SENSORES BASADOS EN LOS TRANSISTORES MOSFET.

C.ING ARCENIO CALDERÓN LEDESMA e-mail: arce-lee@hotmail.com Departamento de electricidad y electrónica, universidad Francisco de Paula Santander, Cúcuta, Colombia.
2. EL TRANSISTOR MOSFET. En primer lugar se hará un breve resumen de las ecuaciones más importantes y los parámetros de un transistor MOSFET de canal n, en primer lugar la teoría de la ecuación de la corriente del drenaje para un transistor MOSFET, en la región no saturada entre (VD < VG – VT) es:

Resumen: La estructura básica, así como la existencia física de los transistores de efecto de campo MOS (metal oxide semiconductor), fue el primer transistor sin duda de gran importancia, ya que ha dado el desarrollo de toda una serie de sensores, para la medición física y química de los parámetros ambientales. La ecuación para el drenaje de la corriente del MOSFET, muestra una serie de parámetros que pueden estar directamente influenciados por una cantidad externa, pero también presenta pequeñas variaciones debido a la configuración que tiene la tecnología MOSFET, en la que originalmente ha dado un gran número de las propiedades en estos sensores. 1. INTRODUCCIÓN La medida de la carga de la superficie del semiconductor en función de un campo eléctrico perpendicular a la superficie fue mencionado por Lihenfeld en el año 1925 y esto se tomó como un principio de un dispositivo electrónico en la que no hay un consumo de energía de la fuente de entrada debido a la creación de un campo eléctrico. A mediados de la década de los 40 Schokley y Pearson pusieron en pie esta teoría, ya que la superficie del semiconductor, la mayoría de dopaje del signo contrario desde un punto de vista electrónico, la principal ventaja de este semiconductor es que tiene una alta impedancia intrínseca. Esta propiedad hace que el dispositivo MOS sea muy atractivo en la aplicación de los sensores, ya que esto se estarán hablando más al fondo sobre cada uno de ellos. [1]

Tomado de la página web siguiente: http://doc.utwente.nl/69502/1/Bergveld85impact.pdf.

Donde µ es la movilidad del electrón en el canal, Cox es el óxido de la capacitancia por unidad de área, W/L la relación del canal anchura – longitud, VG y VD son los voltajes aplicados de la compuerta y drenaje respectivamente y VT es la tensión umbral que puede ser descrito de la siguiente forma:

Tomado de la página web siguiente: http://doc.utwente.nl/69502/1/Bergveld85impact.pdf.

Donde QB es el agotamiento de la carga por unidad de área, ɸf es la diferencia de potencial de Fermi entre la mayor parte de

Tomado de la página web siguiente: http://doc.pdf. Como por ejemplo para mejorar la respuesta de NO Y NO 2 se debe dar usos de los derivados en la que puedan contribuir una mejor respuesta primaria a un determinado componente gaseoso o clase de componentes en la cual pueda dar un sistema de monitoreo para caracterizar la presencia y la concentración de sustancias seleccionadas para una mejor medición en el sistema ambiental y además permite un mejor en la aplicación de este sensor. ya que se determina por la franja del campo de las moléculas adsorbidas. mientras que Q1t y Qf son las cargas de la trampa interfaz respectivamente por unidad de área. en la forma cómo va a operar para su respectivo funcionamiento: Tomado de la página web siguiente: http://doc.utwente. . la explicación de la sensibilidad es observado de acuerdo de cómo actúa el drenaje. y VFB es la tensión banda plana que viene dada por: Tomado de la página web siguiente: http://doc. A continuación se muestra la representación esquemática de un transistor MOSFET.utwente. en la cual queda resumida de la siguiente forma: La mayoría de los sensores basados en los transistores MOSFET.pdf. ya que tiene una limitación del espesor del óxido. [1] A continuación se muestra la estructura interna de este sensor.1.utwente. Se conoce también como el transistor de adsorción de efecto de campo.nl/69502/1/Bergveld85impact. 2. Donde ɸM y ɸS1 es la función de trabajo del silicio metal. esta distancia siendo salvado por un determinado material hace que el resultado de los sensores sea más sensibles ya sea a un producto químico ó de la cantidad física de acuerdo a ciertos efectos a que este material este añadido.nl/69502/1/Bergveld85impact. Esto también puede explicar el hecho de que los dispositivos tienen una película más gruesa no corresponden a los gases adsorbidos. [1] En el primer caso el modo de operación de un transistor MOSFET en la región saturada puede ser explicada por estas tres ecuaciones. Este sensor tiene la capacidad de responder a toda clase de gases en la que tienen un dipolo neto permanente. la modificación tecnológica más sencilla de la configuración MOSFET es la omisión de la compuerta de metal.2 EL ADFET. Los cambios de configuración en el transistor MOSFET en las funciones del sensor. Representación esquemática básica en la operación de un MOSFET.nl/69502/1/Bergveld85impact. ya que a veces es más difícil el uso de la compuerta a una cierta distancia.dopamiento intrínseca del silicio.pdf. [1] 2. Figura 1.

