SENSORES DE pH

II. TECNOLOGAS DISPONIBLES PARA

LA MEDICION DE PH

Las tecnologas disponibles para la medicin

de pH pueden clasificarse en dos grandes
grupos: Electroqumicos y pticos.
A. SENSORES ELECTROQUMICOS

Son aquellos que utilizan dispositivos que

transducen la actividad qumica del in de
hidrgeno en una seal elctrica.
 ISE (ELECTRODOS DE ION SELECTIVO)

Pueden pensarse como una "celda electroqumica", donde uno de

sus electrodos es la referencia y el otro se inserta en la solucin a la
cual se le quiere medir el pH. Ese segundo electrodo cuenta con
una membrana, que para el caso del pH, es sensible al in
hidrgeno.
 Como cualquier celda electroqumica, entre los electrodos se
genera una diferencia de potencial segn la ecuacin de Nernst,
que es lo que efectivamente se mide y que est relacionada
directamente con la medida de pH de la solucin

Donde: R es la constante de los gases y vale 8,31 OK- 1 mol -1, T

es la temperatura en K, F es la constante de Faraday que vale
96485 C y E0 es una constante que agrupa una serie de
potenciales: en primer lugar el valor del voltaje de referencia, pero
tambin otros que aparecen en la pila y que escapan al alcance
de este trabajo. Sin embargo se quiere mencionar que estos
potenciales varan con el tiempo y es lo que provoca que se
requiera una calibracin peridica.

Asimismo E0 depende de la temperatura.

 TIPOS
El sensor de pH de vidrio
Su uso est ampliamente generalizado y sus resultados ampliamente validados, al
punto que el patrn de la medida de pH se basa en un electrodo de vidrio. El electrodo
entra en contacto con el analito a travs de una membrana de vidrio sensible al in
hidrgeno. Las caractersticas de esta membrana hacen que el sensor tenga una
resistencia de salida muy grande (decenas o centenas de M W) y sea necesario
mantenerlo hmedo. Logran una precisin muy buena (0,01) y tienen tiempos de vidas
relativamente cortos (1 ao). Los costos varan entre 30 y 300 dlares.
 Los electrodos de membrana lquida
Son sensores cuyos electrodos son de membrana lquida donde la superficie sensible de estos
electrodos est hecha de una composicin homognea de polmero que contiene un
intercambiador inico de naturaleza orgnica para el in determinado. Estos sensores incorporan
un mdulo de membrana fcilmente reemplazable, y estn disponibles para mediciones de
nitratos, potasio y calcio. La membrana es generalmente utilizada en forma de un disco delgado
de PVC impregnada con antibitico de valinomicina. El intercambiador, tambin conocido como
ionforo, es una estructura de anillo que atrapa los iones de potasio por dentro como un candado.
Este tipo de membrana no es tan resistente como la de los sensores de estado slido por lo que
son diseados con un mdulo de membrana fcilmente reemplazable.
 Los electrodos de estado slido

Consisten en metales cuya superficie est

recubierta parcialmente por una capa de xido
del mismo metal. Entre ellos, el ms utilizado
es el electrodo de antimonio. Es resistente,
adecuado para el registro continuo y
operaciones de control. Su intervalo de
utilizacin es de pH 2 a 8. Otros electrodos
metal-xido metlico bastante utilizados son
los de teluro, tungsteno, y molibdeno.
 CARACTERISTICAS

Como la caracterstica pH-Voltaje va

variando con el tiempo es necesario calibrar,
y por lo tanto suspender el estudio, para
mantener las medidas dentro de un precisin
aceptable.

Los ISE requieren calibracin y limpieza

peridica. Para mantener una precisan de
0,1 unidades de pH es necesario calibrar
semanalmente.
SENSORES DE PH SIN VIDRIO: MOSFET (TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL-
XIDO SEMICONDUCTOR)

Un Transistor de Efecto de Campo consiste en un semiconductor

con 3 conexiones elctricas:

La regin entre la fuente y el drenaje es normalmente un

aislante. Basado en el potencial aplicado a la compuerta, este
resistor se hace continuamente conductivo a las cargas
(potenciales), causando una carga equivalente (pero opuesta)
del lado del semiconductor. Si se aplica una diferencia de
potencial, se genera una corriente entre la fuente y el drenaje.
Esta corriente es directamente proporcional a la carga en la
compuerta
 FUNCIONAMIENTO

