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TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO FETs

Todos ellos pueden ser Canal-N o Canal-P MOS = Metal Oxide Semiconductor D = Depletion [Decremental] E = Enhancement [Enriquecimiento] CMOS A Complementary - MOSFET, tecnologa MOSFET complementaria [en un mismo circuito se usan MOSFETs canal-N y canal-P].

JFET (Junction Field Efect Transistor).- El JFET es un tipo de transistor


que opera con una juntura polarizada inversamente para controlar la corriente de un canal. Dependiendo de su estructura, los JFET caen dentro de 2 categoras: canal-N o canal-P. Las figs. 4.1 y 4.2 muestran la estructura bsica de un JFET canal-N y de un JFET canal-P respectivamente. El Drenaje [Drain] corresponde al terminal superior, el Fuente [Source] el terminal inferior. Las 2 regiones tipo-P estn difundidas en el material tipo-N para formar el canal, y las 2 regiones tipo-P estn conectadas al terminal Compuerta [Gate].

FIG U R A 4.1

FIG U R A 4.2

Smbolo del JFET.- Las figs. 4.3 (a) y (b) muestran los smbolos esquemticos para los JFETs canal-N y canal-P respectivamente.

FIG U R A 4.3 (a ) CA N A L-N

(b ) CA N A L-P

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Operacin Bsica.- Para ilustrar la operacin de un JFET, la fig. 4.4 muestra los voltajes de polarizacin aplicados al dispositivo canal-N. VDD proporciona el voltaje Drenaje-a-Fuente y genera la corriente de Drenaje-a-Fuente. VGG establece el voltaje inverso entre la Compuerta y la Fuente. El JFET siempre opera con la juntura PN Compuerta-Fuente polarizada inversamente. La polarizacin inversa de la juntura CompuertaFuente con un voltaje de Compuerta negativo produce una regin desrtica a lo largo de la juntura PN, que se extiende en el canal-N y as incrementa su resistencia restringiendo el ancho del canal. El ancho del canal puede controlarse variando el voltaje de la Compuerta, por tanto, tambin se puede controlar la cantidad de corriente de Drenaje ID.

FIG U R A 4.4

Caractersticas y Parmetros del JFET.- En esta seccin se ver como opera un JFET como un dispositivo controlado por voltaje, con corriente constante.

FIG U R A 4.5

Se considera primero el caso cuando el voltaje Compuerta-a-Fuente es cero [VGS = 0V]. Esto se produce cortocircuitando la Compuerta a la Fuente, como en la fig. 4.5, donde ambos terminales estn conectados a tierra. Conforme VDD (es decir, VDS) se incrementa desde 0V, ID incrementar proporcionalmente a travs del material tipo-N como se muestra en la fig. 4.5 entre los puntos A y B. En esta regin la
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resistencia del canal bsicamente se mantiene constante puesto que la regin desrtica no es muy grande para tener un efecto significativo. Esta es la regin hmica debido a que VDS e ID estn relacionadas por la ley de Ohm. En el punto B de la fig. 4.5, la curva de ID comienza a ser prcticamente constante. Conforme VDS se incrementa, a partir del punto B hacia el punto C, el voltaje de polarizacin inversa de Compuerta-aDrenaje (VGD) produce una regin desrtica bastante grande para compensar los incrementos de VDS, as ID se mantiene relativamente constante. Voltaje PINCH-OFF [VP] (pinch-off = estrangulamiento, estrechamiento o estriccin).- Para VGS = 0V, el valor de VDS en el que ID empieza a ser casi constante [punto B de la curva caracterstica] es el voltaje pinchoff VP. Para un JFET particular, VP tiene un valor fijo. Como puede verse, un incremento continuo de VDS sobre el voltaje pinch-off produce una corriente de Drenaje constante. Este valor de corriente de Drenaje es IDSS [Drain to Source current with Gate Shorted = corriente Drenaje-aFuente con la Compuerta cortocircuitada] y siempre est especificada en las hojas de datos del JFET. IDSS es la mxima corriente de Drenaje que puede circular a travs del canal de un JFET especfico, sin importar el circuito externo, y siempre est especificada para las condiciones VGS = 0V. La ruptura ocurre en el punto C [fig. 4.5], cuando ID empieza a incrementar rpidamente con incrementos posteriores de VDS. La ruptura puede generar daos irreversibles al dispositivo, as los JFETs siempre deben operar por debajo de la ruptura y dentro de la regin de corriente constante [entre los puntos B y C del grfico]. Control de ID con VGS.- La conduccin de corriente a travs del canal se la realiza mediante la conexin de un voltaje de polarizacin, VGG, desde la Compuerta a la Fuente como se muestra en la fig. 4.6 (a). Conforme VGS se hace ms negativo, ajustando VGG, se produce La familia de curvas caractersticas de Drenaje, que se indica en la fig. 4.6 (b).

FIG U R A 4.6

(a )

(b )

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Se observa que ID disminuye conforme la magnitud de VGS se hace ms negativa debido al estrechamiento del canal. Si se sigue aumentando el valor de VGG, llega un momento en que se cierra el canal e ID se hace cero. Tambin puede verse que, para cada incremento de VGS, el JFET alcanza el pinch-off [donde la corriente empieza a ser constante] en valores de VDS menores que VP. De modo que, la cantidad de corriente de Drenaje es controlada por VGS. Voltaje CUTTOFF1 VGS<off>.- Si se contina aumentando VGG, llega un momento en que se cierra el canal e ID se hace 0. El valor de VGS que hace que ID = 0 es el voltaje cutoff. El JFET debe operar entre VGS = 0 y VGS<off>. Para este rango de voltajes de Compuerta-a-Fuente, ID variar desde una IDSS mxima hasta cero. Como se ha visto, para un JFET de canal-N, mientras ms negativo es VGS, se genera menos corriente ID. Cuando VGS alcanza un voltaje negativo suficientemente grande, ID se reduce a cero. El efecto de corte [CUTOFF] se debe al ensanchamiento de la regin desrtica al punto en que el canal se cierra completamente, como se muestra en la fig. 4.7.

FIG U R A 4.7

La operacin bsica del JFET canal-P, es la misma que para el dispositivo canal-N, excepto que requiere un VDD negativo y un VGS positivo. Resistencia Dinmica Controlada por Voltaje del JFET.- A la regin a la izquierda del voltaje pinch-off de las curvas caractersticas del JFET, se la conoce como regin hmica o regin de resistencia controlada por voltaje. En esta regin, el JFET puede emplearse como una resistencia variable. En las curvas caractersticas puede observarse que la pendiente de cada curva y, por tanto, la resistencia del dispositivo entre el Drenaje y la Fuente para VDS < Vp es una funcin del voltaje aplicado VGS. A medida que VGS es ms negativo, la pendiente de la curva se hace cada
1 Cut-off = inte rrum p ir

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vez ms horizontal, en correspondencia con un nivel ascendente de la resistencia. La siguiente ecuacin proporciona una buena aproximacin inicial al nivel de resistencia en funcin del voltaje aplicado VGS.