Por lo tanto este cambio también puede proporcionar una dirección perpendicular a la del transistor.utwente. el sensor obedece en las siguientes ecuaciones que estarán mencionadas a continuación: Figura3. simplemente porque un voltaje más alto implica en un condensador mayor cargo.Figura 2. Representación esquemática y el funcionamiento de un sensor PRESSFET. Este es un tipo de sensor ya que de acuerdo a su construcción ya que posee una película de unión resistente junto con el área de la compuerta. especialmente a Vo. Representación esquemática y el funcionamiento de un sensor ADFET.pdf.nl/69502/1/Bergveld85impact.nl/69502/1/Bergveld85impact. [1] Si en contraste entre la puerta y el oxido es un dieléctrico. Un enfoque similar es el uso del sándwich de un polímero piezoeléctrico tales como PVF. La sensibilidad del dispositivo para una variación de la capacitancia de espacio de aire es: Tomado de la página web siguiente: http://doc.pdf. Esta sensibilidad se puede aumentar mediante el aumento de los voltajes aplicados. dado que los valores reales de un espesor en la cámara de aire son del orden de micrones.utwente.utwente. el resultado de la capacitancia esta expresado por: Ceq = Cairgap << Cox Donde Tomado de la página web siguiente: http://doc.pdf Tomado de la página web siguiente: http://doc. En este caso no es necesario el espacio de aire.pdf. 2. Tomado de la página web siguiente: http://doc. Donde la compuerta de la Ceq puede ser una función externo del medio ambiente. por lo tanto las tensiones de ella son del orden de cientos de voltios. como por ejemplo la compuerta puede levantar la curva de la presión cuando el espacio entre el óxido de la compuerta y en el vacío o simplemente aire.utwente.3 EL PRESSFET.nl/69502/1/Bergveld85impact.nl/69502/1/Bergveld85impact. debido a una presión acústica en el piezoeléctrico ya que su capa . ya que existe entre una capa entre la puerta del metal y el oxido de un MOSFET.

