SENSORES BASADOS EN LOS TRANSISTORES MOSFET.

C.ING ARCENIO CALDERÓN LEDESMA e-mail: arce-lee@hotmail.com Departamento de electricidad y electrónica, universidad Francisco de Paula Santander, Cúcuta, Colombia.
2. EL TRANSISTOR MOSFET. En primer lugar se hará un breve resumen de las ecuaciones más importantes y los parámetros de un transistor MOSFET de canal n, en primer lugar la teoría de la ecuación de la corriente del drenaje para un transistor MOSFET, en la región no saturada entre (VD < VG – VT) es:

Resumen: La estructura básica, así como la existencia física de los transistores de efecto de campo MOS (metal oxide semiconductor), fue el primer transistor sin duda de gran importancia, ya que ha dado el desarrollo de toda una serie de sensores, para la medición física y química de los parámetros ambientales. La ecuación para el drenaje de la corriente del MOSFET, muestra una serie de parámetros que pueden estar directamente influenciados por una cantidad externa, pero también presenta pequeñas variaciones debido a la configuración que tiene la tecnología MOSFET, en la que originalmente ha dado un gran número de las propiedades en estos sensores. 1. INTRODUCCIÓN La medida de la carga de la superficie del semiconductor en función de un campo eléctrico perpendicular a la superficie fue mencionado por Lihenfeld en el año 1925 y esto se tomó como un principio de un dispositivo electrónico en la que no hay un consumo de energía de la fuente de entrada debido a la creación de un campo eléctrico. A mediados de la década de los 40 Schokley y Pearson pusieron en pie esta teoría, ya que la superficie del semiconductor, la mayoría de dopaje del signo contrario desde un punto de vista electrónico, la principal ventaja de este semiconductor es que tiene una alta impedancia intrínseca. Esta propiedad hace que el dispositivo MOS sea muy atractivo en la aplicación de los sensores, ya que esto se estarán hablando más al fondo sobre cada uno de ellos. [1]

Tomado de la página web siguiente: http://doc.utwente.nl/69502/1/Bergveld85impact.pdf.

Donde µ es la movilidad del electrón en el canal, Cox es el óxido de la capacitancia por unidad de área, W/L la relación del canal anchura – longitud, VG y VD son los voltajes aplicados de la compuerta y drenaje respectivamente y VT es la tensión umbral que puede ser descrito de la siguiente forma:

Tomado de la página web siguiente: http://doc.utwente.nl/69502/1/Bergveld85impact.pdf.

Donde QB es el agotamiento de la carga por unidad de área, ɸf es la diferencia de potencial de Fermi entre la mayor parte de

Donde ɸM y ɸS1 es la función de trabajo del silicio metal. ya que a veces es más difícil el uso de la compuerta a una cierta distancia. ya que se determina por la franja del campo de las moléculas adsorbidas. Este sensor tiene la capacidad de responder a toda clase de gases en la que tienen un dipolo neto permanente. A continuación se muestra la representación esquemática de un transistor MOSFET. Representación esquemática básica en la operación de un MOSFET. y VFB es la tensión banda plana que viene dada por: Tomado de la página web siguiente: http://doc.1. Los cambios de configuración en el transistor MOSFET en las funciones del sensor.nl/69502/1/Bergveld85impact.pdf. Tomado de la página web siguiente: http://doc. mientras que Q1t y Qf son las cargas de la trampa interfaz respectivamente por unidad de área.utwente. Como por ejemplo para mejorar la respuesta de NO Y NO 2 se debe dar usos de los derivados en la que puedan contribuir una mejor respuesta primaria a un determinado componente gaseoso o clase de componentes en la cual pueda dar un sistema de monitoreo para caracterizar la presencia y la concentración de sustancias seleccionadas para una mejor medición en el sistema ambiental y además permite un mejor en la aplicación de este sensor. [1] A continuación se muestra la estructura interna de este sensor.nl/69502/1/Bergveld85impact. en la cual queda resumida de la siguiente forma: La mayoría de los sensores basados en los transistores MOSFET. Se conoce también como el transistor de adsorción de efecto de campo. . la modificación tecnológica más sencilla de la configuración MOSFET es la omisión de la compuerta de metal. Figura 1. Esto también puede explicar el hecho de que los dispositivos tienen una película más gruesa no corresponden a los gases adsorbidos.utwente. esta distancia siendo salvado por un determinado material hace que el resultado de los sensores sea más sensibles ya sea a un producto químico ó de la cantidad física de acuerdo a ciertos efectos a que este material este añadido.utwente.nl/69502/1/Bergveld85impact.pdf. 2.dopamiento intrínseca del silicio. ya que tiene una limitación del espesor del óxido. [1] 2. en la forma cómo va a operar para su respectivo funcionamiento: Tomado de la página web siguiente: http://doc.2 EL ADFET. la explicación de la sensibilidad es observado de acuerdo de cómo actúa el drenaje. [1] En el primer caso el modo de operación de un transistor MOSFET en la región saturada puede ser explicada por estas tres ecuaciones.pdf.

