Circuitos integrados

Diseño del Circuito

Creación de Máscaras Creción del Sustrato Deposición de Óxido

Deposición de Material
Ataque Químico Fotolitografía
Semiconductivo

Implantación de Iones Deposición de Capas Metálicas Recubrimiento Dieléctrico

Encapsulado Pruebas y Calibración

Las operaciones de transformación más

críticas en el proceso de fabricación
de circuitos integrados (CI)
suelen ser aquellas que
tienen un impacto significativo
en la precisión, la resolución
y la calidad del producto
final
 descripcion Deposición de

Diseño del
fases Óxido
Aplicación de una capa delgada de
óxido de silicio para aislar capas
Circuito Creción del posteriores.
Desarrollo del diseño del circuito
mediante herramientas de diseño
Sustrato
Preparación del sustrato de
asistido por ordenador (CAD). silicio.
Limpieza y tratamiento
Creación de para eliminar impurezas y
crear una superficie
Máscaras uniforme.

Generación de máscaras
Deposición de
Material fotolitográficas basadas en el Implantación de
Semiconductivo diseño del circuito. Iones
Deposición de una capa de Introducción controlada de iones
material semiconductor en áreas específicas para
(generalmente silicio) sobre el modificar las propiedades
sustrato. Ataque Químico eléctricas
Eliminación de áreas no
Fotolitografía deseadas mediante un proceso
químico (ataque ácido o
Exposición de las capas con las alcalino).
máscaras fotolitográficas.

Deposición de Pruebas y
Capas Metálicas Recubrimiento Calibración
Aplicación de capas metálicas Dieléctrico Verificación de la funcionalidad
(usualmente aluminio) para del CI mediante pruebas
conectar componentes del Aplicación de capas dieléctricas eléctricas y calibración.
circuito. para aislar y proteger las
capas metálicas.