Instituto Tecnológico de

Estudios Superiores de Occidente

Dispositivos Electrónicos Semiconductores

Reporte Final de Proyecto:

Sistema de medición de reflectancia de superficie
con recubrimiento óptico de SiO2

Autores:
Brando Figueroa Rábago
Isaac Newton Reynoso
M. Fernanda Piña Delgadillo

Profesor: Esteban Martínez Guerrero Fecha: 30/11/2021

 Sistema de medición de reflectancia de superficie con recubrimiento óptico

Contenido
Marco teórico ........................................................................................................................................ 3

Desarrollo............................................................................................................................................... 4

Resultados .............................................................................................................................................. 6

Conclusiones .......................................................................................................................................... 7

Referencias bibliográficas .................................................................................................................... 9

Anexos .................................................................................................................................................. 10

2
 Sistema de medición de reflectancia de superficie con recubrimiento óptico
Marco teórico
Los recubrimientos ópticos consisten en una
capa superficial que se deposita sobre alguna
lente, esto para alterar las propiedades de
reflexión y transmisión de luz, sin alterar su
composición química (Orgaz, 1985). El
funcionamiento de los recubrimientos ópticos
se basa en la interferencia de los haces
múltiples originados por la reflexión de la
radiación electromagnética en las intercaras de
separación de las capas que lo forman
(Fernández et al, 2006).
Existen varios tipos de recubrimientos
ópticos, que se derivan principalmente de las
funciones de sus capas, se pueden encontrar
capas antirreflejantes para aplicaciones
tradicionales como las lentes o incluso capas
absorbentes para aplicaciones fotocromáticas.
Por ejemplo, los recubrimientos
antirreflejantes, son muy utilizados para evitar
reflexiones sobre los vidrios oftálmicos de
gafas, en lentes para objetivos de cámaras,
primas de microscopios, etc. Pero hablando
sobre espectros de reflectancias típicos, para un
vidrio de índice de refracción de 1.52, el
recubrimiento antirreflejante deberá tener un
índice de refracción de 1.23.13 Este bajo índice
de refracción hace prácticamente imposible
diseñar un recubrimiento de capa simple
(Orgaz, 1985).
Además, también existen recubrimientos
UV, que se relaciona sencillamente con la
protección de la luz ultravioleta proveniente del
Sol y así evitar problemas oculares. Existe el
recubrimiento UV de aluminio mejorado con
una reflectividad promedio superior al 90% de
250 a 600 nm (Gutiérrez, 2016). Pero hasta el
momento los recubrimientos ópticos que más
predominan por su funcionalidad son los
antirreflejantes, es común encontrar que los
recubrimientos UV se encuentran de la mano
con los antirreflejantes.
3
Los avances en la creación de nuevos y
mejores recubrimientos ópticos cuentan con un
crecimiento exponencial llevando la protección
y modificación de los materiales a otro nivel.
Mientras que, las deposiciones de
recubrimientos como películas de plata son
herramientas de gran uso en la actualidad,
pueden usarse como electrodo activo para
procesar un supercondensador, esto es
conveniente en aplicaciones de circuitos de
recuperación rápida de energía o en protección
a circuitos de linternas (Oje et al, 2019).
Con la finalidad de conocer los avances que
han tenido estos recubrimientos en el campo de
la nanotecnología y sus aplicaciones en la
óptica, este proyecto será desarrollado en base
a las películas con un nano recubrimiento de
dióxido de silicio sobre silicio elaboradas en la
evaporadora por haz de electrones.
El silicio es el semiconductor líder en la
industria de la microelectrónica. Sin embargo,
debido a su banda prohibida indirecta que hace
que el silicio sea un emisor de luz deficiente y
la ausencia defectos electroópticos, este
semiconductor ha sido considerado no apto
para aplicaciones optoelectrónicas durante
mucho tiempo. Se ha informado que varios
materiales basados en silicio (Si) resuelven la
incapacidad física del silicio para actuar como