Donde ro es la resistencia a VGS = 0V y rd la resistencia a un nivel particular de VGS. Para un JFET de canal-N con ro = 10K (VGS = 0V, VGS(off) = -6V), la ecuacin anterior dar rd = 40K para VGS = -3V. Comparacin entre los Voltajes PINCH-OFF y CUTTOFF.- Como se ha visto, definitivamente hay una diferencia entre pinch-off y cuttoff. Tambin hay una relacin. VP es el valor de VDS en el que la corriente de Drenaje empieza a ser constante y siempre se mide para VGS = 0V. Sin embargo, el voltaje pinch-off ocurre para valores de VDS menores que VP cuando VGS es diferente de cero. As, aunque VP es constante, el mnimo valor de VDS al que ID empieza a ser constante vara con VGS. VGS<off> y VP siempre son iguales en magnitud pero de signo opuesto. Una hoja de datos generalmente dar el valor de VGS<off> o el de VP, pero no ambos. Sin embargo, cuando se conoce uno, se tiene el otro. Por ejemplo, si VGS<off> = -6V, entonces VP = +6V. Curva de Transferencia del JFET.- Se ha estudiado que el rango de valores de VGS desde 0V hasta VGS<off> controla la cantidad de corriente de Drenaje.

FIG U R A 4.8

Para un JFET canal-N, VGS<off> es negativo, para un JFET canal-P, VGS<off> es positivo. Puesto que VGS controla ID, la relacin entre estas dos cantidades es muy importante. La fig. 4.8 es una curva de transferencia
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tpica que ilustra grficamente la relacin entre ID y VGS. Se observa que el extremo inferior de la curva est en un punto sobre el eje VGS igual a VGS<off>, y que el extremo superior de la curva est en un punto sobre el eje ID igual a IDSS. Esta curva muestra que los lmites de operacin de un JFET son ID = 0 cuando VGS = VGS<off> ID = IDSS cuando VGS = 0
VG S [V] 0 -1 -2 -3 -4 ID [m A ] 8 ,0 4 ,5 2 ,0 0 ,5 0

FIG U R A 4.9

La curva de transferencia puede obtenerse de las curvas caractersticas de Drenaje, al dibujar los valores de ID para valores de VGS tomados de la familia de curvas de Drenaje en la regin pinch-off [fig. 4.9], para un conjunto especfico de curvas. Cada punto de la curva caracterstica de transferencia corresponde a valores especficos de ID y VGS sobre las curvas de Drenaje. Por ejemplo, cuando VGS = -1V, ID = 4,5mA. Tambin, para este JFET especfico, VGS<off> = -4V e IDSS = 8mA. La curva de transferencia de un JFET tiene una forma aproximadamente parablica y puede expresarse como

Conocida como ecuacin de Shockley. Con esta ecuacin, se puede


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determinar ID para cualquier VGS si se conocen IDSS y VGS<off>. Estos parmetros por lo general estn disponibles en la hoja de datos para un JFET dado. Note el trmino al cuadrado en la ecuacin. Debido a su forma, una relacin parablica, se la conoce como ley cuadrtica y entonces a los JFETs y a los MOSFETs a menudo se los conoce como dispositivos de la ley cuadrtica. Transconductancia Directa del JFET.- La conductancia de transferencia directa (transconductancia) gm, se la define como el cambio en la corriente de Drenaje (ID) para un cambio dado en el voltaje de Compuerta-a-Fuente (VGS) con el voltaje de Drenaje-a-Fuente constante; se expresa como una relacin y sus unidades son siemens [S].

FIG U R A

4 .1 0

Otras designaciones comunes para este parmetro son gfs y yfs [admitancia de transferencia directa]. El parmetro gm es importante en amplificadores con FET como el factor principal para determinar la ganancia de voltaje.

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FIG U R A 4.1 1

Debido a que la curva caracterstica de transferencia de un JFET no es lineal, gm vara en valor dependiendo de la localizacin sobre la curva de transferencia. El valor para gm es ms grande cerca de la parte superior de la curva [cerca de VGS = 0] que cerca de la parte inferior [prxima a VGS<off>] como se ilustra en la fig. 4.11. Una hoja de datos para el JFET 2N5457 especifica un gmo (yfs) mnimo de 1000S con VDS = 15V. Dado gmo, se puede calcular un valor de gm aproximado en cualquier punto de la curva de transferencia usando la siguiente ecuacin.

cuando no se dispone del valor de gmo, se lo puede calcular usando los valores de IDSS y VGS<off>.

Impedancia y Capacitancia de Entrada.- Un JFET opera con la juntura Compuerta-Fuente polarizada inversamente, por tanto, la impedancia de entrada a la Compuerta es muy alta. Esta alta impedancia de entrada es una ventaja del JFET sobre el transistor bipolar. [Recuerde que el transistor bipolar opera con la juntura Base-Emisor polarizada directamente]. La hoja de datos del JFET a veces especifica la impedancia de entrada dando un valor para la corriente
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inversa de la Compuerta IGSS para cierto voltaje de Compuerta-aFuente. Entonces, la impedancia de entrada se puede determinar mediante la siguiente ecuacin.

Por ejemplo, la hoja de datos del 2N5457 [JFET canal-N] indica que IGSS(max) = 1nA, para VGS = -15V a 25C, por tanto Zin = 15G. IGSS incrementa con la temperatura, entonces la impedancia de entrada decrece. Si Zin tiende a infinito, ID tiende a cero. La capacitancia de entrada, Common Source Short circuit Input Capacitance Ciss, resulta de la operacin del JFET con una juntura PN polarizada inversamente. Recuerde que una juntura PN polarizada inversamente acta como un capacitor cuya capacitancia depende de la cantidad de voltaje inverso. Por ejemplo, el 2N5457 tiene una Ciss(max) de 7pF para un VGS = 0V. Impedancia de Drenaje-a-Fuente.- En la curvas caractersticas de Drenaje se estudi que sobre el voltaje pinch-off, la corriente de Drenaje es relativamente constante en un rango de voltajes Drenaje-a-Fuente. Entonces, un cambio grande de VDS slo produce un cambio pequeo de ID. La relacin de este cambio es la impedancia de Drenaje-a-Fuente (rds) del dispositivo.

