Transistores NPN y PNP

7/11/22, 21:16 Transistores NPN y PNP - Ejercicios resueltos paso a paso
Transistores NPN y PNP

Los transistores NPN y PNP fueron inventados en 1951, por William Schockley. También
conocidos como transistores bipolares (Bipolar Junction Transistor, BJT), son un dispositivo
semiconductor que es capaz de amplificar señales electrónicas. Es uno de los
componentes electrónicos más importantes que hay, debido a la gran cantidad de
aplicaciones en los que se puede usar. Además, a raíz de su invención, se han creado otros
muchos componentes, tales como los circuitos integrados, como por ejemplo los
microprocesadores que llevan los ordenadores, los cuales, están formados por millones de
transistores.
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Símbolos de los transistores NPN y PNP

Existen dos tipos de transistor bipolar, los de tipo NPN, y los del tipo PNP. En la figura se
muestran los símbolos de ambos tipos, igualmente, se indican las corrientes, las tensiones
y sus polaridades, las cuales hay que tener en cuenta a la hora de realizar el estudio de un
circuito que contenga un transistor bipolar. El transistor bipolar T1 es de tipo NPN, mientras
que el transistor T2 es PNP.
¿Cómo funcionan los transistores NPN y

PNP?
Un transistor bipolar puede trabajar como un amplificador o como un interruptor electrónico
(conmutación). Cuando se polariza el transistor con un circuito de continua, puede trabajar
en tres zonas de funcionamiento:
En corte
Zona activa
En saturación
En la imagen se muestran las curvas características de entrada (izquierda) y de salida

(derecha) de un transistor bipolar. Como en el caso de los diodos, se pueden utilizar tres
aproximaciones. No obstante, lo más común es utilizar la primera y segunda aproximación.
Para resolver un circuito con transistor bipolar vamos a seguir tres pasos:
1. Suponer una zona de funcionamiento
2. Utilizar las ecuaciones correspondientes a la zona de trabajo supuesta en el primer

paso.
3. Comprobar numéricamente que la suposición realizada es correcta. Si no lo es, hay que

suponer otra zona de trabajo y repetir los pasos de nuevo.
Zonas de funcionamiento de los transistores NPN y

PNP
Veamos las tres zonas de funcionamiento y los circuitos equivalentes del transistor en
dichas zonas de trabajo.
Transistores NPN o PNP en zona de corte

El transistor bipolar es un dispositivo controlado por corriente. Por lo tanto, con la corriente
de base podemos hacer que el transistor conduzca o esté en corte. La condición para ello
es:
En los transistores bipolares tipo NPN y en los PNP, si la corriente de base, en el

sentido indicado en la figura es menor que cero, el transistor estará en corte, no
conducirá y todas las corrientes serán cero.
Transistores NPN o PNP en zona activa

Si el transistor conduce, puede estar en activa o saturación. Para que trabaje en zona
activa se tiene que cumplir que:
VCE > VCE sat
Siendo la tensión colector-emisor de saturación (VCE sat) cero en el caso de la primera

aproximación, y un valor dado en el caso de la segunda aproximación. Un valor típico de
esta tensión es de 0,2 voltios.
Si el transistor bipolar está polarizado en activa la ecuación a utilizar es:
IC = β * IB
Siendo β la ganancia en continua del transistor, y cumpliéndose también que:
IE = IC + IB
En ocasiones, la corriente de base se suele despreciar frente a la corriente de colector en la

ecuación anterior, al ser la de base, mucho más pequeña que la corriente de colector.
Transistores NPN o PNP en zona de saturación