emisor de luz, incluidas las películas delgadas.
La clave de las excelentes propiedades de
emisión de luz en estos materiales son las
nanopartículas de silicio incrustadas (Vázquez-
Valerdi et al, 2011).
Índice de refracción de las películas SiO2 obtenido de
Vázquez-Valerdi et al, 2011
 Sistema de medición de reflectancia de superficie con recubrimiento óptico
Absorción FTIR de las películas SiO2 obtenido de
Vázquez-Valerdi et al, 2011
La fotoluminiscencia de las películas de
dióxido de silicio en el experimento de
Vázquez-Valerdi et al, presentan corrimientos
entre 650 nm y 712 nm. Además, con respecto
a la absorbancia de las películas de dióxido de
silicio, se observan los tres picos de absorción
característicos que corresponden a los modos
de vibración de estiramiento (1084 cm-1),
doblamiento (812 cm-1) y balanceo (458 cm-1)
de los enlaces Si-O-Si también conforme a la
temperatura. Por último, en este mismo
experimento se calcula el índice de refracción
de las películas de SiO2 que varía entre 1.7 y 2.3
pero a comparación del corrimiento de
fotoluminiscencia, el índice de refracción si
varía conforme a la temperatura. A partir de
estos datos experimentados del 2011 podemos
tener una idea de los valores aproximados que
podemos obtener para nuestra muestra de una
oblea de silicio recubierta con una película de
150nm de dióxido de silicio.
Los diodos emisores de luz son dispositivos
que dependen de la corriente con su caída de
voltaje directo. Además de esto dependen del
compuesto semiconductor y de la corriente
polarizada de forma directa. Por lo que estos
compuestos electrónicos necesitan voltajes
mínimos que les permite operar de forma
adecuada. El voltaje de la corriente directa
usada para el compuesto varía dependiendo
según el material y cada uno de los colores de
los LED varían de un material y compuesto
4
semiconductor para generar la longitud de onda
deseada. De forma que cada LED necesita una
corriente particular y un voltaje para su
funcionamiento de forma adecuada [Anexos,
figura 1].
Existe el valor de flujo luminoso que es
un atributo en la percepción visual de forma en
la que una fuente irradia o refleja la luz. El flujo
luminoso es una medida en lumen que es la
potencia luminosa medida, esta se multiplica
por la escala V-λ (Voltaje y longitud de onda)
(Larimore, 2010) [Anexos, figura 2-4].
Para cuantificar el valor de la luminosidad
en retrospectiva de la longitud de onda. Existe
una curva que modela la respuesta del ojo a los
niveles de intensidad de luz que son típicos de
un diodo (HP, 1995), [Anexos, figura 3].
Mientras que la sensibilidad relativa cuantal es
una función del número de onda para los
protanopes y deuteranopes. Esta curva presenta
la diferencia psicofísica estimada del
coeficiente pigmento visual predictivo de
obrepción (Smith, 1975) [Anexos, figura 5-6].
Desarrollo
Circuito Fotoemisor
La primera parte consistió en construir el
diagrama mostrado en la Figura 8 de
Anexos en el simulador TINA-TI y así poder
realizar las predicciones acerca del circuito
fotoemisor. Una vez que se obtuvieron todos
los valores de cada uno de los componentes
electrónicos se realizó un cálculo usando
la Ecuación 1. Para obtener los valores de las
resistencias para cada uno de los LED’s que se
usarían en el circuito.
Rf=Vout−VfIfRf=Vout−VfIf
Ecuación 1: Ley de Ohm resultante para la resistencia
Partiendo de la Ecuación 1, se calcularon
todos los valores de las resistencias que se
necesitarían a partir de los valores voltaje de
la Figura 7 de Anexos. Estos valores están
expresados en la Tabla 1.
 Sistema de medición de reflectancia de superficie con recubrimiento óptico
Tabla 1: Valores de los resistores RCL para cada uno de
los LED
Después se realizó un análisis de resultados
de DC para obtener los parámetros y valores de
cada uno de los componentes que se muestran
en la Tabla 2.
Tabla 2: Corrientes simuladas de los LED
Una vez obtenidos todos los valores de las
corrientes, se prosiguió a realizar el diseño en
la protoboard de la Figura 8 de Anexos. Para
realizar esto, primero se investiga el diagrama
de conexión del OpAmp TL084, que se
muestra en la Figura 9 de Anexos, para
entender la forma en la que se conecta y se usa
dicho componente electrónico. Debido a que es
uno de los propósitos generales de este sistema,
el aprender a usar el amplificador operacional.
Una vez entendido el desarrollo y
funcionamiento de dicho amplificador se
prosiguió a realizar el sistema en la protoboard.
