Instituto Politécnico Nacional

Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica

ESIME ZACATENCO

Dispositivos

Practica 1: Características de Diodos en Corriente Directa (CD)

Realizó: Florin Beltran Oscar Daniel

Grupo 5CV5
OBJETIVO: El alumno armará los circuitos que permitan obtener las características
eléctricas en CD de diodos de Si (silicio), LED, como voltajes, corrientes,
resistencia interna y potencia de consumo, e interpretará las mediciones realizadas
con el multímetro y/u osciloscopio. También reportará los resultados medidos en
tablas y/o gráficas según lo indique el desarrollo.

TAREA PREVIA PARA TENER DERECHO A REALIZAR LA PRÁCTICA

1.-Investigar las características de funcionamiento y limitaciones de los diodos de
silicio (Si), y LED rojo de baja intensidad en CD.
El diodo idealmente permite corriente directa (se comporta como un cable) y
bloquea o no permite la corriente inversa (se comporta como un cable roto). Esto
depende de la polarización del diodo y de sus características.
Las limitaciones de los diodos están dadas por sus características físicas, la
tensión inversa máxima es el valor máximo de tensión que soporta el diodo al
polarizarlo inversamente y la corriente máxima es el valor de corriente en el cual el
diodo puede operar sin elevar su temperatura y provocar que el diodo se queme.
2.-Investigar que es y cómo se obtienen la recta de carga y el punto de operación,
en un dispositivo semiconductor en CD.

La recta de carga es una herramienta que se emplea

para hallar el valor de la corriente y la tensión del
diodo.

−1 Vs
V s =I∗Rs +V d → I = ∗V d +
Rs Rs

Lo cual nos lleva a una ecuación de recta y=mx+b

Al evaluar V d y I en ceros obtenemos los puntos de
corte en “y” y “x” respectivamente
El punto de operación es el punto donde se cortan la
exponencial del diodo con la recta de carga en este
caso el punto Q.

3.-Investigar qué es y cómo se calculan la resistencia estática y dinámica, en un

dispositivo semiconductor en CD.
La resistencia estática se calcula en un punto determinado, se toma el valor del
voltaje y la corriente y por ley de ohm se obtiene la resistencia estática.
 VD
R D=
ID

La resistencia dinámica se obtiene tomando la tangente

en un punto de la curva del diodo nos dará cambios
particulares de voltaje y corriente los cuales se utilizan
para obtener la resistencia dinámica.
∆Vd
rd =
∆ Id

También se puede obtener calculando la derivada de la ecuación general para el

diodo en el punto donde queremos obtener la resistencia y despejamos la
resistencia obtenemos la resistencia dinámica.
26 mV
rd =
Id

4.-Investigar que es y cómo se calculan la potencia promedio y eficaz, en un

dispositivo semiconductor en CD.

V D2
La potencia promedio se calcula con P0= tomando los valores promedio de
R
corriente y voltaje del diodo
V ∗I
La potencia eficaz se calcula con Pefz =
2
5.-Realizar la simulación de los circuitos para obtener las características eléctricas
del diodo de (Si).
*Anexo al final de la practica.
6.-Hojas de especificaciones de los diodos de (LED rojo baja intensidad y Si, que
se empleará en la simulación).
*Anexo al final de la practica

DESARROLLO:

1. Proponer el dispositivo (diodos de Si comercial y valores de resistencias

comerciales) que se deseen emplear en la práctica, y consultar las hojas de
especificaciones del diodo (de Si y LED) que se utilizará para el desarrollo de la
práctica. Preferentemente que los diodos y resistencias sean de I/2W ó más Watts.

2. Reportar el valor comercial de la resistencia a emplear, así como la serie del

diodo y las características del LED rojo.
Diodo 1N4001, resistencia de 220Ω,

3. Simular el circuito como se muestra en la fig. 1; realizar y registrar las

mediciones, como se indica en la tabla. Realizarlo con el Diodo de Si y LED rojo.

+
A +
Vs D V

Fig. 1 Circuito de prueba

Tabla 1 mediciones
D (Si) LED
VS VD ID VLED ILED
0V 0V 0A 0V 0A
0.2 200m 0.01μA 200mV 2.10μA
V V
0.4 399m 3.24μA 399mV 4.44μA
V V 4
0.6 555m 205μA 598mV 7.11μA
V V
0.8 609m 868μA 798mV 10.3μA
V V
1V 634m 1.676m 997mV 14.1μA
V A
2V 682m 5.99mA 1.98V 107μA
V
3V 703m 10.4mA 2.20V 3.62m
V A
4V 716m 14.9mA 2.22V 8.09m
V A
5V 726m 19.4mA 2.24V 12.6m
V A