La estructura fsica de un MOSFET se muestra en la figura 1. En este caso, el

sustrato es silicio dopado tipo p y tanto la fuente S como el drenador D estn
formados por silicio tipo n fuertemente dopado. La puerta es un metal que al
ser polarizado respecto al sustrato crea un campo elctrico que polariza a su vez
al xido e incrementa la densidad de portadores minoritarios n en la regin que
separa a S y D (canal de inversin) permitiendo el paso de la corriente desde la
fuente al drenador IDS.

Figura 1. Estructura de un MOSFET: G-gate, O-oxido de

compuerta, D-drenador, S-fuente, B-sustrato.
El conjunto de ecuaciones que describen los parmetros de un MOSFET. La corriente
fuente-drenador en la zona lineal (antes de la saturacin) est dada por:

Vlida para VDS < VGSVTh, donde COX es la capacitancia de la capa de xido cuyas
dimensiones son W y L: es la movilidad de los portadores minoritarios en el canal de
inversin; y VTh es el voltaje umbral, que se define como el mnimo potencial que forma
un canal de inversin con los portadores minoritarios y a partir del cual se establece la
corriente IDS, su valor es,

Donde Qi es la carga en la zona de inversin, QD es la carga en la zona de

agotamiento. FB se origina por la separacin entre la energa de Fermi intrnseca Ei y
su desplazamiento como consecuencia del dopaje EF, NA y ni representan las
densidades de aceptores y de portadores intrnsecos respectivamente y q la carga
elemental.
El potencial de banda plana VFB es uno de los parmetros ms importantes que
definen la juntura entre las fases metal-oxido-semiconductor. Fsicamente
describe la condicin en la cual no hay distribucin de carga en la puerta y por lo
tanto no hay campo elctrico polarizante. Su valor est en funcin de la
diferencia entre las funciones de trabajo del metal y el semiconductor
representados por FM y FS respectivamente,

En el caso del semiconductor, la funcin trabajo involucra la afinidad electrnica

adems de los parmetros conocidos,

Las ecuaciones (1) a (5) son vlidas para el MOSFET.

SENSORES DE TIPO ISFET (TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO POR
IN SELECTIVO)

A. Principio de Funcionamiento
El ISFET fue propuesto por primera vez en 1970. Su principio de operacin es similar al
de transistor MOS. A diferencia de este, el ISFET no posee una compuerta metlica y el
dielctrico de esta misma regin se expone directamente al analito. Es decir, utilizan
como principio de medida la modulacin del canal del transistor mediante la diferencia
de tensin que se establece entre el analito y la puerta del dispositivo. La tensin de
salida del transistor es funcin del pH de la disolucin.

Figura 3: Diferencias y similitudes entre a) MOSFET y b) ISFET

 En el caso del ISFET, el puerto es reemplazado por el analito y la
capa de SiO2 entra en contacto directo con el analito. La parte
metlica del electrodo de referencia puede ser considerada con la
puerta del MOSFET (ver figura 3b).

En los ISFETs, la corriente ID fluye a travs del canal. Como en los

MOSFET la resistencia del canal depende del campo elctrico
perpendicular a la direccin de la corriente. Tambin depende del
voltaje a travs de la capa de SiO2. Por lo tanto la corriente ID,
depende del potencial de interfaz que se desarrolla entre el xido y
el analito.

El SiO2, utilizado como aislante en la construccin del MOSFET, no

es la mejor eleccin cuando se trata de ISFET ya que parte de su
funcionamiento depende de la respuesta del SiO2 al pH; en este
caso se utilizan Al2O3, Si3N4 y Ta2O5 cuyas propiedades qumicas en
lo que a ello refiere resultan ms convenientes.
Los ISFETs siguen la ecuacion de Nernst
ERROR: CIDO Y ALCALINOS
 B. Principales Caractersticas

