PONTIFICIA UNIVERSIDAD CATÓLICA MADRE Y MAESTRA FACULTAD

DE CIENCIA DE LA INGENIERÍA DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA

ELECTRÓNICA Y ELECTROMECÁNICA

Lab. Electrónica I
(ITE212-102)
Practica #2
“Características del diodo semiconductor.”

Presentado por: JosephMolesky

Matricula: 1013-8477

Entregado a: Ing. Pablo R. Crisóstomo

Fecha de Realización: 21 de mayo del 2021
Fecha de Entrega: 28 de mayo del 2021

SANTIAGO DE LOS CABALLEROS, REPUBLICA DOMINICANA

 Índice
Objetivos……………………………………………………………. 1
Marco Teórico………………………………………………………. 2
Materiales …………………………………………………………... 5
Procedimiento………………………………………………………. 6
Conclusión …………………………………………………………. 10
Anexos ……………………………………………………………… 11
Bibliografía…………………………………………………………. 12
 Objetivos

Objetivo General

• Determinar las características de un diodo semiconductor.

Objetivos Específicos

• Percibir las diferencias entre el diodo semiconductor y el diodo de tubo al vacío.

• Determinar los diferentes tipos de resistencia en un diodo semiconductor (polarización
directa e inversa).

1
 Marco Teórico

Tipos de Semiconductores:

Tipo “N”, la combinación de un material donante con el cristal de germanio o silicio

produce un semiconductor “N”. este material es donante, puede ser el arsénico o el antimonio
(pues son pentavalentes), al combinarse con el material cristalino, comparte cuatro de sus
electrones de valencia (de cinco en total) con electrones de átomos vecinos de germanio; de esta
forma obtenemos el máximo de ligaduras de valencia que son 4 posibles, ya que el electrón
restante será el encargado de ser el portador mayoritario cuando el material tipo “N” sea excitado
por alguna diferencia de potencial.

Imagen 1. Formación básica de un semiconductor “N”

Tipo “P”, la combinación de un material aceptante con el cristal de germanio o silicio da lugar al
semiconductor “P”. Este material aceptante, puede ser el galio o el aluminio, (pues son
trivalentes), al combinarse con el material cristalino, comparte tres de sus electrones de valencia
para formar pares de valencia con tres electrones de valencia de otros tantos átomos vecinos de
Ge. Sin embargo, es posible formar un cuarto par de valencia en la última órbita del galio, debido
a que el propio átomo de galio recibe un electrón de algún átomo vecino de germanio, con lo
cual se forma la cuarta ligadura. Esto produce que aparezcan huecos dejados por los electrones
que se fueron a formar pares a la órbita de valencia.

Imagen 2. Formación básica de un semiconductor “P”

2
El diodo semiconductor:

Cuando se pone un semiconductor tipo P en contacto físico y eléctrico con un

semiconductor tipo N, resulta un diodo. Entre los semiconductores tipo N y tipo P se forma una
unión que, es el bloque constitutivo esencial de gran cantidad de dispositivos.

Un diodo es un dispositivo que conduce la corriente en un sentido, pero no en el opuesto.

En él se representa la doble capa de carga que se forma a lo largo de la unión PN y el que evita la
difusión de electrones y huecos entre las dos regiones. Cuando se conecta el lado p del diodo a la
termina negativa de una batería decimos que el diodo esta polarizado inversamente, en esta
configuración la tensión de la batería aumenta la carga a lo largo de la unión PN, con lo que se
obstaculiza aún más la difusión de huecos y electrones [2]. En cambio, cuando se hace de manera
directa tenemos un aumento en la permitividad de los materiales dentro del semiconductor ya
que se incentiva el flujo de electrones y protones a través de sus respectivas terminales en el
diodo produciéndose así un flujo de corriente activa.

