Manual INEL4211

UNIVERSIDAD DE PUERTO RICO
RECINTO UNIVERSITARIO DE MAYAGUEZ

Revisado por: Adriana M Crdenas G.
Supervisado por: Dr. Rogelio Palomera
UNIVERSIDAD DE PUERTO RICO
2
RECINTO UNIVERSITARIO DE MAYAGUEZ
Introduccin
Este manual de Laboratorio ha sido escrito para estudiantes del curso de Electrnica I,
enfatizando principalmente en el anlisis de circuitos basados en diodos y transistores,
aplicaciones y diseo. Esta compuesto por 12 experimentos los cuales estn distribuidos
en forma tal que el estudiante aproveche y refuerce eficazmente los experimentos
realizados previos. La secuencia de los 12 experimentos cubren los siguientes temas:
Diodos
Diodo Zener y Regulador de voltaje
Transistores Bipolares BJT
Amplificadores Bsicos con BJT
Transistores FET
Amplificadores Bsicos con FET
Fuentes de Corriente
Amplificadores Diferenciales y carga activa
Multivibrador Aestable y Monoestable
Los estudiantes al finalizar este curso deberan estar en capacidad de:
1. Conocer y entender el funcionamiento de los diodos y cuales son sus aplicaciones.

2. Conocer y entender el uso de transistores en circuitos amplificadores de
comportamiento lineal y saber como determinar experimentalmente los parmetros
del transistor y el amplificador .
3. Saber detectar y corregir errores en los circuitos montados y alambrados en el
laboratorio..
4. Poder corroborar experimentalmente lo que se mide en la practica con respecto a
los resultados tericos.
5. Entender que los modelos son aproximaciones para una situacin fsica, por lo
cual deben ser adaptados y modificados siempre que sea necesario, para que los
resultados sean muchos ms especficos y reales.
3
Programacin del curso
Semana Actividad Titulo de experimento
01 -- Presentacin del Curso

02 Experimento 01 Diodos I: Curvas Caractersticas, Circuito Limitador, Sujetador y
Doblador
03 Experimento 02 Diodos II: Rectificadores de Media Onda, Onda Completa y con filtro
activo
04 Experimento 03 Diodos III: Diodo Zener y regulador de Voltaje
05 Experimento 04 Transistores Bipolares BJT
06 Experimento 05 Ejercicio Combinado con Zener, AO y BJT en interface con LED
07 Experimento 06 Amplificadores Bsicos con BJT
08 Examen Parcial
09 Experimento 07 Transistores FET
10 Experimento 08 Amplificadores Bsicos con FET
12 Experimento 9 Fuentes de Corriente
13 Experimento 10 Amplificadores Diferenciales y carga Activa
14 Experimento 11 Multivibrador Aestable y Monoestable
15 Proyecto Final
Equipos para cada experimento
Experimento/Equipos 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
Osciloscopio X X X X X X X
Fuente de Voltaje Dual X X X X X X X X X X X

Generador de funciones X X X
Multmetro Digital X X X X X X X X X X X
Board X X X X X X X X X X X
4
Dispositivos requeridos
Dispositivos Valores (cantidad)

Semiconductores Lab 1. Diodos: 1N4004 (3)
Lab 2. Diodos: 1N4004 (3)
Lab 3. Diodo Zener de 5V (1N4733) o equivalente
Lab 4. Transistor Q2N3904 (2).
Lab 5. Diodo Zener de 5V (1), Amplificador Operacional LM324 (1), Diodo
LED (1), Transistor 2N3904 (1).
Lab 6. Transistor Q2N3904 (1).
Lab 7. Transistor 2N5458 canal n JFET (1)
Lab 8. Diodo Zener de 5V, Amplificador Operacional LM324 , MPF 102
Lab 9. MPF102 (1).
Lab 10. LM3046 (2)
Lab 11. Transistor Q2N3904 NPN (4)
Circuitos Integrados SNE555(2).
Resistencias Lab 1. 330 (1), 10KK 1M (1),

Lab 2. 2.2K (1),
Lab 3. 220 (1), 1KK, Potenciometro de 1K
Lab 4. 100, 1Kk (1),k33k (1),
560k
Lab 5. 1K (1), 1.5K (1), 470 (1), Potencimetro: 10K (1),
Fotoresistencia (1).
Lab 6. 100 (1), 330 (1), 390 (1) 1.0k (2), 2.7k (1), 4.7k (1),10k
(2), 33k (1), 82k(1),47k (1)
Lab 7. 10010k
Lab 8. 1K (2), 10K (2), 3.3K (1), 100K (1), 1M (1).
Lab 9. 2k(1), 470(1), 1k
Lab 10. 1kk (2), 10k (2)
Lab 11. 1K (3), 7.5K,(2), 33K (1), 100 (1).
Capacitores Lab 1. 47F (1)

Lab 2. 100F (1)
Lab 6. 1.0F (3), 10F (1), 15F (2), 47F (1).
Lab 8. 0.1F(1), 1F(1), 10F(1).
Lab 11. 0.1uF (1), 47uF (1), 0.01uF(1)
Dispositivos diversos Transformador 110VAC/25VAC
5
Contenido
Introduccin
Programa del curso
Equipamiento por cada experimento
Dispositivo Requeridos
Experimento 1: Diodos I: Curvas Caractersticas, Circuito Limitador, Circuitos Sujetador y Circuito

Doblador
Experimento 2: Diodos II: Rectificadores de Media Onda, Onda Completa y Rectificadores con Filtro
Activo
Experimento 3: Diodos III: Diodo Zener y Regulador de Voltaje
Experimento 4: Transistores Bipolares BJT
Experimento 5: Ejercicio Combinado con Zener, AO y BJT en interface con LED
Experimento 6: Amplificadores Bsicos con BJT
Experimento 7: Transistores FET
Experimento 8: Amplificadores Bsicos con FET
Experimento 9: Fuentes de Corriente
Experimento 10: Amplificadores Diferenciales y Carga Activa
Experimento 11: Multivibrador Aestable y Monoestable
6
EXPERIMENTO 01
DIODOS I : Caractersticas del diodo, Curva

Caracterstica del diodo, Circuito Limitador,
Circuito Sujetador, Circuito Doblador.
Objetivos
1. Examinar las caractersticas del diodo de silicio.

2. Conocer el comportamiento del diodo en directo o en inverso cuando se aplica un voltaje determinado.
3. Conocer las aplicaciones del diodo tales en el circuito limitador y el circuito sujetador de una seal.
Equipos
Osciloscopio
Fuente de Poder variable
Generador de Funciones
Multmetro Digital
Bread-Board o Protoboard
Dispositivos
Resistencias: 330 (1), 10KK 1M (1).
Diodos: 1N4004 (3)
Capacitor 47F (1)
Fundamento Terico
Caractersticas del Diodo
Cuando un material tipo P y un material tipo N se fabrican sobre el mismo cristal, el diodo est formado
por una junta PN, la cual tiene caractersticas elctricas propias. Cuando se forma dicha junta, se difunden
electrones y huecos a travs de la misma, creando la barrera de potencial. Esta barrera evita el flujo de
corriente a travs de la junta cuando no hay un voltaje externo aplicado. Al aplicarse un voltaje externo se
incrementa o decrementa la barrera de potencial, dependiendo de cmo se conecte el diodo. Este efecto
permite que el diodo conduzca en una sola direccin.
Si al aplicar un voltaje externo, la terminal del material tipo P tiene un potencial positivo con respecto al
terminal del tipo N, se dice que el diodo est conduciendo en directo; en caso contrario se dice que el diodo
conduce en inverso. En directo, el diodo conduce corriente fcilmente, pero en inverso el diodo se
convertir en un conductor pobre.
El smbolo esquemtico para un diodo se muestra en la figura 1-1(a); este esquema indica la direccin
convencional del flujo de corriente cuando est en directo. En el componente fsico la figura 1-1(b), la lnea
7
sobre el diodo indica el lado en que se encuentra el ctodo del diodo. El nodo corresponde al material de
tipo P, mientras que el ctodo corresponde al material de tipo N.
Anodo Ctodo
(a) Smbolo (+Anodo; -Ctodo) (b) Componente Fsico
Figura 1-1.
Las caractersticas elctricas del diodo pueden apreciarse en la curva corriente vs. voltaje de la figura 1-2,
la cual muestra la curva caracterstica del diodo. La corriente es prcticamente cero mientras el diodo se
encuentra en inverso, y tambin para una regin en directo hasta que no se alcanza un valor de voltaje
cercano a lo que se conoce como voltaje de umbral, a partir del cual la corriente empieza a crecer
rpidamente.
Fig. 1-2 Curva del diodo
Como la curva del diodo no es lineal, para facilitar los clculos y evaluacin de circuitos se utilizan
modelos ms sencillos, seccionalmente lineales. Los principales modelos de gran seal, o modelos DC son
los tres que se mencionan a continuacin:
1. Diodo Ideal: Es considerado como un switch abierto o cerrado dependiendo de la forma de conduccin
del diodo. Si el diodo conduce en directo se comporta como un switch cerrado y si el diodo conduce en
inverso se comporta como un switch abierto.
2. Diodo con cada: En este caso el diodo conduce en directo nicamente si el voltaje alcanza un voltaje
de umbral. Mientras est conduciendo, el voltaje en el diodo es constante, e igual a este voltaje de
8
umbral. Para el diodo de silicio, este voltaje se encuentra entre 0.6V y 0.7V; para el diodo de germanio
es de 0.2V a 0.3V. As, cuando conduce el diodo, su modelo equivalente es una batera (positivo del
lado del nodo), y cuando no conduce es un switch abierto.
3. Diodo con resistencia ac: Cuando el voltaje del diodo en directo alcanza un voltaje especifico,
empieza a conducir. Conforme aumenta la corriente, aumenta el voltaje en forma directamente
proporcional a la corriente. Cuando conduce, el modelo equivalente es una batera (positivo del lado
del nodo) en serie con una resistencia.
El modelo ideal se utiliza para establecer una aproximacin de funcionamiento de circuito, y es til cuando
los voltajes y corrientes del circuito son suficientemente grandes para despreciar la cada de voltaje en el
diodo. El modelo de voltaje de umbral permite una aproximacin ms apropiada de los valores, y es el
modelo mas usado en clculos en que se quiere mayor precisin. El modelo con resistencia es til cuando
se quieren tomar en cuenta las pequeas variaciones de voltaje o corriente. La inversa de la pendiente es la
resistencia ac de diodo. Para hallar la resistencia ac es necesario dividir una pequea variacin en el
voltaje sobre una pequea variacin en corriente, alrededor del punto en que se trabaja cuando las
variaciones son cero, es decir, el punto de operacin. El diodo es un dispositivo no lineal, por esta razn la
resistencia no es constante pero depender de la localizacin del punto medido sobre la curva caracterstica.
Circuito Limitador
Un circuito limitador ( circuito recortador), recorta una parte de la seal de entrada. Dependiendo de la
orientacin del diodo se limita la regin positiva o negativa de la seal.
Un ejemplo de circuito limitador se puede observar en la figura 1-3. Este circuito bsico se compone de un
diodo, un elemento resistivo, una carga y una fuente independiente que fija el limite de recorte de la seal.
La resistencia de carga RL es mucho mayor que R1, para minimizar el efecto de esta ltima resistencia
cuando el diodo no conduce.
Para comprender el funcionamiento del circuito limitador, considere la regin positiva de la seal de
entrada y el caso especial de una resistencia RL infinita. Cuando el voltaje V s es menor que voltaje VBias +
Vdiodo, el diodo no conduce y se comporta como un circuito abierto, haciendo que el voltaje Vout= V s.
Cuando el voltaje Vs es mayor que VBias + Vdiodo, el diodo conduce y la seal en la salida es Vout=V Bias +
Vdiodo recortando la seal de entrada. Cuando la resistencia RL es finita, Vout=Vs*RL/(RL+R1) cuando el
diodo no conduce; por eso, se necesita tomar R1<<RL, en cuyo caso la aproximacin mencionada es
suficientemente vlida.
Figura 1-3 Un circuito limitador bsico
9
Circuito Sujetador
El circuito sujetador desplaza la seal de entrada a un nivel DC diferente al original. El circuito bsico se
compone de un capacitor, un diodo y un elemento resistivo, aunque puede incluirr una fuente independiente
para introducir un corrimiento adicional. Las dos configuraciones bsicas, el circuito sujetador positivo y el
circuito sujetador negativo, se observan en la figura 1-4(a) y (b).
Para comprender el funcionamiento del sujetador, consideramos primero el caso positivo sin carga, es decir,
RL infinita; para simplificar, supongamos un diodo ideal. El diodo conduce solamente cuando Vs es
negativo, cargando al condensador con la polaridad indicada. Cuando el condensador se carga al valor pico
negativo de Vs, no puede cargarse ms. Sin embargo, el dodo impide la descarga ya que presenta una
resistencia casi infinita a la descarga. De esta manera, el voltaje de salida es Vout Vs VC , lo que
significa que el voltaje de salida ser igual en forma al voltaje de entrada, pero desplazado por una
constante que es el voltaje del condensador (decimos que se sujeta a un nivel DC diferente, o que hay un
offset).
Si se agrega una resistencia de carga R tal que la constante de tiempo RC sea comparable o mayor que el
periodo de Vs, entonces la descarga del condensador a travs de R cuando el diodo no conduce no ser
apreciable. Observe sin embargo que cuando el tiempo RC es comparable con el periodo de la seal de
entrada, el capacitor se cargar despus de muchos ciclos de entrada. En la resistencia de carga se observa
la suma del nivel DC del capacitor y la seal de entrada.
(a) Circuito Sujetador Positivo (b) Circuito Sujetador Negativo
Figura 1-4: Circuito Sujetador
Circuito Doblador
El circuito doblador duplica el voltaje rectificado mximo de un transformador o lnea de energa de

corriente alterna. La figura 1-5 muestra un circuito doblador, donde la fuente es de voltaje alterno, es decir,
sinusoidal. En un doblador de voltaje de onda completa se usan ambos semiciclos (positivo y negativo) de
la entrada de ca para suministrar potencia o mantener el voltaje de salida. Durante el primer semiciclo, un
diodo conduce y carga un capacitor. Durante el segundo semiciclo, hay un segundo diodo que conduce ,
para cargar un segundo capacitor . El voltaje de salida se toma a travs de los dos capacitores cargados en
serie. De esa manera, el voltaje de salida es aproximadamente el doble del voltaje de entrada mximo o el
doble de la carga de cualquiera de los capacitores tomados en forma aislada.
10
Figura 1-5 Circuito doblador
Pre Laboratorio
1. El estudiante debe conocer los aspectos bsicos de los siguientes temas
Caractersticas del diodo