La sensibilidad del dispositivo para una variación de la capacitancia de espacio de aire es: Tomado de la página web siguiente: http://doc. Esta sensibilidad se puede aumentar mediante el aumento de los voltajes aplicados. como por ejemplo la compuerta puede levantar la curva de la presión cuando el espacio entre el óxido de la compuerta y en el vacío o simplemente aire. el sensor obedece en las siguientes ecuaciones que estarán mencionadas a continuación: Figura3.3 EL PRESSFET. Donde la compuerta de la Ceq puede ser una función externo del medio ambiente.pdf. Este es un tipo de sensor ya que de acuerdo a su construcción ya que posee una película de unión resistente junto con el área de la compuerta. Un enfoque similar es el uso del sándwich de un polímero piezoeléctrico tales como PVF.utwente.utwente.pdf. el resultado de la capacitancia esta expresado por: Ceq = Cairgap << Cox Donde Tomado de la página web siguiente: http://doc. debido a una presión acústica en el piezoeléctrico ya que su capa . simplemente porque un voltaje más alto implica en un condensador mayor cargo.utwente. Representación esquemática y el funcionamiento de un sensor PRESSFET. ya que existe entre una capa entre la puerta del metal y el oxido de un MOSFET.Figura 2. En este caso no es necesario el espacio de aire. dado que los valores reales de un espesor en la cámara de aire son del orden de micrones.nl/69502/1/Bergveld85impact.nl/69502/1/Bergveld85impact. [1] Si en contraste entre la puerta y el oxido es un dieléctrico. 2.utwente. especialmente a Vo.nl/69502/1/Bergveld85impact.pdf. Representación esquemática y el funcionamiento de un sensor ADFET. Por lo tanto este cambio también puede proporcionar una dirección perpendicular a la del transistor. por lo tanto las tensiones de ella son del orden de cientos de voltios.nl/69502/1/Bergveld85impact. Tomado de la página web siguiente: http://doc.pdf Tomado de la página web siguiente: http://doc.

