Felipe Paz Campos 2013

ELECTRÓNICA ANALÓGICA
CAPÍTULO 1: EL DIODO

TEORÍA Y APLICACIONES

1

CAPÍTULO 1 EL DIODO
1.1 Introducción
Es el más sencillo de los dispositivos
semiconductores1, pero desempeña un
papel muy importante en los sistemas
electrónicos. Con las características muy
similar a las de un interruptor eléctrico
simple.
Los semiconductores utilizados en la
fabricación de los diodos son el germanio
(Ge) y silicio (Si). En la actualidad los
diodos se construyen a base de Silicio
debido a su relativa estabilidad a las
variaciones de temperatura comparado
con el germanio.
1.2 Símbolo del diodo
El símbolo del diodo se muestra en la
figura 1.1.
+ -
Ánodo Kátodo
Figura 1.1 Símbolo del diodo
1.3 Unión PN
Actualmente los diodos se fabrican a
partir de la unión de dos materiales
semiconductores de características
opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de
tipo P. A esta estructura se le añaden dos
terminales metálicas para la conexión con
el resto del circuito. Esto se muestra en la
figura 1.2
Figura 1.2
1.3.1 Formación de la unión PN
Se trata de un monocristal de silicio puro,
dividido en dos zonas con una frontera
nítida, definida por un plano. Una zona se
1
Electrónica: Teoría de circuitos, Sexta edición, Robert
L. Boylestad, capitulo 1.
Felipe Paz Campos 2013
dopa con impurezas de tipo P y la otra de
tipo N, figura 1.3.
(Huecos) (Electrones)
Figura 1.3 Impurificación del Silicio
para obtener la Unión PN
Zona P > átomos del grupo III (Boro).
Zona N > átomos del grupo V (Fósforo).
1.4 Mecanismo de difusión
Consiste en llevar partículas de donde hay
más a donde hay menos. El efecto es que
los electrones y los huecos cercanos a la
unión de las dos zonas la cruzan y se
instalan en la zona contraria, es decir:
 Electrones de la zona N pasan a la
zona P.
 Huecos de la zona P pasan a la
zona N.
Este movimiento de portadores de carga
tiene un doble efecto: en la región de la
zona P cercana a la unión:
 El electrón que pasa la unión se
recombina con un hueco. Aparece
una carga negativa
 Al pasar el hueco de la zona P a la
zona N, provoca un defecto de
carga positiva en la zona P, con lo
que también aparece una carga
negativa.
El mismo razonamiento, aunque con
signos opuestos puede realizarse para la
zona N.
(Campo eléctrico)
Figura 1.4 Formación de la unión PN
En la figura 1.4 se muestra como a ambos
lados de la unión se va creando una zona
2

de carga, positiva en la zona N y negativa
en la zona P.
Aparece un campo eléctrico (E) desde la
zona N a la zona P que se opone al
movimiento de portadores según la
difusión, y va creciendo conforme pasan
más cargas a la zona opuesta. Al final la
fuerza de la difusión y la del campo
eléctrico se equilibran y cesa el trasiego
de portadores. En ese momento está ya
formado el diodo de unión PN, y como
resultado del proceso se ha obtenido:
Zona P, semiconductora, con una
resistencia RP.
Zona N, semiconductora, con una
resistencia RN.
Zona de agotamiento (deplexión): No
conductora, puesto que no posee
portadores de carga libres. En ella actúa
un campo eléctrico, o bien entre los
extremos actúa una barrera de potencial.
1.5 Polarización del diodo.
Existen dos formas básicas de polarizar al
diodo, polarización directa y polarización
inversa.
1.5.1 Polarización directa:
Se conecta una batería con la terminal
negativa al lado del material tipo N y la
terminal positiva al lado el material tipo
P, figura 1.5.
+ -
Barrera de potencial (Vγ ≈ 0.7V)
Figura 1.5 Polarización directa del diodo
En la figura 1.5, para vencer la barrera de
potencial se necesita aplicar un voltaje de
aproximadamente 0.7V para el Silicio y
de 0.2V para el germanio a este voltaje se
le conoce como voltaje umbral (V ). γ (corriente-tensión) típica de un diodo real.
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El potencial aumenta por encima del de
barrera, entonces desaparece la zona de
deplexión.
 Electrones y huecos se dirigen a la
unión.
 En la unión se recombinan.
La tensión aplicada se emplea en:
 Vencer la barrera de potencial.
 Mover los portadores de carga.
-
Polarización inversa
Figura 1.6 Unión PN en conducción barrera de
potencial igual acero.
1.5.2 Polarización Inversa
Se aplica tensión positiva a la zona N y
negativa a la zona P, figura 1.7. Entonces
se retiran portadores mayoritarios
próximos a la unión, aumenta la anchura
de la zona de deplexión. Como en ambas
zonas existen portadores minoritarios, su
movimiento hacia la unión crea una
corriente, aunque muy pequeña.
- V +
Figura 1.7 Polarización Inversa del diodo
Si aumenta mucho la tensión inversa, se
produce la rotura por avalancha por
ruptura de la zona de deplexión. No
significa la ruptura del componente.
1.6 Característica tensión-corriente
La figura 1.8 muestra la característica I-V
3

