UNIVERSIDAD NACIONAL JORGE BASADRE GROHMANN

FACULTAD DECIENCIAS
ESCUELA ACADÉMICO PROFESIONAL DE FISICA APLICADA
CURSO: ELECTRONICOS I SEMESTRE: III

NOMBRE: Jade Yasmin Aguayo Julca FECHA:

CÓDIGO: 2013-38815 NOTA:

LABORATORIO Nº 02: DIODO SEMICONDUCTOR

I. OBJETIVOS
- conocer el funcionamiento de un diodo tipo PN. En polarización inversa y directa
- Determinar las condiciones de funcionamiento del diodo.
- Comprender la forma de trabajo del diodo como conmutador (switch) eléctrico dentro de un circuito.
II. MATERIALES Y EQUIPO
- Multímetro
- Diodo de Silicio y Germanio
- Resistencia de 1KOhm
- Una fuente DC variable

III. FUNDAMENTO TEORICO

El diodo es un dispositivo semiconductor de dos terminales que permite la circulación de la corriente

eléctrica a través de él en un solo sentido. El diodo posee las siguientes funciones:
- Rectificar: son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier señal, como paso
inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua
- Proteger: en un circuito en donde convenga que la corriente circule solamente en un determinado
sentido, y nunca en el sentido contrario, puede ser protegido por la presencia de un diodo.
El diodo está hecho de cristal semiconductor, como el silicio, con impurezas en él para crear una región
que contiene portadores de carga negativa (electrones), llamado semiconductor de tipo n, y una región en
el otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las
terminales del diodo se unen a cada región. El límite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una
unión PN, es donde el cristal conduce una corriente de electrones del lado n, pero no en la dirección
opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del ánodo al cátodo.

Diodos semiconductores PN
Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores extrínsecos tipos p y n, por lo que también
reciben la denominación de unión pn. Al unir ambos cristales, se manifiestan dos procesos:
1. La difusión de huecos del cristal p al n
2. Una corriente de electrones del cristal n al p
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unión, zona
denominada región de agotamiento. A medida que progresa el proceso de difusión, la región de
agotamiento va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión.

Docentes: Msc. Edith C. Paredes Ch. ,

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Sin embargo, la acumulación de cargas induce una diferencia de tensión (V) que actuará sobre los
electrones con una determinada fuerza de desplazamiento que se opondrá a la difusión de huecos y a la
corriente de electrones y terminará deteniéndolos. [Esta diferencia de tensión de equilibrio (V0) es de 0,7V
en el caso del silicio y 0,3V si los cristales son de germanio.]

Polarización inversa
Durante la polarización inversa el polo negativo de la batería se conecta a la zona p (la de menor tensión),
lo que hace aumentar la zona de carga espacial y la tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor
de la tensión de la batería. En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo,
produce una pequeña corriente del orden de 1 μA.

Polarización directa

En este caso, al contrario que en el anterior, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de
carga espacial, permitiendo el paso de las corrientes de electrones y huecos a través de la unión; es decir,
el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.

IV PROCEDIMIENTO
EXPERIENCIA 1: MEDICIÓN CON DIODOS
1 Polarización Directa:
Se coloca el cable de color rojo en el ánodo de diodo (el lado de diodo que no tiene la franja) y el cable de
color negro en el cátodo (este lado tiene la franja). El propósito es que el multímetro inyecte una corriente
continua en el diodo (este es el proceso que se hace cuando se miden resistores).
– Si la resistencia que se lee es baja indica que el diodo, cuando está polarizado en directo, funciona bien
y circula corriente a través de él
– Si esta resistencia es muy alta, puede ser una indicación de que el diodo esté “abierto” y deba que ser
reemplazado.

Germanio: Rd = 0.07 M ohms

Silicio: Rd = 2.25 M ohms

2 Polarización Inversa:

Se coloca el cable de color rojo en el cátodo y el cable negro en el ánodo del diodo. En este caso como
en anterior el propósito es hacer circular corriente a través del diodo, pero ahora en sentido opuesto a la
flecha de éste.
Si la resistencia leída es muy alta, esto nos indica que el diodo se comporta como se esperaba, pues un
diodo polarizado en inverso casi no conduce corriente.

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Si esta resistencia es muy baja puede se una indicación de que el diodo está en “corto” y deba ser
reemplazado.
Nota: – El cable rojo debe ir conectado al terminal del mismo color en el multímetro – El cable negro debe
ir conectado al terminal del mismo color en el multímetro (el común / common).

Germanio: Rd = 0.02 M ohms

Silicio: Rd = 0 ohms
3 Realizadas las pruebas 1 y 2 determine el estado de operación del diodo conduce o no conduce y
complete

Diodo de Germanio: Estado = 0.276 V

Diodo de Silicio:Estado = 0.57 V

EXPERIENCIA 2: CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO

4 Arme el circuito de la figura 1

+

V
d

Figura No 1
5 Encienda la fuente y variando el voltaje desde 0 V hasta 3 V, mida la corriente de diodo (Id) y el
voltaje de diodo (Vd). Luego complete la tabla.