A menudo, las hojas de datos especifican este parmetro como conductancia de salida, gos, o admitancia de salida, yos. Para el 2N5457, yos = 10S (tpico), 50S (mximo). Polarizacin del JFET.- Utilizando algunos de los conceptos estudiados en las secciones anteriores, ahora se ver como polarizar con DC a un JFET. El propsito de polarizar, es seleccionar un voltaje Compuertaa-Fuente apropiado para establecer una corriente de Drenaje deseada y un punto Q apropiado. Se estudiarn los principales tipos de polarizacin: fija, autopolarizacin y con divisor de voltaje. Polarizacin FIJA.- La fig. 4.12 muestra un circuito con JFET de polarizacin fija.

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FIG U R A 4.1 2

Se vio que IG = 0mA, entonces se tiene que VRG = IGRG = 0mA x RG = 0V -VGG = VRG + VGS, entonces VGS = -VGG Puesto que VGS = -VGG, que es una fuente constante, entonces la denominacin de polarizacin fija. La corriente ID, se determina con la ecuacin de Schockley.

Una vez conocida ID, se pueden calcular los otros parmetros del circuito. Para la solucin grfica, primero se debe trazar la curva de transferencia, como la indicada en la fig. 4.13. La recta de carga est dada por la ecuacin VGS = -VGG A Ecuacin de la recta de carga

La fig. 4.14 muestra la curva de transferencia junto con la recta de carga, la coriente IDQ y el voltaje VGSQ. Para la configuracin de polarizacin fija, es ms conveniente y precisa la solucin matemtica.

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FIG U R A 4.1 3

FIG U R A 4.1 4

Ejemplo.- Para el circuito de polarizacin fija mostrado en la fig. 4.12 se tienen los siguientes datos: VDD = 20V; VGG = 2,5V; RD = 1,8K; RG = 4,7M; IDSS = 10mA y VP = 8V. Determinar VGSQ; IDQ; VD; VG; VS y VDS. Solucin.- De lo estudiado anteriormente se tiene que VGS = -VGG = -2,5V; por tanto

VD = 20V - 4,73mA x 1,8K = 11,49V VS = 0V VG = -2,5V VDS = 11,49V - 0V = 11,49V Problemas Relacionados.- Datos: VDD = 21V; VGG = 2,2V; RD = 820; RG = 4,7M; IDSS = 12mA; VP = 6V. Otro, caso: VDD = 15V; VGG = 1,8V; RG = 5,6M; RD = 1,5K; IDSS = 8mA; VP = 5V. Determinar: IDQ, VGSQ, VDS; gm0; gm. Los amplificadores con JFET de polarizacin fija no son muy utilizados por cuanto requieren de dos fuentes independientes, por lo que, este circuito, no resulta muy prctico. Auto Polarizacin.- Recuerde que un JFET debe operar de manera que la juntura Compuerta-Fuente siempre est polarizada inversamente.

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FIG U R A 4.1 5

(a )

(b )

Esta condicin requiere un VGS negativo para un JFET canal-N y un VGS positivo para un JFET canal-P. Esto puede obtenerse mediante el arreglo de autopolarizacin mostrado en la fig. 4.15. La resistencia de la compuerta, RG, no afecta la polarizacin porque casi no hay cada de voltaje a travs de ella; entonces, la compuerta se mantiene a 0V. La resistencia RG es necesaria solamente para aislar una seal ac de tierra en aplicaciones de amplificadores. Para el JFET canal-N de la fig. 4.15 (a), IS genera una cada de voltaje en RS y hace que la Fuente sea positiva con respecto a tierra. Puesto que ID = IS y VG = 0V, entonces, VS = ID x RS. El voltaje Compuerta-aFuente es VGS = VG - VS = 0 - ID X RS Ecuacin de la recta de carga. Para el JFET canal-P de la fig. 4.15 (b), la corriente a travs de RS produce un voltaje negativo en la Fuente y entonces entonces,

Para demostracin, en el siguiente anlisis, se utiliza al JFET canal-N de la fig. 4.14 (a). Recuerde que el anlisis para el JFET canal-P es el mismo, excepto que la polaridad de los voltajes es opuesta. El voltaje de drenaje con respecto a tierra se determina as VD = VDD - ID X RD puesto que VS = ID X RS, el voltaje Drenaje-a-Fuente es
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VDS = VD - VS = VDD - ID(RD + DS) Ejemplo.- Encuentre VDS y VGS para el circuito de la fig. 4.16, en el que VDD = 15V; RD = 1K; RS = 470; ID = 5mA.

FIG U R A 4.1 6

entonces

Problema Relacionado.- Datos: VDD = 21V; RD = 1,8K; RS = 680; IDSS = 10mA; VP = 6,5V. Establecimiento del Punto-Q de un JFET Autopolarizado.- La aproximacin bsica para establecer el punto de polarizacin de un JFET, es determinar ID para un valor deseado de VGS o viceversa. Luego calcular el valor de RS requerido, usando la relacin derivada de la ecuacin de la recta de carga y que se presenta a continuacin.

Para un valor deseado de VGS, se puede determinar ID de dos maneras: de la curva de transferencia para el JFET particular o, de manera ms prctica, usado la ecuacin

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IDSS y VGS<off> est disponible en la hoja de datos del JFET. Los siguientes ejemplos ilustran estos procedimientos. Ejemplo.- Determinar el valor de RS requerido para autopolarizar un JFET canal-N, que tiene la curva de transferencia que se muestra en la fig. 4.17. Asuma que VGS = -5V. Solucin.- Del grfico, se obtiene ID . 6mA, cuando VGS = -5V. Entonces

por tanto

FIG U R A 4.1 7

Si VGS = -3V, entonces, ID = 12,25mA, de donde RS = 245 [valor no estandarizado]. Ejemplo.- Determinar el valor de RS requerido para autopolarizar un JFET canal-P con IDSS = 25mA y VGS = 5V, VGS<off> = 15V. A partir de la ecuacin para calcular ID, cuando se conocen IDSS, VGS y VGS<off>

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Ahora se determina RS,

Valor normalizado, Cuando IDSS = 18mA; VGS = 4V y VGS<off> = 8V, se tiene que ID = 4,5mA y RS = 889, resistencia normalizada RS = 910. Polarizacin de Punto Medio.- Muchas veces es necesario polarizar un JFET cerca del medio punto de su curva caracterstica de transferencia, donde ID = IDSS /2. Bajo condiciones de seal, la polarizacin de medio punto permite una mxima corriente de drenaje que oscila entre IDSS y 0. A partir de la ecuacin para ID, se puede demostrar que ID aproximadamente es la mitad de IDSS, cuando VGS = VGS<off>/3,4.

