Transistor de efecto de campo Metal-Oxido

Semiconductor (MOSFET)
Adrian Livio Carhuaz Encinas Ing. Carlos Huayta Paucar
4to Semestre Circuitos electrónicos III: IMT-221
adrian.carhuaz@ucb.edu.bo Departamento de Ingeniería Mecatrónica

Resumen: En el siguiente artículo se presenta lo relacionado
con el Transistor de efecto de campo Metal-Oxido
Semiconductor (MOSFET), sus características, aplicaciones, su
curva característica y un circuito aplicativo
Palabras clave: Regulación, Inversor, Interruptor, Saturación,
Corte
Introducción
Los problemas que vienen presentando los transistores bipolares
o BJT, como son la corriente que soportan y la dependencia de la
temperatura a la que se ven sometidos, unas veces por su
emplazamiento, otras por un mal trazado y la más evidente, el efecto
llamado de avalancha. Estas evidencias, han llevado a que se
sustituyan por otros transistores más avanzados, hasta la llegada de
los MOSFET. Las ventajas que presentan este tipo de transistor, han
llevado a que ocupen un lugar importante dentro de la industria,
desplazando a los viejos BJT a otros fines. Los MOSFET de
potencia son muy populares para aplicaciones de baja tensión, baja
potencia y conmutación resistiva en altas frecuencias, como fuentes
de alimentación conmutadas, motores sin escobillas y aplicaciones
como robótica, CNC y electrodomésticos. La mayoría de sistemas
como lámparas, motores, drivers de estado sólido,
electrodomésticos, etc. utilizan dispositivos de control, los cuales
controlan el flujo de energía que se transfiere a la carga. Estos
dispositivos logran alta eficiencia variando su ciclo de trabajo para
regular la tensión de salida. Para realizar la parte de conmutación,
existen varios dispositivos semiconductores, a continuación, se
muestra una tabla con algunos de ellos.
Recubriendo este bloque se coloca una capa de óxido
metálico aislante que hace de dieléctrico o aislante entre la
fuente y el sumidero. Por encima de este óxido se coloca una
placa de metal conductor. El óxido con el metal forma la
tercera patilla o borne de conexión llamada puerta o gate (en
inglés). Tenemos 4 partes, pero solo 3 patillas, ya que el
sustrato está unido siempre a la puerta (gate), formando una
única patilla del transistor.
S y D = semiconductor/es.
• A un lado está la patilla llamada sumidero o
fuente (S).
• Al otro lado la patilla llamada Drenaje (D),
drenador o salida.
Entre estos dos terminales pasa la corriente cuando
activamos G por medio de tensión. La corriente cuando se
activa el transistor entra por S y sale por D, siempre que G
tenga una tensión mínima, llamada tensión Umbral o
threshold = Vth.
• G = puerta o gate. La parte de arriba es un metal
conductor y la de abajo el óxido.
• P = capa de semiconductor base o sustrato
contrario al semiconductor de S y D.
En la imagen de la izquierda es de tipo N y entonces el
sustrato debe ser P. Podría ser al revés, como puedes ver en la
imagen de la derecha. El canal que queda entre S y D es del
material del sustrato y se llama canal. Es la zona que hace de
aislante impidiendo el paso de corriente cuando aplicamos
tensión entre S y D. (AREATECNOLOGIA, s.f.)

Fig.1 Partes de un diodo

I. OBJETIVOS
A. Objetivo General
Investigar sobre las características, aplicaciones del
MOSFET en la electrónica Fig.2 Dispositivo de tipo P
B. Objetivo Especifico
Aprender la teoría del MOSFET para aplicarlo en nuestro
diseño
II. MARCO TEÓRICO
A. Estructura de los MOSFET
Los MOSFET se construyen sobre un semiconductor (tipo
N o P) que se llama sustrato. Sobre este semiconductor se
funden el sumidero y el drenaje (entrada y salida) que es un
semiconductor contrario al semiconductor usado para el
sustrato. En la imagen de abajo puedes ver el sustrato de tipo
P y el drenador y la fuente de tipo N.
Fig.3 Dispositivo de tipo N

