SERVICIO NACIONAL DE ADIESTRAMIENTO EN TRABAJO

FORMACIÓN
PROFESIONAL DUAL

INMERSIÓN A FORMACIÓN PRACTICA

CUADERNO DE INFORMES
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INFORMACIÓN PERSONAL

CFP/UCP/ESCUELA: Electrotecnia _____________________________________________

Estudiantes: Renzo Sebastian Badajoz Aparco

Katherine Mireya Perez Morales

BLOQUE: 10-EMIT-424 __________________________ _________________________

CARRERA: Mecatrónica Industrial _____________________________________________

INSTRUCTOR: Ronald Peralta Bryson ___________________________________________

SEMESTRE: IV _____________________ DEL: 26/03/2024_______ AL: 28/03/2024 _____

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INSTRUCCIONES PARA EL USO DEL

CUADERNO DE INFORMES DE TRABAJO SEMANAL

1. PRESENTACIÓN:
El Cuaderno de Informes de trabajo semanal es un documento de control, en el cual el estudiante, registra
diariamente, durante la semana, las tareas, operaciones que ejecuta en su formación práctica en SENATI y en
la Empresa.

2. INSTRUCCIONES PARA EL USO DEL CUADERNO DE INFORMES:

2.1 En el cuadro de rotaciones, el estudiante, registrará el nombre de las áreas o secciones por las cuales rota
durante su formación práctica, precisando la fecha de inicio y término.
2.2 Con base al PEA proporcionado por el instructor, el estudiante transcribe el PEA en el cuaderno de
informes. El estudiante irá registrando y controlando su avance, marcando en la columna que corresponda.
2.3 En la hoja de informe semanal, el estudiante registrará diariamente los trabajos que ejecuta, indicando el
tiempo correspondiente. El día de asistencia al centro para las sesiones de tecnología, registrará los
contenidos que desarrolla. Al término de la semana totalizará las horas.
De las tareas ejecutadas durante la semana, el estudiante seleccionará la más significativa y hará una
descripción del proceso de ejecución con esquemas y dibujos correspondientes que aclaren dicho proceso.

2.4 Semanalmente, el estudiante registrará su asistencia, en los casilleros correspondientes.

2.5 Semanalmente, el Monitor revisará, anotará las observaciones y recomendaciones que considere; el
Instructor revisará y calificará el Cuaderno de Informes haciendo las observaciones y recomendaciones que
considere convenientes, en los aspectos relacionados a la elaboración de un Informe Técnico (términos
técnicos, dibujo técnico, descripción de la tarea y su procedimiento, normas técnicas, seguridad, etc.)
2.6 Si el PEA tiene menos operaciones (151) de las indicadas en el presente formato, puede eliminar alguna
página. Asimismo, para el informe de las semanas siguientes, debe agregar las semanas que corresponda.
2.7 Escala de calificación:

CUANTITATIVA CUALITATIVA CONDICIÓN

16,8 – 20,0 Excelente

13,7 – 16,7 Bueno Aprobado

10,5 – 13,6 Aceptable

00 – 10,4 Deficiente Desaprobado

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INFORME SEMANAL
__IV__ SEMESTRE SEMANA N°: __3__ DIA MES AÑO
DEL 26 MARZO 2024
AL 28 MARZO 2024

DIA TAREAS ANALIZADAS HORAS

En este día, el profesor se dedicó a revisar y explicar el

LUNES
funcionamiento del oscilador digital, el cual nos posibilitará
observar la onda en un circuito que construiremos por cuenta 3:30
propia mañana.
El profesor nos proporcionó materiales que utilizamos para

MARTES
ensamblar un circuito, el cual nos permitiría familiarizarnos
adecuadamente con las herramientas necesarias para el uso del 3:30
oscilador digital.
El profesor expuso la teoría del amplificador operacional,
MIERCOLES proporcionando una explicación detallada y esencial sobre el
tema. 3:30
JUEVES
VIERNES
SABADO

TOTAL: 10:30
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INFORME N° 1
Explicar lo desarrollado en clase y una descripción del proceso utilizado para la elaboración
del trabajo.

