deduce  que  en  este  amplificador  existirán  dos  modelos  equivalentes,  uno 
para coriente alterna y otro para corriente continua. 

El  modelo  de  corriente  continua  se  obtiene  sustituyendo  los  condensadores  por  circuitos  abiertos  y 
cortocircuitando las fuentes de corriente alterna. Para el modelo de corriente alterna se procede de forma 
inversa,  cortocircuitando  las  fuentes  de  corriente  continua  y  considerando  los  condensadores  como 
circuitos abiertos. 

En primer lugar, analizaremos el modelo de corriente continua. 

La corriente que recorre R, será la misma que recorre R, (suponiendo IB= 0): 

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Como VBE = 0,7 V (para transistores de silicio), podemos obtener directamente la tensión de emisor. 

Y, por tanto, la corriente de emisor será: 

con lo que ya podemos resolver la malla: 

Con esto obtenemos el punto de trabajo del transistor. Es importante tener en cuenta que la señal alterna 
que se pretende amplificar no puede tener una amplitud tal, que haga salir al transistor de la zona activa, 
ya que, en ese caso, la señal de salida aparecería recortada. 

Para  obtener  la  ganancia  de  tensión  en  alterna  debe  analizarse  el  circuito  equivalente  para  corriente 
alterna.  Este  modelo  puede  simplificarse  aún  más  modelando  el  transistor  por  la  resistencia  del  diodo 
base‐emisor y el colector por una fuente de corriente. 

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Así, podemos deducir que: 

donde “re “es la resistencia en alterna del emisor, “ѵbe" es la señal alterna de entrada e “ie” es la intensidad 
de  corrientealterna  que  circula  por  el  emisor.  Una  buena  aproximación  matemática  de  la  expresión 
anterior viene dada por la expresión: 

donde  “IE“  es  la  intensidad  de  comiente  de  continua  que  circula  por  el  emisor  que  hemos  calculado 
anteriormente. 

Esto  nos  permite  obtener  fácilmente  la  ganancia  aproximada  en  alterna  del  amplificador,  una  vez  que 
hemos determinado su punto de trabajo, aplicando la expresión: 

1.8.2. Amplificador de colector común. 
El amplificador de colector común también se conoce como seguidor de emisor, ya que tiene una ganancia 
muy cercana a 1. Resulta especialmente útil como adaptador de impedancias. 

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En este amplificador, la ganancia por la expresión: 

1.8.3. Amplificador de  base común 
En este tipo de amplificador, como su propio nombre indica, la base actúa como elemento común entre 
entrada y salida. 

Su ganancia es similar a la de la configuración de emisor común, pero con un mejor comportamiento frente 
a las frecuencias altas. 

  

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1.8.4. Par Darlington 
Para conseguir una gran ganancia de corriente pueden acoplarse directamente entre sí dos transistores en 
configuración de emisor común, dando lugar al denominado par Darlington. 

En este caso, la β del transistor será igual al producto de la β de cada uno de los transistores. 

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MAPA CONCEPTUAL 

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ACTIVIDADES DE COMPROBACIÓN 
1. Un transistor es un dispositivo: 

a) Optoelectrónico. 

b) Pasivo. 

c) Activo. 

d) Electromecánico. 

2. Una resistencia con tres bandas rojas y una dorada tiene un valor de: 

a) 22º Ω y tolerancia 5%. 

b) 220 Ω  y tolerancia 10 % 

c) 2,2 k Ω y tolerancia 5 % 

d) 2,2 k Ω y tolerancia 5 % 

3. ¿Cuál será el valor de la resistencia equivalente de dos resistencias de 100 Ω en serie? ¿Y en paralelo? 

a) 50 Ω en serie y 200 Ω en paralelo. 

b) 200 Ω en serie y 50 Ω en paralelo. 

c) 200 Ω en serie y 100 Ω en paralelo. 

d) Ninguna de las respuestas anteriores es correcta. 

4. ¿En qué tipo de condensadores es importante respetar la polaridad? 

a) En todos. 

b) En los electrolíticos. 

c) En los cerámicos. 

d) En ninguno. 

5. Un inductor o bobina tiende a comportarse en altas frecuencias como: 

a) Un cortocircuito. 

b) Un circuito abierto. 

c) Un condensador. 

d) Un amplificador. 

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6. Un condensador tiende a comportarse en altas frecuencias como: 

a) Un codocircuito. 

b) Un circuito abierto. 

c) Un inductor. 

d) Un amplificador. 

7. ¿Cuál será el valor de la capacidad equivalente a dos condensadores de 1 00 pF colocados en serie? ¿Y 
en paralelo? 

a) 50 µF en serie y 200  µF en paralelo. 

b) 200 µF en serie y 50 µF en paralelo. 

c) 200 µF en serie y 100 µF en paralelo. 

d) Ninguna de las respuestas anteriores es correcta. 

8. ¿Cómo se llama la relación entre la corriente de base y colector en un transistor bipolar? 

a) Alfa. 

b) Beta. 

c) hFE 

d) Las respuestas b y c son correctas. 