Dicho sistema quedo como en la Imagen 1,
usando el componente BJT (BC337-25) tipo
NPN, siguiendo su diagrama de operación de la
Figura 10 de Anexos. Se realizaron las pruebas
y mediciones para cada uno de los LED: azul,
verde, blanco, amarillo, rojo e infrarrojo.
5
Imagen 1: Circuito integrado de fotoemisor
Adicionalmente hubo unos cambios en
algunos de los parámetros y valores de los
componentes electrónicos. Debido a que no se
tenían con exactitud el valor específico de dicho
componente. En el esquemático de la Imagen
1, V1 es una fuente de poder con un voltaje de
DC de 10 V; C1 es un capacitor electrolítico de
por lo menos 10 μF, su utilidad en el circuito es
filtrar el ruido proveniente de la fuente de
poder; R1=1 kW y R2 = 3.3 kW forman un
divisor de voltaje para generar un voltaje de
5.8V en la entrada (+) del OpAmp; R3 = 100
kW se utiliza para mantener encendido todo el
tiempo el BJT, R4 = 1 kW es un resistor para
mantener Vref en la entrada (-) del OpAmp y el
BJT puede ser cualquier transistor NP.
Circuito Fotoreceptor
La segunda parte consistió en construir el
diagrama mostrado en la Figura 11 de
Anexos en el simulador TINA-TI y así poder
realizar las predicciones acerca del circuito
fotoreceptor.
Como objetivo principal para este reporte de
proyecto era hacer uso del fotodiodo para
analizar y conocer el comportamiento de dicho
componente electrónico, el cual se observa en
la Figura 13 de Anexos. Para realizar dicho
sistema se siguió el esquemático mostrado en
la Figura 11 de Anexos.
Para realizar dicho sistema en
la protoboard se tuvo que usar un fotodiodo al
 Sistema de medición de reflectancia de superficie con recubrimiento óptico
cual se le tuvo que medir el valor de corriente
eléctrica que pasaba por el con una resistencia
de 1kΩ conectado a tierra. El valor
experimental fue de 130 µA con el sistema
montado en la Figura 11 de Anexos. Una vez
obtenido este valor se prosiguió a hacer el
cálculo de la resistencia RF, que es el resistor
que define la ganancia del amplificador.
Usando la Ecuación 2 como se muestra a
continuación.
RF=Vout/IF=5V/130μA=38.5kΩ
Ecuación 2: Ecuación de Corriente-Voltaje sustituido
con los valores experimentales
Este fue el valor calculado de la resistencia
al momento de hacer los cálculos teóricos.
Para el momento de realizar la experimentación
se usó un resistor de valor de 47 kΩ. Una vez
obtenidos estos valores se construye el
esquemático en la protoboard como se muestra
en la Imagen 2.
Imagen 2. Circuito integrado fotoreceptor
En el esquemático de la Imagen 2 acorde al
diagrama de la Figura 11 de Anexos, se
utilizaron dos fuentes de poder con un voltaje
de DC de 5 V cada una; C1 y C3 son capacitores
electrolíticos de por lo menos 10 μF, mientras
que C2 y C4 son de valor de 0.1 μF, su utilidad
en el circuito es filtrar el ruido proveniente de
la fuente de poder; CF es un capacitor cerámico
de 3.3 pF, y da estabilidad en frecuencia al
amplificador. R1=1 kΩ.
Se observan ambos circuitos armados, tanto
el fotoreceptor como el fotoemisor en la Figura
6
16 de Anexos, donde los respectivos
componentes utilizados aparecen desglosados
en la Figura 15 de Anexos
Resultados
Para el circuito fotoemisor se realizaron
ciertas correcciones de los resistores, estos
ajustes están representados como RUSE en
la Tabla 3.
Tabla 3: Valores de los resistores RCL para los LED
Para el circuito fotoreceptor usando los
valores ratificados y de valor experimental se
realizaron las pruebas para ver el
comportamiento del voltaje medido entre el
capacitor CF y tierra. Dependiente a la cantidad
de exposición de luz de los LED del celular
acercando y alejando la fuente de luz. Los datos
obtenidos fueron entre un intervalo de
76.2 mV a 84.2 mV.
Mientras que, en el simulador TINA-TI se
realizó una simulación del esquemático de
la Figura 11 de Anexos modificando los
valores según la Ecuación 2 con la corriente
del fotodiodo medido y el valor de la resistencia
calculada. Efectivamente, obteniendo un valor
cercano al voltaje de salida esperado de ≈4 V,
como se observa en la Figura 12 de Anexos.
Finalmente, se monta el sistema de medición
de reflectancia con el fotoemisor y el
fotoreceptor a un ángulo de 30°, como se
observa en la Imagen 3, con los circuitos
conectados a sus respectivas fuentes de poder y
multímetro, mientras que en la Imagen 4 se
observa el sistema con la muestra del
recubrimiento montada dentro del sistema.
 Sistema de medición de reflectancia de superficie con recubrimiento óptico

