Universidad Nacional

Autónoma de México

Facultad de Ingeniería

Ingeniería en Computación

Laboratorio de Dispositivos Electrónicos

Práctica 2
“Diodo semiconductor.”

Alumnos:
Martínez Araujo Jesús Alonso

Grupo: 05

Prof.: Ismael Romero Ocaranza

Fecha de entrega: 28/ Febrero / 2024

Introducción:

Descripción de conceptos

Semiconductor:
Un semiconductor es todo aquel material que, dependiendo de las circunstancias
temperatura, presión, radiación y campos magnéticos, puede actuar como conductor,
permitiendo el paso de la corriente, o como aislante, impidiendo el paso de la misma.
Los elementos que constituyen a los semiconductores son el silicio y el Germanio

Los semiconductores pueden ser de dos tipos distintos:

Semiconductores intrínsecos:

Están conformados por un único tipo de átomos, dispuestos en moléculas tetraédricas y

sus átomos unidos por enlaces covalentes.

Semiconductores extrínsecos:

Estos materiales permiten un proceso de dopaje, es decir, permiten que se incluyan en

su configuración atómica algún tipo de impurezas.

Semiconductores extrínsecos tipo N (donadores). En este tipo de materiales, los

electrones superan en número a los huecos o portadores de carga libre

Semiconductores extrínsecos tipo P (aceptores). En estos materiales, la impureza

añadida, en lugar de aumentar los electrones disponibles, aumenta los huecos

Cuando un diodo permite un flujo de corriente, tiene polarización directa. Cuando un

diodo tiene polarización inversa, actúa como un aislante y no permite que fluya la
corriente.

Union PN:

Uniéndose el material de tipo n con el material de tipo p provoca un exceso de

electrones en el material de tipo n que se difunden hacia el lado de tipo p y el exceso de
huecos a partir del material de tipo p se difunden hacia el lado de tipo n.

El movimiento de electrones para el lado de tipo p expone núcleos de iones positivos en

el lado de tipo n mientras que el movimiento de huecos para el lado de tipo n expone
núcleos de iones negativos en el lado de tipo p, lo que resulta en un campo de electrones
en la unión y la formación de la región de agotamiento.

Diodo Zener:

El zener consiste en un semiconductor diseñado para conducir en la dirección inversa

cuando se alcanza un determinado voltaje especificado, conocido como tensión zener.
Una vez alcanzada la tensión zener, los terminales del zener no varían, permanecen
constantes aunque aumente la tensión de alimentación

Su diferencia radica en el momento en el que son polarizados inversamente. En este

caso, este tipo de diodo no conduce corriente cuando el voltaje de éste es menor al que
nos proporciona.

Potencia eléctrica:

La potencia eléctrica es la velocidad por unidad de tiempo al que la energía eléctrica se

transfiere en un circuito eléctrico. De forma más sencilla, podemos considerar que es la
cantidad de energía que consume o genera un elemento en un instante determinado.

Objetivo:
Obtener y analizar las curvas características del diodo semiconductor y diodo Zener.

Desarrollo:

1.-Identifique las terminales del diodo y realice la prueba con el multímetro.

Polarización Directa Polarización Inversa

2.-Llene la siguiente tabla:

Diodo Polarización Directa Polarización Inversa

1 558 1

2 563 1

3 561 1

4 557 1

3.-Arme el siguiente circuito

 4.-LLene la siguiente tabla
a)Diodo 1 (Menor valor)

Vd 0 0.1 0.2 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7

Id[µA] 0 0 0 1 5 15 43 95 170 263 370 488

Rd[kΩ] 0 0 0 300 70 26.66 10.465 5.263 3.235 2.281 1.757 1.434

b)Diodo 2 (Mayor valor)

Vd 0 0.1 0.2 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7

Id[µA] 0 0 0 1 4 13 38 87 161 252 357 474

Rd[kΩ] 0 0 0 300 87.5 30.769 11.842 5.747 3.416 2.381 1.821 1.477

5.-Dibuje la gráfica de Id vs Vd y compártela con la ideal

6.-Arme el siguiente circuito

7.-Llene la siguiente tabla

a)Diodo 1
Vd 0 1 2 3 4 5

Id 0 0 0 0 0 0

a)Diodo 2
Vd 0 1 2 3 4 5

Id 0 0 0 0 0 0

8.-Dibuje la gráfica de ID vs VD compártela con la ideal.

 9.- Arme el siguiente circuito

10.-LLene la siguiente tabla

a)Diodo 1

Vd 0 0.1 0.2 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7

Id[µA] 0 0 0 0 0 0 0.5 1 4 14 46 115

11.- Dibuje la gráfica de ID vs VD y compártela con la ideal.

12.-Arme el siguiente circuito

13.-Llene la siguiente tabla

 -Vd 0 2 3 4 4.2 4.4 4.6 4.8 5 5.2 5.6 5.8

-Id[µA] 0 0 1 4 5 6 8 9 10 12 15 17

14.-Dibuje la gráfica de Vd vs Id y compártela con la ideal

Conclusión:

Pudimos comprobar que cuando el diodo se encuentra abierto, es decir que la corriente
no pasa a través del diodo porque su polaridad no es la correcta, en el diodo 1N7007
pudimos comprobar que aunque le proporcionaremos más de 60 volts no dejaba pasar la
corriente, pero si estaba en la polaridad correcta el diodo tenía una voltaje máximo, el
cuál es de aproximadamente de 0.765 volts. En cambio con el diodo zener cuando
estaba en la polaridad directa, había una pequeña corriente en el zener cuando la fuente
proporcionaba 0.45[V] y en inversa con más voltaje, es decir hasta con 3[V] . Por lo que
podemos decir que las gráficas son muy semejantes a las proporcionadas por el
fabricante, es decir, las teóricas.

Bibliografía:

1. (2018). Slideplayer.es. https://slideplayer.es/slide/1023305/