Aplicaciones del diodo
2. El estudiante debe revisar las especificaciones tcnicas del diodo 1N4004 .

3. Simule el siguiente circuito e interprete su resultado.
Procedimiento
PARTE 1: Identificacin del diodo
1. Verificar el valor de las resistencias con el ohmmetro y escriba el resultado en la tabla 1-1 de la hoja
de respuestas .
2. Coloque el terminal positivo del ohmmetro en el nodo del diodo y el terminal negativo en el ctodo
del diodo. Mida la resistencia y escriba el resultado en la tabla 1-1 de la hoja de respuestas.
3. Repita el mismo procedimiento cambiando las puntas de posicin.
11
Figura. 1-6 Identificacin del diodo
PARTE 2 : Conduccin del diodo en forma directa
1. Antes de empezar verifique que la fuente se encuentre apagada.

2. Construya el circuito mostrado en la figura 1-7.
3. Coloque la fuente en cero voltios y encindala.
4. Incremente lentamente Vs hasta obtener 0.45V sobre el diodo.
5. Mida el voltaje en la resistencia R1 y escriba su medicin en la tabla 1-2 de su hoja de respuestas.
6. Mida la corriente que pasa a travs de la resistencia y escriba su medicin en la tabla 1-2 de su hoja de
respuestas.
7. Calcule por ley de Ohm la corriente y escriba su resultado en la tabla 1-2 de su hoja de respuestas .
8. Repita el paso 5, 6 y 7 para cada uno de los voltajes de la tabla 1-2.
Figura 1-7 Diodo en conduccin directa
PARTE 3 : Conduccin del diodo en forma Inversa
1. Repita los pasos 1 y 3 del paso anterior.

2. Construya el circuito de la figura 1-8
3. Incremente Vs hasta obtener 0.45V sobre el diodo.
4. Mida el voltaje en la resistencia y escriba su resultado en la tabla 1-3 de la hoja de respuestas .
5. Mida la corriente que pasa a travs de la resistencia R2 y escriba su resultado en la tabla 1-3.
12
6. Calcule por ley de Ohm la corriente y escriba su resultado en la tabla 1-3.
7. Repita 4, 5 y 6 para cada uno de los voltajes de la tabla 1-3.
Figura 1-8 Diodo en conduccin inversa
PARTE 4 : Curva Caracterstica del diodo
1. En la grfica 1-1 de la hoja de respuestas, dibuje la curva caracterstica del diodo en conduccin directa
y en conduccin inversa, tomando como referencia los datos de las tablas 2 y 3.
PARTE 5: Circuito Limitador, Sujetador y Doblador
1. Conecte el circuito mostrado en la figura 1-9.

2. Conecte la seal del generador a 6.0Vpp, a una frecuencia de 1.0KHz.
3. Observe la seal de entrada y salida en el osciloscopio.
4. Vare el voltaje VBIAS y escriba sus resultados
5. Coloque el diodo en forma inversa, vare el voltaje VBIAS y escriba sus resultados.
6. Reemplace la fuente positiva por una fuente negativa, vare el voltaje y escriba sus resultados.
Figura 1-9
7. Construya el circuito de la figura 1-10. Con el osciloscopio verifique el voltaje de salida y vare el
voltaje de entrada. Grafique la seal de salida.
13
Figura 1-10
Recomendaciones.
Para los pasos 4 y 5 de la parte 2 y 3 sern mucho ms precisos nicamente si el multmetro tiene una
impedancia de entrada alta. Puede verificar esto, midiendo la fuente de voltaje a travs de una resistencia
de 1Mega en serie. Si el multmetro muestra el valor correcto de la fuente, esto quiere decir que el
multmetro tiene una impedancia de entrada alta.
Referencias
[1] Robert Boylestad , Electronic, Circuit Theory , 1994
14
EXPERIMENTO 01
DIODOS I
Nombre del Estudiante :__________________________________________________________________
Fecha: ________________________________ ID: ___________________________________________
Hoja de Respuestas
Tabla 1-1:
Componente Valor Valor Medido
Resistencias
R1 330
R2 1.0M
D1 resistencia directa
D1 resistencia inversa
Tabla 1-2:
Vs VF VR1 IF IF
(Medido) (Medido) (Calculado)
0.45V
0.50V
0.55V
0.60V
0.65V
0.70V
0.75V
Tabla 1-3:
Vs VF VR1 IF IF
(Medido) (Medido) (Calculado)
0.45V
0.50V
0.55V
Grfica 1-1: Curva del diodo en Directo e Inverso
Describa los resultados obtenidos en la parte 5.
Grfica 1-2: Seal de salida de un circuito Sujetador
16
Cuestionario
1. Qu factores afectan la precisin de las medidas en este experimento? (Considerndo ambas

situaciones, en directo y en inverso).
2. Calcule la resistencia ac del diodo para tres puntos sobre la curva en directo a 0.5V, 0.6V y 0.7V por
divisin de un pequeo cambio de voltaje sobre un pequeo cambio en corriente.
Rac (0.5V) =_________________ Rac (0.6V) =________________ Rac (0.7) =_______________
3. Tomando los datos de la tabla 1-2, calcular la disipacin de potencia en el diodo.
4. Explique cmo podra utilizar el ohmmetro para identificar el ctodo de un diodo que no est
sealado por la lnea. Por qu es importante conocer la polaridad de las puntas del ohmmetro?
5. Para el circuito de la figura 1-9, Qu cambio esperara a la salida si el diodo est en inverso?
17
6. Explique la diferencia entre un circuito limitador y un circuito sujetador.
Conclusiones
18
EXPERIMENTO 02
DIODOS II: Circuitos rectificadores de media

onda, de onda completa y rectificadores con
filtro capacitivo.
Objetivos
1. Construir un rectificador de media onda, un rectificador de onda completa con transformador de tap
central y un rectificador onda completa con puente rectificador.
2. Comparar cada uno de los voltajes de entrada y salida .
3. Conectar un filtro capacitor a cada circuito. Medir el voltaje de rizo y la frecuencia ripple.
Equipos
Osciloscopio
Multmetro Digital
Bread-Board Protoboard
Dispositivos
Resistencias: 2.2K (1)
Transformador con Tap central de 12.6V(1)
Diodos: 1N4004 (4)
Capacitor 100F (1)
Fundamento Terico
Los circuitos rectificadores se utilizan para cambiar un voltaje AC en un voltaje DC. En la literatura
comercial, se le llama diodo rectificador a un diodo cuyas caractersticas reales son apropiadas para su uso
en circuitos rectificadores. Asimismo, se le llama puente rectificador a una combinacin de cuatro diodos
en puente, como se ver ms adelante, y comercialmente est disponible en un paquete.
Como se explic en el experimento 1, los diodos conducen la corriente en una sola direccin. Cuando el
voltaje AC es aplicado a un diodo, el diodo conduce en directo para medio ciclo y en inverso para el otro
medio ciclo. Un circuito bsico se muestra en la figura 2-1, y corresponde a un rectificador de media onda.
La salida de la onda es un pulso de una onda DC o media onda rectificada como se ilustra en la figura 2-1.
Esta onda puede ser filtrada para convertirse en una seal constante DC. Tambin, esta onda contiene una
componente DC que puede utilizarse para todos los efectos en que se necesite un valor DC sin necesidad de
ser constante, o regulado. Este valor puede medirse mediante un voltmetro DC.
19
Figura. 2-1 Circuito bsico rectificador de media onda
Los rectificadores son muy utilizados en fuentes de poder, ya que proveen el voltaje DC necesario para que
los dispositivos activos trabajen adecuadamente. Los tres rectificadores bsicos son :
Rectificador de media onda

Rectificador de onda completa con transformador de tap central
Rectificador de onda completa con Puente Rectificador
La figura 2-2 muestra los circuitos bsicos rectificadores de onda completa. La onda de salida en los
circuitos bsicos no es constante, por lo que se usan filtros para modificar la onda y hacerla lo ms
constante posible. Entre los filtros usados, el ms comn es el llamado filtro capacitivo, el cual consiste en
un capacitor en paralelo con la carga, como se muestra en la figura 2-3 para cada uno de los circuitos
bsicos. Este capacitor es lo suficientemente grande, y generalmente electroltico, para que la constante de
tiempo sea grande y la descarga en el capacitor sea lenta.
Figura 2-2 Rectificadores de Onda Completa Bsicos
20
Figura 2-3. Rectificadores de Onda Completa con Filtro Capacitivo
Las ondas producidas por los rectificadores con filtro tienen pequeas variaciones, y se conocen como
ondas de rizo (ripple). El voltaje de rizo, Vripple es el voltaje pico a pico de esta onda.
Las frmulas utilizadas para los clculos aproximados en los circuitos rectificadores son las siguientes. En
estas frmulas, Vdiodo se aproxima por un valor entre 0.7 V y 0.8 V normalmente, aunque valores menores
y mayores son posibles, dependiendo del valor de corriente que se maneje, y f es la frecuencia en el
secundario del transformador.
1 - Circuito rectificador de media onda:
Voltaje pico-pico en salida: V MaxSec V diodo
V MaxSec V diodo
Voltaje DC: V DC

2 - Circuito rectificador de media onda con filtro capacitivo:
El voltaje de rizo (ripple voltage) o voltaje pico-pico en salida, la corriente DC, y el voltaje DC se
obtienen por las ecuaciones:
V
V DC VMaxSec Vdiodo rizo VMaxSec Vdiodo
2
V DC
I DC fCV rizo
RL
3 - Circuito rectificador de onda completa con transformador de tap central:
Voltaje pico-pico en salida: V MaxSec V diodo
21
V MaxSec Vdiodo
Voltaje DC: V DC 2

4- Circuito rectificador de onda completa con transformador de tap central y filtro capacitivo:
V
V DC VMaxSec Vdiodo rizo VMaxSec Vdiodo
2
V DC
I DC 2 fCVrizo
RL
Frecuencia de salida: 2f
5 - Circuito rectificador de onda completa con puente rectificador:
Voltaje pico-pico en salida: V MaxSec 2 V diodo
V MaxSec 2 Vdiodo
Voltaje DC: V DC 2