De modo que al seleccionar VGS = VGS<off>/3,4, se consigue una polarizacin de punto medio en trminos de ID. Para definir un voltaje de drenaje a punto medio(VD = VDD/2) se selecciona un valor de RD para producir la cada de voltaje adecuada. Se escoge RG arbitrariamente grande para evitar que se cargue a la etapa de comando en un arreglo amplificador en cascada. Ejemplo.- Seleccionar los valores de resistencia para el circuito de la fig. 4.18 [VDD = 12V], para fijar una polarizacin de punto medio. Los parmetros del JFET son: IDSS = 15mA; VGS<off> = -8V. VD debe ser 8,4V.

FIG U R A 4.1 8

Solucin.- Para polarizacin de medio punto ID = IDSS/2 = 7,5mA.


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entonces

de donde

valores normalizados:

Ejemplo.- Seleccionar el valor de la resistencia RS, para fijar una polarizacin de punto medio. Los parmetros del JFET son: IDSS = 25mA; VGS<off> = -15V. Solucin.- Para polarizacin de medio punto ID = IDSS/2 = 12,5mA.

Resolviendo esta ecuacin se tiene

VGS = -4,39V; por tanto

, valor normalizado RS = 330.

Anlisis Grfico de un JFET Auto Polarizado.- Para determinar el punto Q (ID y VGS) de un circuito auto polarizado, se puede usar la curva caracterstica de transferencia y ciertos parmetros de un JFET. La fig. 4.19 muestra tal circuito.

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FIG U R A 4.1 9

Si no se dispone de una hoja de datos de la curva, se la puede obtener a partir de la ecuacin de ID, mediante los valores de IDSS y VGS<off> de la hoja de datos del JFET. La ecuacin de la recta de carga es

Para determinar el punto-Q del circuito de la fig. 4.19, en la que RS = 500, la lnea de carga DC de auto polarizacin se determina como sigue: primero, calcular VGS cuando ID = 0,

Esto establece un punto sobre en el origen sobre el grfico [ID = 0, VGS = 0]. Luego, con ID arbitraria [por ejemplo, ID = 10 mA] se calcula VGS cuando. Entonces

Esto establece un segundo punto sobre el grfico [ID = 10mA, VGS = -5V]. Ahora, con 2 puntos se puede trazar la lnea de carga sobre el grfico de la curva caracterstica de transferencia como se indica en la fig. 4.19. El punto donde se interceptan la lnea de carga con la curva caracterstica de transferencia es el punto-Q del circuito; en este caso IDQ = 6,25mA y VGSQ = -3V. Polarizacin con Divisor de Voltaje.- La fig. 4.20 muestra un JFET canal-N
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polarizado con divisor de voltaje. El voltaje en la Fuente del JFET debe ser ms positivo que el voltaje en la Compuerta para mantener la juntura Compuerta-Fuente polarizada inversamente. El voltaje en la Fuente es VS = ID x RS IG = 0 I1 = I2

FIG U R A 4.2 0

El voltaje de la Compuerta est determinado por las resistencias R1 y R2 como se expresa en la siguiente ecuacin usando la relacin del divisor de voltaje.

VG = VGS + VS = VGS + IDRS y el voltaje Compuerta-a-Fuente es VGS = VG - VS = VG - IDRS, entonces Es la ecuacin de la recta de carga.

Por tanto:

la corriente de drenaje tambin puede expresarse como

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sustituyendo se tiene

Ejemplo.- En el circuito de la fig. 4.21, VDD = 12V; R1 = 6,8M; R2 = 1M; RD = 3,3K; RS = 1,8K. Dado VD = 7V, determinar ID y VGS para el JFET con polarizacin con divisor de voltaje.

el voltaje Compuerta-a-Fuente se calcula como sigue

FIG U R A 4.2 1

entonces,

VDS = 7V - 2,73V = 4,27V si en este ejemplo no se hubiera dado VD, el punto-Q no se habra podido obtener sin las curvas caractersticas de transferencia. Anlisis Grfico de un JFET con Polarizacin con Divisor de Voltaje.- Una aproximacin similar a la utilizada para autopolarizacin se puede usar para polarizacin con divisor de voltaje para determinar grficamente el punto-Q sobre las curvas de transferencia de un circuito. En un JFET polarizado con divisor de voltaje cuando ID = 0, VGS no es cero, como en el caso de autopolarizacin porque el divisor de voltaje
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produce un voltaje en la compuerta independiente de la corriente de drenaje. La recta de carga DC para el divisor de voltaje se determina a partir de la ecuacin de la recta de carga.

Para ID = 0 VS = IDRS = 0mA x RS = 0V VGS = VG - VS = VG - 0V = VG entonces, el primer punto de la recta de carga es [ID = 0, VGS = VG]. Para VGS = 0

FIG U R A 4.2 2

El segundo punto es [ID = VG/RS, cuando VGS = 0]. La recta de carga DC se muestra en la fig. 4.22. Entonces, VD = VDD - IDQ x RD VS = IDQ x RS VDS = VD - VS = VDD - IDQ(RD + RS)
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Resumen de Ecuaciones:

Caracterstica de transferencia

Transconductancia

Transconductancia para VGS = 0V

Impedancia de entrada VGS = -ID x RS VGS = ID x RS canal-N canal-P

VG con divisor de voltaje

ID con divisor de voltaje

Ejemplo.- El JFET de la fig. 4.23 tiene un VGS<off> = -5V. Asuma que VDD se incrementa desde 0V hasta que el ampermetro alcance el estado estacionario. Qu mide el voltmetro en ese punto?

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FIG U R A 4.2 3

D-MOSFET: MOSFET Tipo Decremental.- [DEPLETION: Emprobecimiento; Decremantal; Agotamiento].- Tiene caractersticas similares a las del JFET, entre corte y saturacin (IDSS) pero luego tiene el rango adicional de las caractersticas que se extienden ms all de la regin de polarizacin inversa para la juntura G-S (VGS), es decir que VGS no solamente puede ser negativo sino tambin positivo. La fig. 4.24 muestra la construccin de un D-MOSFET. Se observa que hay una regin de semiconductor, una de dixido de silicio [O2Si] y los contactos metlicos, de ah el nombre [MOS = Metal - xido - Semiconductor]. La capa de xido constituye un material aislante y es muy delgada, que no permite una conexin directa entre la compuerta y el canal, adems, por ser aislante, genera una alta impedancia de entrada al dispositivo.

FIG U R A 4.2 4

FIG U R A 4.2 5

La fig. 4.25 muestra los smbolos esquemticos para el D-MOSFET canal-N [los dos de la izquierda] y canal-P [los dos de la derecha], de 3 y 4 terminales.
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Operacin Bsica y Caractersticas.- La operacin del D-MOSFET es similar a la del JFET, de modo que para determinar las curvas caractersticas de salida y la curva de transferencia se utiliza la misma ecuacin de Shockley, solo que ahora VGS tambin acepta valores positivos.

