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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

UNIVERSIDAD NACIONAL
MAYOR DE SAN MARCOS

LABORATORIO DE ELECTRONICOS I

INFORME: Circuito transistor JFET II

HORARIO: Martes de 5 a 7 PM

ALUMNO: ROJAS MACHA ANDRE LINO


17190079

PROFESOR: Medina Calderón Alfredo


TIPO DE INFORME: Final

LIMA – PERÚ

Laboratorio de Electrónicos I
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I. Materiales

 Multímetro digital
 Protoboard
 Resistencias
 Transistor JFET
 Cables cocodrilo
 Jumpers
 Simulador

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II. Marco Teorico


III. Procedimiento

Circuio I
Comezamos aramndo el circuito en el protoboard, el ciruito tiene como elementos un JFET
K30A con una resistencia de 147ohmios conectada al drenador.

Laboratorio de Electrónicos I
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Experimental
Para RD= 1487 ohmios

VDD VDG VDS VRD ID


505.5mV 128mV 128mV 375mV 0.30mA
1.008V 168mV 168mV 730mV 0.61mA
2.052V 565mV 586mV 1.415V 1.25 mA
3.016V 1.009V 1.009V 1.988V 1.82 mA
4.007V 1.698V 1.694V 2.299V 2.32 mA
5.015V 2.637V 2.637V 2.367V 2.53 mA
6.004V 3.68V 3.68V 2.391V 2.61 mA
8.04V 5.60V 5.60V 2.41V 2.69 mA

Laboratorio de Electrónicos I
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10.08V 7.8V 7.8V 2.42V 2.73 mA

Para RD = 985 ohmios

VDD VDG VDS VRD ID


505.5mV 250mV 250mV 527mV 0.44mA
1.008V 352mV 352mV 637mV 0.89 mA
2.052V 805mV 805mV 1.193V 1.78 mA
3.016V 1.468V 1.468V 1.530V 2.39 mA
4.007V 2.423V 2.423V 1.599V 2.55 mA
5.015V 3.392V 3.392V 1.618V 2.62 mA
6.004V 4.322V 4.322V 1.625V 2.66 mA
8.04V 6.374V 6.374V 1.635V 2.73 mA
10.08V 8.351V 8.351V 1.642V 2.76 mA

Para RD = 470 ohmios

VDD VDG VDS VRD ID


505.5mV 264mV 264mV 236mV 0.81mA
1.008V 556mV 557mV 440mV 1.60mA
2.052V 1.291V 1.291V 706mV 2.47mA
3.016V 2.234V 2.234V 759mV 2.58 mA
4.007V 3.26V 3.26V 770mV 2.64 mA
5.015V 4.301V 4.30V 757mV 2.68 mA
6.004V 5.2V 5.2V 777mV 2.72 mA
8.04V 7.25V 7.25V 781mV 2.76 mA
10.08V 9.212V 9.212V 783mV 2.79 mA

Teoricamente
Sabemos por formula

 VDD = VRD + VDS


ID = IDSS ( 1 – VGS / VP ) 2
ID = 3.8mA

Para la resistencia de 470 ohmios

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 Si VDD = 505 mV
VDS = - 1.286 V

 Si VDD = 1.008 V
VDS = - 0.786 V

 Si VDD = 2.052 V
VDS = 0.214 V

 Si VDD = 3.016 V
VDS = 1.214 V

 Si VDD = 4.007 V
VDS = 2.214 V

 Si VDD = 5.015 V
VDS = 1.2 V

 Si VDD = 6.004 V
VDS = 2.3 V

 Si VDD = 8.04 V
VDS = 3.3 V

 Si VDD = 10.08 V
VDS = 4.3 V

Para una resistencia 985 ohmios

 Si VDD = 505 mV
VDS = - 5.086 V

 Si VDD = 1.008 V
VDS = - 4.586 V

 Si VDD = 2.052 V
VDS = - 3.586 V

 Si VDD = 3.016 V
VDS = - 2.586 V

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 Si VDD = 4.007 V
VDS = - 1.586 V

 Si VDD = 5.015 V
VDS = - 0.586 V

 Si VDD = 6.004 V
VDS = 0.414 V

 Si VDD = 8.04 V
VDS = 2.415 V

 Si VDD = 10.08 V
VDS = 4.414 V

Para una resistencia de 1487 ohmios

 Si VDD = 505 mV
VDS = - 5.086 V

 Si VDD = 1.008 V
VDS = - 4.586 V

 Si VDD = 2.052 V
VDS = - 3.857 V

 Si VDD = 3.016 V
VDS = - 2.586 V
 Si VDD = 4.007 V
VDS =- 1.587 V

 Si VDD = 5.015 V
VDS = - 0.586 V

 Si VDD = 6.004 V
VDS = 0.415 V

 Si VDD = 8.04 V
VDS = 2.414 V

 Si VDD = 10.08 V
VDS = 4.415 V

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CIRCUITO II

Para el segundo circuito seguimos usando El JFET K30A y armamos el siguiente el circuito

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