6 - Circuito rectificador de onda completa con puente rectificador y filtro capacitivo:
V
V DC VMaxSec 2 V diodo rizo VMaxSec 2 Vdiodo
2
V
I DC DC 2 fCV rizo
RL
Frecuencia de salida: 2f
Los parmetros ms importantes para escoger los diodos para estos circuitos rectificadores son la corriente
mxima directa IF, y el pico inverso de voltaje del diodo. La corriente mxima es la corriente DC o
corriente promedio que puede soportar el dido; el pico inverso de voltaje es el mximo voltaje con el cual
el diodo permanece cuando est en inverso. La suma de voltajes inversos que aparecen a travs de un
diodo depende del tipo de circuito en el cual se utiliza.
Pre Laboratorio
22
Caractersticas del diodo
Aplicaciones del diodo
2. El estudiante debe revisar las especificaciones tcnicas del diodo 1N4004.
Procedimiento
1. Conectar un rectificador de media onda como se muestra en la figura 2-4 (La lnea de voltaje AC no
debe estar expuesta). El transformador debe estar conectado con su respectivo fusible como se muestra
en la figura 2-4. Note la polaridad del diodo. La lnea indica el lado del ctodo (el lado negativo
cuando va a conducir en directo). Conecte el canal 1 del osciloscopio en el secundario del
transformador y el canal 2 a travs de la resistencia de carga. En este experimento la sincronizacin
del osciloscopio ser a travs de la lnea de voltaje AC. Observe el voltaje de entrada Vsec, voltaje de
salida Vout, la forma de onda y dibuje la seal en el esquema 2-1 de su hoja de respuestas.
Figura 2-4. Rectificador de Media Onda
2. Mida el voltaje rms y el pico de voltaje. Recuerde que debe colocar el voltimetro para lectura de
voltaje y llene la tabla 2-1 de su hoja de respuestas.
3. Conecte un capacitor de 100F en paralelo con la carga R L. Verifique la polaridad del capacitor, el lado
negativo va hacia la tierra. Mida el voltaje DC en la carga Vout y el voltaje pico a pico en la salida,
mida el voltaje de rizo. Coloque el osciloscopio en posicin AC COUPLING, esto permite amplificar
el pequeo voltaje AC ripple sin modificar el nivel DC. La frecuencia de rizo es la frecuencia en la
cual la forma de onda es repetitiva. Mdala, tome los datos y llene la tabla 2-1 de su hoja de respuestas.
4. Desconecte y cambie el circuito por el rectificador de onda completa con transformador de tap central
como es mostrado en la figura 2-5. Note que la tierra para el circuito tiene un cambio. La tierra de
osciloscopio necesita ser conectada como es mostrada. Chequee el circuito cuidadosamente antes de
aplicar potencia. Calcular el voltaje pico esperado a la salida, entonces aplique dicho voltaje y observe
el Vsec, Vout, la forma de onda y grafique la seal en el esquema 2-2 de su hoja de respuestas.
23
Figura 2-5 Rectificador de onda completa con transformador de tap central
5. Mida V sec(rms) y el voltaje pico de la seal Vout (pp) sin filtro capacitor. Tome los datos y complete la
tabla 2.2 de su hoja de respuestas.
6. Ahora adicione un capacitor de 100F en paralelo con la carga . Mida Vout (D.C), el voltaje pico a
pico Vr(pp) y la frecuencia ripple como se obtuvo en el tercer paso. Tome los datos y complete la tabla 2-
2 de su hoja de respuestas.
7. Desconecte y cambie el circuito por un onda completa con puente rectificador como se muestra en la
figura 2-6. Note que el terminal del transformador secundario no esta conectado a tierra. La entrada de
voltaje del puente no se encuentra referenciada a tierra. El osciloscopio no se puede utilizar para ver
ambos voltajes al mismo tiempo. Chequee el circuito cuidadosamente antes de aplicar potencia.
Calcule el voltaje pico esperado a la salida, entonces aplique dicho voltaje y utilice un voltmetro para
medir Vrsec(rms). Utilice el osciloscopio para medir el Vout (pp) sin filtro capacitivo. Tome los datos y
complete la tabla 2-3 de su hoja de respuestas.
Figura 2-6: Onda completa con puente rectificador
8. Conecte el capacitor de 100F en paralelo con la carga. Mida Vout (D.C), el voltaje pico a pico y la
frecuencia ripple como se obtuvo en el tercer y sexto paso. Tome los datos y complete la tabla 2-3 de
su hoja de respuestas.
9. Simule un diodo abierto en el puente rectificador removiendo un diodo del circuito. Qu pasa con el
voltaje de salida? Qu pasa con el voltaje de rizo? Y con la frecuencia ripple?.
Referencias
[1] Robert Boylestad, Electronic, Circuit Theory , 1994.

[2] David Buchla, Electronic Devices ,Fifth Edition, 1999.
24
EXPERIMENTO 02
DIODOS II: Circuitos rectificadores de media

onda, de onda completa y rectificadores con
filtro capacitivo.
Fecha: ________________________________ ID: ___________________________________________
Hoja de Respuestas
Grfica 2-1:
Vsec
Vout
Tabla 2-1: Rectificador de Media Onda
SIN FILTRO CAPACITOR Valor Terico Medido

Voltaje de Secundario Vsec(rms)
Voltaje de Salida pico a pico Vout(pp)
Voltaje DC de salida VDC
Frecuencia de secundario Hz
Frecuencia de salida Hz
CON FILTRO CAPACITOR Valor Terico Medido

Voltaje de Salida pico a pico o
Voltaje de Rizo Vout(pp)
Grfica 2-2:
Vsec
26
Vout
Tabla 2-2: Rectificador de Onda Completa con Transformador de Tap

central


Tabla 2-3: : Rectificador de Onda Completa con Puente Rectificador

27
Describa los resultados obtenidos en la parte 9.
Cuestionario
1. Qu ventaja tiene un rectificador de onda completa sobre un rectificador de media onda ?
2. Compare el rectificador de onda completa con puente rectificador y el rectificador de onda completa
con transformador de tap central. Cul de los dos tiene el voltaje de salida ms alto? Cul maneja
ms corriente en los diodos?
3. En el paso 4, la referencia de tierra se encuentra en el centro del transformador, y para observar el

voltaje a travs del secundario se debe conectar el osciloscopio como se muestra en la figura 2-5 y
adicionar los dos canales. Por qu es necesario utilizar ambos canales para observar el voltaje del
secundario?
28
4. Cmo se puede determinar si un diodo esta abierto en un puente rectificador midiendo la frecuencia
de rizo?
5. a)Cul es el mximo voltaje DC que se puede esperar para obtener de un transformador con 18 Vrms
secundario y utilizando un puente rectificador con un filtro capacitivo?
b)Cul es el mximo voltaje DC que se espera para obtener del mismo transformador conectado en un
rectificador de onda completa con transformador de tap central con un filtro capacitivo?
Conclusiones
29
EXPERIMENTO 03
DIODO ZENER Y REGULADOR DE VOLTAJE

Objetivos
1. Graficar la curva caracterstica del diodo Zener utilizando el osciloscopio.

2. Realizar pruebas con un circuito regulador usando diodo Zener y ver los efectos del mismo cambiando
el valor de la fuente y cambiando la carga.
Equipos
Osciloscopio
Multmetro Digital
Dispositivos
Resistencias: 220 (1), 1KK.
Potenciometro de 1K
Transformador con embobinado primario 12.6 Va.c. (1)
Diodo Zener de 5V (1N4733) o equivalente (1)
Fundamento Terico
Cuando es aplicado un voltaje inverso a un diodo Zener, la corriente inversa se incrementar

repetitivamente como es ilustrado en la curva caracterstica de la figura 3-1. Este repentino incremento pasa
a ser un voltaje llamado voltaje Zener Vz. Un diodo Zener es un diodo especialmente diseado para operar
en la regin de corte.
30
Figura 3-1 Curva caracterstica del diodo Zener
El smbolo esquemtico para un diodo Zener es mostrado en la figura 3-2.
Figura 3-2 Smbolo del diodo Zener
El voltaje Zener es un voltaje preciso que vara de acuerdo al tipo de Zener, esto es tpicamente un pequeo
voltaje pero pueden ser tantos como cientos de voltios. El diodo Zener es sensible a la temperatura, algunos
dispositivos han sido diseados para compensar dicha sensibilidad. Los diodos Zener son usados en
aplicaciones que requieren de un voltaje constante y un voltaje regulado, en ciertos casos son utilizados
como un voltaje de referencia para confrontar con otras medidas. La caracterstica del diodo Zener en la
regin de corte es una lnea vertical continua, pero en la prctica es una pequea resistencia AC similar a la
resistencia AC de un diodo convencional en forma directa. Dicha resistencia se halla dividiendo un
pequeo cambio en el voltaje en un pequeo cambio en la corriente, medido en la regin de corte. Esta
resistencia tiene un valor tpico de 10 a
En este experimento se medir las caractersticas del diodo Zener, para luego utilizar el diodo Zener en dos
circuitos reguladores. En el primer circuito Usted probar el efecto de variacin de voltaje y el segundo
circuito probar el efecto de variacin de carga.
Procedimiento
Observar las curvas caractersticas del diodo Zener, realizando el circuito mostrado en la figura 3-3.
Coloque el osciloscopio en el modo X-Y y grafique la curva correspondiente en el esquema 3-1 de su
hoja de respuestas.
La resistencia de 1kcambia al eje Y del osciloscopio en una corriente ( 1 Amp por voltio) Marcar su
grfica para corriente y voltaje.
Figura 3-3
31
Una de las aplicaciones ms comunes del diodo Zener son los reguladores. Este paso investigar como
al variar la fuente de voltaje se presenta el efecto de regulacin con el diodo Zener. Conecte el circuito
de la figura 3-4.
Figura 3-4
3 Coloque Vs en cada uno de los voltajes de la tabla 3-1 de la hoja de respuestas y mida el voltaje de
salida Vout en la carga.
Con las medidas tomadas en el paso anterior complete la tabla 3-1 aplicando la ley de Ohm para hallar
la (IL) corriente de carga para cada uno de los valores de Vs. Hallar VR1, Usted la puede calcular
aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff (KVL) a la salida. Esta es la diferencia entre la fuente y el
voltaje de salida.
Note que la corriente Is est a travs de R1 y se puede calcular con la ley de Ohm. Halle la corriente
Zener aplicando la ley de corriente de Kirchhoff (KCL).
5 En este paso, se analizar el efecto de un regulador Zener trabajando con una fuente de voltaje fija y
con una resistencia de carga variable. Frecuentemente, la carga esta en un circuito activo (tal como un
circuito Lgico) en el cual la corriente cambia debido a las variaciones. Este comportamiento se
simular con un potencimetro de 1K
Realice el circuito mostrado en la figura 3-5. Coloque la fuente fija a +12V de salida y ajuste el
potencimetro RL hasta su mxima resistencia.
Figura 3-5
6 Con el potencimetro de 1K (mxima resistencia) mida el voltaje de carga (Vout) y coloque su

resultado en la tabla 3-2 de la hoja de respuestas. Halle los otros parmetros utilizando la ley de Ohm
para IL. La ley de Kirchhoff para VR1 y la ley de Kirchhoff para Iz.
32
Coloque el potencimetro en cada uno de los valores de la tabla 3-2 y repita el paso 7.
8 Con los datos tomados en la tabla 3-2 grafique el voltaje de salida como una funcin de la resistencia
de carga en el esquema 3-2 de su hoja de respuestas.
Referencias
[1] Robert Boylestad , Electronic, Circuit Theory , 1994 paginas 87-94

[2] Floyd Electronic Devices, Sections 3-1 and 3-2
33
EXPERIMENTO 03
DIODO ZENER Y REGULADOR DE VOLTAJE

Nombre del Estudiante: __________________________________________________________________
Fecha: ________________________________ ID: ___________________________________________
Hoja de Respuestas
Grfica 3-1:
Tabla 3-1:
Vs Vout(medido) IL(Calculado) VR1(Calculado) Is(Calculado) IZ(Calculado)

2.0V
4.0V
6.0V
8.0V
10.0V
Escriba la respuesta del punto 4:
Calcular VR1 e Iz
34
Qu le sucede a la corriente del Zener despus de haber alcanzado el voltaje en la regin de corte?
Tabla 3-2
RL Vout(medido) IL(Calculado) VR1(Calculado) Is(Calculado) IZ(Calculado)

1.0 K
750
500
250
100
Grfica 3-2
Cuestionario
1. Observe la curva caracterstica de la grfica 3-1
a. Qu porcin de la curva es aproximada para un circuito abierto?
b. Que porcin de la curva es aproximada a un corto circuito?
35
2. De la tabla 3-1. Calcule la resistencia AC del diodo Zener, cuando la fuente de voltaje cambia de 8.0V
a 10.0V.
3. La lnea de regulacin del diodo Zener es normalmente expresada como un porcentaje y esta dada por
la ecuacin:
Lnea de Regulacin = Vout/Vin *100%
Calcule la lnea de regulacin expresada como un porcentaje para el circuito de la figura 3-5 utilizando
los datos de la tabla 3-1 de su hoja de respuestas ( note que el voltaje de entrada en la ecuacin es
equivalente a Vs en la tabla).
4. La regulacin de la carga de un Zener, expresado como un porcentaje, esta dado por la ecuacin:
Regulacin de carga = VNL-VFL/VFL

Calcule la regulacin de la carga para el circuito de la figura 3-5 (Asuma el Vout para la resistencia de
1 KVNL y Vout para la resistencia de 100VFL)
5. Asuma que el potencimetro de la figura 3-5, esta en su valor mximo (1.0KQu efecto causara
en el voltaje de salida en cada una de las siguientes fallas?
36
Falla Vout
1. El diodo Zener esta abierto
2. Vs es +15V
3. El diodo Zener esta inverso
4. RL es 2.2K
5. RL esta abierto
Conclusiones
37
EXPERIMENTO 04
TRANSISTORES BIPOLARES BJT
Objetivos
1. Visualizar las caractersticas de los transistores bipolares