La fig. 4.26 muestra al D-MOSFET con la polarizacin del Drenaje, pero con una polarizacin de Compuerta-Fuente igual a cero.

FIG U R A 4.2 6

En ese caso la mxima corriente que circular por el canal ser IDSS, cuando el voltaje Drenaje-Fuente sea igual a VP, para otros incrementos de VDS, la corriente ID se mantiene prcticamente constante.

FIG U R A 4.2 7

FIG U R A 4.2 8

Para valores de VGS diferentes de 0V [fig. 4.27], las curvas caractersticas del D-MOSFET se muestran en la fig. 4.28, en ella se
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ha incluido la curva de transferencia correspondiente. Polarizacin del D-MOSFET.- Puesto que las curvas caractersticas del D-MOSFET son similares a las del JFET, incluyendo la ecuacin de Schockley, se deduce que las tcnicas de polarizacin de este tipo de FETs son similares a las del JFET. De modo que aqu se estudiar solamente la polarizacin con divisor de voltaje. El circuito de la fig. 4.29 muestra un D-MOSFET canal-N polarizado con divisor de voltaje. Para este circuito se pueden escribir las siguientes ecuaciones. IG = 0mA, por tanto, I1 = I2

FIG U R A 4.2 9

es decir que las resistencias R1 y R2 forman un verdadero divisor de voltaje, de donde

VG = VGS + VS VGS = VG - IDRS, [ecuacin de la recta de carga]

As mismo, VD = VDD - ID x RD VS = ID x RS VDS = VD - VS = VDD - ID(RD + RS) La determinacin del punto de trabajo Q, se puede hacer de dos formas.
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Grficamente, para esto se determina el valor de VG, se grafica la curva de transferencia del D-MOSFET y sobre ella se traza la recta de carga con la ecuacin indicada anteriormente. La interseccin de la recta con la curva de transferencia corresponde al punto-Q; de ah se obtiene IDQ y VGSQ, los otros parmetros del circuito se los consigue con las otras ecuaciones indicadas anteriormente. Matemticamente, se encuentra el voltaje VG, se reemplaza en la ecuacin de VGS, que, a su vez, se substituye en la ecuacin de Schockley indicada antes y se resuelve la ecuacin de segundo grado, de la que se obtiene ID, los otros parmetros se los obtiene con las ecuaciones respectivas. Ejemplo.- Para el amplificador con D-MOSFET de la fig. 4.29, se tienen los siguientes datos: VDD = 18V; R1 = 120M; R2 = 12M; RD = 1,8K; RS = 750; IDSS = 6mA; VP = 4V. Determinar: VG; IDQ; VD; VS; VGS; VDS. , entonces

VGS = 1,64V - 0,75KID, que se reemplaza en la ecuacin de Schockley.

, al expandir esta ecuacin se tiene

ID = 11,91mA - 3,19ID + 0,213

, de donde

0,21ID2 - 4,19mAID + 11,91mA2 = 0, que resolviendo da los siguientes valores para ID. ID = 16,19mA [IDSS = 6mA, entonces esta no es una respuesta vlida] ID = 3,45mA [es la respuesta vlida]. Por VD VS VDS VGS tanto, = 18V - 3,45mA x 1,8K = 11,79V = 3,45mA x 0,75K = 2,59V = 11,79V - 2,59V = 9,2V = 1,64V - 2,59V = -0,95V

Carlos Novillo Montero

Can

FETs

- 3 07 -

E-MOSFET: MOSFET Tipo Enriquecimiento o Incremental.- [ENHANCEMENT: Enriquecimiento; Incremantal; Acrecentamiento].- Hay semejanzas y diferencias si se lo compara con el JFET y con el D-MOSFET. Las caractersticas del E-MOSFET son diferentes a las de los otros FETs. La curva de transferencia no est definida por la ecuacin de Shocckley y la corriente de Drenaje es cero hasta que el voltaje Compuerta-Fuente [VGS] alcance un valor especfico. En particular, el control de corriente, en un E-MOSFET canal-N, se efecta ahora con un voltaje VGS positivo. Inicialmente no hay presencia de un canal; esta es la principal diferencia entre el E-MOSFET y el D-MOSFET. La capa de O2Si tambin est presente para aislar el contacto metlico de la Compuerta de la regin entre el Drenaje y la Fuente, pero ahora simplemente se encuentra separada por una seccin de material tipo-P.

FIG U R A 4.3 0

La fig. 4.31 muestra los smbolos esquemticos para el E-MOSFET canal-N [los dos de la izquierda] y canal-P [los dos de la derecha], de 3 y 4 terminales.

FIG U R A 4.3 1

Operacin Bsica y Caractersticas.- Cando VGS = 0V, y se aplica un voltaje VDS al E-MOSFET, la ausencia de canal-N [con gran nmero de portadores libres], no permitir la generacin de una corriente de drenaje, es decir, ID = 0mA, muy diferente al D-MOSFET y al JFET, donde ID = IDSS.
Carlos Novillo Montero Can

FETs

- 3 08 -

No es suficiente tener muchos portadores libres en los terminales D y S, se requiere adems una trayectoria entre esos terminales.

FIG U R A 4.3 2

Con un voltaje VDS ligeramente positivo, VGS = 0V y el terminal SS conectado a la Fuente, [fig. 4.32], existen dos junturas inversamente polarizadas entre las regiones N y el sustrato P, que se oponen a cualquier flujo significativo de corriente entre el Drenaje y la Fuente. En la fig. 4.33, tanto VDS como VGS estn a un voltaje positivo mayor que 0V, por lo que el Drenaje y la Compuerta se encuentren a un potencial positivo con respecto a tierra. Esto har que los huecos sean repelidos hacia el terminal SS. A su vez, los electrones [portadores minoritarios del sustrato] son atrados hacia la compuerta (pero no pueden circular hacia ella, debido al aislante) esto forma un canal-N por donde puede circular una corriente ID. Conforme VGS se hace ms positivo, la concentracin de portadores cerca de la superficie de O2Si aumenta hasta que eventualmente la regin tipo-N [capa de inversin tipo-N] inducida puede soportar un flujo considerable de corriente ID. Al valor de VGS que permite que se inicie un flujo de corriente ID se lo conoce como VGS umbral [treshold] y se lo identifica con el smbolo VGS<th> = VGS<T>. Debido a que el canal se incrementa cuando VGS es ms positivo, a este tipo de MOSFET se lo conoce como MOSFET incremental [E-MOSFET].