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Fig.3 Vista Frontal de canal N
Fig.4 Vista Frontal de canal P
B. Simbologia
El sustrato, la fuente y el drenador forman dos uniones NP
o PN.
Los símbolos gráficos para los JFET de canal n y de canal
p se dan en la figura 5. Observe que la flecha apunta hacia
dentro para el dispositivo de canal n de la Fig. 5a para
representar la dirección en la cual IG fluiría si la unión p-n se
polarizará en directa. Para el dispositivo de canal p (Fig.5b) la
única dirección en el símbolo es la dirección de la flecha.
(BOYLESTAD, 2009)
Fig. 5 Simbología de JFET a) Canal n, b) Canal p
C. Caracteristicas
1.- Máxima tensión drenador-fuente
Corresponde a la tensión de ruptura de la unión que forman el
substrato (unido a la fuente) y el drenador. Se mide con la
puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qué pequeña
circulación de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA).
Ayuda a clasificar los MOSFETS en:
• Baja tensión: 15 V, 30 V, 45 V, 55 V, 60 V, 80 V
• Media tensión: 100 V, 150 V, 200 V, 400 V
• Alta tensión: 500 V, 600 V, 800 V, 1000 V
La máxima tensión drenador-fuente de representa como
𝑉𝐷𝑆𝑆 o como 𝑉 (𝐵𝑅)𝐷𝑆𝑆 (WIKILIBROS, 2020)
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2.- Máxima corriente de drenador
El fabricante suministra dos valores (al menos):
• Corriente continua máxima 𝑖𝐷
• Corriente máxima pulsada 𝑖𝐷𝑀
La corriente continua máxima 𝐼𝐷 depende de la
temperatura de la cápsula (WIKILIBROS, 2020)
Fig. 6 Grafica del Comportamiento
3.- Resistencia de conducción
Es uno del parámetro más importante en un MOSFET.
Cuanto menor sea, mejor es el dispositivo.
Se representa por las letras RDS(on).
Para un dispositivo particular, crece con la temperatura
Para un dispositivo particular, decrece con la tensión de
puerta. Este decrecimiento tiene un límite.
Comparando distintos dispositivos de valores de
ID semejantes, RDS(on) crece con el valor de VDSS.
En los últimos tiempos se han mejorado sustancialmente
los valores de RDS(on) en dispositivos de VDSS relativamente
alta (600-1000 V). (WIKILIBROS, 2020)
4. Tensiones umbral y máximas de puerta
La tensión puerta fuente debe alcanzar un valor umbral para
que comience a haber conducción entre drenador y fuente.
Los fabricantes definen la tensión umbral VGS(TO) como la
tensión puerta-fuente a la que la corriente de drenador es
0,25 mA, o 1 mA Las tensiones umbrales suelen estar en el
margen de 2-4 V. La tensión umbral cambia con la
temperatura. La máxima tensión soportable entre puerta y
fuente es típicamente de ± 20V. (WIKILIBROS, 2020)
Fig. 7 Dependencia de la tensión umbral con la
temperatura
5.- Velocidad de conmutación • Las capacidades relacionadas con la estructura MOS.
Están asociadas principalmente a la carga del canal
Los MOSFET de potencia son más rápidos que otros
(iones o cargas libres) y varían notoriamente en
dispositivos usados en electrónica de potencia (tiristores,
función de la región de operación del transistor, de
transistores bipolares, IGBT, etc.). Los MOSFET de potencia
modo que, en general, no es posible considerar un
son dispositivos de conducción unipolar. En ellos, los niveles
valor constante de las mismas. Se denominan
de corriente conducida no están asociados al aumento de la
Capacidades de Puerta.
concentración de portadores minoritarios, que luego son
difíciles de eliminar para que el dispositivo deje de conducir.
La limitación en la rapidez está asociada a la carga de las
capacidades parásitas del dispositivo. Se pueden distinguir
esencialmente tres:
• Capacidad de lineal, 𝐶𝐺𝑆
• Capacidad de lineal, 𝐶𝐷𝑆
• Capacidad Miller, No lineal, 𝐶𝐷𝐺
Los fabricantes de MOSFET de potencia suministran
información de tres capacidades distintas de las anteriores,
pero relacionadas con ellas:
• 𝐶𝑖𝑆𝑆 = 𝐶𝑔𝑠 + 𝐶𝑔𝑑 𝑐𝑜𝑛 𝑉𝑑𝑠 = 0 ( aproximadamente
capacidad de entrada)
• 𝐶𝑟𝑠𝑠 = 𝐶𝑑𝑠 + 𝐶𝑑𝑔 (Aproximadamente capacidad de
salida) Fig. 9 Ejemplo
La carga y la descarga de estas capacidades parásitas generan De ellas, las capacidades de Puerta suelen ser las más
pérdidas que condicionan las máximas frecuencias de significativas y dentro de ellas, la capacidad de Puerta-
conmutación de los MOSFET de potencia. Además, en Fuente CGS y de Drenador-Fuente, CDS son en general, las
general estas capacidades parásitas retrasan las variaciones de dominantes. En la siguiente figura, se muestran las curvas de
tensión, ocasionando en muchos circuitos convivencia entre entrada y salida de un transistor MOSFET N con Vt= 2V
tensión y corriente, lo que implica pérdidas en el proceso de conectado en Fuente común (SC), es decir, el terminal de
conmutación. (WIKILIBROS, 2020) (Garcia, 2012) Fuente, es común la señal de entrada VGS y las señales de
salida ID y VDS.
6.- Capacidades parásitas.
Al igual que en los transistores bipolares, la existencia de
condensadores parásitos en la estructura MOS origina el
retraso en la respuesta del mismo, cuando es excitado por una
señal de tensión o intensidad externa. La carga/descarga de los
condensadores parásitos, requiere un determinado tiempo, que
determina la capacidad de respuesta de los MOSFET a una
excitación. En la estructura y funcionamiento de estos
transistores se localizan dos grupos de capacidades:
• Las capacidades asociadas a las uniones PN de las
áreas de Drenador y Fuente. Son no lineales con las
tensiones de las uniones. Se denominan Capacidades Fig. 10 Curva de salida y característica de transferencia de
de Unión. (Garcia, 2012) un MOSFET