2. Medir y graficar las curvas caractersticas de colector para un transistor BJT
3. Use las curvas caractersticas para determinar el DC del transistor a un punto dado.
Equipos
Osciloscopio
Multmetro Digital
Dispositivos
Resistencias: 100, 1Kk (1),k33k (1), 560k
Transistor Q2N3904 (2).
Fundamento Terico
El transistor consiste de dos uniones semiconductoras P-N, puede ser del tipo PNP o NPN, donde la
diferencia primordial estriba en la polaridad y direccin de los voltajes y corrientes. El transistor esta
dividido en tres partes : Colector , Emisor y Base. El colector recibe o colecta las cargas que enva o emite
el emisor. Mediante la corriente de la base se controla el paso de las cargas entre el emisor y el colector.
A medida que la corriente de base aumenta, aumentan las corrientes de emisor y colector, y el voltaje de
base emisor (VBE) llega a ser aproximadamente 0.8V. A su vez, el voltaje de colector a base (V CB) y el
voltaje de colector a emisor (VCE) disminuyen. Cuando la corriente de colector esta determinada por el
circuito externo, esto es, si I C < , el valor de VBE es aproximadamente de 0.2V y las uniones de colector-
base y emisor-base estn polarizadas directamente. Este modo de operacin se conoce como saturacin.
Un transistor bipolar de silicona requiere aproximadamente de 0.7V a travs de la junta base emisor para
obtener la corriente de base IB
Si la corriente de base se aproxima a cero, V BE es bajo y la unin de base a emisor no conduce
adecuadamente. El valor de VCE est cerca al de la fuente de polarizacin, VCB es bastante alto
tambin y las corrientes se aproximan a cero. Este modo de operacin se conoce como corte.
Cuando el valor de la corriente de base es suficientemente alta para que la unin base emisor conduzca (no
saturado) el valor de VBE se aproxima al de un diodo, V CE adquiere un valor intermedio a los
dos modos anteriores y se cumplen las relaciones:
IC = IB
IE = IB + IC
38
Este modo de operacin es el activo. V CB se mantiene positivo, as que la unin colector a base esta
invertida y la unin base a emisor esta directa; es la ganancia de corriente de corto circuito estable. Estas
relaciones no se cumplen en los modos de corte y saturacin.
El Factor de amplificacin en corto circuito de base comn es la relacin entre un cambio pequeo en la
corriente de colector y un cambio pequeo en la corriente de emisor, se representa mediante el smbolo
En forma de ecuacin la magnitud de esta dada por :
I c

I E VCB Cons tan te
Los valores tipicos de varian de 0.90 a 0.998 su valor siempre ser menor que 1.
El transistor se polariza de acuerdo al modo de operacin que se desee; en este caso ser el modo activo.
Para esto hay que controlar los valores de la corriente de colector I C, el voltaje de colector a emisor VCE y la
corriente base IB. Estos tres valores definen el punto Q, o punto de operacin.
Pre Laboratorio
Modelo del transistor BJT

Curvas caractersticas del transistor BJT.
Aplicaciones del transistor BJT
2. El estudiante debe revisar las especificaciones tcnicas del transistor 2N3904 .
Procedimiento
1. Conecte la configuracin Emisor Comn como se observa en la figura 4-1. Verifique que la fuente este
en cero y luego encindala. El propsito de R1 es limitar y poder determinar la corriente de base.
Lentamente incremente el valor de V BB hasta que VR1 sea 1.65V. Esto fija una corriente de base de
50A, la cual se puede calcular aplicando la ley de Ohm a R1.
Figura 4-1
39
2. Sin modificar el valor obtenido de VBB, lentamente incremente VCC hasta que el voltaje entre colector y
emisor sea de 2.0V. Este voltaje es llamado V CE. Mida VR2 y escriba sus resultados en la columna de
IB=50A de la tabla 4-1 de su hoja de respuestas.
3. Calcule la corriente de colector Ic, aplicando la ley de Ohm para R 2,usando el VR2 y mida la resistencia
R2 para determinar la corriente. Note que la corriente en R 2 es la misma IC en el transistor. Escriba su
resultado en la tabla 4-1 de su hoja de respuestas.
4. Coloque la fuente VCC en 0Vy ajuste VBB hasta que el voltaje VR1 sea 3.3V y en este momento la
corriente de base ser 100A.
5. Repita el paso 2, 3 y 4 con una corriente de base IB de 100A.
6. Siguiendo este procedimiento llene la tabla de datos para VCE igual a 4.0, 6.0 y 8.0V. Para obtener la
corriente de 150A debe aumentar el valor VR1 a 4.95 V mediante VBB. Para obtener los valores de V CE
deseados recuerde que debe variar el valor de VCC.
7. Utilizando los datos obtenidos en la tabla 4-1, grafique las tres curvas caractersticas de colector (I C vs
VCE) usando los valores de la IB , en el esquema 4-1 de la hoja de respuestas
8. Use la curva caracterstica del anterior paso y determine el valor de DC del transistor utilizando un
valor de VCE de 3.0V y 5.0V y una corriente de base de 50,100 y 150 A de la tabla 4-2 de la hoja de
respuestas.
9. Construya el circuito mostrado en la figura 4-2, mida los voltajes V CE , en la resistencia RC y en la

resistencia RB. Obtenga con esos valores el punto de operacin del transistor y el valor de DC. Obtenga
analticamente el valor de la corriente de colector de saturacin (cuando V CE es cero) y el valor del
voltaje de corte (cuando la corriente de colector es cero). Dibuje la lnea de carga DC del transistor
usando los dos valores antes mencionados y aada en la grfica el punto de operacin encontrado, en el
esquema 4-2 de la hoja de respuestas.
Figura 4-2
40
10. Construya el circuito de la figura 4-3 y mida los voltajes V CE, en las resistencias RC, RE, R1 y R2 .
Repita el paso 9 y grafique en el esquema 4-3 de su hoja de respuestas.
Figura 4-3
Referencias
[1] Robert Boylestad , Electronic, Circuit Theory , 1994 paginas 87-94

[2] Floyd Electronic Devices, Sections 3-1 and 3-2
41
EXPERIMENTO 04
TRANSISTORES BIPOLARES BJT

Fecha: ________________________________ ID: ___________________________________________
Hoja de Respuestas
Tabla 4-1
VCE (medido) Corriente de Corriente de Corriente de

Base=50A Base=100A Base=150A
VR2 IC VR2 IC VR2 IC
(medido) (Calculado) (medido) (Calculado) (medido) (Calculado)
2.0V
4.0V
6.0V
8.0V
Grfica 4-1 (IC Vs VCE)
42
Ganancia de Corriente DC
VCE IB=50A IB=100A IB=150A
3.0V
5.0V
Clculos del punto 9 del procedimiento
Grfica 4-2
43
Clculos del punto 10 del procedimiento
Grfica 4-3
Cuestionario
1. Con los datos tomados en los experimentos responda las siguientes preguntas :
a. El punto DC es constante en todos los puntos? Si o No Explique su respuesta
44
b. Tiene algn efecto sobre la linealidad del transistor?
2. Qu efecto puede tener un DC alto sobre las curvas caractersticas que se obtuvieron?
3. Cul es la mxima potencia disipada por el transistor segn los datos tomados en el experimento?
4. a. El DC de un transistor bipolar es igual a la corriente de colector I C, sobre la corriente de emisor IE,

Utilizando esta definicin y sabiendo que I E = IC + IB, demuestre que DC puede ser escrito de la
siguiente manera:
DC
DC
DC 1
b. Calcule DC cuando el transistor con VCE = 4.0V y la IB = 100A
45
5. Qu valor de VCE se podra esperar si la base del transistor estuviera abierto?. Explique su respuesta
Conclusiones
46
EXPERIMENTO 05
Aplicacin I: Ejercicio combinado con

Zener, AO y BJT en interface con LED
Objetivos
Utilizar los dispositivos estudiados en el laboratorio para dar solucin a problemas de diseo y
aplicaciones.
Equipos
Fuente de poder variable

Breadboard
Multmetro Digital
Dispositivos
Resistencias: 1K (1), 1.5K (1), 470 (1).
Potencimetro: 10K (1)
Diodo Zener de 5V (1).
Amplificador Operacional LM324 (1).
Diodo LED (1).
Transistor 2N3904 (1).
Pre Laboratorio
El estudiante debe consultar los siguientes temas para el ptimo desarrollo de la prctica.
Diodo Zener.
Comparador de voltaje con amplificador operacional.
Transistor como interruptor.
Procedimiento
1. Construya el circuito de la figura 5.1, colocando el cursor del potencimetro en el extremo de la fuente
de 10 V. El objetivo de este circuito es verificar el uso del amplificador operacional como comparador
de voltaje. Para ello, construya el circuito de la figura 5-1, usando el osciloscopio para detectar el
comporatmiento de Vout.
10 V = +Vcc
1 k 1 k
Vin
10 k
Vout
1N4733
Figura 5.1
a) El voltaje de salida que se observa en el osciloscopio es el de saturacin bajo del amplificador

operacional, o comparador. Anote este valor en la tabla 5-1.
b) Mida el potencial de la entrada no invertidora y antelo en la tabla 5-1
c) Disminuya lentamente el valor de Vin recorriendo el cursor hacia el lado de tierra. Cuando Vout
cambie de valor, anote el valor de Vin en la tabla 5-1, as como el nuevo valor de Vout.
d) Siga disminuyendo Vin. El valor de Vout no debe cambiar. Luego aumente lentamente el valor de
Vin moviendo nuevamente el cursor en sentido contrario. Anote el valor de Vin en el momento
que Vout cambie de nuevo.
Para verificar los valores de Vin ledos en los momentos de cambio de Vout, repita los pasos c) y d).
Conteste las preguntas de la primera parte.
2. Construya el circuito de la figura 5.2, utilizando el circuito utilizado en la figura 5.1. Lleve
alternativamente Vout a su valor alto y bajo, y mida en cada caso el voltaje en el LED y en la
resistencia de 470. Responda a las preguntas de la segunda parte.
10 V = +Vcc
1 k 1 k
Vin
Vout 470
10 k
LED
1N4733
Figura 5. 2
3. Se modifica el circuito de la figura 5.2 con el circuito de la figura 5.3. Coloque el potencimetro en
posicin que obligue a Vout a tomar un valor bajo, de acuerdo a lo que se hizo en la primera parte;
mida el voltaje VCE del transistor. Luego provoque un valor Vout alto, y mida nuevamente el voltaje
VCE del transistor. Mida en cada caso el voltaje en el LED y la resistencia de 470 . Responda a las
preguntas de la tercera parte.
48
10 V
10 V = +Vcc 470
1 k 1 k
LED
Vin
Vout
10 k

1.5 k
1N4733
Figura 5.3
4. Para construir el circuito de la figura 5.4, utilice el circuito de la figura 5.1 simplemente cambiando las
conexiones para Vin a la fuente. Responda a las preguntas de la cuarta parte.
10 V = +Vcc
1 k
Vin
Vout
6 Vpp
1 kHz
1N4733
Figura 5.4
Referencias
49
EXPERIMENTO 05
Aplicacin I: Ejercicio combinado con

Zener, AO y BJT en interface con LED
Hoja de reporte
Nombre:________________________ID:___________________________
Seccin:________________________Instructor:_____________________
PRIMERA PARTE
TABLA 5-1
VOLTAJE ALTO Vout

VOLTAJE BAJO Vout
VOLTAJE POTENCIAL EN ENTRADA NO
INVERTIDORA
Valor de Vin en el instante en que el Vout cambia
de valor Alto a valor Bajo
Valor de Vin en el instante en que Vout cambia de
valor Bajo a valor Alto.
PREGUNTAS:
1. Generalizando el resultado de la tabla, dibuje la funcin de transferencia Vout vs. (V+ - V -), donde
V+ es el potencial de la entrada no invertidora y V- el potencial de la entrada invertidora.
Vout
V+ - V -
50
2. Qu relacin debe existir entre V+ y V- para que Vout tenga un valor alto? Qu relacin para un
valor bajo?
3. Por qu se puede decir que el amplificador opera como un comparador?
SEGUNDA PARTE
4. Se encendi el LED cuando el voltaje Vout estaba en alto? Y cuando estaba en bajo?
5. Usando los valores medidos para los voltaje en la resistencia en todos los casos, calcular la corriente
que circula por la combinacin de LED- 470 en serie cuando Vout es alto y cuando es bajo.
I para Vout Alto ___________ I para Vout Bajo _____________
6. Si no se encendi el LED en ningn caso, podra dar una explicacin?
TERCERA PARTE.
La combinacin de transistor y resistencia utilizada en el circuito de la figura 5.3 constituye un circuito de

interfaz.
7. Cuando Vout es bajo, VCE = ________. En qu regin se encuentra el transistor?
8. Cuando Vout es alto, VCE = ________. En qu regin se encuentra el transistor?
9. Cundo se enciende el LED? Qu corriente circula por el LED cuando est encendido? I = _______
10. Comparando el circuito con el de la segunda parte, Qu papel juega el transistor en el circuito de la
figura 5.3?
CUARTA PARTE
11. Grafique las ondas de Vin y Vout que se ven en el osciloscopio
12. Qu detecta el circuito del comparador con respecto a Vin? En otras palabras, qu significa que
Vout sea alto?
51
EXPERIMENTO 06
AMPLIFICADORES BSICOS CON BJT