Figura 1.8 Curva característica del diodo I-V
En la figura 1.8 se identifica:
 Región de conducción en
polarización directa (PD).
 Región de corte en polarización
inversa (PI).
 Región de conducción en
polarización inversa.
 IFmax: Corriente máxima que puede
soportar el diodo.
 VRmax: Voltaje máximo en reversa.
 VON: Es igual a VF = 0.7V para el
Si y 0.2V para el germanio.
1.6.1 La ecuación general del diodo es:
VD
VT
I D  I S (e  1) (1.1)
Donde:
ID: Es la corriente que circula por el
diodo.
VD: Es el voltaje que se cae en el diodo.
η: es el factor de idealidad. Depende de
las dimensiones del diodo, del material
semiconductor, de la magnitud de la
corriente directa y del valor de IS.
η toma el valor de 1 ó 2 para el Silicio.
Vale 1 en la zona lineal, o sea, cuando el
diodo ha alcanzado la conducción y el
valor de 2 en la zona no lineal, Cuando el
diodo no conduce. Para el germanio el
valor de η es igual a 2 no importando la
zona de operación.
IS: es la corriente inversa de saturación
del diodo. Depende de la estructura, del
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material, del dopado y fuertemente de la
temperatura.
VT: es el potencial térmico del diodo y
es función de la constante de Boltzmann
(K), la carga del electrón (q) y la
temperatura absoluta del diodo T (oK). La
siguiente expresión permite el cálculo de
VT.
K
VT  xT (1.2)
q
Donde:
K  1.38x1023 J / K
q  1.6 x1019 C
T = 300oK (temperatura ambiente)
KT
VT   25.88mV  26mV
q
1.7 Principales características
comerciales del diodo.
a.- Corriente máxima en directa, IFmáx
o IFM (DC forward current): Es la
corriente continua máxima que puede
atravesar el diodo en directa sin que este
sufra ningún daño. Tres límites:
 Corriente máxima continua (IFM).
 Corriente de pico transitoria (Peak
forward surge current), en la que
se especifica también el tiempo
que dura el pico.
 Corriente de pico repetitivo
(Recurrent peak forward current),
en la que se especifica la
frecuencia máxima del pico.
b.- Tensión de ruptura en polarización
inversa (Breakdown Voltage, BV; Peak
Inverse Voltage, PIV): Es la tensión a la
que se produce el fenómeno de ruptura
por avalancha.
c.- Tensión máxima de trabajo en
inversa (Maximun Working Inverse
Voltage): Es la tensión que el fabricante
recomienda no sobrepasar para una
operación en inversa segura.
4

d.- Corriente en inversa, IR (Reverse
current): Es habitual que se exprese para
diferentes valores de la tensión inversa.
e.- Caída de tensión en PD, VF
(Forward Voltage): Es la caída de
voltaje entre las terminales del diodo
0.7V para el Si y 0.2V para el Ge.
1.8 Modelos equivalentes lineales
aproximados del diodo.
Para realizar cálculos en los circuitos
electrónicos, necesitamos llevarlos a
Circuitos eléctricos, para ello necesitamos
usar un modelo equivalente del diodo.
1.8.1 1ra Aproximación (el diodo ideal)
La exponencial se aproxima a una vertical
y una horizontal que pasan por el origen
de coordenadas figura 1.9. Este diodo
ideal no existe en la realidad, no se puede
fabricar por eso es ideal.
I
Polarización directa
(Conduce)
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1.8.1.1 Polarización directa: Es como
sustituir un diodo por un interruptor
cerrado figura 1.11.
Figura 1.11 Estado de conducción del
diodo ideal.
1.8.1.2 Polarización inversa: Es como
sustituir el diodo por un interruptor
abierto figura 1.12.
Figura 1.12 Estado de no conducción del
diodo ideal.
1.8.2 2da Aproximación
La exponencial se aproxima a una vertical
y a una horizontal que pasan por 0.7V
(este valor es el valor de la tensión
umbral para el silicio, porque suponemos
que el diodo es de silicio, si fuera de
germanio se tomaría el valor de 0.2V)
figura 1.13.
I