Estas curvas de salida, se obtienen al representar las

Fig. 8 Ejemplo
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variaciones de ID al aumentar VDS, para diferentes valores de
VGS, es decir, ID=ƒ(Vds)VGS=cte.
La curva más baja es la curva de VGS(T). Cuando VGS es
menor que VGS(T), la corriente de Drenador es extremadamente
pequeña. Cuando VGS es mayor que VGS(T), fluye una
considerable corriente, cuyo valor depende de VGS.
Si VGS≤VT, el transistor MOSFET, estará en la región de
corte y la corriente ID=0.
Si VGS≥VT, el transistor MOSFET, estará en la región de
conducción y se pueden dar dos casos:
a) Si VDS≥VGS-VT, el transistor MOSFET, estará en
la región de saturación y la corriente será constante para un
valor determinado de VGS. La curva de transferencia de la
figura que representa ID=ƒ(VDS)VGS=cte., se obtiene a partir de
las curvas de salida para una tensión VDS constante que sitúe
al transistor en saturación. Se observa que aproximadamente
corresponde a la curva de una parábola con vértice en VT y por
tanto, la corriente puede determinarse de forma aproximada
por:
ID=k(VGS-VT2
donde k es el parámetro de transconductancia del
MOSFET N y se mide en mA/V2.
b) Si VDS≤VGS-VT, el transistor MOSFET, estará en
la región óhmica de forma que, al aumentar VDS, también lo
harán la corriente y la resistencia del canal. El
comportamiento del transistor puede asociarse a la resistencia
que presenta el canal entre Drenador y Fuente. (Garcia, 2012)
D. Partes de curva caracteristica
• Regiones de operación.
Cuando ya existe canal inducido y VDS va aumentando,
el canal se contrae en el lado del Drenador, ya que la
diferencia de potencial Puerta-canal es en ese punto, más
baja y la zona de transición más ancha. Es decir, siempre
que exista canal estaremos en región óhmica y el
dispositivo presentará baja resistencia.
Fig. 11 Secciones de las regiones del MOSFET
La operación de un transistor MOSFET se puede dividir
en tres regiones de operación diferentes, dependiendo de las
tensiones en sus terminales. Para un transistor MOSFET N de
enriquecimiento se tienen las siguientes regiones: región de
corte, región óhmica y región de saturación.
• Región de corte. (Garcia, 2012)
El transistor estará en esta región, cuando VGS < Vt.
En estas condiciones el transistor MOSFET,
equivale eléctricamente a un circuito abierto, entre
los terminales del Drenador-Surtidor. De acuerdo
con el modelo básico del transistor, en esta región, el
dispositivo se encuentra apagado. No hay
conducción entre Drenador y Surtidor, de modo que
el MOSFET se comporta como un interruptor
abierto.
• Región de Ruptura
Esta zona apenas se utiliza porque el transistor
MOSFET pierde sus propiedades semiconductoras y
se puede llegar a romper el componente físico. La
palabra ruptura hace referencia a que se rompe la
unión semiconductora de la parte del terminal del
drenador.
-En tensión: no se puede superar el valor máximo de
tensión entre la puerta y el surtidor. Este valor se
denomina BVgs. Tampoco se puede superar un valor
máximo de tensión entre el drenador y el surtidor
denominado BVds
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- En corriente: no se puede superar un valor de
corriente por el drenador, conocido como Idmax.
–En potencia: este límite viene marcado por Pdmax,
y es la máxima potencia que puede disipar el
componente.
• Región Óhmica
Se representa por las letras 𝑅𝐷𝑆(𝑂𝑁) viene dado por la
expresión:
𝑉𝐷𝑆(𝑂𝑁) = 𝐼𝐷(𝑂𝑁) ∗ 𝑅𝐷𝑆(𝑂𝑁)
En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de
RDS(on) a una corriente de Drenaje (ID) específica y
el voltaje Puerta-Surtidor.
Así mismo, el transistor estará en la región óhmica,
cuando VGS > Vt y VDS < ( VGS – Vt ).