3.1 Graficar en papel milimétrico, los datos de la tabla 1, considerando el eje

vertical para I (corriente) y el eje horizontal para V (voltaje), tanto para el diodo de
silicio, como para el LED rojo. A Partir de la gráfica realizada en papel milimétrico,
efectuar los cálculos correspondientes para obtener la resistencia estática (R D),
resistencia dinámica (rD) y potencia de consumo del diodo P D. Anexar los cálculos
realizados. Trazar la recta y punto de operación en la gráfica que se obtuvo con los
datos de la tabla.
 0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.01
0.01
Corriente del Diodo

0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0
0
0
0
0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7 0.75 0.8

Voltaje del Diodo

Resistencia Estática (en Vs=1) Resistencia Dinámica (De Vs=1 a Vs=2)

VD ∆Vd
R D= rd =
ID ∆ Id

0.634 V 0.048 V
R D= rd =
0.001676 A 0.004314 A

R D=378.3816 Ω

Punto de operación (Vs=1V)

−1 V
I= ∗V d + s
Rs Rs

−1 1
I= ∗0.634+
220 Ω 220 Ω

I =0.001663 A

Vs 1
I= = =0.004545 (corte en eje I) V d =Vs=1 (corte en eje V)
R s 220
 Para el Led

0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
Axis Title

0.01
0.01
0.01
0
0
0
0
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5

Axis Title

Resistencia Estática (en Vs=1) Resistencia Dinámica (De Vs=1 a Vs=2)

V Led ∆ V Led
R D= rd =
I Led ∆ I Led

0.997 V 0.983 V
R D= rd =
14.1 μ A 92.9 μA
R D=71214.28 Ω r d =10581.27 Ω

Punto de operación (Vs=1V)

−1 Vs
I= ∗V Led +
Rs Rs

−1 1
I= ∗0.997+
220 Ω 220 Ω

I =0.000012636 A

Vs 1
I= = =0.004545 (corte en eje I) V d =Vs=1 (corte en eje V)
R s 220
 3.1.1 invertir la polaridad de la fuente y realizar el mismo procedimiento que en los
puntos anteriores (3 y el 3.1). Mostrar los resultados en la tabla 2 y gráfica de los
valores medidos, en la misma grafía en donde graficaste los valores de la tabla 1.

Tabla 2mediciones
D (Si) LED
VS VD ID VLED ILED
-1V -1V 0A -1V -0.01mA
-2V -2V 0A -1.99V -0.03mA
-3V -3V 0A -2.98V -0.07mA
-4V -4V 0A -3.97V -0.6mA
-5V -5V 0A -4V -4.56mA

Diodo
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-5.5 -5 -4.5 -4 -3.5 -3 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5

Resistencia Estática (en Vs=-3) Resistencia Dinámica (De Vs=-2 a Vs=-3)

VD ∆Vd
R D= rd =
ID ∆ Id

−3 V rd =
−1V
R D=
0A 0A
R D=Resistencia infinita(circuito Abierto) r d =resistencia infinita(Circuito Abierto)
 LED

Led
0
-4.5 -4 -3.5 -3 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5
0
0
0
0
0
0
0
0
0
-0.01

Resistencia Estática (en Vs=-3) Resistencia Dinámica (De Vs=-2 a Vs=-3)

V Led ∆ V LEd
R D= rd =
I Led ∆ I Led
−2.98 V −0.99 V
R D= rd =
−0.07 m A −0.00004 A
R D=42571.42 Ω r d =24750 Ω

Punto de operación (Vs=-3V)

−1 V
I= ∗V Led + s
Rs Rs

−1 1
I= ∗−2.98 V +
220 Ω 220 Ω

I =0.018090 A

Vs 1
I= = =0.004545 (corte en eje I) V d =Vs=−3 (corte en eje V)
R s 220
3.2 Anotar comentarios, observaciones y conclusiones.

Tras realizar las simulaciones y observar las gráficas de los dos dispositivos en
ambas polarizaciones se llegó a la conclusión de que el diodo en su polarización
directa se comporta como un corto al superar el voltaje de operación del mismo
(aproximadamente 0.7V CD) y que al rebasar este voltaje se conduce mayor
corriente a través de el, de igual forma con el led solo que este requiere un voltaje
de operación mayor para su funcionamiento y consume un voltaje mayor debido a
su emisión de luz
En cambio, la polarización inversa, con el diodo se comporta como si fuera un
circuito abierto debido a que tiene una diferencia de voltaje en sus terminales pero
no conduce corriente a través de el y en el led ocurre algo similar solo que aquí se
presenta una corriente negativa la cual a cierto nivel de tensión disminuye
exponencialmente

Simulaciones
Primera tabla
Led tabla 1
Tabla dos

Led