AA 118 AA 118 IN4007 IN4007

Vd (V) Germanio Germanio Silicio Silicio
Vd (mV) Id(mA) Vd Id (mA)
0.0 0 0 0.25 0

0.20 142 0.039 165 0.023

0.30 161 0.093 229 0.047

0.40 172 0.153 279 0.08

0.50 180 0.214 319 121

0.60 183 0.277 351 166

0.70 189 0.340 377 217

0.80 194 0.405 400 268

0.90 197 0.470 420 322

1.00 200 0.534 435 377

2.00 217 1.19 536 978

3.00 227 1.85 584 1.61

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4.00 234 2.55 619 2.25

5.00 239 3.17 646 2.90

6.00 243 3.84 667 3.56

7.00 249 4.5 684 4.21

8.00 261 5.18 702 4.88

6 Grafique, a escala adecuada, la curva característica v (x) versus-i (y) de ambos diodos.
7 Experimentalmente cuales son los voltajes umbrales, VTR, (voltaje de funcionamiento ó apertura)
de cada diodo.

VTR Ge = 3.3V

VTR Si = 0.07V

NOTA:
● El Voltaje umbral del diodo de Germanio es aprox. desde 0.2 – 0.3 V
● El Voltaje umbral del diodo de Silicio es aprox. desde 0.7 – 0.8 V

EXPERIENCIA 2: EL DIODO COMO CONMUTADOR ELÉCTRICO

8 Arme el circuito de la figura 2

1
k
Ω

Figura 2

9 Cierre el switch ¿Que sucede?

Al cerrar el switch, se apaga el Led

10 Habra el switch, invierta el diodo. Luego vuelva a cerrar el switch. ¿Qué sucede?
No conduce la corriente, por ello no se enciende el led

11 ¿Cuál es la relación entre la corriente necesaria para encender la lámpara y la polaridad del voltaje
de la fuente con el diodo?
Al invertir la polaridad, no conduce la corriente, pero en directa si conduce.

V RESPONDER
1 Explicar las curvas obtenidas del silicio como la del germanio

Tomando las medidas en la experimentación de los diodo, encoyla diferente primero en los diodos, a mayor
voltaje el su corriente es menor. Y en lodiferencia con el diodo de silicio y Germanio, obtenemos mayor
voltaje en el Diodo de Germanio, es por ello q también es un semiconductor recomendado.

2 Aplicaciones de los diodos

Cómo en el uso de Switch y regulador de voltaje

3 Tipos de diodos
En su diversidad encontramos una variedad, cómo el Zener, fotodiodo, led, túnel, regulador de
corriente.

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CONCLUSIONES

Para el laboratorio de los diodos semiconductores, nos hemos basado en tres partes primero el
reconocimiento de la resistencia del Diodo tanto del Silicio como del Germanio. Seguidamente tomamos
las medidas del voltaje y de la corriente dando una variante en la práctica. Para este circuito utilizamos
una resistencia de 1.1k ohms.
Y por último armamos un circuito poniendo a prueba el Diodo. Dando como resultado que un Diodo
invertido no permite la circulación de la corriente.
Sugerencia: Tomar en cuenta el margen de error de los equipos, simular el procedimiento para tener una
referencia en demostrar las definiciones de los diodos.

Anexo: Datos y gráfica de la experimentación del Diodo de Silicio y de Germanio.

V mA
0.0 0
6
0.20 0.023
0.30 0.047 5 5
4.3 4.4 4.5
0.40 0.08
0.50 0.121 4 3.5
0.60 0.166
2.8
0.70 0.217 3 2.4 2.5 3
0.80 0.268
1.8
0.90 0.322 2 2 2
1.00 0.377
2.00 0.978 1
3.00 1.61
4.00 2.25 0
5.00 2.90 Categoría 1 Categoría 2 Categoría 3 Categoría 4
6.00 3.56 Serie 1 Serie 2 Serie 3
7.00 4.21
8.00 4.88

V mA
0.0 0 V - mA
0.20 0.039
0.30 0.093 6
0.40 0.153
0.50 0.214 5 5
0.60 0.277
0.70 0.340 4
0.80 0.405 Serie 1
0.90 0.470 3 3
Serie 2
1.00 0.534
2.00 1.19 2 2 2 Serie 3
3.00 1.85
4.00 2.55 1
5.00 3.17
6.00 3.84
0
7.00 4.5
Categoría 1 Categoría 2 Categoría 3 Categoría 4
8.00 5.18

Docentes: Msc. Edith C. Paredes Ch. ,

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