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TRANSISTOR

COOLMOS

El COOLMOS, es una tecnologa nueva de MOSFET(es un transistor utilizado


para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor mas
utilizado en la industrias microelectricas , ya sea en circuitos analgicos o
digitales . Aunque el MOSFET es un dispositivo de 4 terminales llamadas
surtidor (S), drenador (D), compuerta (C), y sustrato (B), el sustrato
generalmente esta conectado internamente a la terminal del surtidor y por
ese motivo se pueden encontrar dispositivos de 3 terminales similares a los
otros transistores de efecto de campo ) de potencia para alto voltaje. Se
implementa mediante una estructura de compensacin en la regin vertical
de desplazamiento de un MOSFET, para mejorar la resistencia en estado
activo.
Las perdidas de conduccin son 5 veces menores, en comparacin con las
de la tecnologa MOSFET convencional.
El COOLMOS es capaz de manejar de dos a tres veces mas potencia de
salida que la de un MOSFET convencional en el mismo encapsulado. El rea
activa de microcircuito de un COOLMOS es unas 5 veces menor que la de un
MOSFET normal.

CoolMOS concepto de dispositivo en comparacin con


MOSFET de potencia convencional

La figura muestra el corte transversal del COOLMOS. En el dispositivo


se ha aumentado el dopado de la capa conductora de corriente, sin
alterar la capacidad de bloqueo. Un alto voltaje VBR de bloqueo del
transistor requiere una capa epitaxial relativamente gruesa y poco
dopado. Existe una ley que relaciona la resistencia drenaje fuente
con VBR.

RD(enc) = VBRKc

Donde Kc es una constante entre 2,4 y 2,6

Esta limitacin se supera agregando columnas de tipo de dopado contrario,


que se implementan en la regin de corrimiento en tal forma que la integral de
dopado a lo largo de una perpendicular al flujo de corriente permanece menor
que la carga de ruptura especifica del material. En este concepto se requiere
una compensacin de la carga adicional en la regin n, mediante regiones
adyacentes con dopado p. Esas cargas crean un campo elctrico lateral que no
contribuye al perfil vertical del campo. En otras palabras, la concentracin de
dopado se integra a lo largo de una perpendicular a la interfase entre las
regiones p y n.

Los portadores mayoritarios solo proporcionan la conductividad elctrica. Como no hay


contribucin de corriente bipolar, las perdidas de conmutacin son iguales a las de los

MOSFET convencionales. Se aumenta el dopado de la capa que sostiene el voltaje ms o


menos, en un orden de magnitud. Se insertan bandas verticales p adicionales en la
estructura para compensar el exceso de carga n que contiene la corriente. El campo
elctrico en el interior de la estructura esta fijado por la carga neta de las dos columnas
con dopados opuestos. De este modo se puede obtener una distribucin casi horizontal del
campo, si ambas regiones se compensan entre si en forma perfecta. La fabricacin de
pares adyacentes dopadas con p y con n con una carga neta prcticamente de cero
requiere una manufactura de presicin. Todo desequilibrio de cargas influye sobre el voltaje
de bloqueo del dispositivo. Para mayores voltajes de bloqueo solo se tiene que aumentar la
profundidad de las columnas sin necesidad de alterar el dopado. Esto conduce a una
relacin lineal entre el voltaje de bloqueo y la resistencia en estado activo

Por ejemplo la resistencia es de 70 m_ para un COOLMOS de 600 V, 70 A. El


COOLMOS tiene una caracterstica v-i lineal con un bajo voltaje umbral. Los
dispositivos COOLMOS se pueden usar en aplicaciones hasta lmites de potencia
de 2 KVA, como suministros de corriente para estaciones de trabajo y servidor,
fuentes ininterrumpibles de energa (UPS), convertidores de alto voltaje para
sistemas de microondas, hornos de induccin y equipos de soldadura. Estos
dispositivos pueden reemplazar a los MOSFET convencionales de potencia en
todas sus aplicaciones en la mayor parte de los casos sin adaptacin alguna del
circuito. A frecuencias de conmutacin mayores a 100 KHZ, los dispositivos
COOLMOS ofrecen una mejor capacidad de manejo de corriente, como por
ejemplo un rea mnima requerida de microcircuito para determinada corriente.
Tienen la ventaja de tener un diodo inverso intrnseco. Toda oscilacin parasita
que pudiera causar disparos negativos del voltaje entre drenaje y fuente se fija a
un valor definido por el diodo.


principio de compensacin en el dispositivo de CoolMOS : En el estado, las
columnas superiores dopados actan como un "corto" en toda la regin de
desplazamiento ; Fuera de estado, y se aplicar la VDS , la regin de carga
espacial extiende a travs de toda la epi - capa = > ningn portadores
libres = > alto voltaje de ruptura .

IMPORTANCIA

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor (Un


semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o
como aislante dependiendo del campo elctrico en el que se
encuentre) que cumple funciones de amplificador(De forma general,
un amplificador es un dispositivo que, mediante la utilizacin de
energa externa, magnifica la amplitud o intensidad de un fenmeno
fsico), oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es
la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de
transferencia"). Actualmente se los encuentra prcticamente en todos
los enseres domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadores,
reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas, lavarropas
automticos, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes
de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas
fluorecentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos,
reproductores mp3(ipod), moviles, infinidad de ellos ms.