Si el dispositivo conduce, y no está en activa, estará en saturación. Por ello, se tienen que
cumplir estas dos ecuaciones:
VCE < VCE sat
IC < β * IB
Es evidente que mediante la tensión colector-emisor, se puede controlar la polarización del

transistor en activa o en saturación.
Ejercicio resuelto con transistor NPN

Hallar en el circuito de la figura, el punto de funcionamiento (Q) del transistor bipolar,

indicando para ello, la corriente de base, la corriente de colector y la tensión colector
emisor. Los datos del transistor son los siguientes:
VBE (ON) = 0,7 V
VCE(sat) = 0,2 V
β = 100
Solución al ejemplo
Lo primero que hay que hacer es comprobar si el transistor conduce o no. Para ello
planteamos la ecuación en la malla de base y calculamos la corriente de base.
Malla de base
– V1 + IB*R1 + VBE = 0
– 5 + IB*5000 + 0,7 = 0
IB = (5 – 0,7) / 5000 = 0,86 mA > 0
La corriente por la base del transistor bipolar es mayor que cero en el sentido indicando, es
decir, entrante al transistor, por lo tanto, el transistor conduce.
IB = 0,86 mA
Seguidamente, debemos suponer una zona de funcionamiento, o activa o saturación.

Empecemos suponiendo zona activa. De esta manera, se cumple que:
IC = β * IB = 100 * 0,86*10-3 = 86 mA
Malla del colector

Debemos hallar el valor de la tensión colector-emisor para comprobar que la suposición es
correcta. Planteamos la ecuación de la malla del colector.
– V2 + IC*R2 + VCE = 0
despejando la tensión colector-emisor tenemos:

VCE = + V2 – IC*R2 = 10 – (86*10-3 * 10000) = – 850 V
VCE = – 850 V < VCE sat = 0,2 V
La tensión colector emisor es menor que la tensión colector-emisor de saturación. Por lo

tanto, la suposición no es correcta. El transistor bipolar no esta polarizado en activa. Se
comprueba que está en saturación, donde tenemos que:
VCE sat = 0,2 V
con ese dato calculamos el valor de la corriente de colector. Planteamos de nuevo la

ecuación de la malla del colector.
– V2 + IC*R2 + VCE = 0
IC = (V2 – VCE) / R2 = (10 – 0,2) / 10000 = 0,98 mA
IC = 0,98 mA
Ahora comprobamos que se cumple la condición para que el transistor este en saturación.
IC < β * IB
0,98 mA < 100 * 0,86 mA
0,98 mA < 86 mA
Punto de funcionamiento (Q)

La condición de cumple, por lo tanto, el transistor bipolar esta trabajando en saturación, y
su punto de trabajo (Q) es:
IB = 0,86 mA
IC = 0,98 mA
VCE = 0,2 V
Puedes ver más ejercicios resueltos en mi canal de Youtube
Ejercicios de transistores NPN y PNP

mediante divisor de tensión
Uno de los circuitos de polarización de un transistor bipolar más utilizados es el
denominado circuito de polarización mediante divisor de tensión. El nombre es debido a
que la base del transistor contiene un divisor de tensión formado por dos resistencias.
Veamos un ejercicio resuelto, en el que analizamos todo esto.
Transistor bipolar NPN ejercicio resuelto

Hallar la tensión colector-emisor del transistor de la figura, si la VBE (ON) es igual a 0,7 V.
Para resolver un circuito de polarización mediante divisor de tensión en un transistor

bipolar, se pueden realizar siguiendo unos sencillos pasos.
Primer paso: obtener la tensión en la base

La tensión en la base del transistor coincide con la tensión que soporta la resistencia R2.
Por lo tanto, aplicando la regla del divisor de tensión en R1 y R2:
VB = 10 * [R2 / (R1 + R2)] = 10 * [2000 / (5000 + 2000)] = 2,86 V
VB = 2,86 V
Segundo paso: hallar la tensión del emisor

Planteamos la ecuación de la malla de la base del transistor, recorriendo en sentido horario,
tal y como indica la flecha verde para hallar el valor de la tensión en el emisor.
-VB + VBE + VE = 0
VE = VB – VBE = 2,86 – 0,7 = 2,16 V
la tensión entre el emisor y tierra es:
VE = 2,16 V
Tercer paso: calcular la corriente del emisor

Como tenemos el valor de la tensión en el emisor y de la resistencia del emisor, el calculo
es directo aplicando la ley de Ohm.
IE = VE / R4 = 2,16 / 1000 = 2,16 mA
IE = 2,16 mA
El sentido de la corriente del emisor en un transistor bipolar de tipo NPN es saliente del
transistor.
Cuarto paso: obtener la corriente del colector

