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Informe N 01
ALUMNOS:
GRUPO: 03
DIA: MIERCOLESDE 1 A 3 PM
04-04-2017
INFORME N 01: CARACTERSTICAS DEL DIODO
1. OBJETIVOS
2. RESUMEN
La gran utilidad del diodo esta en los dos diferentes estados en que
se puede encontrar dependiendo de la corriente elctrica que este
fluyendo en l, al poder tener estos dos estados, estos dos
comportamientos los diodos tienen la opcin de ser usados en
elementos electrnicos en los que estos facilitan el trabajo.
4. EQUIPO Y MATERIALES:
Los materiales que procedimos a utilizar en nuestra primera prctica
de circuitos elctricos son los siguientes:
Figura 01: Diodo: Silicio Figura 02: Resistores 1/4W: Figura 03: Diodo: Silicio
1N4007
PARTE 1
c) Procedimos a medir con el voltmetro, el voltaje inverso de los diodos.
Usamos la escala de prueba de diodo en el DMM y determinar la
condicin de cada diodo, polarizacin Inversa y directa.
d) Despus anotamos los datos en las tablas 1 (Condiciones de los
diodos) Parte 1: Escala de diodos.
e) De igual manera procedimos usar la escala de prueba de resistencia
en el DMM y determinar la condicin de cada diodo. PARTE 1:
PRUEBA DEL DIODO y la tabla 2 (Condiciones de los diodos) Parte
1: Escala de resistencias.
PARTE 2
f) Construimos el circuito de la figura y registramos los valores medidos
del resistor.
PARTE 3
j) Construimos el circuito de la figura y registramos el valor medido del
resistor, para luego realizar los clculos correspondientes.
k) Medimos el voltaje VR y calculamos la corriente de saturacin inversa
con la ecuacin = / || Rm. (Rm es la resistencia interna del
DMM (10M)), para luego pasarlo a las tablas.
PARTE 4
m) Construimos el circuito de la figura y registramos el valor medido de
los diodos y de las resistencias.
PARTE 5
Escala de Diodos
Si: Si:
TEST Ge: 1N60
1N4007 1N4148
DIRECTO 613 646 359
INVERSO OL OL OL
Escala de Resistencia
Si: Si:
TEST Ge: 1N60
1N4007 1N4148
DIRECTO 139.4 k 122.5 k 11.5 k
INVERSO OL OL OL
Observaciones:
Al medir el diodo haciendo contacto el lado comn del
tester con el lado p y el puerto positivo con el lado n el
multmetro no marca valor alguno, pero al hacerlo al revs
s, lo que indica que el diodo tiene polaridad.
Los diodos de Silicio ofrecen mayor resistencia que los
diodos de Germanio, amenos 10 veces mayor.
Rmed: 1.02 k
9.0000
8.0000
7.0000
6.0000
4.0000
3.0000
2.0000
1.0000
0.0000
0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7
VoltajeDiodo (V)
Observaciones:
La proporcionalidad entre el voltaje y la intensidad en el
diodo se asemeja a la parte positiva de una funcin
cuadrtica o exponencial
La intensidad o corriente aumenta en mayores proporciones
luego de superar los 0.5 - 0.6 V, cada vez con una
resistencia al paso de corriente mnima, acercndose a ser
un perfecto conductor.
Al retroceder a partir de los 0.5 - 0.6 V la resistencia
aumenta mucho y al parecer tiende al infinito, que no
conducir corriente alguna como si el circuito estuviera
abierto.
9.0000
8.0000
7.0000
6.0000
4.0000
3.0000
2.0000
1.0000
0.0000
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
VoltajeDiodo (V)
Observaciones:
Al igual que el diodo de Silicio la relacin entre el voltaje y
la intensidad se parece a la parte positiva de una funcin
cuadrtica o exponencial.
Antes de los 0.2 0.3 V la resistencia parece aumentar
mucho y al parecer tiende al infinito, que no conducir
corriente alguna como si el circuito estuviera abierto.
La intensidad o corriente aumenta en mayores proporciones
luego de superar los 0.2-0.3 V, cada vez con una resistencia
al paso de corriente mnima, acercndose a ser un perfecto
conductor.
CURVA CARACTERISTICA
DIODO 1N60 (Ge) vs DIODO 1N4007 (Si)
10.0000
9.0000
8.0000
7.0000 1N4007 (Si)
6.0000 1N60 (Ge)
Intensidad Diodo (mA) 5.0000
4.0000
3.0000
2.0000
1.0000
0.0000
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
VoltajeDiodo (V)
Observaciones:
El Diodo de Silicio necesita superar una mayor tensin para
que su intensidad elctrica pueda fluir libremente.
El Diodo de germanio, aunque a un voltaje menor empieza a
dejar fluir ms libremente electricidad, el diodo de silicio
parece tener una menor resistencia en mayores voltajes.
1N4007 1N60
(Si) (Ge)
Rm 10 M 10 M
Vr 0.3 0.3 Medido
Calculad
Id 0.27 0.27 o
RDC (Si 1N4007): 72.96 M
RDC (GE 1N60): 72.96 M
PARTE 4: CIRCUITOS
COMBINADOS
Diodo 1: Si 1N4148
Diodo 2: Si 1N4007
Observaciones:
La intensidad del Diodo 1 es cero, este diodo est colocado
en polarizacin inversa por lo que ofrece una resistencia tal
que no deja pasar corriente.
El diodo 2, que est colocado en polarizacin directa
tericamente debera ser un conductor perfecto, los diodos
marcan un voltaje mnimo, por lo que ofrecen resistencia al
paso de la corriente-
El voltaje en los diodos es la misma, al igual que en la de las
resistencias y se debe a que estn en paralelo.
PARTE 5: RESISTENCIA DC
7. CONCLUSIONES:
8. RECOMENDACIONES:
9. CUESTIONARIO
Multiplicador de tensin
Un Multiplicador de tensin es un circuito elctrico que convierte
tensin desde una fuente de corriente alterna a otra de corriente
continua de mayor voltaje mediante etapas
de diodos y condensadores.
Limitador:
Un limitador o recortador es un circuito que, mediante el uso
de resistencias y diodos, permite eliminar tensiones que no nos
interesen para que no lleguen a un determinado punto de un
circuito. Mediante un limitador podemos conseguir que a un
determinado circuito le lleguen nicamente tensiones positivas o
solamente negativas, no obstante esto tambin puede hacerse
con un solo diodo formando un rectificador de media onda, de
forma que nos vamos a centrar en un tipo de limitador que no
permite que a un circuito lleguen tensiones que podran ser
perjudiciales para el mismo.
Fijador de nivel:
Una de las aplicaciones prcticas de los diodos semiconductores
son los llamados fijadores de nivel o restauradores de componente
continua. Estos circuitos basan su funcionamiento en la accin del
diodo, pero al contrario que los limitadores no modificarn la
forma de onda de la entrada, es decir su voltaje o tipo de corriente
elctrica, sino que le aaden a sta un determinado nivel de
corriente continua. Esto puede ser necesario cuando las
variaciones de corriente alterna deben producirse en torno a un
nivel concreto de corriente continua.
10. BIBLIOGRAFIA