Imagen 3. Esquema unión “PN”

El Diodo de Vacío:

El diodo de vacío básico, al igual que su homólogo en estado sólido, consta de dos
electrodos el cátodo y el ánodo. Dichos electrodos se encuentran en un recinto en el que se ha
practicado el vacío, el cual suele ser una ampolla de vidrio. Para su funcionamiento se incorpora
otros dos terminales que corresponden al filamento calefactor. El diodo de vacío se construye de
manera que facilite su funcionamiento. El filamento, o se coloca muy próximo al cátodo o forma
parte de él. El cátodo es metálico o de otro material que emita fácilmente electrones al calentarlo.

3
Se podría destacar las mayores ventajas del diodo semiconductor en contra del de tubo de vacío
como las siguientes:

• Menor tamaño.
• Mayor rapidez de respuesta.
• Mejor manejo de la energía.
• No necesita calentarse.
• Requiere una menor cantidad de energía.

4
 Materiales y Equipos

• Simulador ISIS Proteus en su versión 8.8 profesional para Windows 10 de 64 bits.

• Fuente de voltaje en DC, en el simulador proteus, capaz de simular hasta +1000 V.
• Diodo 1N5408 fabricado por Diodes Inc. Con capacidades de 1 kV, 3.00 A y un tiempo
de reacción de 3.00 uS.
• Resistencia 10WATT560R fabricado por Maplin con valor constante de 560 Ω y 10
Watts de potencia.
• Voltímetro de simulación en proteus.
• Amperímetro de simulación en proteus.
• Cables.

5
 Procedimiento
I.
Para la comprobación del correcto funcionamiento de un diodo semiconductor en un tester se deben
conectar las terminales del diodo en serie con un tester en modo de amperímetro, comprobar si fluye
o no la corriente, invertir las conexiones en las terminales y comprobar, entonces si conduce en
ambas direcciones o no conduce en ninguna se procede a definir el diodo como inservible o dañado.
Para identificar la polaridad del diodo se debe comprobar hacia donde apunta la flecha de este, hacia
donde apunte la flecha (la punta) en ese lado se encontrará el cátodo (componente negativo), y la
base de la flecha sería el ánodo (componente positiva). Cabe destacar de que en la dirección de la
flecha es que la corriente fluye en un circuito con el diodo montado.

II & III.
Primero se procedió a buscar todos los elementos necesarios, luego se procedió a montar el
siguiente circuito para la comprobación del diodo en polarización directa.

R2
+5.36
560R AC mA

FUENTE
3.5

+0.50
D1 Volts
1N5408

Imagen 4. Circuito en polarización directa.

Para esto se conectaron en serie la fuente, la resistencia, un amperímetro y el diodo, en paralelo
con este último un voltímetro, todo esto finalmente aterrizado en tierra.

Posterior a eso se procedió a aumentar gradualmente el valor de la fuente esto para deslumbrar
cuando la unión PN inicia a trabajar.

6
 Vd (V) 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.62 0.64 0.66 0.68 0.70
Id(mA) 0.0 0.0 0.0 0.06 0.54 4.92 48.9 79.3 115 177 276 424
Tabla 1. Datos obtenidos en el circuito de la imagen 4.

IV.
Inicialmente se invirtió el diodo resultando en el circuito que se expresa en la imagen 5. Posterior
a armado el circuito se estableció el orden de medición del amperímetro en micro amperes (µA).

R2
+88.8
560R AC µA

FUENTE
3.5

Volts
+88.8
D1
1N5408

Imagen 5. Circuito diodo invertido.

Con el circuito ya armado se procedió a darle valores a la fuente concernientes para poder llenar
los valores de la siguiente tabla.
Vd (V) -1 -2 -5 -10 -15 -20 -25 -30 -35 -40 -45 -50
Id(µA) 0.07 0.08 0.11 0.16 0.21 0.26 0.31 0.36 0.41 0.46 0.51 0.56
Tabla 2. Datos obtenidos del circuito de la imagen 5.