Para esto se utiliza el sensor ISFET ya que permite mejorar la detección de los iones y además tiene una respuesta de tiempo rápido. [3] Tomado de la siguiente página web siguiente: http://eprints. Los dispositivos de control de actividad neuronal se puede utilizar para una amplia gama de aplicaciones. la estabilidad y la fotosensibilidad del material de la puerta. [1] 2. EL ISFET Este es un tipo de sensor también conocido como transistor de efecto de campo de ion sensitivo. Figura 5. El electrodo básico de referencia.pdf. ADICION DE SENSORES QUÍMICOS (SCS): UNA NUEVA PLATAFORMA DE DETECCION NEURO-QUÍMICA. 3. incluyendo los estudios de neurofisiología.txt 3. Sobre la conducción de la teoría nerviosa. el potencial en el aislante depende de la concentración en el ion detectado. este es un tipo de sensor aplicado para su uso como matrices de sistema en imágenes médicas ultrasónicas.induce un voltaje de entrada para el MOSFET. Sus limitaciones que se presentan en este sensor es la poca selectividad y adhesión de la membrana.1 conducción neural. y el encapsulado.4.nl/69502/1/Bergveld85impact.uk/retrieve/1085/license. De este modo el ISFET es como un MOSFET que en vez de tener sistema de oxido – electrolito. ya que puede ser visto como tipo de sensor especial de MOSFET. puede ser considerado como el equivalente del electrodo de puerta. Por lo tanto las variaciones de las concentraciones localizadas iónicas al Tomado de la página web siguiente: http://doc. .ac. La matriz se utiliza a través de un sensor ISFET para generar una mapa de espacio temporal de la actividad química. monitoreo de drogas y rehabilitación. A pesar de la conducción nerviosa se basa en flujo de corriente iónica. [2] Figura 4. en la cual cuenta con una zona de recubrimiento o membrana químicamente sensitiva. una estructura compacta y una ganancia de sensibilidad iónica. que generan las señales detectables. Detección de iones de potasio en un manojo de nervios. ya que los estudios de monitoreo se centran en la grabación bioeléctrica.utwente. neuropatología. lento e inapropiado. el disparo de un grupo de nervios en fascículos uno o más. Dicho potencial cambia la tensión umbral y con ella la corriente del drenador. que se sumerge en el mismo electrolito. crea corrientes iónicas que fluyen entre los fascículos al espacio extracelular. como resultado de ello al sumergirlo en un electrolito. Esto se debe casi especialmente a los aparatos convencionales de iones de detección en los laboratorios de química ya que es un poco engorroso.imperial. Representación esquemática y el funcionamiento básico de un sensor ISFET.

uk/retrieve/1085/license. 3. donde la puerta del polisilicio se conecta a través de las capas del metal. cuando se produce una acción potencial. Esto se debe a la unión de iones de hidrogeno a la superficie de nitruro de silicio por encima de la puerta.txt .ac. Esquema de un circuito del sensor químico. [3] Tomado de la siguiente página web siguiente: http://eprints.tomar lugar durante un acontecimiento de la señal puede ser detectado por un sensor ISFET modificado. [3] Figura 6. 3.imperial. ya que este posee un recubrimiento por nitruro de silicio pasivo. Los sensores ISFET se basan en el estándar del MOSFET para crear la detección de la superficie de la carga. principalmente los iones de hidrogeno. adaptado para determinadas selectividad de iones.2 descripción del circuito. Cambio en la conductancia entre el sodio y el potasio. Diseño del sensor ISFET. para la capa superior del metal. formando un acoplamiento capacitivo con la referencia de los electrodos AgCl/Ag. El circuito consta de un sensor ISFET y un circuito de neuronas. La metodología utilizada para el diseño del ISFET es adoptado por Hammond. en la cual este circuito consta de un dispositivo ISFET personalizado.txt. Una mayor inmunidad de interferencia mioeléctrica.3 Fabricación ISFET. este dispositivo hunde la corriente de salida que depende del pH de la solución. El ISFET es sesgado en la región de inversión débil de la operación para reducir el mínimo poder del consumo y aprovechar la característica de este dispositivo.ac.uk/retrieve/1085/license.imperial. ya que los beneficios potenciales para la detección neuroquímica se utiliza mediante matrices en comparación de los métodos convencionales de grabación incluyen la bioeléctrica.uk/retrieve/1085/license. Tomado de la siguiente página web siguiente: http://eprints.txt Tomado de la siguiente página web siguiente: http://eprints. el fascículo específico del seguimiento y la distinción entre las señales sensoriales y motora en la que ambos tienen lugar en un manojo de nervios. En la siguiente figura muestra el esquema. [3] Figura 7. Figura 7.ac.imperial.