El MOSFET equivale a una resistencia variable
conectada entre el Drenador y Surtidor. El valor de
esta resistencia varía dependiendo del valor que
tenga la tensión entre la Puerta y el Surtidor (VGS).
• Región de Saturación (Garcia, 2012)
El transistor MOSFET entra en esta zona de
funcionamiento cuando la tensión entre el Drenador
y el Surtidor (VDS) supera un valor fijo denominado
tensión de saturación (Vds sat) Drenador-Surtidor;
este valor viene determinado en las hojas
características proporcionadas por el fabricante. En
esta zona, el MOSFET mantiene constante su
corriente de Drenador (ID), independientemente del
valor de tensión que haya entre el Drenador y el
Surtidor (VDS). Por lo tanto, el transistor equivale a
un generador de corriente continua de valor ID.
Es decir; el MOSFET estará en esta región, cuando
VGS > Vt y VDS > ( VGS – Vt )
O sea, estaremos en la región de saturación cuando
el canal se interrumpe o estrangula, lo que sucede
cuando:
VDS ≥ VGS – VT → Región de saturación
Cuando la tensión entre Drenador y Fuente supera
cierto límite, el canal de conducción, bajo la Puerta
sufre un estrangulamiento en las cercanías del
Drenador y desaparece. La corriente entre Fuente y
Drenador no se interrumpe, es debido al campo
eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de
la diferencia de potencial entre ambos terminales.
Fig. 12 Regiones de funcionamiento de un MOSFET
canal n cuando 𝑉𝐺𝑆 ≥ 𝑉𝑇
 En la figura anterior, la parte casi vertical
corresponde a la zona óhmica, y la parte casi
horizontal corresponde a la zona activa. El MOSFET
de enriquecimiento, puede funcionar en cualquiera
de ellas. En otras palabras, puede actuar como una
resistencia o como una fuente de corriente. El uso
principal está en la zona óhmica.
E. Aplicaciones del MOSFET (Garcia, 2012)
• El MOSFET como inversor
El funcionamiento del transistor MOSFET en
conmutación implica que la tensión de entrada y
salida del circuito posee una excursión de tensión,
elevada (de 0 a VDD) entre los niveles lógicos alto H
(asociada a la tensión VDD) y bajo L (asociada a la
tensión 0). Para el nivel bajo, se persigue que VGS >
Vt y que el transistor se encuentre trabajando en
la región óhmica, con lo cual VDS << 1. Mientras que
para en el nivel alto, se persigue que la tensión de
salida sea elevada, y en general, que el transistor esté
funcionando en la región de corte, con VDS >> 1. Se
puede considerar que, el transistor MOSFET es
capaz de funcionar como un interruptor.
El funcionamiento como inversor del transistor
MOSFET N se basa en sus características en
conmutación: pasando de la región de corte a
la región óhmica.
El transistor MOSFET en conmutación, basado en
un interruptor con resistencia de Drenador, es
fundamental en circuitos digitales, puesto que la
conmutación de corte a saturación y viceversa,
implica unos tiempos de retardo de gran
importancia en estos sistemas.
Inversor con carga pasiva. La palabra pasiva se
refiere a una resistencia normal como RD. En este
circuito Vin puede ser alta o baja.
Cuando Vin esta en nivel bajo, el MOSFET esta en
corte y Vout es igual a la tensión de alimentación.
Cuando Vin esta en nivel alto, el MOSFET esta en
conducción y Vout cae a un nivel bajo. Para que este
circuito funcione la corriente de saturación
ID(sat) tiene que ser menor que ID(on).
RDS(on)<< RD
Fig. 13 Esquema de inversor
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Se denomina inversor, por que la tensión de salida,
es de nivel opuesto a la tensión de entrada. Lo único
que se requiere en los circuitos de conmutación, es
que las tensiones de entrada y de salida se puedan
reconocer fácilmente, ya sea en nivel alto o bajo.