Polarización directa
(Conduce)
Polarización inversa
(No conduce)
Polarización inversa V
(No conduce)
Figura 1.9 Característica del diodo ideal.
0.7V V
El diodo ideal es un componente discreto Figura 1.13 Característica del diodo 2
da
aprox.
que permite la circulación de corriente
entre sus terminales en un determinado El tramo que hay desde 0V y 0.7V es en
sentido, mientras que la bloquea en el realidad polarización directa, pero como a
sentido contrario figura 1.10. efectos prácticos no conduce, se toma
como inversa. Con esta segunda
aproximación el error es menor que en la
aproximación anterior.
1.8.2.1 Polarización directa: La vertical
es equivalente a una pila de 0.7V figura
1.14.
0.7V
+ -

Figura 1.14 Estado de conducción del

da
diodo 2 aprox.
Figura 1.10 Comportamiento eléctrico del
diodo ideal
5
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1.8.2.2 Polarización inversa: Es como 1 0.7V
ID  VD  (1.4)
sustituir el diodo por un interruptor rF rF
abierto figura 1.15. 1.8.3.2 Polarización inversa: Existe una
resistencia muy alta con valores entre
Mega Ω a Giga Ω figura 1.18.
Figura 1.15 Estado de no conducción del A K
da Rinversa
diodo 2 aprox.
Figura 1.18 Estado de no conducción del
ra
diodo 3 aprox.
1.8.3 3ra Aproximación Esta tercera aproximación no merece la
pena usarla porque el error que se comete,
La curva del diodo se aproxima a una con respecto a la segunda aproximación,
recta que pasa por 0.7V y tiene una es mínimo. Por ello se usará la segunda
pendiente cuyo valor es la inversa de la aproximación en lugar de la tercera
resistencia interna figura 1.16. excepto en algún caso especial. Además
para usar la tercera aproximación se
I P=1/rF necesita buscar en el libro de datos el
valor de rF para cada diodo, siendo esto
Polarización directa una pérdida de tiempo innecesaria.
(Conduce)

Polarización inversa
1.9 Como elegir una aproximación
(No conduce)
Para elegir que aproximación se va a usar
V se tiene que tener en cuenta, por ejemplo,
0.7V
ra
Figura 1.16 Característica del diodo 3 aprox. si son aceptables los errores grandes, ya
que si la respuesta es afirmativa se podría
El estudio es muy parecido a los casos usar la primera aproximación. Por el
anteriores, la diferencia es cuando se contrario, si el circuito contiene
analiza la polarización directa. resistencias de precisión de una tolerancia
de 1 por 100, puede ser necesario utilizar
1.8.3.1 Polarización directa. la tercera aproximación. Pero en la
mayoría de los casos la segunda
Con polarización directa el diodo se aproximación será la mejor opción.
comporta como una pequeña batería en
serie con una pequeña resistencia figura La ecuación que se va a utilizar para saber
1.17. que aproximación se debe usar es:
0.7V
A+ - rF K A= Ánodo VS  0.7V
K= Kátodo ID  (1.5)
ID r F =Resistencia
RL  rF
interna
VD
Figura 1.17 Estado de conducción del diodo Esta ecuación se obtiene de un circuito
ra
3 aprox. serie: Una batería (VS), la carga (RL) y un
De la figura 1.17 se obtiene: diodo considerando la tercera
VD  0.7V  I D rF (1.3) aproximación.