. Figura 5. Detección de iones de potasio en un manojo de nervios. EL ISFET Este es un tipo de sensor también conocido como transistor de efecto de campo de ion sensitivo. en la cual cuenta con una zona de recubrimiento o membrana químicamente sensitiva. este es un tipo de sensor aplicado para su uso como matrices de sistema en imágenes médicas ultrasónicas. [1] 2. Por lo tanto las variaciones de las concentraciones localizadas iónicas al Tomado de la página web siguiente: http://doc. crea corrientes iónicas que fluyen entre los fascículos al espacio extracelular. Para esto se utiliza el sensor ISFET ya que permite mejorar la detección de los iones y además tiene una respuesta de tiempo rápido.induce un voltaje de entrada para el MOSFET.ac. 3.uk/retrieve/1085/license. lento e inapropiado.1 conducción neural. la estabilidad y la fotosensibilidad del material de la puerta. La matriz se utiliza a través de un sensor ISFET para generar una mapa de espacio temporal de la actividad química. que generan las señales detectables. [2] Figura 4. como resultado de ello al sumergirlo en un electrolito.nl/69502/1/Bergveld85impact. ya que puede ser visto como tipo de sensor especial de MOSFET. neuropatología. De este modo el ISFET es como un MOSFET que en vez de tener sistema de oxido – electrolito. Sobre la conducción de la teoría nerviosa. ya que los estudios de monitoreo se centran en la grabación bioeléctrica.txt 3.4. Esto se debe casi especialmente a los aparatos convencionales de iones de detección en los laboratorios de química ya que es un poco engorroso. y el encapsulado.imperial. que se sumerge en el mismo electrolito. Los dispositivos de control de actividad neuronal se puede utilizar para una amplia gama de aplicaciones. El electrodo básico de referencia.pdf. Dicho potencial cambia la tensión umbral y con ella la corriente del drenador. el disparo de un grupo de nervios en fascículos uno o más. puede ser considerado como el equivalente del electrodo de puerta. Sus limitaciones que se presentan en este sensor es la poca selectividad y adhesión de la membrana. A pesar de la conducción nerviosa se basa en flujo de corriente iónica. una estructura compacta y una ganancia de sensibilidad iónica. el potencial en el aislante depende de la concentración en el ion detectado. incluyendo los estudios de neurofisiología. monitoreo de drogas y rehabilitación.utwente. [3] Tomado de la siguiente página web siguiente: http://eprints. ADICION DE SENSORES QUÍMICOS (SCS): UNA NUEVA PLATAFORMA DE DETECCION NEURO-QUÍMICA. Representación esquemática y el funcionamiento básico de un sensor ISFET.

Esto se debe a la unión de iones de hidrogeno a la superficie de nitruro de silicio por encima de la puerta. Tomado de la siguiente página web siguiente: http://eprints.txt . este dispositivo hunde la corriente de salida que depende del pH de la solución. principalmente los iones de hidrogeno. La metodología utilizada para el diseño del ISFET es adoptado por Hammond. 3.imperial. El circuito consta de un sensor ISFET y un circuito de neuronas. el fascículo específico del seguimiento y la distinción entre las señales sensoriales y motora en la que ambos tienen lugar en un manojo de nervios.imperial. El ISFET es sesgado en la región de inversión débil de la operación para reducir el mínimo poder del consumo y aprovechar la característica de este dispositivo. cuando se produce una acción potencial.tomar lugar durante un acontecimiento de la señal puede ser detectado por un sensor ISFET modificado. En la siguiente figura muestra el esquema.ac. ya que los beneficios potenciales para la detección neuroquímica se utiliza mediante matrices en comparación de los métodos convencionales de grabación incluyen la bioeléctrica.uk/retrieve/1085/license.3 Fabricación ISFET.imperial. Cambio en la conductancia entre el sodio y el potasio.txt.txt Tomado de la siguiente página web siguiente: http://eprints. Una mayor inmunidad de interferencia mioeléctrica. donde la puerta del polisilicio se conecta a través de las capas del metal. para la capa superior del metal.ac. Esquema de un circuito del sensor químico. [3] Figura 6. Los sensores ISFET se basan en el estándar del MOSFET para crear la detección de la superficie de la carga.2 descripción del circuito. adaptado para determinadas selectividad de iones. formando un acoplamiento capacitivo con la referencia de los electrodos AgCl/Ag.uk/retrieve/1085/license. en la cual este circuito consta de un dispositivo ISFET personalizado.ac. [3] Figura 7. [3] Tomado de la siguiente página web siguiente: http://eprints.uk/retrieve/1085/license. 3. ya que este posee un recubrimiento por nitruro de silicio pasivo. Figura 7. Diseño del sensor ISFET.