Durante los días lunes y martes, se abordaron los temas relacionados con el oscilador digital.
En el día lunes, se enfocó en la explicación detallada del uso de dicho dispositivo. Este
conocimiento adquirido resulta fundamental, ya que el día martes se espera que los
participantes tengan la capacidad necesaria para llevar a cabo la construcción de un circuito.
Dicho circuito permitirá la medición precisa de la frecuencia y otras características
asociadas a la misma. A continuación, se presenta una evidencia que resume el contenido
desarrollado durante las sesiones de clase:

Lunes:

El profesor nos informó que el oscilador digital es un componente electrónico crucial en sistemas
digitales, ya que genera una señal periódica o de onda cuadrada. Posteriormente, se nos proporcionó
información adicional, aclarando que tanto la investigación propia como lo explicado por el profesor en
clase respaldan lo siguiente: el oscilador digital está compuesto por varias partes clave y tiene una
variedad de aplicaciones en los campos de la electrónica y las comunicaciones.

Partes del Oscilador Digital:

1. Inversor (o compuerta lógica): El bloque básico de construcción, a menudo basado en

inversores, que invierten el nivel de señal de entrada.

2. Realimentación positiva: Para mantener la oscilación, se utiliza la realimentación positiva,

donde parte de la salida se retroalimenta a la entrada con una fase positiva.

3. Red de retardo: Un elemento que introduce un retardo en la señal, crucial para la generación
de la oscilación.

4. Filtro de salida: Para obtener una onda más limpia y cuadrada, se utiliza un filtro de salida
para eliminar armónicos no deseados.

Funcionamiento y Usos:

1. Generación de Señales de Reloj (Clock): El oscilador digital es fundamental en sistemas

digitales para generar señales de reloj que sincronizan las operaciones de los componentes.
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2. Comunicaciones Digitales: En la transmisión de datos digitales, los osciladores digitales son

esenciales para la sincronización y la modulación de señales.

3. Microprocesadores y Circuitos Integrados: Se utilizan en la mayoría de los dispositivos

electrónicos para controlar la sincronización de operaciones internas.

4. Convertidores Analógico-Digitales (ADC) y Digitales-Analógicos (DAC): Los osciladores

digitales son clave en la conversión de señales entre dominios analógicos y digitales.

5. Sistemas de Comunicación Inalámbrica: En dispositivos como teléfonos móviles, se emplean

osciladores digitales para generar señales portadoras en las comunicaciones inalámbricas.
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Martes:

El martes pasado, como fue anunciado previamente por el profesor, se asignó el desarrollo de un
ejercicio específico. El enunciado del ejercicio es el siguiente:

a) 𝑉𝑂 𝑟𝑚𝑠 de salida.

b)𝑉𝑂 𝑝𝑟𝑚

c)Dibujar la forma de honda de

salida.

d)Hallar la tensión umbral 𝑉𝑢 del

circuito en voltios.

e)Hallar la tensión 𝑝𝑖𝑐𝑜 − 𝑝𝑖𝑐𝑜 en

la salida.

f)Dibujar la tensión de salida del

transformador.

Procedimiento:

Después de que el profesor explicara de manera resumida lo que tendríamos que elaborar, nos
proporcionó los materiales necesarios para armar el circuito, tales como cables, diodos, una
resistencia, protoboard y el oscilador digital. Dicho esto, presento las imágenes como evidencia.
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A continuación, procedimos a ensamblar el circuito en el protoboard y llevamos a cabo todas las

pruebas necesarias para cumplir con el objetivo establecido en el ejercicio. Dicho esto, presento
evidencia de las actividades realizadas:
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A continuación, presentamos de manera ordenada y formal los datos recolectados del circuito
(ESTOS SON LOS DATOS QUE COLOCAMOS EN LA PRACTICA TAL Y COMO SE
DESARROLLO EN LA CLASE):

a)𝑉𝑂 𝑟𝑚𝑠 de salida.

10.9𝑉

b)𝑉𝑂 𝑝𝑟𝑚

9.55𝑉

c)Dibujar la forma de honda de salida.

𝐿𝑈𝐶𝐴𝑆

d)Hallar la tensión umbral 𝑉𝑢 del circuito en voltios.