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Fijándose en el numerador se ve que se polarización directa o inversa y luego
compara VS con 0.7V. Si VS es igual a calcule ID:
7V, al ignorar la barrera de potencial se a) Utilizando modelo ideal
produce un error en los cálculos del 10 %, b) Utilizando 2da aproximación.
si VS es 14V un error del 5 %, etc..., esto 1k
1kΩ a
se muestra en la Tabla 1.1 R1
+ V1
10V
ID
VS Diodo ideal
3.5V 20% b
7V 10% Figura 1.19
14V 5%
Solución: Para verificar si el diodo se le
28V 2.5%
aplica polarización directa o inversa, se
70V 1%
aplica Thévenin2, se abre las terminales
Tabla 1.1
del diodo(a y b) quedando el circuito de
Si se ve el denominador, si la resistencia
la figura 1.19.1.
de carga es 10 veces la resistencia interna, 1kΩ
al ignorar la resistencia interna se produce + a
un error del 10 % en los cálculos. Cuando + V1 R1
la resistencia de carga es 20 veces mayor 10V VTH
el error baje al 5 %, etc..., esto se muestra - b
en la Tabla 1.2. Figura 1.19.1
Vab  VTH  10V (1.6)
RL Primera o
Segunda Se puede observar que el diodo está
rF aproximación polarizado en directa, porque el voltaje de
Thévenin es igual a 10V positivo. Por lo
5 20% tanto, al ánodo se le aplica un voltaje
10 10% positivo y al cátodo un voltaje negativo.
20 5% Entonces:
40 2.5% a) Sustituyendo el modelo ideal del diodo,
100 1% el circuito queda de la siguiente forma
Tabla 1.2 (figura 1.19.2).
En la mayoría de los diodos rectificadores 1kΩ a
la resistencia interna es menor que 1Ω, lo R1
+ V1 ID
que significa que la segunda 10V
aproximación produce un error menor que b
el 5 % con resistencias de carga mayores
de 20 Ω. Por eso la segunda aproximación Figura 1.19.2
es una buena opción.
Calculando ID de la figura 1.19.2 se
obtiene:
1.10 EJEMPLOS 1.A
10V
ID   10mA (1.7)
Ejemplo # 1 1k
Para el circuito mostrado en la figura
1.19, verifique si al diodo se le aplica
2
Circuitos eléctricos, Dorf, capitulo 5.

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b) Sustituyendo el diodo por la 2da El circuito quedará de la siguiente forma
aproximación el circuito queda de la (figura 1.20.2).
1kΩ a
siguiente forma (figura 1.19.3).
1kΩ a +
R1
+ V1
R1 + 10V ID
+ V1
10V ID 0.7V
-
-
b
b Figura 1.20.2
Figura 1.19.3
Calculando ID de la figura 1.19.3 ID = 0A (El valor real sería IS).
Ejemplo # 3
tenemos: I D  10V  0.7V  9.3mA (1.8) Asumiendo diodos ideales encuentre el
1k valor de I y Vo en el circuito mostrado en
Ejemplo # 2 la figura 1.21.
Para el circuito mostrado en la figura
1.20, verifique si al diodo se le aplica ID2 10V
R2
polarización directa o inversa y luego 10kΩ
calcule ID.
I +
1k
1kΩ a D1 Vo
D2 -
R1 A
+ V1 R1
ID
10V
5kΩ
-10V
b Figura 1.21
Figura 1.20 Solución: Este problema al igual que en
Solución: Para verificar si al diodo se le el ejemplo # 1 podemos solucionarlo
aplica polarización directa o inversa, se aplicando el teorema de Thévenin. Pero
aplica Thévenin, se abre las terminales en este caso vamos a solucionarlo con un
del diodo(a y b) quedando el circuito método alternativo, bastante utilizado
mostrado en la figura 1.20.1. cuando se tiene un circuito con varios
1kΩ
diodos. Este método es bajo el concepto
a + de asunciones.
R1
+ V1
10V VTH Asumiendo que ambos diodos conducen.
b - Con esta asunción encontramos:
V A  0V ; Vo = 0V
Figura 1.20.1 10V  0V
y I D2   1mA (1.9)
Vab  VTH  10V Igual a la ecuación (1.6). 10k
Se puede observar que el voltaje de Entonces:
0V   10V 
Thévenin es de 10V, por lo tanto, el diodo I  I D2   2mA (1.10)
tiene aplicado un voltaje positivo en la 5k
terminal del cátodo y un voltaje negativo Despejando I.
en la terminal del ánodo. Esto significa I  2mA  I D 2  2mA  1mA  1mA
que al diodo se le aplica polarización Se observa que nuestra asunción de que
inversa. D1 y D2 están conduciendo es verdadera,

