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1. DATOS GENERALES
ASIGNATURA: ELECTRÓNICA SIGLA CURRICULAR: LMEC 04 02 20
ANALÓGICA I P2 2
CARRERA: INGENIERÍA MECATRÓNICA
CURSO: 2DO AÑO SEMESTRE: 4TO SEMESTRE
CONTENIDO ANALÍTICO: el UNIDAD DIDÁCTICA: 3
transistor de
Unión (BJT).

DOCENTE: MSC RICARDO GOTTRET e-mail: rgottretr@doc.emi.edu.bo

BIBLIOGRAFÍA DE APOYO:
 FAIRCHID, DATASHEET TRANSISTOR 2N 3904 FAIRCHILD
SEMICONDUCTORS

TITULO DEL LABORATORIO:

LABORATORIO: N ° 6 CIRCUITO DE AUTOPOLARIZACIÓN

DEL TRANSISTOR

MATERIAL DE APOYO: APUNTES CARGA HORARIA: 5

DE CLASE

1. COMPETENCIA DE LA ASIGNATURA
Diseña circuitos electrónicos no lineales; empleando la teoría del comportamiento no lineal de
circuitos electrónicos; describiendo la respuesta en frecuencia; distinguiendo componentes de estado
sólido simples y compuestos; modelando comportamiento no lineal de circuitos y dispositivos;
utilizando circuitos típicos y realizando la implementación de fuentes de alimentación,
amplificadores, filtros y atenuadores.
2. CRITERIO DE DESEMPEÑO DE LA UNIDAD DIDÁCTICA
Describe el funcionamiento del transistor en sus diferentes regiones de operación; resolviendo
circuitos básicos en las diferentes configuraciones; identificando la región de operación y
calculando el punto de polarización.

1. OBJETIVO
Comprender el funcionamiento de un transistor bipolar al realizar mediciones sobre él.

2. FUNDAMENTO TEÓRICO
• Semiconductores
• Transistores bipolares
• Polarización y zonas de trabajo del transistor biplolar

3. IMPLEMENTOS DE LABORATORIO (cuando corresponda)

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3.1. MATERIALES
DETALLE UNIDAD CANTIDAD
Transistor bipolar 2N3904 1 1
Resistencia de 1/4W 4 4
Protoboard 1 1

3.2. EQUIPO

DETALLE UNIDAD CANTIDAD

Multímetro 1 1
Osciloscopio 1 1
Generador de funciones 1 1
Fuente de alimentación DC 2 2

3.3. EQUIPOS DE PROTECCIÓN PERSONAL

DETALLE UNIDAD CANTIDAD
Guardapolvo 1 1
Barbijo 1 1

4. PROCEDIMIENTO

Calcular y simular el siguiente circuito V1 = 20V, VCE = 7 V, IC = 100 mA y β = 95 (teóricos

para el transistor)

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Armar el circuito y corregir para llegar a los parámetros deseados.

IC
Calcular el β real para el punto de trabajo: β=
IB
Realizar una tabla de observaciones.

5. OBSERVACIONES
 Capturas de pantalla de la simulación previa (comentadas)
 Fotografías de la experiencia (comentadas)
 Mediciones

RC RB VBE (v) IB (mA) IC (mA) VCE (V) β

(kΩ) (kΩ)
Teórico 0.7 100 7
Práctico
Ajustado 100 7

 Verificar si se cumple la relación de voltaje VCE y la corriente IC para las zonas de

trabajo del transistor calculadas.
 Calcular el error de variación del comportamiento práctico del transistor, tomando en
cuenta los valores calculados y los obtenidos en la práctica.

6. CONCLUSIONES

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7. REFERENCIAS