Objetivos
1. Calcular los parmetros AC y DC para los amplificadores de Emisor Comn, Colector Comn y
Base Comn.
2. Construir un amplificador Emisor Comn, un Colector Comn y un Base Comn y medir los
parmetros DC, la resistencia de entrada AC y la ganancia de voltaje.
3. Observar la relacin entre la entrada y la salida de la seal.
4. Analizar y probar los efectos de fallas en los amplificadores de base, colector y emisor comn.
5. Probar el efecto de diferentes tipos de cargas sobre parmetros AC.
Equipos
Osciloscopio
Multmetro Digital
Dispositivos
Resistencias: 100 (1), 330 (1), 390 (1) 1.0k (2), 2.7k (1), 4.7k (1), 10k (2), 33k (1),
82k(1), 47k (1).
Capacitancias: 1.0F (3), 10F (1), 15F (2), 47F (1).
Transistor Q2N3904 NPN (1).
Fundamento Terico
Para que un transistor amplifique una seal a.c, debe operar en activo, esto es, la junta base-emisor
debe estar polarizada en forma directa y la junta base-colector en forma inversa. En el circuito
amplificador se toman en consideracin dos aspectos: el funcionamiento DC o de polarizacin y el
funcionamiento ac. Este experimento evala tres amplificadores bsicos: Emisor Comn, Colector
Comn y Base Comn. Los parmetros en funcionamiento a.c que se analizarn para estas
configuraciones son: Ganancia de voltaje, Ganancia de corriente, Impedancia de entrada e Impedancia
de salida. . Estos parmetros se obtendrn para seales pequeas a frecuencias medias.
Para que el transistor funcione en activo, se establece un circuito para polarizarlo, es decir, establecer y
mantener las condiciones apropiadas de operacin DC para que el transistor pueda usarse en la
amplificacin. Existen muchas maneras de polarizar transistores. El mtodo ms simple es el llamado
polarizacin de base o polarizacin fija, mostrado en la figura 6-1. Debido a sus inconvenientes, un
circuito ms popular es el mostrado en la figura 6-2. Este circuito soporta bien las variaciones en los
parmetros del transistor debido a procesos de fabricacin y a cambios de temperatura
52
Figura 6-1 Figura 6-2
Para calcular el punto de operacin del transistor en el circuito de la figura 6-2 podemos utilizar las
siguientes ecuaciones:
R2
V BB Vcc (1)
R1 R2
R1 R2
R B R1 R2 (2)
R1 R2
V BB VBE
IB (3)
RB DC 1 RE
I E DC 1 I B (4)
I C DC I B (5)
VCE VCC I C RC I E R E (6)
Si se desconoce DC, se puede utilizar la aproximacin:
VBB VBE
IC (Lmite Superior)
RE
53
I E IC
VCE VCC I C R B R E (Lmite Inferior)
Esta aproximacin es aceptable para DC suficientemente grande. El circuito de la figura 6.2 utiliza un
transistor npn con Vcc>0; para un transistor pnp es necesario cambiar el signo de la fuente Vcc.
El circuito amplificador completo contiene adems capacitores de acoplamiento y desvo, ms una

seal de entrada y una terminal de salida, eventualmente con una carga. El circuito amplificador de la
figura 6.3 es un ejemplo de ello, con la seal Vin y los capacitores C1, C2 y C3. Para calcular el punto
de operacin del transistor, se abren los capacitores de acoplamiento y desvo y se apaga la seal a.c.
Para el anlisis a.c, el circuito equivalente substituye los capacitores por cortos circuitos, y se apagan
las fuentes constantes. En el caso particular de Vcc, sta terminal se cortocircuita a tierra.
Amplificador Emisor Comn: En un amplificador emisor comn, la seal de entrada se mide entre
base y emisor, en tanto que la seal de salida se mide entre el colector y emisor. El emisor del transistor
es comn para ambas seales de entrada y salida del circuito y por tal motivo recibe el nombre de
emisor comn. Un amplificador emisor comn con resistencia de emisor R E se muestra en la figura 6-
3(a), con el circuito AC de la figura 6-3(b). En los clculos de polarizacin para este circuito.
RE RE 1 RE 2 Observe que en este circuito el voltaje Vin se aplica entre Base y Tierra.
a. Circuito Emisor Comn b. Circuito equivalente AC
Figura 6.3. Configuracin Emisor Comn
Para calcular aproximadamente los resultados de amplificacin, se procede a realizar los siguientes
pasos:
1. Calcular el punto de operacin DC del transistor, encontrando I C, IE, VCE (VC y VE) Para ello,
apague la seal y considere los capacitores circuitos abiertos. Utilice las frmulas (1) -(6)
2. Calcule para el circuito ac las resistencias
54
26mV r
re (7)
IE ac 1
3. La ganancia de voltaje ac se calcula por las siguientes ecuaciones:
Vout RC || RL R || R
Av C L
Vin re RE re RE (8)
por:
vout RC RL
AV (9)
vin r / 1 RE
4. La resistencia ac equivalente vout por vin es:
Zin = R1 || R2 || (re+(+1)RE) (10)
Note la inversin de fase en la ganancia, manifestada por el signo negativo en (8) y (9).
Amplificador Colector Comn: El amplificador Colector Comn tiene la seal de entrada aplicada a la
base y la salida de la seal se toma desde emisor. En la figura 6-4 se ilustra un amplificador colector
comn usando un transistor NPN. La salida de voltaje ac es prcticamente igual a la seal de entrada.
Esto implica que la ganancia de voltaje sea aproximadamente 1, la ganancia de corriente por lo tanto
incrementa la seal de potencia en la carga. El amplificador Colector Comn se caracteriza por una alta
resistencia de entrada y una baja resistencia de salida. El circuito se muestra en la figura 6-5.
Figura 6-4. Configuracin Colector Comn
55
Figura. 6.5 Circuito ac en colector comn
Para el anlisis DC del Colector Comn, se utilizan las mismas formulas (1)-(6), con RC =0. Los pasos
para el anlisis AC de un colector comn son:
1. Reemplazar todas las capacitancias con un corto y calcular la resistencia r con la ecuacin 7.
2. La ganancia de voltaje se calcula utilizando la ecuacin:
Av
Vout

RE || RL 1 (11)
Vin r / 1 RE || RL
3. La resistencia total de entrada por la seal ac se calcula con la ecuacin.
Rin r 1 R L || R E (12)
4. La resistencia de salida es excluyendo RL,
Rout RE || re (13)
5. La ganancia de corriente es (+1)
Amplificador Base Comn: La terminologa relativa a base comn se desprende del hecho de que la
base es comn a los lados de la entrada y la salida de la configuracin. Un circuito completo se
muestra en la figura 6.6, mientras que el equivalente a.c se muestra en la figura 6.7. El circuito de base
comn tiene una ganancia de corriente aproximadamente igual a 1(=), una ganancia de voltaje
aproximadamente igual en valor absoluto a la del emisor comn, pero con signo positivo, es decir , sin
inversin de fase, y baja resistencia de entrada y alta de salida, limitada prcticamente por RC.
Para calcular los resultados en pequea seal, se usan las expresiones
Vout RC || R L RC || RL
Av (14)
Vin re re
Rin R E || re re (15)
iout
AI (16)
iin
56
Figura 6.6 Amplificador de base comn Figura 6.7 Circuito ac de base comn
Procedimiento
1. Construya el circuito de la figura 6-8. Calcule el punto de operacin segn las frmulas (1)-(6), y luego
determnelo experimentalmente midiendo VCE e IC (preferiblemente midiendo VE y VC y calculando IC
por la ley de Ohm). Anote los resultados en la tabla 6-1 de su hoja de respuestas. Si tiene multmetro
que mida del transistor, mdala. En caso contrario, use un valor de para sus clculos.
Figura 6-8. Amplificador Emisor Comn
57

2. Calcule los parmetros AC para el transistor usando los resultados mostrados en la tabla 6-1, y calcule
las ganancias y los voltajes segn las frmulas. Anote los resultados de la tabla 6-2.
3. Conecte al circuito el generador y ajuste V in, a 500mVpp y a 1KHz. Utilizando el osciloscopio ajuste el
voltaje y revise la frecuencia? Utilice el voltaje Vin y el voltaje Vout para determinar la ganancia de
voltaje Av. Complete la tabla 6-2.
4. Utilizando el osciloscopio con sus dos canales, compare la forma de onda de la seal de entrada con la
seal de salida. Dibuje la relacin en la grfica 6-1 de su hoja de respuestas. Cul es la relacin de
fase entre Vin y Vout?
5. Remueva el capacitor C2 del circuito y mida la seal AC de emisor, base y colector del transistor. Mida
la ganancia de voltaje del amplificador. Anote el resultado en la tabla 6-2.
6. Coloque denuevo el capacitor C2 y cambie la resistencia R L de 10k por una resistencia de 1k. Observe
la seal AC del la base, emisor y colector del transistor y mida la ganancia del amplificador.
7. Coloque denuevo la resistencia RL de 10k y coloque la RE1 abierta. Mida los voltajes DC del emisor,
base y colector. El transistor esta en corte o saturacin? Explique.
8. Coloque la resistencia RE1 y coloque R2 abierta. Mida los voltajes DC del emisor, base y colector. El
transistor esta en corte o saturacin? Explique.
9. Construya el circuito el circuito de la figura 6-9. Determine el punto de operacin VCE e IC.
Figura 6-9. Amplificador Colector Comn
10. Determine AV, AI, RI y Ro. Complete la tabla 6-4
58
seal de salida y bosqueje los resultados en la grfica 6-2. Cul es la relacin de fase entre Vin y Vout?
12. Construya el circuito el circuito de la figura 6-10. Determine el punto de operacin terica y
experimentalmente y complete la tabla 6-5.
13. Como la ganancia de voltaje de un amplificador de base comn es grande, se ha agregado una
resistencia de 1Ken serie con la fuente. Es adems necesario regular la amplitud del generador de
seales para evitar que se sature el amplificador y para conseguir la mxima salida del amplificador sin
distorsin apreciable. Regule el generador y determine, complete la tabla 6-6.
seal de salida. Para el circuito de la figura 6-11 Cul es la relacin de fase entre Vin y Vout?
Figura 6-10 Amplificador Base Comn
Referencias
[1] Robert Boylestad, Electronic, Circuit Theory, 1994

[2] Floyd Electronic Devices, Fifth Edition
[3] Electronic Devices: Electron Flow Version, Third Edition
59
EXPERIMENTO 06
AMPLIFICADORES BSICOS CON BJT

Fecha: ________________________________ ID: ___________________________________________
Hoja de Respuestas
Tabla 6-1 Emisor Comn
Parmetros DC Valores Calculados Valores Medidos

VB
VE
IE
VC
VCE
Tabla 6-2 Emisor Comn
Parmetros AC Valores Calculados Valores Medidos