FIG U R A 4.3 3

A medida que VGS se incrementa ms all del nivel umbral, la cantidad


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FETs

- 3 09 -

de portadores libres en el canal aumenta, esto permite un mayor flujo de corriente ID. Sin embargo, si VGS = constante, al aumentar VDS, ID alcanzar un nivel de saturacin, tal como ocurri para el JFET y el D-MOSFET.

En la fig. 4.34 se observa que conforme el nivel de VGS aumenta desde VGS<th> hacia valores superiores, el nivel de corriente ID de saturacin tambin aumenta. Tambin puede verse que el espacio entre los niveles de VGS se incrementan a medida que la magnitud de VGS aumenta, resultando en incrementos siempre crecientes de ID.

FIG U R A 4.3 4

Para niveles de VGS $ VGS<th>, ID se vincula con VGS por medio de la siguiente relacin no lineal.

k es una constante que depende de la construccin del E-MOSFET. k puede determinarse a partir de la siguiente ecuacin, derivada de la anterior.

Donde ID<ON> y VGS<ON> son los valores de ID y VGS para los que la corriente
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FETs

- 3 10 -

de drenaje empieza a ser esencialmente constante en las curvas caractersticas del E-MOSFET. Como ejemplo, en las curvas anteriores, se ve que VGS<th> = 3V, si, por ejemplo, ID<ON> = 8mA y VGS<ON> = 7V, se tiene

entonces, para este E-MOSFET particular, la ecuacin de ID ser

Ahora, si se desea calcular la corriente de saturacin para VGS = 6V,

Caractersticas de Transferencia.- La fig. 4.34 tambin muestra la curva de transferencia del E-MOSFET canal-N. En ella se puede ver que VGS siempre positiva y mayor o igual que VGS<th>. Polarizacin del E-MOSFET.- A pesar de que la curva de transferencia del E-MOSFET es muy diferente a la del JFET y del D-MOSFET, y no sigue la ecuacin de Schockley, las tcnicas de polarizacin de este tipo de FET son similares. Sin embargo, aqu se estudiar solamente la polarizacin con realimentacin de voltaje [que es la que ms se utiliza para este tipo de FET]. El circuito de la fig. 4.35 muestra un E-MOSFET canal-N polarizado con realimentacin de voltaje desde el drenaje. Para este circuito se pueden escribir las siguientes ecuaciones.

FIG U R A 4.3 5

VD = VDD - ID x RD
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FETs

- 3 11 -

IG = 0mA, por tanto VG = VD y y puesto que VS = 0, entonces VGS = VD, de donde VGS = VDD - IDRD, [ecuacin de la recta de carga], entonces

La determinacin del punto de trabajo Q, se puede hacer de dos formas. Grficamente, para esto se grafica la curva de transferencia del E-MOSFET y sobre ella se traza la recta de carga con la ecuacin indicada anteriormente. La interseccin de la recta con la curva de transferencia corresponde al punto-Q; de ah se obtiene IDQ y VGSQ, los otros parmetros del circuito se los consigue con las otras ecuaciones indicadas anteriormente. Matemticamente, con los datos del E-MOSFET se calcula el valor de k, se determina la ecuacin de VGS, con los valores del circuito y se reemplaza en la ecuacin de ID, indicada antes y se resuelve la ecuacin de segundo grado resultante, los otros parmetros se los obtiene de las ecuaciones respectivas. Ejemplo.- Para el amplificador con E-MOSFET de la fig. 4.35, se tienen los siguientes datos: VDD = 16V; RG = 10M; RD = 2K; ID<ON> = 6mA; VGS<ON> = 8V; VGS<th> = 3V. Determinar: IDQ; VD; VDS; VGS.

VGS = 16V - 2K x ID

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Can

FETs

- 3 12 -

ID = 40,56mA - 12,48ID + 0,96

0 = 40,56mA - 13,48ID + 0,96

Al resolver esta ecuacin se tienen los siguientes valores de ID. ID = 9,67mA, que genera un VGS = -3,35V [negativo], NO VALE ID = 4,37mA, que genera un VGS = +7,26V que s es vlido. En ese caso, VDS = 7,26V

Anlisis de Pequea Seal de los FETS .-

3.36 G R FICO D E G M EN FUN CI N D E V G S .

gmo se mide para VGS = 0V, y representa la ganancia mxima del JFET, es constante para un FET. En cualquier punto de polarizacin en la regin de operacin se obtiene un gm < gmo. Ejemplo.- Calcular el valor de gm para un JFET con IDSS = 12mA y VGS<off> = -3V, cuando VGS = -1V. De donde

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FETs

- 3 13 -

Ejemplo.- Calcule el valor de gm para un JFET [IDSS = 8mA; Vp = 4V] polarizado para que opere en VGS = -1,8V. Modelo para Pequea Seal [Circuito Equivalente ac] del FET.-

FIG U R A 4.3 7

El valor ideal de Zin es infinito; el valor prctico aproximadamente 109 [JFET] y de 1012 - 1015 [MOSFET].

es

de

Resistencia de Salida del FET rd.- La fig. 4.38, muestra una caracterstica de Drenaje del FET en la que se puede calcular el valor de rd, y que constituye la resistencia de salida del FET, que se la define con la siguiente ecuacin.

FIG U R A 4.3 8

si VDS = 10V y ID = 0,25mA, entonces Normalmente las curvas son razonablemente planas con una resistencia de drenaje, rd, de decenas de K. El valor tpico de rd generalmente se obtiene de los datos proporcionados por el fabricante. La hoja de datos, por lo general proporciona el valor de la conductancia de salida, yOS, cuyo recproco es la resistencia de salida rd.

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FETs

- 3 14 -

Impedancia de Entrada Z in .- La impedancia de entrada del FET, idealmente, es un circuito abierto.

Impedancia de Salida Z o .- La impedancia de salida para Fuente-comn, en un amplificador de pequea seal se la define como la admitancia de salida yOS cuyas unidades son S. Entonces

Para el JFET-2N4421, determinar la impedancia de salida, si yOS = 20S.

