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Transistor De Unión Bipolar (BJT)

Está compuesto de tres terminales con esto podemos aumentar la


denominados base colector emisor su conductividad del semiconductor, la base
propiedad más importante es la no se encuentra ligeramente dopada por
aproximación de fuentes con respecto a la tanto no tiene tanta conductividad además
corriente en rangos aproximados la la base debe ser muy estrecha pero si este
corriente de colector va depender de la no es el caso él puede no comportarse como
corriente de la base estructuralmente consta un transistor y funcionar como dos diodos
de dos uniones N y P colocadas de forma en oposición , el colector se encuentra un
sucesiva. (Hayt, 1993) [8] poco menos dopado que el emisor y va a
poseer características similares que el
Entre la base y el emisor existe una unión emisor. (Dimitrijev, 2000) [6]
PN llamada unión colectora y lo mismo
sucede con la unión PN entre la base y el
colector denominada unión emisora.
(Neudeck, 1994 ) [11]

El emisor y el colector poseen potencias


normales mientras que la característica
principal de la base es que podemos regular
esta potencia, con mínimas variaciones de
corriente en la base podemos generar
grandes variaciones en el emisor y el
Existen principalmente dos tipos de colector. (Boylestad R. L., 2003) [ 3]
transistores los PNP y los NPN: el transistor
PNP el emisor como sabemos es un Como bien definimos la corriente regular va
semiconductor tipo P, la base es un desde el colector al emisor y la corriente de
semiconductor tipo N y el colector es un la base se puede variar lo esencial en los
semiconductor tipo P, en el caso del transistores es que puede desde el emisor a
transistor NPN el emisor es un la base considerarse como un diodo de
semiconductor tipo N, la base es un corriente directa y desde la base al colector
semiconductor tipo P y el colector es pude considerarse como un diodo inverso.
semiconductor tipo N. (C.J. Savant, 1992 (Moll, 1991) [10]
) [4]

Las definiciones específicas del emisor base


y colector lo definiremos a continuación: el
emisor es el semiconductor que posee la
mayor cantidad de dopaje(proceso
intencional en el cual se agrega impurezas
en el semiconductor con el fin de cambiar
sus propiedades eléctricas en su mayoría de
veces para aumentar su conductividad )
(Malvino, 1993) [ 9] en el transistor es decir
verifica sólo lo siguiente: donde las
tensiones base-emisor y colector-emisor de
saturación suelen tener valores
determinados (0,8 y 0,2 voltios
habitualmente), es de señalar especialmente
que cuando el transistor se encuentra en
saturación circula también corriente por sus
tres terminales, pero ya no se cumple la
relación: II CB = ⋅ β (Dimitrijev,
Understanding Semiconductor Devices,
2000) [ 5]

Entonces el control de la corriente se


[ 1]B.G. Streetman, S. B. (2000). Solid
produce en el semiconductor de base,
State Electronic Devices. Prentice
hipotéticamente si no existiera paso de
Hal.
corriente en la base ya no existe
polarización en directa e inversa. (Dorf, [ 2] Boylestad, R. L. (2006). Electrónica:
2000) [7] Teoría de circuitos. Mexico:
Prentice Hall.
Con la polarización de los transistores
conseguimos que las corrientes y las [ 3]Boylestad, R. L. (2003). Introducción
tensiones se integren a valores previamente al análisis de circuitos. Mexico:
acordados , además es posible polarizar los Prentice Hall.
transistores en zona activa ,de corte y en
saturación. (Boylestad, 1997) [ 2] [ 4]C.J. Savant, M. R. (2001 ). Diseño
electrónico. Circuitos y sistemas .
Para polarizar en la región de corte Wesley Iberoamericana 1ª edición.
debemos tener en cuenta que todas las
corrientes del sistema son cero es decir [ 5]Dimitrijev, S. (2000). Understanding
(Ie:0 )o (Ie<0) esto nos indica que si la Semiconductor Devices. Oxford
corriente es negativa es decir va en sentido University Press, New York,.
contrario al que trabajaría normalmente
[ 6]Dimitrijev, S. (2000). Understanding
para poder polarizar esto el voltaje de la
base y emisor debe ser cero (VBE:0). Semiconductor Devices. Oxford
(Zakharchenya, 1984) [ 12] University Press.

[ 7]Dorf, R. C. (2000). Circuitos


Para polarizar la región activa debemos
eléctricos: introducción al análisis
tomar en cuenta que vamos a tener una
y diseño. Mexico: Alfaomega.
corriente en cada terminal es decir que el
enlace entre el colector y la base esta [ 8]Hayt, W. H. (2006). Análisis de
polarizado directamente y el enlace del circuitos en ingeniería. Mexico:
emisor y la base esta polarizada McGraw-Hill.
inversamente. (B.G. Streetman, 2000) [ 1]
[ 9]Malvino, A. P. (2004). Principios de
En la región de saturación se verifica que electrónica. Mexico: McGraw-
tanto la unión base-emisor como la base- Hill,.
colector se encuentran en directa. Se dejan
de cumplir las relaciones de activa, y se
[ 10]Moll, J. J. (2000). Semiconductor [ 12]Zakharchenya, F. M. (2003). Optical
Devices. World Orientation. North-Holand, New
Scientific,Amsterdan. York,.

[ 11]Neudeck, G. W. (2003 ). El transistor


bipolar . Wesley Iberoamericana 2ª
edición.