Vin =Vb 300mVpp
Ve
re
AV
Vout= VC
Rin(tot)
60
Tabla 6-3: Colector Comn

VB
VE
IE
VC
VCE
Tabla 6-4: Colector Comn

Vin =Vb 300mVpp
Ve
re
AV
Vout= VC
Rin(tot)
Tabla 6-5: Base Comn

VB
VE
IE
VC
VCE
Tabla 6-6: Base Comn

Vin =Vb 300mVpp
Ve
re
AV
Vout= VC
61
Rin(tot)
Grfica 6-1
Grfica 6-2
Cuestionario
1. En un emisor comn Cul es la relacin de fase entre Vin y Vout?
62
2. En el circuito de la figura 6-10 Qu conclusin se puede obtener acerca del funcionamiento del
amplificador con C2 abierto? Puede dar una justificacin terica?
3. Cmo se afecta la ganancia modificando la resistencia de carga en el emisor comn y por que?
Comparando su respuesta con el resultado experimental hay concordancia con los resultados?
4. Con RE1 y R2 abierto. El transistor esta en corte o saturacin? Justifique su respuesta.
5. Segn la grfica 6-2Cmo se comportan las seales de entrada y salida del amplificador? Tiene
Sentido? Justifique.
6. En un circuito de base comn Cmo se comportan las fases de las seales de entrada y de salida?
7. Asuma que el amplificador mostrado en la figura 6-7 tiene 1.8VDC en la base, 1.1VDC en el emisor y
1.1VDC en el colector. Sera esto normal si el circuito es un amplificador ? Justifique la respuesta . Si
no es normal Cul podra ser la causa del problema?
63
Conclusiones
64
EXPERIMENTO 07
TRANSISTORES FET
Objetivos
1. Visualizar las caractersticas de los transistores de efecto de campo FET y comparar un

amplificador que use este transistor con su equivalente bipolar.
2. Medir y graficar las curvas caractersticas de drenador para un transistor FET.
3. Medir VGS(OFF) e IDSS para un JFET.
4. Construir una fuente de corriente JFET para mantener constante la iluminacin en un LED.
Equipos
Osciloscopio
Multmetro Digital
Dispositivos
Resistencias: 10010k
LED (1).
Transistor MPF102 canal n JFET (1).
Fundamento Terico
El transistor BJT utiliza la corriente de base para controlar la corriente de colector. En tanto que el
transistor FET es un dispositivo controlado por voltaje que usa un campo electrosttico para controlar la
corriente que fluye. El FET comienza con una capa dopada de silicio llamada canal. En uno de los extremos
del canal existe un terminal llamado fuente (Source) y en el otro extremo del canal un terminal llamado
drenaje (Drain). La corriente que fluye a travs del canal es controlada por el voltaje aplicado a un tercer
terminal llamado puerta (Gate). Los FET estn clasificados como dispositivo de puerta de juntura (JFET) o
dispositivo de puerta aislada (MOSFET). En el caso de los JFET la puerta es de un material opuesto al del
canal formando un diodo PN entre ellos dos. La aplicacin de una polarizacin inversa en esa juntura baja
la conductividad del canal, reduciendo la corriente de fuente (Source) a drenaje (Drain). El diodo de la
puerta (Gate), nunca esta polarizado en forma directa y por lo tanto nunca fluye corriente a travs de l. Los
JFET estn diseados en dos formas Canal N y Canal P. El canal N se distingue entre los grficos por una
flecha entrando en el punto de conexin de la puerta (Gate) mientras que el canal P tiene una flecha
saliendo como se muestra en la figura 7-1.
a. Canal N JFET b. Canal P JFET
65
Figura 7-1
La curva caracterstica del drenaje (Drain) para un JFET muestra grandes diferencias respecto con el BJT.
En adicin a que el JFET es un dispositivo controlado por voltaje, el JFET es normalmente
activo. En otras palabras un voltaje inverso debe ser aplicado a la junta PN puerta (Gate) a
fuente (Source) para cerrar el canal. Cuando la puerta (Gate) es corto-circuitada a la fuente
(Source) se obtiene la mxima corriente de drenaje (Drain) a fuente (Source). Cuando la puerta
es corto-circuitada a la fuente se obtiene la mxima corriente de Drain a la fuente disponible.
Esta corriente es llamada IDSS para Drain y fuente cortocircuitada (Drain Source current with
Gate Shorted) El JFET posee una regin en su curva caracterstica donde la corriente de Drain
es proporcional al voltaje de Drain fuente, dicha regin es llamada la regin Ohmmica. Para
dicha regin se obtiene un parmetro denominado transconductancia, el cual es utilizado para
obtener la ganancia. La transconductancia puede ser encontrada dividiendo un pequeo cambio
en la corriente de salida por un pequeo cambio en el voltaje de entrada, para lo cual tenemos:
I D
gm
VGS
Pre Laboratorio
Modelo del transistor FET

Curvas caractersticas del transistor FET
Aplicaciones del transistor FET
2. El estudiante debe revisar las especificaciones tcnicas del transistor MPF102
Procedimiento
1. Construya el circuito mostrado en la figura 7-2. Verifique que la fuente este apagada, conecte al
circuito y comience con V GG y VDD a cero voltios. Conecte un voltmetro entre el Drain y Source del
transistor. Mantenga VGG a cero voltios y lentamente incremente V DD hasta que VDS sea 1.0V ( VDS es el
voltaje entre el Drain y Source del transistor).
66
Figura 7-2
2. Con VDS en 1.0V mida el voltaje a travs de R 2. Note que la corriente mxima en R 2 es la corriente de
Drain, ingrese dicho dato en la tabla 7-1 de su hoja de respuestas.
3. Sin modificar VGG, incremente lentamente VDD de manera que VDS sea 2.0V. Entonces tome los datos
necesarios para completar la tabla 7-1. Calcule ID aplicando la ley de Ohm y complete la tabla.
4. Repita el paso anterior para cada uno de los valores mostrados en la tabla 7-1.
5. Ajuste VGG a -0.5V. Aplique este voltaje entre la puerta y Source ya que casi no hay corriente en la
puerta dentro del JFET y casi no hay voltaje a travs de R 1. Ajuste VDD de manera que VDS sea 1.0V.
Mida VR2 y calcule ID. Complete la tabla 7-1.
6. Sin modificar el valor de VGG ajuste VDD de manera que VDS alcance cada uno de los valores
relacionados en la tabla 7-1. Calcule la ID para cada uno de los valores.
7. Siguiendo este procedimiento llene la tabla de datos para V GG igual a -1.0V y 1.5V y repita el paso
anterior.
8. Utilizando los datos obtenidos en la tabla 7-1, grafique las tres curvas caractersticas de Drain (V DS vs
ID) usando los valores de la VG , en el esquema 7-1 de la hoja de respuestas
9. Determine VGS(OFF) e IDSS para el circuito de la figura 7-2 Use VDD=12V.Lleve V GG hasta que
VR2=0 y entonces mida el VGS (OFF). Conecte R! Entre Gate y Source y mida la corriente I DSS en R2.
Tome los datos y escrbalos en la tabla 7-2 de su hoja de respuestas.
10. Construya el circuito mostrado en la figura 7-3, Observe el voltaje de Drain mientras va incrementando
el voltaje VDD de 0V a 15V. Note que el voltaje de Drain comienza donde la corriente es constante.
Compare el valor de la mxima corriente obtenida en el paso 3 con la lectura del ampermetro.
Explique.
Figura 7-3
67
Referencias

[2] Floyd Electronic Devices
68
EXPERIMENTO 07
TRANSISTORES FET
Fecha: ________________________________ ID: ___________________________________________
Hoja de Respuestas
Tabla 7-1
VDS Voltaje de Puerta = Voltaje de Puerta = Voltaje de Puerta = Voltaje de Puerta

(medido) 0V -0.5V -1.0V = -1.5V
VR2 ID VR2 ID VR2 ID VR2 ID
(Medido) (Calculado) (Medido) (Calculado) (Medido) (Calculado) (Medido) (Calculado)
1.0V
2.0V
3.0V
4.0V
6.0V
8.0V
Grfica 7-1 (ID Vs VDS)
69
Tabla 7-2
Parmetros medidos JFET

VGS(OFF) =
IDSS =
Cuestionario
1.
a. Explique como encontrar IDSS a partir las curvas caractersticas de un JFET.
b. Cul fue la corriente mxima que maneja el LED en el paso 10?
2. a. De acuerdo a los datos obtenidos en los experimentos, Es posible afirmar que transconductancia
es constante en todos los puntos?
b. De los datos obtenidos, Qu caracterstica le indica a Usted que el JFET es un dispositivo no

lineal?
70
3. Por qu un JFET puede ser operado nicamente con un voltaje negativo de puerta a Source?
4. Compare la curva caracterstica de un transistor Bipolar BJT con la curva caracterstica de un transistor
de efecto de campo JFET.
Conclusiones
71
EXPERIMENTO 08
AMPLIFICADORES BASICOS CON FET
Objetivos
1. Medir Parmetros AC y DC, para amplificadores de Drain Comn, Source Comn y Gate Comn
2. Realizar pruebas con un amplificador de Drain Comn con corriente de Source.
Equipos
Osciloscopio
Multmetro Digital
Dispositivos
Resistencias: 1K (2), 10K (2), 3.3K (1), 100K (1), 620K (1), 1M (1).
Transistor: MPF102 (1).
Capacitores : 0.1F(1), 1F(1), 10F(1).
Fundamento Terico
Los transistores de efecto de campo estn disponibles como JFET y MOSFET. Al igual que los transistores
bipolares BJT, los transistores de efecto de campo FET se dividen en tres tipos de
configuraciones:
Drain Comn
Source Comn
GateComn
Una de las ventajas que tiene el transistor de efecto de campo FET sobre el transistor bipolar BJT es su alta
impedancia de entrada. En este experimento se realizarn pruebas de configuracin CA de los
amplificadores FET, empezando con el amplificador Source Comn, luego Drain Comn y por ultimo Gate
Comn .
Amplificador Source Comn:
La configuracin de este amplificador la podemos observar en la figura 8-1a en el que se incluye un resistor
de autopolarizacin RS para ajustar la polarizacin DC. El circuito equivalente AC se observa en la figura 9-
1b donde se muestra la resistencia RS cortocircuitado mediante el capacitor CS sustituido por un corto
(impedancia AC del capacitor =0) y la resistencia R D conectada a +VDD se aterriza a AC, puesto que la
impedancia AC de la alimentacin de voltaje se sustituye por medio de una impedancia AC de 0. El
dispositivo JFET se reemplaza mediante el modelo simple para el cual una seal de AC aplicada entre la
compuerta-Source Vgs da como resultado una corriente de Drain-Source (canal) de valor gmVgs.
72
a. Circuito b. Circuito Equivalente AC
Figura 8-1 Amplificador Source Comn
La ganancia de voltaje AC puede determinarse como:
Vo
Av g m RD
Vi
La resistencia de entrada es:

Ri RG
La resistencia de salida es:

Ro R D
Amplificador Drain Comn:
En la figura 8-2a podemos observar el modelo bsico de un amplificador Drain Comn. La ganancia de
voltaje de este amplificador es menor que la unidad sin inversin de polaridad, este circuito tiene una
elevada resistencia de entrada y una resistencia baja de salida. Si se toma la salida desde la terminal de la
fuente (como se observa en la figura 8-2b) no hay inversin de polaridad entre la salida y la entrada, y la
amplitud de voltaje se reduce a partir del valor de entrada.
a. Circuito b. Circuito equivalente AC
73
Figura 8-2. Amplificador Drain Comn
La ganancia de voltaje AC puede determinarse como:

Vo g mVgs Rs g m Rs
AV
Vi 1 1 g m Rs V gs 1 g m Rs
Empleando rm =1/gm tenemos que la ganancia de voltaje esta dada por:
1
Rs
Vo rm Rs
AV
Vi 1 rm Rs
1 1 Rs
rm
Se observa que la ganancia de voltaje no se invierte y es menor que 1. La ganancia se acerca a la unidad
conforme RS se hace mayor en comparacin con rm. La resistencia de entrada del amplificador es menor que
1, acercndose a la unidad conforme RS se hace mayor en comparacin con rm. La resistencia de entrada del
amplificador es:
Ri RG
en tanto que la resistencia de salida es el resistor de polarizacin de Source, RS, en paralelo con la
resistencia AC del dispositivo, rm:
R0 Rs || rm
Amplificador Gate Comn:
La configuracin de este circuito se puede observar en la figura 8-3a con una entrada AC a la Source, y
salida AC en la terminal de Drain. Este amplificador tiene una baja resistencia de entrada, ganancia de
voltaje no invertida (similar en magnitud al de Drain Comn), y resistencia de salida igual que la de Drain
Comn.
El equivalente AC para el circuito de la figura 8-3a se observa en la figura 8-3b.
a. Circuito b. Circuito equivalente AC
Figura 8-3 Configuracin GateComn
74
La ganancia de voltaje se determina como:
Vo R
Av g m RD D
Vi rm
La resistencia de entrada es:
Ri Rs
La resistencia de salida es:
Ro R D
Pre Laboratorio
Modelo del transistor JFET