1.3𝑉
12.2𝑉 − 10.9𝑉 = = 0.65𝑉
2

e)Hallar la tensión 𝑝𝑖𝑐𝑜 − 𝑝𝑖𝑐𝑜 en la salida.

15.6𝑉

f)Dibujar la tensión de salida del transformador.

𝐿𝑈𝐶𝐴𝑆
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El miércoles, dedicamos la sesión exclusivamente al desarrollo teórico. A continuación, presentaré un

resumen del tema abordado durante la clase:

Amplificador Operacional (OPAMP):

Definición: El amplificador operacional, a menudo conocido como op-amp, es un dispositivo
amplificador electrónico de alta ganancia acoplado en corriente continua que tiene dos
entradas y una salida. Su función principal es amplificar señales eléctricas y se utiliza en una
variedad de aplicaciones técnicas y científicas.

Símbolo: El símbolo gráfico del OPAMP se representa como un triángulo con dos entradas y
una salida, como se muestra a continuación:

Fuente Simétrica: Se refiere a una fuente de alimentación con valores positivos y negativos
iguales. Esto es importante para el funcionamiento adecuado del OPAMP.

Elementos del OPAMP:

o Tensión Diferencial (Vd): Es la diferencia entre las entradas no inversora (+) e

inversora (-).
o Ganancia Diferencial (Ad): Representa la relación entre la salida y la tensión
diferencial en condiciones ideales.
o Tensión en Modo Común (Vc): Es la tensión no deseada en el OPAMP.
o Relación de Rechazo en Modo Común (RRMC): Un coeficiente que indica la relación
entre Ad y Ac (ganancia en modo común).

Funcionamiento como Comparador:

o La salida del OPAMP depende de la ganancia diferencial y la tensión diferencial.

o Cuando la tensión diferencial es alta, la salida se satura a +/- 0.8 veces la tensión de
alimentación (Vcc).
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El profesor, además de los conceptos abordados durante las clases, nos encomendó la tarea de
investigar específicamente algunos temas para la elaboración de este informe. A continuación,
proporciono la información solicitada:

TRANSISTOR J-FET:
El JFET (Transistor de Efecto de Campo de Juntura o Unión) es
un dispositivo de tres terminales. Puede utilizarse como
interruptor controlado electrónicamente, amplificador o
resistencia controlada por voltaje. Sus tres terminales son el
drenaje (D), la puerta o compuerta (G) y la fuente (S).

A diferencia del transistor de unión bipolar, el JFET no requiere

corriente de polarización. La carga eléctrica fluye a través de un
canal semiconductor (de tipo N o P) entre el drenaje y la fuente.
Al aplicar una tensión eléctrica inversa al terminal de puerta, el canal se “estrecha” ofreciendo
resistencia al flujo de corriente eléctrica. El JFET conduce entre los terminales D y S cuando la tensión
entre G y S (VGS) es cero (región de saturación). Sin embargo, al aumentar esta tensión en módulo y con
la polaridad adecuada, la resistencia entre D y S crece, entrando en la región óhmica hasta un límite en
el que deja de conducir y entra en corte. La gráfica de la tensión entre D y S (V DS) contra la corriente
del terminal D (ID o corriente de drenaje) es característica de cada JFET.

Además, el JFET tiene una gran impedancia de entrada (generalmente del orden de 1010 ohmios), lo que
significa que su efecto en los componentes o circuitos externos conectados a su terminal de puerta es
despreciable.

ECUACIONES DEL TRANSISTOR JFET

Ecuación de entrada:

A través de la gráfica de la entrada del

transistor, también conocida curva
característica de transferencia
universal, se pueden deducir
expresiones analíticas que permiten
analizar matemáticamente su
funcionamiento. En la región activa del
FET, cuando la tensión entre la puerta y
la fuente (VGS) es menor en módulo que
la tensión de estrangulamiento o estricción (Vp, también llamada VGS(off)) el JFET se encuentra en la
zona de saturación. En esta región, la curva de valores límite de la corriente de drenaje (ID) está
definida por la siguiente expresión:
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𝑽𝑮𝑺 𝟐
𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 (𝟏 − )
𝑽𝑷