imágenes y otras medidas de sistemas continuas. [4] . La programación PIC se hace mediante el uso del programador MPLAB. se compila en un formato hexadecimal y luego este es enviada al puerto de para el programador en la cual se ejecuta el programa PIC. DISEÑO DE LA PANTALLA DIGITAL PARA EL SENSOR DE pH UTILIZANDO MICROCONTROLADOR PIC. ya que este se analiza los datos de tensión y mostrar en el panel LCD. ya que este dispositivo es muy aplicable a la parte biomédica y bioquímica. como por ejemplo. en donde hay cinco resistencias y un amplificador operacional relacionado con el ISFET para dar el valor de referencia de tensión para el circuito ADC para convertir de análogo a digital. puede ser simuladas mediante el programa MULTISIM e ISIS. El controlador utilizado en el sistema se elige el microcontrolador PIC. cada paso de fabricación utiliza técnicas numéricas para modelar los fenómenos físicos que existen en el proceso de la fabricación real.4. Por el contrario el sistema no digital o analógico utiliza un rango continuo de valores para representar la información. Por otra parte la sensibilidad y la selectividad del sensor ISFET ha logrado depositar un gran desarrollo para este sistema ya que este ha permitido analizar todo el comportamiento necesario para el obtener un mejor enfoque para tener una mejor disponibilidad en el diseño de portátiles provocando así un mejor sistema de adaptación de una forma más efectiva. transmisión y almacenamiento. Por otra parte estos sensores se ha introducido debido a su alta tecnología. El diseño de la pantalla digital es aquel que utiliza sistemas discretos.2 modelo de simulación del esquema del circuito. Los procesos de diseño. Aunque estas representaciones digitales no discretas. En la siguiente figura se muestra la función de cómo el microcontrolador captura los datos digitales obtenido por el sensor ISFET y ADC en la aparición de la pantalla LCD. Una vez que el programa este escrito.1 diseño del esquema del circuito.com/archives/mjbas/volume1/iss ue2/mjbas010208. Figura 8. Esquema del circuito de visualización digital para el sensor pH ISFET. Las características de los componentes electrónicos y microcontroladores PIC en los procesos de programación y el comportamiento del sensor ISFET.pdf 4. El circuito de interfaz del ISFET ha desarrollado para integrarse con el sistema embebido para analizar los datos de la madurez de la fruta sobre la base de medición de pH. procesamiento. Además se ha implementado este sistema para determinar la caracterización de pH que se puede aplicar en el campo de la agricultura a través de la medición de la maduración de las frutas. [4] 4.masaumnet. que por lo general no simboliza numéricamente a representar la información de entrada. letras e iconos o sonidos continuos. Para este proceso se necesita información y el diseño de simular todos los pasos del proceso de la electrónica. A continuación se muestra el circuito de interconexión para el ISFET y ADC. tales como números. fabricación y la implementación del hardware y el software para ser integrados en este sistema son para controlar la correcta programación y sus respectivas instrucciones. [4] Tomado de la página web correspondiente: http://www.