Curvas caractersticas del transistor JFET.
Aplicaciones del transistor JFET
2. El estudiante debe revisar las especificaciones tcnicas del transistor MF102
Procedimiento
1. Construya el circuito de la figura 8-4. Coloque el generador a 500mVpp 1 KHz. Verifique la
amplitud y la frecuencia con su osciloscopio.
Figura 8-4 Circuito Amplificador Source Comn
75
2. Mida el voltaje DC en Drain, Source y Compuerta. Con los datos tomados del voltaje de Source y
su resistencia calcule ID y escriba los resultados en la tabla 8-1de su hoja de respuestas. Compare
el voltaje de entrada y salida observando las seales en el osciloscopio. Mida la ganancia de
voltaje y note su desfase (0 180) entre la entrada y la salida de la seal.
3. Cambie la resistencia de la Source de 1k por una resistencia de 620. Note que hay un leve
incremento en la ganancia con una resistencia ms pequea. Explique Por qu incrementa la
ganancia? (Considerando gm)
4. Cambie la resistencia RL de 10kpor una resistencia de 100kxplique el cambio en la

ganancia
5. Construya el circuito de la figura 8-5. El Drain es conectado directamente a 15V. Mida el voltaje
DC en el Drain, Source y Gate, calcule I D y observe el voltaje de entrada y salida con el
osciloscopio. Mida la ganancia de voltaje y note el desfase y escriba los datos obtenidos en la tabla
8-2 de su hoja de respuestas.
Figura 8-5 Circuito Amplificador Drain Comn
Note que en el paso 6, la ganancia es menor a 1, debido a la transconductancia g m. El reciproco gm (1/gm) es

anlogo a r'e de un transistor bipolar, pero con una alta impedancia de entrada. Para mejorar la ganancia el
divisor debe tener una resistencia bastante alta de tal manera que el voltaje en la salida sea
aproximadamente 1.
6. Simular el circuito de la figura 9-6, calcular r m y Av, teniendo en cuenta que gm= 2.25mS y
escrbalos en la tabla 8-3 de su hoja de respuestas.
76
Figura 8-6 Circuito Configuracin Gate Comn
Referencias

[2] Floyd Electronic Devices,
77
EXPERIMENTO 08
AMPLIFICADORES BASICOS CON FET

Fecha: ________________________________ ID: ___________________________________________
Hoja de Respuestas
Tabla 8-1
Datos Amplificador Valores DC Valores AC

Source Comn
Voltaje Gate VG
Voltaje de Source VS
Voltaje Drain VD
Corriente Drain ID
Voltaje de entrada Vin
Voltaje de salida Vout
Ganancia de voltaje AV
Desfase
Tabla 8-2
Datos Amplificador Valores DC Valores AC

Drain Comn
Voltaje Gate VG
Voltaje de Source VS
Voltaje Drain VD
Corriente Drain ID
Voltaje de entrada Vin
Voltaje de salida Vout
Ganancia de voltaje AV
Desfase
78
Tabla 8-3
Datos Amplificador Gate Valores Calculados

Comn
Ganancia de Voltaje
rm
Cuestionario
1. Con respecto al amplificador Drain Comn conteste las siguientes preguntas:
a. Qu ventaja tiene el amplificador Drain Comn con respecto al amplificador Emisor

Comn?
b. Qu desventaja tiene el amplificador Drain Comn con respecto al amplificador Emisor

Comn?
2. Al comparar los circuitos Source Comn y Drain Comn, escriba las diferencias que existen entre ellos
y cules son las caractersticas que tienen en comn.
3. Con respecto al circuito de la figura 8-4 Qu cambios ocurren en los parmetros DC y AC cuando C 2
se encuentra abierto?
79
Conclusiones
80
EXPERIMENTO 9
FUENTES DE CORRIENTE
Objetivos
Conocer los diferentes tipos de espejos de corriente, los cuales son utilizados como una fuente de corriente
en circuitos integrados.
Equipos
Osciloscopio
Multmetro Digital
Dispositivos
Resistencias: 2k(1), 470(1), 1k
Potencimetro de 10k
Transistor Array 3046 (1)
Fundamento Terico
El espejo de corriente es comnmente utilizado para proveer corriente sobre un circuito integrado anlogo
porque este utiliza pocos componentes y por esto requiere de una pequea rea. En el espejo de corriente
que se observa en la figura 9-1, todos los transistores son iguales, dichos transistores tienen el mismo valor
de el mismo tamao y las corrientes de colector son iguales gracias a que V BE es igual en los
transistoresLa corriente de referencia Iref es determinada por las resistencias Rref y RA conectadas en serie
con el diodo del transistor QA.
0 V EE 0.7
Iref , ignorando las corrientes de base.
Rref R A
81
Figura 9-1
La relacin entre I1 y Iref es obtenida con KVL en el lazo inferior.
I EA R A V BEA VBEB I 1 R B 0
Usando el diodo exponencial 1 a relacin de I E a VBE, y usando IEA I ref, dado que:
VT I ref R
I1 ln I ref A
RB I1 RB
Donde VT es el voltaje termal (0.026V a temperatura ambiente). La ecuacin anterior es utilizada para este
tipo de espejo de corriente llamado Fuente Wilson. Si Iref y I1 no son diferentes, el logaritmo tiende a cero
y puede ser despreciado, resultando:
I1 R
A
I ref RB
En este caso no es necesario que los transistores sean iguales en sus valores de o en sus escalas de
corrientes. En principio las resistencias RA Y RB pueden ser removidas, resultando que I1 Iref por igualdad
de transistores. Sin embargo el uso de las resistencias es preferible porque ellos proveen un feedback
negativo que estabiliza la corriente. La misma estructura de referencia provee la corriente I 2 a otra etapa de
un circuito con la adicin de un transistor y un resistor (Q C). En la prctica una estructura de referencia es
usada para dos o tres etapas en un chip.
Otra variacin sobre el espejo de corriente es la fuente de Wildar, la cual es usada cuando un corriente
BIAS es necesitada. Este se obtiene removiendo R A de la figura 9-1 la relacin entre I1 y Iref estara dada
por:
VT I ref
I1 ln
RB I1
Si por ejemplo una corriente BIAS I 1es igual a 20A es necesario que el VEE sea igual a -15V, la fuente de
Wilson pudiese requerir una resistencia R ref +RA de cerca de 1Mel cual ocupa gran parte del area del
chip. Por otra parte la fuente Widlar con I ref = 1mA provee 20A con Rref = 14.3k y RB= 5kLa
referencia de corriente de 1 mA puede ser usada en otros circuitos sobre el chip. La razn por la cual la
reduccin en corriente es alcanzada con un pequea resistencia, es que un pequeo voltaje en el emisor de
QB reduce VBE en una pequea cantidad, la cual causa un gran decremento en I 1 por la relacin exponencial
iB-VBE del transistor.
82
Para que un espejo de corriente se aproxime a una fuente de corriente ideal, la resistencia r cs, del colector
del transistor de salida debe ser tan grande como sea posible. El espejo de corriente simple sin resistencia
de emisor tiene una resistencia de salida r 0. Dicha resistencia de colector estar en el orden de los
100kUna caracterstica adicional de la fuente de Widlar es que la resistencia de salida de esta fuente se
incrementa considerablemente. La fuente de Widlar tiene una resistencia dada por:
I ref
0 ln
I1
rcs r0 1
I
0 ln ref
I1

Pre Laboratorio
Caractersticas Bsicas de las fuentes de corriente

Tipos de fuentes de corriente
2. El estudiante debe revisar las especificaciones tcnicas del transistor BJT 2N3904
Procedimiento
1. Construya el circuito de la figura 9-2 con una resistencia R A = 2ky un potencimetro conectado
como RB. Seleccione transistores BJT con idntico. Escoja un valor de R ref para obtener una Iref
1mA.
83
Figura 9-2 Espejo de Wilson
2. Mida Iref con un ampermetro y luego mida la corriente I!, para diferentes valores de RB, de modo que se
obtengan valores de I1 mayores y menores que Iref. Mida RB para cada valor de I1. R1 debe ser
suficientemente grande para obtener un voltaje fcilmente medible con el Multmetro, pero no debe ser
tan grande que fuerce a QB a saturacin. Complete la tabla 9-1
3. Construya el circuito 9-3 repita el procedimiento del paso anterior y complete la tabla 9-2
84
Figura 9-3 Espejo de Widlar
Referencias

[2] Floyd Electronic Devices,
85
EXPERIMENTO 9
FUENTES DE CORRIENTE
Fecha: ________________________________ ID: ___________________________________________
Hoja de Respuestas
Tabla 9-1
RB I1 Iref
Tabla 9-2
RB I1 Iref
Cuestionario
1. Cul es el rango de valores vlidos de R1 para el funcionamiento de la fuente de corriente?
86
2. Qu sucedera si RA o RB se hacen igual a 0?
3. Compare los datos de I1 vs RA de los puntos 2 y 3 con los valores calculados. Bajo qu rango de
I1 se puede utilizar la siguiente expresin sin error?
I1 R
A
I ref RB
Conclusiones
87
EXPERIMENTO 10
AMPLIFICADORES DIFERENCIALES Y
CARGA ACTIVA
Objetivos
1. Conocer las especificaciones de un amplificador diferencial

2. Medir el voltaje offset de salida, ganancia diferencial, ganancia de modo comn y CMRR.
Equipos
Osciloscopio
Multmetro Digital
Dispositivos
Resistencias: 1kk (2), 10k (2)
Transistor Q2N3904 NPN (4)
Fundamento Terico
Un amplificador es un circuito electrnico que contiene dispositivos BJT y FET, por lo general
encapsulados en circuitos integrados que proporcionan ganancia de voltaje de corriente. Tambin pueden
proporcionar ganancia de potencia o permitir la transformacin de la impedancia.
Hay amplificadores de baja frecuencia, de audio, ultrasnicos, de radiofrecuencia (RF), de banda ancha , de
video y cada tipo opera en un intervalo de frecuencia prescrito.
En la figura 10.1 podemos observar el smbolo de un amplificador Diferencial
Figura 10-1 Smbolo de bloques
88
En la figura 10.2a se observa el diagrama en bloques el cual tiene dos entradas y dos salidas. Las entradas
se aplican esencialmente a cada una de las bases de los transistores separados. Los emisores del transistor
se conectan a un resistor de emisor comn de manera que los dos terminales de salida V o1 y Vo2 sean
afectados por ambas seales de entrada o por cualquiera de ellas. Las salidas se toman desde las terminales
de colector de cada transistor. En el diagrama de la figura 10-2b se puede observar dos voltajes de
alimentacin, ntese que no se indica terminal de conexin a tierra dentro del circuito, aunque se entiende
que los puntos opuestos de las dos alimentaciones de voltaje, la positiva y la negativa, se encuentran
conectadas a tierra. El amplificador podra operar empleando una sola alimentacin de voltaje.
a. Diagrama de Bloques b. Diagrama de Circuito
Figura 10-2. Amplificador Diferencial Bsico
Amplificador Diferencial con Carga Activa
El amplificador Diferencial con carga activa es observado en la figura 10-3, los transistores Q1 y Q2
forman un par diferencial polarizado por una fuente de corriente constante I. El circuito de carga consiste
de los transistores Q3 y Q4 conectados en una configuracin espejo de corriente. La salida es tomada desde
el colector de Q2 a tierra.
89
Figura 10-3. Amplificador Diferencial con carga activa
Debido a que la carga es una fuente de corriente constante, la corriente de colector de ambos transistores
ser la misma. La ecuacin del voltaje de salida esta dada por:
v 0 g m v d Ro
La resistencia de salida R0 es el equivalente paralelo de la resistencia de salida de Q2 y la resistencia de
salida de Q4.
R0 r02 ro 4
Considerando r02 r04 r0 la ganancia de voltaje ser:

Vo g r
m 0
Vd 2
Pre Laboratorio
1.El estudiante debe conocer los aspectos bsicos de los siguientes temas
Caractersticas Bsicas Amplificador Operacional

Investigue las expresiones para calcular ganancia de modo comn, modo diferencial y CMRR, para un
amplificador diferencial.
Procedimiento
1. Construya el circuito observado en la figura 10-4. Calcule la ganancia de voltaje para la entrada de
modo diferencial y modo de salida utilizando un valor razonable para el incremento de la
resistencia rcs.
Figura 10-4. Amplificador Diferencial
2. Encuentre 2 transistores NPN que tengan las mismas caractersticas.
3. Mida las corrientes y voltajes en el nodo de entrada, y compare las medidas con los valores
calculados. Completando la tabla 10-1.
4. Aplique un voltaje a la entrada 1,mientras la entrada 2 va a tierra. En este caso el circuito puede
ser considerado como un amplificador emisor comn de (Q1) acoplado con un amplificador base
comn (Q2). Calcule la ganancia y escriba los resultados en la tabla 10-1.
90
5. Aplicando la misma seal a las dos entradas. Calcule la ganancia de modo comn y complete la
tabla 10-1.
6. Calcule el CMRR del circuito.
7. Simular el circuito de carga activa.
Referencias
Horenstein Mark N, Microelectronic Circuits and Devices, Second Edition. prentice Hall. 1996.
Sedra - Smith, Microelectronics Circuits, Fourth edition, Oxford press, 1998.
91
EXPERIMENTO 10
AMPLIFICADORES DIFERENCIALES Y
CARGA ACTIVA
Fecha: ________________________________ ID: ___________________________________________
Hoja de reporte
Parmetros Valor Valor