Ganancia de Voltaje A V.- De acuerdo con la fig. 4.39, el voltaje de


salida VO = Vds y el voltaje de entrada Vin = Vgs, pero

FIG U R A 4.3 9

de donde

por tanto

El signo negativo se debe a la cada de voltaje, puesto que la corriente pasa de negativo a positivo del Drenaje a la Fuente y refleja la inversin de fase que ocurre entre la entrada (Vgs) y la salida (Vds). La hoja de datos especifica gm como yfs, tal que

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Can

FETs

- 3 15 -

Ejemplo.- Cual es la magnitud de la mxima ganancia de voltaje que puede tener el JFET-2N4421 con yfs = 4mS y yOS = 25S?

entonces

Circuitos Equivalentes para ac

Circuitos Bsicos con FET .- Polarizacin Fija

FIG U R A 4.4 0

FIG U R A 4.4 1

FIG U R A 4.4 2

Vin = Vgs
Carlos Novillo Montero Can

FETs

- 3 16 -

VO = -(gmVgs)(rd2RD) AV = -gm(rd2RD) Zin = RG

Auto Polarizado.-

FIG U R A 4.4 3

Vin = Vgs VO = -(gmVgs)(rd2RD) AV = -gm(rd2RD)

Zin = RG ZO = rd2RD

FIG U R A 4.4 4

Polarizacin con Divisor de Voltaje.-

FIG U R A 4.4 5

Carlos Novillo Montero

Can

FETs

- 3 17 -

FIG U R A 4.4 6

Vin = Vgs VO = -(gmVgs)(rd2RD) Zin = R12R2

AV = -gm(rd2RD) ZO = rd2RD

Amplificador en Fuente Comn con FETs.-

FIG U R A 4.4 7

Parmetros del FET yOS IDS VGS<off> VGS = -ISRS A Ecuacin de la recta de carga 1er punto ID = 0 A VGS = 0 2do punto ID A arbitrario VGS = -IDRS

FIG U R A 4.4 8

Del circuito equivalente VO = -gmVgs(rd2RD) Vin = Vgs entonces

Carlos Novillo Montero

Can

FETs

- 3 18 -

Ejemplo.- RD = 2,7K; RS = 750; RG = 10M; VDD = 15V. Datos del FET, yOS = 40S; IDSS = 8mA; VP = 4V. De los datos del FET,

VGS = -IDRS = -0,75KID, entonces

de donde

, eliminando parntesis y agrupado

0 = 128mA2 - 48mA x ID + 4,5 x ID2, de donde

, que resolviendo la ecuacin da

ID = 11,81mA [muy Grande] ID = 2,41mA [valor correcto]; por tanto VGS = -0,75K x 2,41mA = -1,81V VDS = 15V - 2,41mA(2,7K + 0,75K) = 6,69V

AV = -2,2mS(25K22,7K)

Datos: R1 = 270M; R2 = 33M; RD = 2,7K; RS = 1,8K; VDD = 24V; Vin =


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FETs

- 3 19 -

100mVRMS; IDSS = 12mA; VP = 6V; YOS = 25S. De los datos del FET, gmo = 4mS y rd = 40K.

VGS = 2,61V - 1,8K x ID [Ec. Recta de carga]

FIG U R A 4.4 9

que se reemplaza en la ecuacin de Schockley, y se tiene

de donde

, eliminando parntesis y agrupado

0 = 890,4mA2 - 408mA x ID + 38,88 x ID2, de donde

, que resolviendo la ecuacin da

ID = 7,4mA [Muy grande] ID = 3,1mA [Valor correcto], entonces VGS = 2,61V - 3,1mA x 1,8K = -2,97V

Carlos Novillo Montero

Can

FETs

- 3 20 -

VDS = 24V - 3,1mA(2,7K + 1,8K) = 10V

AV = -2,02mS(40K22,7K) = -5,11 VO = -5,11 x 100mVRMS = -511mVRSM

Ganancia de Voltaje con Resistencia de Fuente (Se asume rd = 4) Vin = Vgs + VRS = Vgs + (gmVgs)RS Vin = Vgs(1 + gmRS) VO = -gmVgsRD

entonces

FIG U R A 4.5 0

FIG U R A 4.5 1

Ejemplo.- Para el amplificador D-MOSFET de la fig. 4.52, calcular la ganancia de voltaje: a) con CS desconectado; b) con CS conectado. Datos: VDD = 12V; RD = 1,5K; RS = 750; RG = 10M; IDSS = 10mA; VP = 3,5V.
Carlos Novillo Montero Can

FETs

- 3 21 -

VGS = -0,75KID

FIG U R A 4.5 2

Resolviendo esta ecuacin se tiene IDQ = 2,47mA y VGS = -1,85V, VDS = 12V - 2,47mA(1,5K + 0,75K) = 6,44V

Entonces, cuando CS est desconectado, la ganancia es

Cuando CS est conectado la ganancia es AV = -2,69mS x 1,5K, entonces Ganancia de Voltaje con Resistencia de Fuente RS [se asume rd real].- El circuito
Carlos Novillo Montero Can

FETs

- 3 22 -

equivalente se muestra en la fig. 4.53. Se puede ver que

FIG U R A 4.5 3

VO = -IdRD Vin = Vgs + VS VS = ISRS Vin = Vgs + ISRS

, entonces

Ejemplo.- Para el problema anterior, asumir que yOS = 25S y volver a encontrar AV, a) sin CS y b) con CS conectado.

De los datos:

a)

Entonces AV = -1,34
Carlos Novillo Montero

[sin CS]
Can

FETs

- 3 23 -

b)

Entonces AV = -4,13

[con CS]

Cuando se comparan los resultados obtenidos cuando no se toma en cuenta la presencia de rd y cuando s se lo hace, se ve que el error que se comete es mnimo [menor que el 5%], de manera que, al menos, en algunos casos se podr despreciar el efecto de rd. Impedancias de Entrada Z in y de Salida Z O .-

FIG U R A 4.5 4

FIG U R A 4.5 5

Circuito con Divisor de Voltaje.-

FIG U R A 4.5 6

Carlos Novillo Montero

Can

FETs

- 3 24 -

FIG U R A 4.5 7

Amplificador en Drenaje Comn [Fuente Seguidor].-

FIG U R A 4.5 8

Ganancia de Voltaje.- Del circuito equivalente de la fig. 4.59 se tiene

FIG U R A 4.5 9

por tanto,

de donde

o tambin

Carlos Novillo Montero

Can

FETs

- 3 25 -

Ejemplo.- Para un emisor Fuente-Seguidor [Drenaje-Comn] se tienen los siguientes datos: VDD = 9V; RG = 1,5M; RS = 2,2K; Vin = 500mV sen(t); JFET: IDSS = 16mA; VP = 4V; yOS = 25S, de donde [gmo = 8mS y rd = 40K]. Determinar: AV; Zin y ZO. VGS = -2,2K x ID

, de donde

Al resolver esta ecuacin se tiene que

IDQ = 1,3mA, VGS = -2,86V VDS = 6,14V

AV = 0,83

ZO = 355

Zin = 1,5M
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FETs

- 3 26 -

Amplificador en Compuerta Comn.- La configuracin del amplificador en Compuerta Comn con JFET se muestra en la fig. 4.60. El terminal de la Compuerta est conectado directamente a tierra. La impedancia de entrada al amplificador [Zin] ya no es tan alta como en las otras configuraciones, puesto que ahora depende de RS.