los datos experimentales de nuestro sistema,

obteniendo la curva de la Grafica 1.

Recubrimiento SiO2
1
0.9

REFLECTANCIA
0.8
0.7
0.6
0.5
Imagen 4. Sistema de medición 0.4
0.3
400 500 600 700 800
LONGITUD DE ONDA

Gráfica 1. Reflectancia del recubrimiento óptico

De la gráfica, se puede recuperar el

comportamiento de la reflectancia, de nuestro
recubrimiento óptico, a simple vista no se ve un
comportamiento lineal. Además, a una longitud
alta, relacionada al infrarrojo, presenta una alta
reflectancia, lo cual en el futuro se deberá de
Imagen 5. Sistema de medición con la muestra comparar con otros experimentos.
Al realizar las mediciones con el multímetro
Conclusiones
de los voltajes de salida generados en el circuito
fotreceptor al encender un LED a la vez, Del circuito fotoemisor, se aprendió que
iniciando con el azul, después verde, blanco, para hacer encender los distintos LEDs se tuvo
amarillo, rojo y terminando con el infrarrojo. que calcular y modificar las resistencias, así
Para obtener los valores de la Tabla 4. como conseguir el transistor. Al probar la
Long funcionalidad del primer circuito se logran
Color Vo (mV) Ref/Trans Onda generar distintos haces de luz de distintas
Blanco -147 0.726643599 450 longitudes de onda como el azul, rojo, amarillo,
Azul -158 0.78101829 500 verde blanco e incluso el infrarrojo.
Verde -71.5 0.353435492 550
Mientras que, para el fotoreceptor también
Amarillo -146 0.721700445 600
se tuvo que modificar el valor de la resistencia
Rojo -92 0.454770143 700
para lograr un cambio notorio en el voltaje con
I.R. -202.3 1 800 presencia de alta iluminación y sin ella. Al
Tabla 4: Valores de la reflectancia obtenida
probar la funcionalidad del segundo circuito, se
Acorde a la Tabla 4, el voltaje más alto es el tuvo que iluminar la superficie del fotodiodo
infrarrojo, por lo cual, para calcular la con una fuente de luz de la linterna del
reflectancia se utiliza la Ecuación 4. celular, midiendo voltajes distintos.
Ref=VLED/Vmás alto Resaltando y observando las diferencias
Ecuación 3: Formula de reflectancia, acorde a los
voltajes
tanto de los fotoreceptores los cuales son
Posteriormente se grafica la longitud de altamente sensibles a la luz, así como
onda de la luz incidente vs la reflectancia, según los diodos fotoemisores que son emisores de
luz de distintas longitudes de onda. Para al

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 Sistema de medición de reflectancia de superficie con recubrimiento óptico

final, utilizar ambos sistemas para así de manera sencilla montando nuestros dos
caracterizar una muestra de recubrimiento circuitos.
óptico, logrando encontrar su reflectancia,

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 Sistema de medición de reflectancia de superficie con recubrimiento óptico

Referencias bibliográficas
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 Sistema de medición de reflectancia de superficie con recubrimiento óptico

Anexos

Figura 5. Relative quantal sensitivity vs. Wavelenght obtenido

de Smith, 1975

Figura 1. Forward current vs. Forward voltaje obtenido

de ASPENCORE, 2021

Figura 6. Responsivity vs. Wavelenght del diodo PC2-6B-TO52-

51 obtenido de Smith, 1975

Figura 2. Relative luminous intensity vs. Forward current

obtenido de Larimore, 2021

Figura 7. Curva FC vs Fv de distintos LEDs obtenido de Smith,

1975

Figura 3. Relative luminous intensity vs. Wavelength obtenido

de HP, 1995

Figura 8: Esquemático simulado del circuito fotoemisor

Figura 4. Reverse light current vs. Irradiance obtenido de

Mirat, 2004

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 Sistema de medición de reflectancia de superficie con recubrimiento óptico

Figura 13. Diagrama de conexión del fotodiodo PC2-6B-

Figura 9: Diagrama de conexión del Amplificador
TO52-S1 obtenido de HP, 1975
Operacional TL082 obtenido de Tulloch, 1996

Figura 10. Diagrama de conexión del BJT 202222

obtenido de ASPENCORE, 2021

Figura 14: Sistema montado para obtener la medición de

la corriente eléctrica para el fotodiodo

Figura 11.: Esquemático simulado del circuito fotoreceptor

Figura 12. Simulación del voltaje de salida con una corriente de saturación de 130uA

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 Sistema de medición de reflectancia de superficie con recubrimiento óptico

Figura 15. BOM del sistema

Figura 16. Circuito fotoemisor y circuito fotoreceptor

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