letras e iconos o sonidos continuos. Los procesos de diseño. El diseño de la pantalla digital es aquel que utiliza sistemas discretos. procesamiento. El circuito de interfaz del ISFET ha desarrollado para integrarse con el sistema embebido para analizar los datos de la madurez de la fruta sobre la base de medición de pH. Las características de los componentes electrónicos y microcontroladores PIC en los procesos de programación y el comportamiento del sensor ISFET.pdf 4. se compila en un formato hexadecimal y luego este es enviada al puerto de para el programador en la cual se ejecuta el programa PIC. El controlador utilizado en el sistema se elige el microcontrolador PIC. Figura 8. Además se ha implementado este sistema para determinar la caracterización de pH que se puede aplicar en el campo de la agricultura a través de la medición de la maduración de las frutas.4. cada paso de fabricación utiliza técnicas numéricas para modelar los fenómenos físicos que existen en el proceso de la fabricación real. ya que este dispositivo es muy aplicable a la parte biomédica y bioquímica. [4] . como por ejemplo. Una vez que el programa este escrito. ya que este se analiza los datos de tensión y mostrar en el panel LCD.com/archives/mjbas/volume1/iss ue2/mjbas010208. fabricación y la implementación del hardware y el software para ser integrados en este sistema son para controlar la correcta programación y sus respectivas instrucciones. puede ser simuladas mediante el programa MULTISIM e ISIS. Aunque estas representaciones digitales no discretas. Para este proceso se necesita información y el diseño de simular todos los pasos del proceso de la electrónica. Por otra parte la sensibilidad y la selectividad del sensor ISFET ha logrado depositar un gran desarrollo para este sistema ya que este ha permitido analizar todo el comportamiento necesario para el obtener un mejor enfoque para tener una mejor disponibilidad en el diseño de portátiles provocando así un mejor sistema de adaptación de una forma más efectiva. En la siguiente figura se muestra la función de cómo el microcontrolador captura los datos digitales obtenido por el sensor ISFET y ADC en la aparición de la pantalla LCD. Esquema del circuito de visualización digital para el sensor pH ISFET.1 diseño del esquema del circuito. Por otra parte estos sensores se ha introducido debido a su alta tecnología. Por el contrario el sistema no digital o analógico utiliza un rango continuo de valores para representar la información. DISEÑO DE LA PANTALLA DIGITAL PARA EL SENSOR DE pH UTILIZANDO MICROCONTROLADOR PIC. tales como números. imágenes y otras medidas de sistemas continuas. [4] Tomado de la página web correspondiente: http://www. A continuación se muestra el circuito de interconexión para el ISFET y ADC.masaumnet. La programación PIC se hace mediante el uso del programador MPLAB.2 modelo de simulación del esquema del circuito. en donde hay cinco resistencias y un amplificador operacional relacionado con el ISFET para dar el valor de referencia de tensión para el circuito ADC para convertir de análogo a digital. transmisión y almacenamiento. [4] 4. que por lo general no simboliza numéricamente a representar la información de entrada.