FIG U R A

4 .6 0

El circuito equivalente para el amplificador en Compuerta comn se presenta en la fig. 4.61.

FIG U R A

4 .6 1

En la fig. 4.61 se ve que Vgs = -Vin. Impedancia de Entrada [Zin].- Para el clculo de Zin, se utilizar el circuito de la fi. 4.62.

FIG U R A

4 .6 2

En el grfico se ve que
Carlos Novillo Montero Can

FETs

- 3 27 -

IX = Id - gmVgs =

, por tanto,

IX =

. Pero, VY = IX x RD2RL, entonces, y ordenando

, de donde

que es la impedancia que se ve despus de RS. De modo que Zin ser

En la ecuacin de Z, puede verse que cuando rd RD2RL, Z .

y por

tanto,

Impedancia de Salida [ZO].- Si en la fig. 4.61, se cortocircuita la seal del generador y se desprecia el efecto de Rg, se ve que

Ganancia de Voltaje [AV].- De las ecuaciones anteriores se despeja la corriente IX y se tiene

; en la fig. 4.xx se observa que VY = VO, por tanto

Carlos Novillo Montero

Can

FETs

- 3 28 -

, de modo que

VO = -gmVgs(RD2rd2RL) = -gmVin(RD2rd2RL) Por tanto, la ganancia de voltaje del amplificador en Compuerta Comn ser

Si se no se toma en cuenta la resistencia rd del FET, la ganancia de voltaje ser

La impedancia de salida es Para la impedancia de entrada, se tiene que

, de donde

, es decir,

Carlos Novillo Montero

Can

FETs

- 3 29 -

Ejemplo.- Para el amplificador en Compuerta Comn con D-MOSFET de la fig. 4.63 se tienen los siguientes datos: R1 = 91M; R2 = 11M; RD = 2,2K; RS = 1K; los datos de D-MOSFET son: IDSS = 7,5mA y VP = 4V. Determinar: Zin; ZO y AV. Solucin.- De los datos del problema se deduce que gmO = 3,75mS. Polarizacin del circuito.

FIG U R A

4 .6 3

Tambin VG = VGS + IDRS entonces 2,37V = VGS + 1K x ID de donde

VGS = 2,37V - 1K x ID Reemplazando en la ecuacin de la corriente ID, se tiene

Al resolver esta ecuacin se obtiene Por tanto VGS = 2,37V - 3,6mA x 1K = -1,23V

Carlos Novillo Montero

Can

FETs

- 3 30 -

ZO = RD = 2,2K AV = 2,2K x 2,6mS = 5,7 Ejemplo.- En el amplificador en Compuerta Comn de la fig. 4.64 se tienen los siguientes datos: RD = 3,6K; RS = 1,1K; CS = 10F; CD = 10f; VDD = 12V; los datos de JFET son: IDSS = 10mA y VP = 4V. Determinar: Zin; ZO y AV.

FIG U R A

4 .6 4

De los datos del problema se tiene que gmO = 5mS. As mismo, VGS = -ID x RS, por tanto,

, resolviendo

, y

AV = 2,25mS x 3,6K = 8,1, esta es la ganancia ideal, despreciando el efecto de rd.

ZO . 3,6K Amplificador con E-MOSFET.- El circuito equivalente de E-MOSFET es igual al del JFET y del D-MOSFET. La fig. 4.65 muestra el circuito
Carlos Novillo Montero Can

FETs

- 3 31 -

equivalente del E-MOSFET. Se puede ver que la impedancia de entrada es infinita [ideal] y la salida es igual a rd en paralelo con una fuente de corriente de valor Vgm, igual que para los otros FETs. Entonces, los anlisis que se hicieron antes, tambin sirven para este tipo de FET, solamente que hay que, para calcular ID y VGS, hay que utilizar las ecuaciones correspondientes.

FIG U R A 4.6 5

La fig. 4.66 muestra un amplificador con E-MOSFET con polarizacin con realimentacin de voltaje desde el Drenaje. Para encontrar la ganancia de voltaje, primero hay que hacer el anlisis DC, para determinar IDQ y VGS, que puede hacerse en forma grfica o en forma matemtica.

FIG U R A 4.6 6

FIG U R A 4.6 7

La fig. 4.67 muestra el circuito equivalente del amplificador con E-MOSFET. Se vio que ID = k(VGS - VGS<th>)2

Carlos Novillo Montero

Can

FETs

- 3 32 -

VGS = VD = VDD - IDRD

Del grfico,

, si se saca Vin como factor comn, se tiene

, pero

, entonces

, tambin

, por tanto

As mismo del grfico anterior se puede ver que

Para la ganancia de voltaje se calcula VO [en la fig. 4.67 se ve que Vin = Vgs] como se muestra a continuacin. Utilizando el Principio de Superposicin, se calcular, primero VO1, debido a Vin [sin considerara la fuente de corriente gm Vgs], en cuyo caso el circuito equivalente se muestra en la fig. 4.68.

FIG U R A 4.6 8

En segundo lugar, se calcula VO2, asumiendo que Vin est en cortocircuito y que solo existe la fuente de corriente gmVgs. El circuito equivalente se muestra en la fig. 4.69.

Carlos Novillo Montero

Can

FETs

- 3 33 -

FIG U R A 4.6 9

= Por tanto: VO = VO1 + VO2 =

de donde

Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 4.70 se tienen los siguientes datos: VDD = 12V; RD = 2,2K; RG = 10M; VGS<th> = 3V; yOS = 20S; k = 3 -4 2 x 10 A/V .

FIG U R A 4.7 0

De los datos: rd = 50K VGS = 12V - 2,2K ID ID = 3 x 10-4A/V2(12V - 2,2K ID - 3V)2 ID = 3 x 10-4A/V2(9V - 2,2K ID)2 ID = 3 x 10-4A/V2(81V2 - 39,6VK ID + 4,84K2ID2) ID = 0,0243A - 11,88ID + 1452ID2/A
Carlos Novillo Montero Can

FETs

- 3 34 2 2

0 = 0,0243A - 12,88AID + 1452ID

Resolviendo la ecuacin anterior se tiene ID = 6,149mA, por tanto VGS = 12V - 2,2K x 6,149mA = -1,53V [NO VALE] ID = 2,72mA, por tanto VGS = 12V - 2,2K x 2,72mA = 6,02V [SI VALE] gm = 2 x 3 x 10-4A/V2 x (6,02V - 3V) = 1,81mS Entonces

= -4

y
D :\~ \ELECTR O N ICA \D E -Ca p 5.w p g Revisin : M a rzo - 2 01 0

Carlos Novillo Montero

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