PUT

Simbolo del PUT

El PUT es un semiconductor de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento es similar al del UJT. Es un tipo de tiristor y a veces se le llama tiristor disparado por nodo debido a su configuracin. Al igual que el UJT, se utiliza como oscilador y base de tiempos, pero es ms flexible, ya que la compuerta se conecta a un divisor de tensin que permita variar la frecuencia del oscilador sin modificar la constante de tiempo RC.
ndice
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1 Funcionamiento 2 Aplicaciones 3 Ejemplo 4 Referencias 5 Vase tambin

Funcionamiento[editar]
Si el PUT est polarizado directamente y aplicamos Vag= 0.7 V, entra en conduccin. El PUT permanece encendido hasta que el voltaje andico es insuficiente, entonces, se apaga. El apagado se debe a que la corriente andica llega un valor ligeramente menor a la corriente de sostenimiento.

Conexin tpica del PUT

Es un dispositivo de disparo nodo-puerta (nodo-compuerta) puesto que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tensin ms negativa que el nodo, es decir, la conduccin del PUT se realiza por control de las tensiones en sus terminales. Si el PUT es utilizado como oscilador de relajacin, el voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentacin mediante el divisor resistivo del voltaje RB1 y RB2, y determina el voltaje de disparo Vp. En el caso del UJT, Vp est fijado por el voltaje de alimentacin, pero en un PUT puede variar al modificar el valor del divisor resistivo RB1 y RB2. Si el voltaje del nodo Va es menor que el voltaje de compuerta Vg, se conservara en su estado inactivo, pero si el voltaje de nodo excede al de compuerta ms el voltaje de diodo Vag, se alcanzara el punto de disparo y el dispositivo se activar. La corriente de pico Ip y la corriente de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en la compuerta y del voltaje de alimentacin en VBB. En general Rk est limitado a un valor por debajo de 100 ohm.

Grficos corrientes picos y valle vs resistencia de compuerta

Rk=RB1RB2/(RB1 + RB2)

Para tener un diseo exitoso, la corriente de nodo, que la llamaremos I, debe estar entre las corrientes Ip e Iv, de no estarlo, el dispositivo no oscilar. Por ello, se debe tener cuidado al disear la impedancia equivalente Rg y el voltaje de alimentacin, ya que estos parmetros modifican directamente los valores de corriente ya mencionados.

Aplicaciones[editar]
El uso del PUT se encuentra casi limitado a su utilizacin en osciladores de relajacin para disparo de tiristores de potencia en aplicaciones de control de fase. Su alta sensibilidad, les permite trabajar con elevados valores de resistencia de temporizacin o pequeos valores de capacitancia, en aplicaciones de baja corriente, tales como temporizaciones muy largas o en circuitos alimentadas con bateras. Adicionalmente, por su conmutacin debido a un proceso de realimentacin positiva de elementos activos, presentan menores tiempos de conmutacin que los UJT donde este proceso se debe a un cambio en la conductividad de la barra de silicio por inyeccin de portadores. En consecuencia menores valores de capacitancia producen pulsos de disparos de la potencia adecuada.

Ejemplo[editar]

Ejemplo

Para el diseo de un oscilador de relajacin con PUT, se debe realizar los siguientes pasos: 1. Al igual que en los UJT, la resistencia de temporizacin R debe ser lo suficientemente baja para que pueda alcanzar a circular Ip y lo suficientemente alta para que no pueda circular la Iv en forma permanente. Para el caso de los PUT 2. Debe tenerse en cuenta que los valores de Ip e Iv dependen del valor de Rg. El valor de Vp en los PUT es fijado por el circuito exterior, por ejemplo mediante un divisor resistivo como el mostrado. La ecuacin bsica del PUT es:

Vp = Vt + Vs

Siendo Vs la tensin de Thevenin vista desde la compuerta y Vt una tensin de offset compuesta por la cada directa de la juntura nodo compuerta Vag ms la cada producida en Rg por la corriente Ip justo antes del disparo.

Voltajes y corrientes en nodo Ctodo mientras el dispositivo oscila

3. Como Vt = Vag + Ip*Rg , un cambio en Rg afecta a ambos trminos en forma opuesta. Si Rg aumenta, Ip disminuye y hace decrecer a Vag, pero como Ip no se reduce tan rpido como Rg se incrementa, el producto Ip*Rg aumenta, aumentando el valor de Vt. Como estas variaciones son difciles de estimar, es de uso generalizado tomar para la mayora de las aplicaciones.

