MOSFET

MOSFET as a Switch
Electronic Basics #23: Transistor (MOSFET) as a Switch

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Proteccion contra tension inversa

Se mantiene el fusible. El fusible sólo se abriría en caso de fallo catastrófico.

El diodo D1 es un diodo TVS (supresor de voltaje transitorio), que es como un diodo zener
que comienza a conducir a una tensión inversa definida. Lo que sugiero aquí es uno
bidireccional, lo que significa que, por ejemplo, un TVS de 40V no conducirá hasta que esté
por encima de + o - 40V. Está ahí para absorber transitorios y picos de baja potencia.

Ahora el MOSFET Q1 es el que hace la rectificación por nosotros. En este ejemplo Q1 es

un MOSFET de canal P. El funcionamiento es el siguiente:

Cuando todo está apagado y la tensión de salida es cero al principio.

Cuando la entrada se aplica correctamente, la tensión de alimentación pasa a través del

diodo del cuerpo del MOSFET elevando la tensión de salida.

A medida que la salida sube, la tensión puerta-fuente del MOSFET sube a través de las
resistencias R1-R2 y así el MOSFET Q1 se enciende.

Tener un MOSFET encendido es mucho mejor que un simple diodo, ya que se puede elegir
que tenga una resistencia de encendido muy pequeña y así se desperdicia muy poca
energía en comparación con un diodo.

Ahora, en caso de una polaridad inversa, si el MOSFET ya estaba apagado, el diodo del
cuerpo del MOSFET también bloquea la salida de la tensión inversa. R1 mantiene la tensión
puerta-fuente a cero y el MOSFET permanece apagado. Y así la salida queda bloqueada de
la entrada inversa.

Si partimos de una alimentación positiva y luego la alimentación se vuelve negativa:

El MOSFET parte del estado ON

A medida que la entrada cae, la salida también cae ya que el MOSFET está encendido, y lo
mismo ocurre con la tensión puerta-fuente del MOSFET a través de la resistencia R1-R2

El MOSFET se apaga cuando la entrada pasa por cero y la tensión puerta-fuente es cero

Cuando la entrada es inferior a cero, el MOSFET se apaga y bloquea el circuito de la

tensión inversa

La tensión puerta-fuente de los MOSFETs suele ser de 20V o menos. Esta es la razón por la
que se añade el zener D2 a las resistencias R1-R2, para que pueda bloquear la tensión de
la fuente de la puerta por debajo de 20V. Un ejemplo de buenos valores es un zener de 16V,
47k para R1 y 10k para R2. El MOSFET también debería tener una tensión de
drenaje-fuente superior a la tensión inversa máxima.

Además, el circuito MOSFET puede ser volteado al lado de tierra usando un MOSFET de
canal N. La ventaja de los N-Ch es que la resistencia de encendido de los MOSFETs N-Ch
puede ser mucho menor que la de los P-Ch, por lo que pueden manejar corrientes mucho
mayores.

Ahora bien, todo MOSFET tiene cierta capacitancia de entrada que, combinada con las
resistencias de puerta, ralentiza el tiempo de respuesta del MOSFET. Así que si la entrada
cambia de positivo a negativo súper rápido, el MOSFET puede conducir durante un tiempo
en voltaje negativo lo que tarda en apagar el voltaje puerta-fuente. Esto podría dañar el
circuito, así que

Escoja R1-R2 que combinado con la capacitancia de entrada del MOSFET, resulte en una
constante de tiempo mucho más rápida que un borde transitorio que pase a negativo.

Tenga condensadores grandes en la salida para absorber los transitorios negativos de alta
velocidad y baja potencia.

Puede tener un diodo inverso en la salida del MOSFET, de modo que conduzca durante un
período muy corto de tiempo que tarda el MOSFET en apagarse completamente. Este diodo
no quemará un fusible ya que el tiempo que conduce es muy corto.

Tomado de: https://www.electroboom.com/?tag=reverse-polarity

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