Como ya mencioné anteriormente, en ocasiones se desprecia la corriente de base frente a
la corriente de colector. En este caso lo haremos así. Por lo tanto:
IE = IC = 2,16 mA
Esta aproximación de puede realizar cuando nos lo digan expresamente o en ejercicios en

los cuales no tenemos el dato de la ganancia (β) del transistor bipolar.
Quinto paso: hallar la tensión del colector

Lo siguiente es hallar la tensión que hay entre el colector y la tierra, como se muestra en la
figura, la cual se calcula con la siguiente ecuación:
VC = 10 – (IC*R3) = 10 – (2,16*10-3 * 2000) = 5,68 V
VC = 5,68 V
Sexto paso: calcular la tensión colector-emisor

Por último, se calcula la tension que soporta el transistor entre el colector y el emisor. Para
ello, tan solo necesitamos realizar la resta de la tensiones de colector y emisor calculadas
anteriormente.
VCE = VC – VE = 5,68 – 2,16 = 3,52 V
VCE = 3,52 V
Conclusiones
Como se puede comprobar, los cálculos de este análisis no dependen de las variaciones en
el transistor, la corriente de colector o la temperatura. Por consiguiente, el punto de trabajo
(Q) obtenido con este circuito de polarización, resulta muy estable. Es por ello que, este
circuito de polarización, es de los más utilizados con transistores bipolares.
Ejercicio transistor NPN: polarización de

emisor
Calcular en el circuito de la figura las siguientes cuestiones:
1. Resistencia de colector
2. La resistencia de emisor
3. Tensión en la base del transistor bipolar
4. La tensión colector-emisor
5. El valor de la resistencia de base

Datos:
VBE (ON) = 0,7 V
VCE(sat) = 0,2 V
β = 50
Primer apartado
Para calcular el valor de la resistencia de colector, hay que aplicar directamente la ley de
Ohm en dicha resistencia. Tenemos el dato de las tensiones que soportan cada una de las
patillas de dicha resistencia. Por un lado, 12 V y por otro, 7 V. Hay que recordar que cuando
tenemos una tensión indicada de esta manera en un punto del circuito, siempre está
referenciada a tierra, es decir, es la tensión existente entre ese punto dado (12 V o 7 V o 2
V) y la tierra o masa del circuito. Por lo tanto:
RC = (12 – 7) / 2*10-3 = 2500 Ω
Segundo apartado
Se necesita primeramente el valor de la corriente de emisor del transistor bipolar para poder
aplicar la ley de Ohm en dicha resistencia. Como tenemos el dato de la ganancia y el valor
de la corriente de colector, se pueden hallar las corrientes de base y de emisor.
IC = β * IB
IB= IC / β = 2*10-3 / 50 = 4*10-5 A
así que la corriente de emisor es:
IE = IC + IB = 2*10-3 + 4*10-5 = 2,04 mA
Finalmente la resistencia de emisor, aplicando la ley de Ohm es:
RE = 2 / IE = 2 / 2,04*10-3 = 980,39 Ω
Tercer apartado
Para calcular la tensión de la base del transistor bipolar, podemos realizar el sumatorio de
tensiones que se indican en la figura.
Por consiguiente, la ecuación es la siguiente:
12 = VB + VBE + VE
VB = 12 – VBE – VE = 12 – 0,7 – 2 = 9,3 V

Cuarto apartado
En este apartado tenemos que hacer algo similar al anterior, planteando el sumatorio de
tensiones, pero en la malla de la derecha, la del colector y emisor del transistor bipolar.
Por lo tanto, aplicando la segunda ley de Kirchhoff a esa malla tenemos:
12 = VRC + VCE + VE
VCE = 12 – VRC – VE = 12 – IC*RC – VE = 12 – (2*10-3 * 2500) – 2
VCE = 5 V
Quinto apartado
Ya hemos calculado previamente el valor de la corriente de base y el de la tensión de base.
Por lo tanto, para hallar el valor de la resistencia de la base del transistor bipolar, tan solo
hay que aplicar la ley de Ohm en dicha resistencia.
RB = VB / IB = 9,3 / 4*10-5 = 232,5 kΩ

Transistores NPN y PNP - Ejercicios Resueltos Paso A Paso

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Símbolos de los transistores NPN y PNP