Vt = 0.6 v

4. El periodo de un oscilador a relajacin basado en PUT resulta:

Vct=Vp=Vt+Vs

Por lo que resulta un periodo

T=R*C*Ln((VBB-Vv)/(VBB-Vt-Vs))

Donde Vcc es el voltaje de alimentacin del circuito. Despreciando Vv y Vt, se reduce a una expresin equivalente a la ya obtenida para los UJT.

T=R*C*Ln(1+RB1/RB2)

5. Al igual que con los UJT, la amplitud del pulso de salida depende de la velocidad de conmutacin, especialmente para capacidades inferiores a 0.01 uF. 6.Valores tpicos de frecuencias de oscilaciones se encuentran comprendidas entre los 0.003 Hz y 2.5 KHz. 7. El PUT operando como oscilador de relajacin presenta una baja dependencia de su frecuencia con la temperatura debido a que su tensin de compuerta se encuentra fijada exteriormente. Para aplicaciones crticas deben implementarse circuitos de compensacin.

Referencias[editar]
http://enciclopediapotencia.net78.net/Unidad%204.php http://www.unicrom.com/tut_variantes_SCR.asp http://www.ie.itcr.ac.cr/marin/lic/el3212/Libro/Tema12.pdf http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/2N6027-D.PDF

Vase tambin[editar]

Tiristor

UJT, Transistor uniunin semiconductor Circuitos de ayuda a la conmutacin de transistores

Transistor uniunin

Smbolo del UJT.

El transistor uniunin (en ingls UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo de tiristor que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales denominados emisor ( base dos ( terminales ), base uno ( )y

). Est formado por una barra semiconductora tipo N, entre los , en la que se difunde una regin tipo P+, el emisor, en algn punto a lo largo

de la barra, lo que determina el valor del parmetro , standoff ratio, conocido como razn de resistencias o factor intrnseco.

Construccin[editar]

Estructura

Circuito equivalente

Consiste en una placa de material ligeramente dopado de silicio tipo-n. Los dos contactos de base se unen a los extremos de esta superficie tipo n. Estos se indican como y respectivamente.

Un material de tipo p se utiliza para formar una juntura p-n en el lmite de la varilla de aluminio y la placa de silicio tipo n. El tercer terminal llamado emisor ( ) se hace a partir de este material tipo-p.

El tipo n est ligeramente contaminado, mientras que el de tipo p est fuertemente contaminado. Como el tipo n est ligeramente dopado, ofrece una alta resistencia mientras que el material tipo p, ofrece baja resistividad puesto que est fuertemente contaminado.

Caractersticas[editar]

Fijndose en la curva caracterstica del UJT se puede notar que cuando el voltaje un valor

sobrepasa

de ruptura, el UJT presenta un fenmeno de modulacin de resistencia que, al

aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, tambin baja el voltaje en el dispositivo, esta regin se llama regin de resistencia negativa, este es un proceso realimentado positivamente, por lo que esta regin no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de relajacin.

Operacin[editar]

El UJT se polariza normalmente segn se v en su curva de polarizacin. La base una tensin positiva (5VVBB30V). Por la resistencia corriente : circula entonces una

se lleva a

El ctodo del diodo emisor se encuentra a una tensin:

El diodo puede presentar una polarizacin inversa si una corriente de fuga

es inferior a

por lo que se presentar , el diodo queda

muy pequea. Por otro lado si

es superior

polarizado directamente y por ende circula una corriente que son depositados en

formada por portadores minoritarios

. Esta se anula disminuyendo su valor; por esto la tensin es constante, debe aumentar, lo que disminuye an

disminuye tambin, ahora si bien si ms a Categora: .

Transistores

El transistor de Unijuntura (UJT)

Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de disparo para SCR y TRIACs. El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases y un emisor, tal como se muestra en la siguiente figura:

En la figura se puede apreciar la constitucin de un UJT, que en realidad est compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran cantidad de impurezas, presentando en su estructura un nmero elevado de huecos. Sin embargo, al cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo que existen muy pocos electrones libres en su estructura. Esto hace que la resistencia entre las dos bases RBB sea muy alta cuando el diodo del emisor

no conduce. Para entender mejor cmo funciona este dispositivo, vamos a valernos del circuito equivalente de la figura siguiente:

R y R equivalen a la resistencia de los tramos de cristal N comprendidos entre los terminales de las bases. El diodo D equivale a la unin formada por los cristales P-N entre el terminal del emisor y el cristal N.
1 2