Ecuación de salida

En la gráfica de salida, también conocida como curva característica de drenaje, se pueden examinar
con mayor detalle los dos estados en los que el JFET permite el flujo de corriente. Inicialmente, la
corriente de drenaje aumenta gradualmente a medida que se incrementa la tensión de salida entre el
drenaje y la fuente (VDS). La expresión que describe esta curva es la siguiente:

𝑰𝑫 = 𝒌[𝟐𝑽𝑫𝑺 (𝑽𝑮𝑺 − 𝑽𝑷 ) − 𝑽𝑫𝑺𝟐 ]

En el cual “k” es:

𝑰𝑫𝑺𝑺
𝒌=
𝑽 𝑷𝟐
𝑽
Puede suponerse que 𝑰𝑫 = 𝑹𝑫𝑺 , siendo:
𝒐𝒏

𝟏
𝑹𝒐𝒏 =
𝒌
(𝑽 − 𝑽𝑷 )
𝟐 𝑮𝑺
Por tanto, en esta zona y a efectos de análisis, el transistor puede ser sustituido por una resistencia
de valor Ron, con lo que se observa una relación entre la ID y la VDS definida por la Ley de Ohm. Esto
hace que a esta zona de funcionamiento se le llame zona óhmica. A partir de una determinada tensión
VDS la corriente ID deja de aumentar, quedándose fija en un valor al que se denomina ID de saturación
o IDSAT. El valor de VDS a partir del cual se entra en esta nueva zona de funcionamiento viene por la
expresión:

𝑽𝑫𝑺 = 𝑽𝑮𝑺 − 𝑽𝑷

La corriente de saturación IDSAT, característica de cada JFET, puede calcularse reescribiendo la

ecuación de entrada y, usando para “k” la expresión ya mencionada, queda:
𝒌
𝑰𝑫 = (𝑽 − 𝑽𝑷 )𝟐
𝟐 𝑮𝑺
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TRANSISTOR MOSFET:
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),
es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales
electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria
microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

Es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S),

drenador (D), puerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato
generalmente está conectado internamente al terminal de fuente
y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de
tres terminales.

Se compone de un sustrato semiconductor sobre el cual se encuentra una capa de óxido de silicio y una
puerta metálica. Esta estructura forma un capacitor que, al aplicar una tensión entre la puerta y el
sustrato, modula el flujo de corriente entre la fuente y el drenaje. Dependiendo de cómo se forme el
canal entre la fuente y el drenaje, Los MOFET pueden ser de canal N o canal P.

El funcionamiento de un MOSFET puede dividirse en dos modos: canal de enriquecimiento

(enhancement mode) y canal de empobrecimiento (depletion mode), dependiendo de si la conducción
del canal entre la fuente y el drenaje se ve aumentada o disminuida por la tensión aplicada en la
puerta.

ECUACIONES DEL TRANSISTOR MOSFET:

Región de Corte:

Cuando VGS < Vth

donde Vth es la tensión umbral del transistor

En esta situación, la corriente de drenador ID es igual a cero.

Región de Triodo:

El transistor está en triodo si VGS > Vth y VDS < (VGS – Vth)

La corriente de drenador se calcula mediante la sigui 𝜇 ente ecuación:

𝑾 𝑽𝟐𝑫𝑺
𝑰𝑫 = 𝝁𝒏 𝑪𝑶𝑿 ((𝑽𝑮𝑺 − 𝑽𝒕𝒉 )𝑽𝑫𝑺 − )
𝑳 𝟐

Donde 𝝁𝒏 es la movilidad efectiva de los portadores de carga, 𝑪𝑶𝑿 es la capacidad del óxido por
unidad de área, W es el ancho de la puerta, L es la longitud de la puerta.
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Región de Saturación o activa:

Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS – Vth )

En esta región la corriente de drenador se modela con la siguiente ecuación:

𝝁𝒏 𝑪𝑶𝑿 𝑾
𝑰𝑫 = (𝑽 − 𝑽𝒕𝒉 )𝟐 (𝟏 + 𝝀(𝑽𝑫𝑺 − 𝑽𝑫𝑺𝒔𝒂𝒕 ))
𝟐 𝑳 𝑮𝑺