El sensor de ISFET en contraposicin con el de vidrio es mucho ms

chico (algunos pocos mm2).
Son sensibles a la luz. Este fenmeno est vinculado a la ausencia
de un metal sobre el dielctrico de la puerta del ISFET, y tambin,
al hecho de que a la hora de encapsularlo se deja al descubierto
tanto parte de las difusiones como la puerta selectiva a iones que
est en contacto con la solucin a analizar.
Los ISFETs presentan una inestabilidad trmica que se traslada a
las medidas. Generalmente es necesario que el sensor funcione a
temperatura constante para lograr resultados confiables.
Uno de los problemas importantes que afectan a los ISFETs es el de
la deriva temporal de la seal de respuesta. Si bien se han
realizado trabajos para estimarla y corregirla sigue siendo un
problema abierto.
B. SENSORES OPTICOS

Estos sensores se basan en "indicadores pticos" de

pH que cambian sus propiedades pticas en funcin
del analito. Dependiendo de la propiedad ptica que
cambia, los sensores pueden clasificarse en: sensores
de absorbancia o luminiscencia. En los sensores de
absorbancia la relacin entre intensidad de la luz
incidente y la luz reflejada estn en directa relacin
con el valor del pH de la muestra. En los sensores de
luminiscencia la dependencia con el pH viene dada
por el cambio en la longitud de onda entre la luz
incidente y la reflejada.
 SENSORES DE FIBRA OPTICA

A. Principio de Funcionamiento
Los sensores de fibra ptica consisten en un indicador inmovilizado, cuyas
propiedades pticas se modifican en funcin de la concentracin de analito
presente en la muestra.

La seal ptica as generada es conducida a continuacin a travs de una fibra

ptica hasta un detector, para ms tarde ser amplificada y procesada
convenientemente.

Figura 4: Esquema de un sensor ptico

 Los sensores que funcionan por absorbancia se rigen por
la ley de Lambert-Beer, que establece una relacin de
proporcionalidad directa entre la concentracin de
sustancia absorbente y la cantidad de luz absorbida por
sta, para una determinada longitud de onda:

Donde A es la absorbancia de la muestra

(adimensionado), IT e I0 son los flujos fotonicos
transmitido e incidente, respectivamente, l es el paso
ptico (espesor atravesado por el haz de luz, en cm), c es
la concentracin de la sustancia absorbente (en mol.L-1)
y es el coeficiente de absorcin molar, caracterstico para
cada longitud de onda (en mol -1.L cm -1)
 B. Principales Caractersticas
Los sensores de fibra ptica no requieren seal de referencia, esto aumenta la
estabilidad de la medida y reduce los costos de fabricacin.

La utilizacin de fibras pticas de baja prdida como guas de luz posibilita la

medida a grandes distancias. Adems, pueden transmitir mucha ms
informacin que los cables elctricos, debido a su mayor ancho de banda. La
flexibilidad de las guas de luz, junto a la separacin fsica que estas introducen
entre el terminal sensible y el transductor y el hecho de que soportan medios
hostiles como la presencia de radiaciones electromagnticas o ionizantes,
condiciones extremas de temperatura o el ataque de cidos o bases presentes
en las muestras, posibilitan la utilizacin de los optrodos en multitud de
procesos industriales.

A pesar de las ventajas que poseen los sensores pticos, para poder optimizar un
mtodo basado en este tipo de medidas es necesario tener en cuenta una serie
de factores limitantes.

La seal ptica detectada por el equipo de medida debe proceder nica y

exclusivamente del indicador. Por este motivo, debe evitarse la exposicin del
terminal sensible a la luz ambiente, o bien modular la seal procedente del
indicador con objeto de poder diferenciarla de la luz externa.
 La exposicin durante horas del sensor a fuentes de luz puede
provocar la foto degradacin de los indicadores. Por otro lado, estos
se encuentran generalmente inmovilizados en membranas o
soportes polimricos en los que, en algunas ocasiones, puede
producirse lavado. Los avances introducidos en el campo de los
sensores pticos han subsanado estos dos inconvenientes
introduciendo nuevos mtodos de medida en los que la cantidad de
analito presente en la muestra no depende de la cantidad de
indicador inmovilizado en el terminal sensible.

En algunos casos pueden presentar tiempos de respuesta elevados.

Una de las principales desventajas que presentan los optrodos, es

que no miden actividad, sino concentracin, siendo por ello su
seal analtica fuertemente dependiente de la fuerza inica del
medio