¿Cómo funcionan los transistores NPN y

En la imagen se muestran las curvas características de entrada (izquierda) y de salida

1. Suponer una zona de funcionamiento

2. Utilizar las ecuaciones correspondientes a la zona de trabajo supuesta en el primer

3. Comprobar numéricamente que la suposición realizada es correcta. Si no lo es, hay que

Zonas de funcionamiento de los transistores NPN y

Transistores NPN o PNP en zona de corte

En los transistores bipolares tipo NPN y en los PNP, si la corriente de base, en el

Transistores NPN o PNP en zona activa

VCE > VCE sat

Siendo la tensión colector-emisor de saturación (VCE sat) cero en el caso de la primera

Si el transistor bipolar está polarizado en activa la ecuación a utilizar es:

Siendo β la ganancia en continua del transistor, y cumpliéndose también que:

En ocasiones, la corriente de base se suele despreciar frente a la corriente de colector en la

Transistores NPN o PNP en zona de saturación

VCE < VCE sat

Es evidente que mediante la tensión colector-emisor, se puede controlar la polarización del

Ejercicio resuelto con transistor NPN

Hallar en el circuito de la figura, el punto de funcionamiento (Q) del transistor bipolar,

IB = (5 – 0,7) / 5000 = 0,86 mA > 0

Seguidamente, debemos suponer una zona de funcionamiento, o activa o saturación.

IC = β * IB = 100 * 0,86*10-3 = 86 mA

Malla del colector

despejando la tensión colector-emisor tenemos:

VCE = + V2 – IC*R2 = 10 – (86*10-3 * 10000) = – 850 V

VCE = – 850 V < VCE sat = 0,2 V

La tensión colector emisor es menor que la tensión colector-emisor de saturación. Por lo

VCE sat = 0,2 V

con ese dato calculamos el valor de la corriente de colector. Planteamos de nuevo la

IC = (V2 – VCE) / R2 = (10 – 0,2) / 10000 = 0,98 mA

0,98 mA < 100 * 0,86 mA

Punto de funcionamiento (Q)

Puedes ver más ejercicios resueltos en mi canal de Youtube

Ejercicios de transistores NPN y PNP

Transistor bipolar NPN ejercicio resuelto

Para resolver un circuito de polarización mediante divisor de tensión en un transistor

Primer paso: obtener la tensión en la base

VB = 10 * [R2 / (R1 + R2)] = 10 * [2000 / (5000 + 2000)] = 2,86 V

Segundo paso: hallar la tensión del emisor

-VB + VBE + VE = 0

VE = VB – VBE = 2,86 – 0,7 = 2,16 V

la tensión entre el emisor y tierra es:

Tercer paso: calcular la corriente del emisor

IE = VE / R4 = 2,16 / 1000 = 2,16 mA

Cuarto paso: obtener la corriente del colector

IE = IC = 2,16 mA

Esta aproximación de puede realizar cuando nos lo digan expresamente o en ejercicios en

Quinto paso: hallar la tensión del colector

VC = 10 – (IC*R3) = 10 – (2,16*10-3 * 2000) = 5,68 V

Sexto paso: calcular la tensión colector-emisor

VCE = VC – VE = 5,68 – 2,16 = 3,52 V

Ejercicio transistor NPN: polarización de

3. Tensión en la base del transistor bipolar

5. El valor de la resistencia de base

RC = (12 – 7) / 2*10-3 = 2500 Ω

IB= IC / β = 2*10-3 / 50 = 4*10-5 A

así que la corriente de emisor es:

IE = IC + IB = 2*10-3 + 4*10-5 = 2,04 mA

Finalmente la resistencia de emisor, aplicando la ley de Ohm es:

VCE = + V2 – ICR2 = 10 – (8610-3 * 10000) = – 850 V

VC = 10 – (ICR3) = 10 – (2,1610-3 * 2000) = 5,68 V

IB= IC / β = 210-3 / 50 = 410-5 A

IE = IC + IB = 210-3 + 410-5 = 2,04 mA

VCE = 12 – VRC – VE = 12 – ICRC – VE = 12 – (210-3 * 2500) – 2