• El MOSFET como interruptor (Garcia, 2012)
Sabemos que si en un MOSFET la tensión entre
la Puerta y la Fuente es menor que la tensión umbral,
VGS<VT, el transistor está cortado. Es decir, entre los
terminales de Fuente y Drenador, la corriente es nula,
ya que existe un circuito abierto. Sin embargo,
cuando VGS es mayor que VT se crea el canal, y el
transistor entra en conducción. Cuanto mayor es la
tensión de puerta menor es la resistencia del canal, y
ésta puede llegar a aproximarse a un cortocircuito.
Así, el MOSFET es capaz de funcionar como un
interruptor.
El MOSFET como interruptor se emplea
frecuentemente en electrónica digital, para transmitir
o no, los estados lógicos a través de un circuito.
Existe, sin embargo, una pequeña dificultad: cuando
el MOSFET tipo N actúa como cortocircuito es
capaz de transmitir las tensiones bajas; sin embargo
las tensiones altas se ven disminuidas en una
cantidad igual al valor de la tensión umbral.
Para que exista el canal bajo la puerta, la tensión
en ésta ha de ser VH (VH > VT). Al transmitir VH, el
terminal de la izquierda actúa como Drenador, ya que
está a una tensión más alta, y el de la derecha como
Fuente. A medida que la tensión en el terminal de
Fuente aumenta, la tensión entre la Puerta y la
Fuente, VGS, disminuye. Todo esto ocurre hasta que
la tensión de la Fuente alcanza el valor VH-VT,
momento en que VGS iguala la tensión umbral y el
transistor deja de conducir.
En cambio, al transmitir la tensión VL el terminal
de la izquierda actúa como Fuente y el de la derecha
como Drenador. La tensión entre la Puerta y la
Fuente permanece en todo momento constante, a
igual a VH-VL (valor que debe ser superior a la
tensión umbral), por lo que en el Drenador se llega a
alcanzar VL.
De forma similar, el MOSFET tipo P transmite
correctamente las tensiones altas, y falla en las bajas.
Para evitar estos inconvenientes se conectan en
paralelo dos transistores MOSFET, uno N y otro P.
Fig. 14 Esquema de interruptor
Para terminar este punto, las tensiones bajas son transmitidas 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 = 0 𝑆𝐼 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝑑 ∗ 𝑅𝑑 [2]
sin error por el MOSFET tipo N, mientras que las altas lo son
por el tipo P. Esta configuración, se denomina puerta de paso. 𝑜 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝐷 ; 𝑠𝑖 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 [3]
Para su funcionamiento, las tensiones en las puertas han de ser F. Cicuito Aplicativo
complementarias (cuando una es alta la otra es baja, y
viceversa); esto se indica añadiendo un círculo a una de las
puertas, o una barra sobre una de las tensiones.
• Polarización con MOSFET (Garcia, 2012)
Los circuitos de polarización típicos para MOSFET
enriquecido, son similares al circuito de polarización
utilizados para JFET. La principal diferencia entre ambos
es el hecho de que el MOSFET de enriquecimiento típico
sólo permite puntos de funcionamiento con valor positivo
de VGS para canal n y valor negativo de VGS para el canal
p. Para tener un valor positivo de VGS de canal n y el valor
negativo de VGS de canal p, es adecuado un circuito de
auto polarización.
• Realimentación, circuito de polarización
La siguiente figura, muestra el circuito de polarización
con realimentación típico para MOSFET canal n de
enriquecimiento.
Fig. 16 Esquema de un circuito de switch
Este circuito esta diseñado para generar un bucle de energía
que va generar que se mande una señal digital pero que
polarice al motor con la batería de 20 V DC, pero que solo
funcionara al generar un pulso cuando se toque el pin digital,
dando así un Switch y una retro alimentación en el MOSFET