Mientras el diodo del emisor no entre en conduccin, la resistencia entre bases es igual a:

Si en estas condiciones aplicamos una tensin de alimentacin VBB entre las dos bases, la tensin que aparece entre el emisor y la base ser la que corresponda en el circuito equivalente a R1; es decir, en el divisor de tensin se cumplir que:

Si llamamos =R /R , la ecuacin queda: V = V . El trmino representa la relacin intrnseca existente entre las tensiones V y V .
1 BB 1 BB 1 BB

As, por ejemplo, si un UJT posee una relacin intrnseca caracterstica igual a 0,85 y queremos determinar la tensin que aparecer entre el terminal de emisor y la base 1 al aplicar 12V entre bases, bastar con operar de la siguiente forma:

Al valor de V se le conoce como tensin intrnseca, y es aqulla que hay que aplicar para que el diodo comience a conducir. En nuestro ejemplo, si aplicamos una tensin de 8V al emisor, ste no conducir, ya que en el ctodo del diodo D existe un potencial positivo de 10,2V correspondiente a la tensin intrnseca, por lo que dicho diodo permanecer polarizado inversamente. Sin embargo, si aplicamos una tensin superior a 10,9V (los 10,2V de V ms 0,7V de la tensin de barrera del diodo D), el diodo comenzar a conducir, producindose el disparo o encendido del UJT. En resumen, para conseguir que el UJT entre en estado de conduccin es necesario aplicar al emisor una tensin superior a la intrnseca. Una vez que conseguimos que el diodo conduzca, por efecto de una tensin de polarizacin directa del emisor respecto a la base 1, los portadores
1 1

mayoritarios del cristal P (huecos) inundan el tramo de cristal de tipo N comprendido entre el emisor y dicha base (recordar que el cristal P est fuertemente contaminado con impurezas y el N dbilmente). Este efecto produce una disminucin repentina de la resistencia R y, con ella, una reduccin de la cada de tensin en la base 1 respecto del emisor, lo que hace que la corriente de emisor aumente considerablemente.
1

Mientras la corriente de emisor sea superior a la de mantenimiento (I ), el diodo permanecer en conduccin como si de un biestable se tratase. Esta corriente se especifica normalmente en las hojas de caractersticas y suele ser del orden de 5mA. En la figura de la derecha, se muestra el aspecto de una de las curvas caractersticas de un UJT. V (punto Q ) nos indica la tensin pico que hay que aplicar al emisor para provocar el estado de encendido del UJT (recordar que V = V + 0,7). Una vez superada esta tensin, la corriente del emisor aumenta (se hace mayor que I ), provocndose el descebado del UJT cuando la corriente de mantenimiento es inferior a la de mantenimiento I (punto ).
v p 1 p 1 p v Q2

Aplicaciones del UJT

Una de las aplicaciones del UJT ms comn es como generador de pulsos en diente de sierra. Estos pulsos resultan muy tiles para controlar el disparo de la puerta de TRIACS y SCR. En la siguiente figura, se muestra el esquema de uno de estos circuitos.

Su funcionamiento es como sigue: Al aplicar una tensin V al circuito serie R-C, formado por la resistencia variable R y el condensador C , dicho condensador comienza a cargarse. Como este condensador est conectado al emisor, cuando se supere la tensin intrnseca, el UJT entrar en conduccin. Debido a que el valor hmico de la resistencia R es muy pequeo, el condensador se descargar rpidamente, y en el terminal de B aparecer un impulso de tensin. Al disminuir la corriente de descarga del condensador, sobre el emisor del UJT, por debajo de la de mantenimiento, ste se desceba y comienza otro nuevo ciclo de carga y descarga del condensador. As, se consigue que en el terminal de la base 1 aparezca una seal pulsante en forma de diente de sierra, que puede utilizarse para controlar los tiempos de disparo de un SCR o de un TRIAC. Para regular el tiempo de disparo es suficiente con modificar el valor hmico de la resistencia variable R , ya que de sta depende la constante de tiempo de carga del condensador.
CC S S 1 1 S

En la siguiente figura, se muestra una tpica aplicacin del generador de pulsos de diente de sierra con UJT para controlar el disparo de un SCR. Mediante este circuito controlamos la velocidad de un motor serie (o de cualquier otro tipo de carga: estufas, lmparas, etc) gracias a la regulacin de la corriente que realiza sobre medio ciclo del SCR. Para controlar la velocidad del motor, basta con modificar la frecuencia de los pulsos en dientes de sierra, lo cual se consigue variando el valor del potencimetro RS.