7
V.

Imagen 6. Grafica diodo semiconductor (Polarización directa, tabla 1)

Imagen 7. Grafica diodo semiconductor (polarización inversa, tabla 2)

8
VI.

Para proceder con el cálculo primero se inició con la ley de ohm la cual reza que R= V/I, como
todo está en serie se pudo tomar como referencia esta fórmula para determinar la resistencia
equivalente la cual sería la suma de la resistencia del resistor de 560 Ω lo cual la resistencia del
diodo seria la diferencia entre esta constante y el valor obtenido de la formula anteriormente
mencionada.

Para la polarización directa la resistencia del diodo es variable como se puede ver en la grafica
de la imagen 6 ya que la resistencia seria la pendiente del gráfico, además de que en polarización
directa existe una barrera entre la diferencia de potencial en la cual el diodo empieza a conducir
todo esto se puede ver en la lectura de datos de la gráfica de la imagen 6. Por lo tanto, como es
variable se tomará como punto de referencia la resistencia promedio del diodo. Se obviaron los
valores donde Id era igual a 0 ya que esto daría un resultado infinito.
Vd(V) 0.4 0.5 0.6 0.62 0.64 0.66 0.68 0.70
Id(mA) 0.54 4.92 48.9 79.3 115 177 276 424
R(Ω) 740.07 101.63 12.27 7.82 5.65 3.73 2.46 1.65

Tabla 3. Determinación de la resistencia variables del diodo.

Ya luego de sumar los valores de la resistencia y dividir por el número de particiones enlistadas
tenemos que 875.28/8=109.41 Ω esta sería la resistencia equivalente del diodo en polarización
directa, esta resistencia se conoce como resistencia variable. Ya tomando en cuenta los valores
que contienen 0 al principio podríamos considerar la resistencia estática del diodo como hasta el
infinito ya que la corriente no fluye, es 0.

Para el diodo en polarización inversa se puede determinar mediante la pendiente de la gráfica de

la imagen 7 ya que la pendiente es la resistencia y es una línea recta. Tenemos que R=(Y2-
Y1)/(X2-X1) por lo que (-10+5)/(0.0000016-0.0000011) tendríamos una resistencia estimada en
alrededor de 10M Ω lo cual es casi considerado como un circuito abierto.

9
 Análisis de datos y Conclusión.

Primeramente, se puede decir que la práctica fue un éxito ya que se cometieron todos los
objetivos propuestos en la misma, además de los personales, todo esto a través del procedimiento
enlistado en la práctica el cual es un desarrollo del instructivo de la misma. Algunos de los
posibles motivos de error en la misma es el uso de simuladores los cuales pueden tener
mediciones en condiciones donde en la práctica sería un cero rotundo.

Finalmente, en cuanto a los resultados obtenidos se podría iniciar mencionando el funcionamiento

del diodo en polarización directa, donde se pudo percibir el hecho de que a través del voltaje existe
un punto en el que el diodo empieza a circular la corriente de manera más fluida, en teoría este punto
es de 0.7 voltios donde empieza a circular corriente, pero en la información recogida en la table del
número 1 como alrededor de los 0.5 voltios ya el diodo presentaba fluidez en la corriente. Esto queda
aún más refutado cuando se ve la gráfica de la imagen 6 como la gráfica aumenta su valor en la
medida que aumenta el voltaje. Del diodo inverso se podría mencionar su cualidad en cuanto a la
resistencia y la peculiaridad de que esta en la gráfica sea una línea recta y esta finalmente daría como
resultado una resistencia en Mega ohmios lo cual es grande.

10
 Anexos

R2
+0.16
560R AC µA

FUENTE
10

Volts
-10.00
D1
1N5408

11
 Bibliografía

[1] A. Zetina y A. Zetina C, Electronica Basica, Sevilla: Editorial Limusa S.A., 2001.

[2] A. H. Cromer, Fisica En La Ciencia y En La Industria., Guadalajara, 2006.

12