9. ¿Qué se consigue mediante el uso de un par Darlington? 

a) Más estabilidad. 

b) Más ganancia. 

c) Menos consumo. 

d) Menos ganancia. 

10. ¿Qué ventaja aporta la configuración en base común frente a la de emisor común? 

a) Más ganancia. 

b) Mejor comportamiento en alta frecuencia. 

c) Mejor comportamiento en baja frecuencia. 

d) Menor precio. 

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11. ¿Qué configuración suele utilizarse para adaptar impedancias? 

a) Colector común. 

b) Emisor común. 

c) Base común. 

d) Ninguna de las respuestas anteriores es correcta. 

12. ¿Qué nombre reciben las oscilaciones que aparecen en la señal de salida de un rectificador? 

a) Transitorios. 

b) Conmutaciones. 

c) Rizado. 

d) Ninguna de las respuestas anteriores es correcta. 

13. ¿Qué colores deben mostrar las siguientes resistencias? 

a) 2,2 kΩ, con tolerancia del 5 %. 

b) 47 MΩ, con tolerancia del 10 %. 

c) 330 Ω, con tolerancia del 5 % 

14. ¿Qué ventajas crees que aporta el uso de resistencias SMD? 

15. Calcula la capacidad que debe tener un condensador utilizado como filtro en un rectificador para que 
la tensión de rizado sea de 2 V, para una entrada de 230 V eficaces de alterna, con una frecuencia de 50 
Hz. 

16.  Utilizando  un  multímetro,  verifica  el  funcionamiento  de  una  resistencia  LDR.  Obtén 
experimentalmente su valor máximo y mínimo. 

17. ¿Cómo deberá situarse el cursor de un potenciómetro de 10 kΩ empleado como divisor de tensión 
para que la tensión a su salida sea de 4,7 V cuando se Ie aplican 12 V de continua a su entrada? 

18. Tras realizar varias medidas en un transistor, comprobamos que su corriente de colector es de 9 mA 
cuando su corriente de base es de 0,05 mA. ¿Cuánto valdrán sus parámetros  α y β? 

19. Para el amplificador de emisor común, determina los siguientes parámetros, sabiendo que: R1 = 15 
kΩ, R2= 4,7 kΩ, Rc = 1 kΩ Y RE = 560 Ω y β = 100. 

a) Tensión de continua en base, emisor y colector. 

b) Ganancia de tensión. 

c) Tensión de salida para una señal alterna de 5mV de pico de entrada. 

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20. ¿Cuál será la ganancia de un par Darlington formado por dos transistores como los de la  cuestión 
anterior (19). Dibuja el símbolo correspondiente. 

21. ¿Qué ventajas presenta el amplificador de base común frente al de emisor común? 

22. Calcula RBy RC. para que el transistor  con configuración de emisor común  esté situado en el 

punto de trabajo dado por: IB = 10 µA, IC= 1 mA y VCE=7 V. 

23.  Busca  información  en  internet  acerca  de  los  circuitos  amplificadores  basados  en  transistores 
MOSFET. 

24. Busca información en internet acerca de las curvas de potencia máxima de los transistores BJT. 

Práctica de taller nº1 
0bjetivos 
Verificar el funcionamiento de un rectificador de onda completa basado en puente de diodos mediante su 
montaje en laboratorio. 

Procedimiento 
1. Prepara el siguiente material: 

 Generador de funciones. 
 Placa de prototipos (proto‐board). 
 4 diodos rectificadores. 
 0sciloscopio. 
 Resistencias. 
 Condensador. 

2.Realiza el montaje de acuerdo con el siguiente esquema: 

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3.  Conecta  a  su  entrada  el  generador  de  funciones  empleando,  por  ejemplo,  una  señal  sinusoidal  de 
amplitud 5V y frecuencia 100 Hz. 

4.  A  Ia  salida  deberás  conectar  el  osciloscopio  correctamente,  de  forma  que  esté  configurado  para  la 
visualización. 

5.  Observa  la  forma  de  la  señal  de  salida  y  compárala  con  la  señal  de  entrada  (puedes  observarlas 
simultáneamente haciendo uso de los dos canales del osciloscopio). 

6. Diseña un filtro por condensador de forma que la tensión de rizado sea del 10 %. Realiza el montaje y 
comprueba el resultado. 

Práctica de taller nº2 
0bjetivos 
Verifica el funcionamiento de un amplificador de pequeña señal realizado mediante un transistor bipolar, 
 
en configuración de emisor,común . 

Procedimiento 
1. Prepara el siguiente material:  
 Transistor BJT 2N2222A. 
 Condensadores electrolíticos: C1 = 10 µF, C2= 1 µF y Ce= 47 µF.  
 Resistencias de 0.5 W: R1= 2,2 kΩ, R2=12 kΩ , Re= 220 Ω, Rc= 1kΩ y RL= 100 kΩ. 

2. Realiza el montaje de acuerdo con el siguiente esquema: 

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3. Tras realizar el montaje, alimenta con una tensión de continua Vcc= 10V. 

4.  Verifica  el  punto  de  trabajo  del  transistor  y  visualiza  la  señal  de  salida  para  distintas  amplitudes  de 
entrada. 

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