[5] Figura 10. La aplicación de los iones de transistor de efecto de campo sensible (ISFET).tw/Richfiles/9278-chin1. luego estos resultados se obtuvieron mediante la aplicación de 2.tw/Richfiles/9278-chin1. UN NUEVO SISTEMA DE SnO2/Al DISCRETA DE LA PUERTA DEL SENSOR pH ISFET.edu.1 resultados y discusión En los resultados se mostró que el funcionamiento del sensor ISFET es muy similar a la de un MOSFET convencional. es un dispositivo necesario para mediciones de porción de cantidades químicas.0 V.edu. La ecuación para el MOSFET en la región de saturación se da de la siguiente manera: Tomado de la pagina web correspondiente: http://front. excepto que se utiliza una puerta de solución en lugar de una puerta de metal. 4.nctu. [5] Figura 10.cc.pdf 5.nctu. Diagrama sistema ISFET discreto. Cuando el ISFET da una referencia en los electrodos (AgCl/Ag).com/archives/mjbas/volume1/iss ue2/mjbas010208. 6.masaumnet.cc.pdf Ahora frente a las características de la corriente en función de la fuente de drenaje de la ISFET tiene un rango de la concentración pH entre 2 y 10. Modelo de simulación del 5. Tomado de la página web correspondiente: http://www. esquemático del Tomado de la página web correspondiente: http://front.pdf .nctu. MULTISIM. Curvas de drenaje a la fuente de corriente frente a la tensión de referencia en las diferentes soluciones de pH.tw/Richfiles/9278-chin1. La diferencia entre el ISFET y el MOSFET es que este no posee el electrodo de puerta de metal.Figura 9. entonces los datos que arrojan en el buffer de pH son 2. El ISFET ha sido ampliamente estudiado debido a sus ventajas que posee este sensor como la respuesta rápida y lo más importante la posibilidad de utilizar procesos de fabricación de MOSFET.10.pdf Tomado de la pagina web correspondiente: http://front.cc. 8.edu.

cc.tw/Richfiles/9278-chin1.edu.pdf 5.pdf .tw/Richfiles/9278-chin1.2 lectura del circuito.tw/Richfiles/9278-chin1.Finalmente se muestra la gráfica del voltaje de salida con respecto a la concentración de pH. A continuación se muestra el circuito de un amplificador de instrumentación para el ISFET.tw/Richfiles/9278-chin1. Tomado de la pagina web correspondiente: http://front.edu. si VDS es muy pequeño y VDS < (VGS – VT) entonces queda expresada de la siguiente forma: Tomado de la página web correspondiente: http://front. [5] De acuerdo a las ecuaciones muestra que el RISFET depende de la ID.pdf 6. CONCLUSIONES.nctu. Gráfica en la que muestra la linealidad entre el voltaje de salida y la concentración de pH. Por lo tanto las ecuaciones quedan expresadas de la siguiente forma: Tomado de la página web correspondiente: http://front.cc. R3 Y R4 son de 10 kΩ y el R fue de 20 kΩ. R2.nctu.cc.nctu.edu. El electrodo de voltaje de referencia suministra a la puerta del sensor ISFET un VRef. [5] Figura 11.pdf A continuación se ilustra el amplificador de instrumentación que me modela estas expresiones matemáticas: Figura 12.nctu.  En los sensores basados en los transistores MOSFET vemos que el tipo del sensor más utilizado en la industria es el sensor ISFET ya que este dispositivo tiene una capacidad sorprendente en la detección de los iones químicos según el área en la que se vaya a aplicar. El esquema y el diseño muestran que las resistencias R1. El voltaje V+ y Ves igual al voltaje VDS en el ISFET. Diagrama esquemático de la amplificación del circuito del sensor ISFET.edu. además de esto permite obtener una respuesta más rápida con respecto a otros sensores Tomado de la página web correspondiente: http://front.cc.

7.masaumnet.pdf.nctu. 400-401.cc.  Sensores y Acondicionadores de Señal.utwente.A.edu. ya que ellos se vuelven más sensibles ya sea a un producto químico ó de la cantidad física de acuerdo a ciertos efectos a que este material este añadido. Ramón Pallás Areny. Gran Vía de les Cort Catalanes 08007. [1] http://doc. 1994 Marcombo Grupo Editor S.  posee este Por otra parte la mayoría de los sensores basados en los transistores MOSFET.nl/69502/1/Bergveld85i mpact.pdf [5]  .com/archives/mjb as/volume1/issue2/mjbas010208.    http://doc.nl/69502/1/Bergveld85i mpact.2 WEBGRAFÍA. es la modificación tecnológica sencilla de la configuración de ella.pdf.pdf [4] http://front.utwente. Barcelona (España).debido al sistema que dispositivo. [2] 7. Pág.1 BIBLIOGRAFÍA. [3] http://www.tw/Richfiles/9278chin1. REFERENCIAS. 7.

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