La aplicación de los iones de transistor de efecto de campo sensible (ISFET).edu.cc.pdf Tomado de la pagina web correspondiente: http://front. 8. La diferencia entre el ISFET y el MOSFET es que este no posee el electrodo de puerta de metal.pdf .0 V.pdf Ahora frente a las características de la corriente en función de la fuente de drenaje de la ISFET tiene un rango de la concentración pH entre 2 y 10. Modelo de simulación del 5. El ISFET ha sido ampliamente estudiado debido a sus ventajas que posee este sensor como la respuesta rápida y lo más importante la posibilidad de utilizar procesos de fabricación de MOSFET.nctu.masaumnet. Tomado de la página web correspondiente: http://www.pdf 5.edu. Curvas de drenaje a la fuente de corriente frente a la tensión de referencia en las diferentes soluciones de pH.tw/Richfiles/9278-chin1. [5] Figura 10. es un dispositivo necesario para mediciones de porción de cantidades químicas. UN NUEVO SISTEMA DE SnO2/Al DISCRETA DE LA PUERTA DEL SENSOR pH ISFET.1 resultados y discusión En los resultados se mostró que el funcionamiento del sensor ISFET es muy similar a la de un MOSFET convencional.cc. Cuando el ISFET da una referencia en los electrodos (AgCl/Ag). 6.edu.com/archives/mjbas/volume1/iss ue2/mjbas010208.tw/Richfiles/9278-chin1. 4.10. MULTISIM.Figura 9. esquemático del Tomado de la página web correspondiente: http://front. excepto que se utiliza una puerta de solución en lugar de una puerta de metal. entonces los datos que arrojan en el buffer de pH son 2.nctu.nctu. La ecuación para el MOSFET en la región de saturación se da de la siguiente manera: Tomado de la pagina web correspondiente: http://front. Diagrama sistema ISFET discreto.tw/Richfiles/9278-chin1.cc. luego estos resultados se obtuvieron mediante la aplicación de 2. [5] Figura 10.

R2.nctu. CONCLUSIONES.2 lectura del circuito. El esquema y el diseño muestran que las resistencias R1. [5] Figura 11. si VDS es muy pequeño y VDS < (VGS – VT) entonces queda expresada de la siguiente forma: Tomado de la página web correspondiente: http://front.nctu.cc.  En los sensores basados en los transistores MOSFET vemos que el tipo del sensor más utilizado en la industria es el sensor ISFET ya que este dispositivo tiene una capacidad sorprendente en la detección de los iones químicos según el área en la que se vaya a aplicar.cc.cc. [5] De acuerdo a las ecuaciones muestra que el RISFET depende de la ID.nctu.tw/Richfiles/9278-chin1.Finalmente se muestra la gráfica del voltaje de salida con respecto a la concentración de pH. R3 Y R4 son de 10 kΩ y el R fue de 20 kΩ.tw/Richfiles/9278-chin1.cc.tw/Richfiles/9278-chin1.edu. El voltaje V+ y Ves igual al voltaje VDS en el ISFET.pdf 6.pdf 5.nctu. además de esto permite obtener una respuesta más rápida con respecto a otros sensores Tomado de la página web correspondiente: http://front. Diagrama esquemático de la amplificación del circuito del sensor ISFET.edu. Gráfica en la que muestra la linealidad entre el voltaje de salida y la concentración de pH. El electrodo de voltaje de referencia suministra a la puerta del sensor ISFET un VRef. A continuación se muestra el circuito de un amplificador de instrumentación para el ISFET.edu.pdf A continuación se ilustra el amplificador de instrumentación que me modela estas expresiones matemáticas: Figura 12. Tomado de la pagina web correspondiente: http://front.pdf .tw/Richfiles/9278-chin1.edu. Por lo tanto las ecuaciones quedan expresadas de la siguiente forma: Tomado de la página web correspondiente: http://front.

nl/69502/1/Bergveld85i mpact. 7.tw/Richfiles/9278chin1. [2] 7.pdf [5]  . Pág. REFERENCIAS. 7.cc.    http://doc.debido al sistema que dispositivo.pdf [4] http://front.2 WEBGRAFÍA. 400-401.pdf.nctu. 1994 Marcombo Grupo Editor S.edu.  Sensores y Acondicionadores de Señal.A. ya que ellos se vuelven más sensibles ya sea a un producto químico ó de la cantidad física de acuerdo a ciertos efectos a que este material este añadido. Ramón Pallás Areny. Barcelona (España).masaumnet. es la modificación tecnológica sencilla de la configuración de ella.pdf. [1] http://doc.utwente. Gran Vía de les Cort Catalanes 08007.  posee este Por otra parte la mayoría de los sensores basados en los transistores MOSFET.1 BIBLIOGRAFÍA.nl/69502/1/Bergveld85i mpact.com/archives/mjb as/volume1/issue2/mjbas010208.utwente. [3] http://www.

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