Calculado Medido
Ganancia Diferencial
Ganancia de Modo Comn
CMRR
Cuestionario
1. Qu diferencia hay entre la ganancia de modo diferencial y la ganancia de modo comn? .
2. Explique como se mide el CMRR.
92
3. Cul es la ventaja de un CMRR alto?
Conclusiones
93
EXPERIMENTO 11
MULTIVIBRADOR AESTABLE Y
MONOESTABLE: Generador de Onda
Cuadrada, Monoestable.
Objetivos
1. Conocer la operacin de los circuitos temporizadores en sus dos configuraciones bsicas (Astable
y Monoestable)
2. Conocer la estructura interna del temporizador y de cmo se utilizan las diferentes entradas y
salidas.
Equipos
Osciloscopio
Multmetro Digital
Dispositivos
Temporizador (CI): SE/NE -555 (2), equivalente
Resistencias: 1K (3), 7.5K,(2), 33K (1), 100 (1)
Capacitores: 0.1uF (1), 47uF (1), 0.01uF(1)
Fundamento Terico
El circuito integrado 555 esta formado por la combinacin de comparadores lineales y un flip-flop digital.
El circuito completo suele encontrarse dentro de un encapsulado en doble lnea de ocho terminales. Una
conexin en serie de tres resistores fija las entradas del nivel de referencia para los dos comparadores en
2VCC/3 y VCC/3, y la salida de estos comparadores ajusta o reajustan la unidad del Flip-Flop. La salida del
circuito Flip-Flop se lleva al exterior a travs de una etapa amplificadora. El circuito Flip-Flop tambin
opera un transistor del circuito integrado, el colector del transistor que normalmente va a un estado bajo
para descargar un capacitor temporizador. En la figura 11-1 se puede observar la estructura interna del
temporizador 555.
Operacin Astable:
Una aplicacin comn del circuito integrado temporizador 555 es como multivibrador Astable o circuito de
reloj. En la figura 11-2 se observa un circuito Astable que utiliza un resistor y un capacitor externo para
fijar el intervalo de tiempo de la seal de salida.
94
El capacitor se carga hasta VCC mediante los resistores externos RA y RB. Como se observa en la figura 11-3.
El voltaje del capacitor aumenta hasta que supera 2VCC/3. Este voltaje es el voltaje umbral en la terminal 6,
la cual excita el comparador 1 para disparar el Flip-Flop de manera que haya un estado bajo a la salida en
Figura 11-1 Estructura interna del temporizador 555.
95
Figura 11-2. Circuito temporizador 555 como Astable
la terminal 3. Adems el transistor de descarga se enciende, ocasionando que a travs del terminal 7 se
descargue el capacitor a travs del resistor R B. El voltaje del capacitor desciende entonces hasta que su
valor es menor que el nivel de disparo (V CC/3). El Flip-Flop se dispara, de tal forma que la salida de nuevo
va al estado alto y el transistor de descarga se apaga de manera que el capacitor puede nuevamente cargarse
a travs de los resistores RA y RB hasta VCC.
Vc
Carga Descarga
2/3Vcc=3.33V
1/3Vcc=1.67V
Vc Tiempo (ms)
Ta Tb
Tiempo (ms)
Figura. 11-3 Forma de onda del voltaje de salida en configuracin Astable
96
Para calcular los intervalos de tiempo durante los cuales la salida es alta y baja puede hacerse empleando
las siguientes relaciones:
Talto 0.7 R A R B C
Tbajo 0.7 R B C
El periodo total es:
T periodo Talto Tbajo
La frecuencia del circuito astable se calcula empleando:
1 1.44
f
T R A 2 RB C
El porcentaje de ciclo duty se puede hallar con las siguientes ecuaciones:
R1 R2 t
%D 100% 1 100%
R1 2 R2 T
Operacin Monoestable:
El temporizador 555 puede emplearse como un circuito multivibrador Monoestable. La figura 11-3 se
observa dicha conexin. Cuando la seal de entrada de disparo se hace negativa, dispara el Monoestable
con la salida en la terminal 3 hacindose esta alta durante el periodo.
Talto 1.1R A C
El extremo negativo de la entrada de disparo causa que el comparador 2 dispare el Flip-Flop colocando la
salida de la terminal 3 en alto. El capacitor C se carga hasta V CC a travs del resistor RA. Durante el
intervalo de carga, la salida permanece alta. Cuando el voltaje en el capacitor alcanza el nivel del umbral de
2VCC/3, el comparador 1 dispara el Flip-Flop colocando la salida en bajo. El transistor de carga tambin va
a conduccin, ocasionando que el capacitor permanezca en la vecindad de 0V hasta un nuevo disparo.
97
Figura 11-3. Circuito del temporizador 555 como Monoestable
En la figura 11-4 se observa la seal de disparo en la entrada y la forma de onda de salida resultante para el
circuito integrado temporizador 555 operado como un monoestable. Los periodos para este circuito pueden
variar de microsegundos a varios segundos, haciendo til este CI en una amplia gama de aplicaciones.
Pin2:
Disparo en
flanco negativo
Pin3:
Salida Ta=1.1(RA)C
Figura 11-4 Forma de Onda del temporizador 555 como Monoestable
Pre Laboratorio
1. Lea las especificaciones tcnicas del dispositivo a utilizar, incidiendo principalmente en el voltaje de
polarizacin, frecuencia mxima de operacin y corriente mxima que puede este dispositivo
suministrar.
2. Calcule tericamente la frecuencia de operacin del circuito Astable y los tiempos de subida (Ta) y
tiempo de bajada (Tb) para:
RA=7.5K, RB=7.5K, C=0.1uF y C1=0.01uF.
RA=100, RB=7.5K, C=0.1uF y C1=0.01uF.
98
3. Calcule tericamente los tiempos para mantener en alto la seal de salida para Monoastable:
RA=7.5K, C=47F y C1=0.01uF.
RA=33K, C=47F y C1=0.01uF.
Procedimiento
Esta prueba permitir verificar los parmetros bsicos de la configuracin Astable. Para tal efecto siga la
secuencia de los siguientes pasos:
1. Construya el circuito de la siguiente Figura 12-4 teniendo en cuanta la configuracin de los terminales
de CI 555.
2. Polarice correctamente con una fuente de voltaje de 5VDC.
3. Observe en osciloscopio la seal de salida (en R4) y verifique que la frecuencia de oscilacin es de
640Hz.
4. Observe en osciloscopio la seal de salida (en R4) y verifique el Ta y Tb.
5. Vare el voltaje de polarizacin de 5VDC hasta 12 DVC y verifique que sucede con la frecuencia.
6. Cambie la resistencia RA por una resistencia de 100, verifique que pasa con la seal de salida.
(Terminal 3)
7. Determine cual es el mnimo voltaje de VDC para mantener la forma de onda correcta en la salida
99
Figura 11-4 Diagrama esquemtico de circuito a implementar en configuracin Astable
Esta prueba permitir verificar los parmetros bsicos de la configuracin Monoestable. Para tal efecto
siga la secuencia de los siguientes pasos:
1. Construya el circuito de la siguiente Figura 12-5 teniendo en cuanta la configuracin de los

terminales de CI 555. Utilice una resistencia RA = 7.5K.
2. Polarice correctamente con una fuente de voltaje de 5VDC.
3. Observe en Osciloscopio la seal de salida (en R4) y verifique cual es el tiempo en alto, despus de
haber accionado el interruptor S.
4. Cambie la resistencia RA = 7.5K por una resistencia de 33k. Verifique en cuanto se incremento el
tiempo que permanece en alto la seal de salida en R4.
5. Vare el voltaje de polarizacin de 5VDC hasta 12 DVC y verifique que sucede con los tiempos de la
seal de salida (en R4)
Figura 11-5 Diagrama esquemtico de circuito a implementar en configuracin Monoastable
Referencias
100
[2] A.P. malvino, Electronics Principles, Second Editions, Mac Graw Hill Book Co., New York, 1999.
101
EXPERIMENTO 11
MULTIVIBRADOR AESTABLE Y
MONOESTABLE: Generador de Onda
Cuadrada, Monoestable
Fecha: ________________________________ ID: ___________________________________________
Hoja de reporte
Configuracin Astable
RA RB C t (terica) t(medida) % error f(medida)

7.5k 7.5k 0.1uF
100 7.5k 0.1uF
Vcc Vo
1
2
4
6
8
10
12
Configuracin Monoestable
RA C ta (terica) ta(medida) % error Vo

7.5k 47uF
66k 47uF
Cuestionario
1.Es posible generar una onda cuadrada simtrica con el temporizador 555?
2. Marcar con una x la respuesta correcta. En un circuito Astable si la resistencia RA es mucho mas
grande que la RB, el porcentaje del ciclo duty aprovecha:
(a) 0% (b) 50% (c) 99%
3. Marcar con una x la respuesta correcta. En un circuito Astable si la resistencia RB es mucho mas
grande que la RA, el porcentaje del ciclo duty aprovecha:
(a) 0% (b) 50% (c) 99%
4. Marcar con una x la respuesta correcta. Cuando ambas resistencias o una de ellas es cambiada que
ocurre:
(a) La frecuencia de salida cambia

(b) El porcentaje de ciclo duty cambia
(c) La frecuencia y el porcentaje duty cambian
(d) Ninguna de las anteriores
Conclusiones
103
APENDICE
Hojas tcnicas de fabricacin
104

Manual INEL4211

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Manual INEL4211

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

UNIVERSIDAD DE PUERTO RICO

RECINTO UNIVERSITARIO DE MAYAGUEZ

UNIVERSIDAD DE PUERTO RICO

Los estudiantes al finalizar este curso deberan estar en capacidad de:

1. Conocer y entender el funcionamiento de los diodos y cuales son sus aplicaciones.

Semana Actividad Titulo de experimento

01 -- Presentacin del Curso

Equipos para cada experimento

Fuente de Voltaje Dual X X X X X X X X X X X

Dispositivos Valores (cantidad)

Circuitos Integrados SNE555(2).

Resistencias Lab 1. 330 (1), 10KK 1M (1),

Capacitores Lab 1. 47F (1)

Dispositivos diversos Transformador 110VAC/25VAC

Programa del curso

Equipamiento por cada experimento

Experimento 1: Diodos I: Curvas Caractersticas, Circuito Limitador, Circuitos Sujetador y Circuito

Experimento 3: Diodos III: Diodo Zener y Regulador de Voltaje

Experimento 4: Transistores Bipolares BJT

Experimento 5: Ejercicio Combinado con Zener, AO y BJT en interface con LED

Experimento 6: Amplificadores Bsicos con BJT

Experimento 7: Transistores FET

Experimento 8: Amplificadores Bsicos con FET

Experimento 9: Fuentes de Corriente

Experimento 10: Amplificadores Diferenciales y Carga Activa

Experimento 11: Multivibrador Aestable y Monoestable

DIODOS I : Caractersticas del diodo, Curva

1. Examinar las caractersticas del diodo de silicio.

Caractersticas del Diodo

(a) Smbolo (+Anodo; -Ctodo) (b) Componente Fsico

Fig. 1-2 Curva del diodo

Figura 1-3 Un circuito limitador bsico

(a) Circuito Sujetador Positivo (b) Circuito Sujetador Negativo

Figura 1-4: Circuito Sujetador

El circuito doblador duplica el voltaje rectificado mximo de un transformador o lnea de energa de

1. El estudiante debe conocer los aspectos bsicos de los siguientes temas

Caractersticas del diodo

2. El estudiante debe revisar las especificaciones tcnicas del diodo 1N4004 .

PARTE 1: Identificacin del diodo

3. Repita el mismo procedimiento cambiando las puntas de posicin.

PARTE 2 : Conduccin del diodo en forma directa

1. Antes de empezar verifique que la fuente se encuentre apagada.

Figura 1-7 Diodo en conduccin directa

PARTE 3 : Conduccin del diodo en forma Inversa

1. Repita los pasos 1 y 3 del paso anterior.

Figura 1-8 Diodo en conduccin inversa

PARTE 4 : Curva Caracterstica del diodo

PARTE 5: Circuito Limitador, Sujetador y Doblador

1. Conecte el circuito mostrado en la figura 1-9.

[1] Robert Boylestad , Electronic, Circuit Theory , 1994

Fecha: ________________________________ ID: ___________________________________________

Describa los resultados obtenidos en la parte 5.

Grfica 1-2: Seal de salida de un circuito Sujetador

1. Qu factores afectan la precisin de las medidas en este experimento? (Considerndo ambas

Rac (0.5V) =_________________ Rac (0.6V) =________________ Rac (0.7) =_______________

3. Tomando los datos de la tabla 1-2, calcular la disipacin de potencia en el diodo.

DIODOS II: Circuitos rectificadores de media

Rectificador de media onda

Figura 2-2 Rectificadores de Onda Completa Bsicos

1 - Circuito rectificador de media onda:

Voltaje pico-pico en salida: V MaxSec V diodo

2 - Circuito rectificador de media onda con filtro capacitivo:

3 - Circuito rectificador de onda completa con transformador de tap central:

Fecha: ID: ___________

Rac (0.5V) =___ Rac (0.6V) = Rac (0.7) =_

Fecha: ID: ___________

Fecha: ID: ___________

Fecha: ID: ___________

I para Vout Alto _ I para Vout Bajo ___