Fig. 15 Esquema de un circuito de retroalimentación

Como se mencionó anteriormente, para el análisis en
corriente continua, podemos reemplazar el condensador
de acoplamiento por circuitos abiertos y también
reemplazar el resistor RG por su equivalente en corto
circuito, ya que IG = 0.
La figura, también muestra, el circuito simplificado, para
el análisis con recorte de realimentación CC. Como los
terminales de Drenaje y Puerta están en cortocircuito,
𝑉𝐷 = 𝑉𝐺 𝑦 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 → 𝑉𝑠 = 0 [1]
Aplicando la segunda Ley de Kirchhoff a los circuitos de
salida, obtenemos,

III. BIBLIOGRAFÍA
AREATECNOLOGIA. (s.f.). Obtenido de AREATECNOLOGIA:
https://www.areatecnologia.com/electronica/mosfet.html#:~:text=El%20mosfet%20conduce%20corriente%20el%C3
%A9ctrica,As%C3%AD%20de%20sencillo.&text=En%20el%20mosfet%20su%20activaci%C3%B3n,patilla%20del
%20transistor%20llamada%20Gate.
BOYLESTAD, R. L. (2009). Electrónica: Teoría de circuitos. Mexico: PEARSON EDUCACIÓN.
Garcia, V. (15 de Noviembre de 2012). EPA: Electronica Practica Aplicada. Obtenido de EPA: Electronica Practica Aplicada:
https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-transistor-
mosfet#:~:text=La%20curva%20de%20dos%20terminales,resistencia%20de%20valor%20RD.&text=En%20conmuta
ci%C3%B3n%20y%20en%20saturaci%C3%B3n,resistencia%20entre%20Drenador%20y%20Fuente.
WIKILIBROS. (24 de Abril de 2020). Obtenido de WIKILIBROS:
https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/MOSFET/Par%C3%A1metros_Caracter%C3%ADsti
cos_de_funcionamiento

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