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ya que ID1 e ID2 son positivas, por tanto se Circuito para inciso b)
concluye que: L1
120ac 10:1 D1
I  1mA y VO  0V .
Ejemplo # 4 A
El circuito de la figura 1.22 es un 60 Hz D2 L2 Diodo
De
probador de diodos. Diga que lámpara Vi prueba
encenderá (L1 o L2) en cada uno de los B
Figura 1.22.2
siguientes casos:
a) Diodo de prueba con el cátodo en b.1) En el semiciclo positivo enciende
el punto A y el ánodo en punto B. L2 (Diodo de prueba ON, D2 ON y D1
b) Diodo de prueba con el cátodo en OFF).
el punto B y el ánodo en el punto b.2) En el semiciclo negativo no
A. enciende ninguna.
c) Diodo de prueba en corto circuito R: Enciende L2.
(dañado). Circuito para inciso c)
d) Diodo de prueba en circuito L1
120ac 10:1 D1
abierto (dañado).
Nota: Analizar el circuito por A
semiciclo de la señal. En el L2 Diodo
60 Hz D2 De
secundario del transformador y Vi prueba
considere diodos ideales. B
L1 Figura 1.22.3
120ac 10:1 D1
c.1) En el semiciclo positivo enciende
L2 (D2 ON y D1 OFF).
A
c.2) En el semiciclo negativo
60 Hz L2 Diodo
D2 enciende L1 (D1 ON y D2 OFF).
vs De
prueba R: Encienden ambas lámparas para
Figura 1.22 B
cada ciclo de la señal.
Solución: Circuito para inciso d)
Circuito para inciso a) L1
120ac 10:1 D1
L1
120ac 10:1 D1
A
Diodo
A 60 Hz D2 L2 De
60 Hz L2 Diodo Vi prueba
De B
Vi D2 prueba Figura 1.22.4
B
Figura 1.22.1 d) No enciende ninguna ya que el
a.1) En el semiciclo positivo ninguna circuito esta abierto.
enciende, dado que el diodo de Ejemplo # 5
prueba esta polarizado en inversa. En el circuito de la figura 1.23, diga que
a.2) En el semiciclo negativo lámpara se encenderá (L1 o L2) cuando el
enciende L1 ya que el diodo de prueba selector acciona cada uno de los contactos
y D1 están polarizados en directa (0,1, 2, 3). Considere diodos ideales.
mientas D2 esta polarizado en inversa.
R: Enciente L1.

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 Felipe Paz Campos 2013

120ac S1 0 relé1 1.11.1 Rectificador de media onda.

n:1
1 120ac
D2
2 +
D3 L1 +
Vs
60 Hz 3 - RL Vo
Vi D4 -
D1 60 Hz

L2 Vi
relé2
Figura 1.23 Figura 1.24

Solución: Analizando el circuito, durante el

a.) En el punto 0: Ninguna de las semiciclo positivo del voltaje en el
lámparas se enciende (circuito secundario del transformador. El diodo se
abierto). polariza en directa, esto significa que el
b.) En el punto 1: Durante el voltaje de salida es:
semiciclo positivo D3 OFF y D4 Vop  Vsp  0.7V (1.11)
ON por lo que el relé1 se acciona y durante el semiciclo negativo el diodo
encendiéndose L1. En el semiciclo se polariza en inversa, dando como
negativo D3 ON y D4 OFF, resultado un voltaje de salida igual a 0V.
entonces el relé2 se acciona Las formas de onda en el secundario del
encendiéndose L2. Por lo tanto transformador (Vs) y en la carga (Vo) se
ambas lámparas se encenderán muestran en la figura 1.24.1.
durante el periodo o ciclo de la
señal de entrada. Vs
c.) En el punto 2: El diodo D2 solo Vsp
deja pasar los semiciclos positivos
por lo que D3 no conduciría y D4
ON, entonces solo el relé1 se
acciona y encenderá L1.
d.) En el punto 3: El diodo D1 solo 0  2 t
deja pasar los semiciclos
negativos por lo que D4 no
conducirá y D3 ON, entonces solo -Vsp
el relé2 se acciona y excederá L2. T
1.11 El diodo como rectificador de Vo Vop=Vsp-0.7V
voltaje. Vprom=VDC
Rectificación: Es el proceso de convertir
una señal alterna (AC) en una que está
restringida a una sola dirección (DC). La
rectificación se clasifica, ya sea como de
media onda o onda completa, y a la vez la 0  2 t
rectificación de onda completa puede ser
de derivación central o tipo puente. Figura 1.24.1

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 Felipe Paz Campos 2013
Calculando Vprom de la figura 1.24.1: 1 T
T 0
1 T V prom  Vop send
V prom   Vop send
T 0 0
1  1 2
1  1 2 V prom 
2  Vop send 
2  Vop send
V prom 
2 0 Vop send 
2 
Vop send 0

2 xVop
1  V prom   0.637Vop (1.13)
2  0
V prom  Vop send 
1.11.3 Rectificador de onda Completa

Vop  cos  
1
V prom  tipo puente.
2 0 n:1
120ac
Vop 
V prom   cos   Vs
2 0 +

Vop 60 Hz
Vo-
V prom   0.318Vop (1.12) Vi RL

1.11.2 Rectificador de onda Completa Figura 1.26
con Derivación central. Durante el semiciclo positivo de la señal
D1
en el secundario del transformador,
n:1 + conducen los diodos D1 y D2 mientras D3
120ac
V y D4 están abiertos debido a la
- s1 +
polarización inversa. La trayectoria de la
+
60 Hz
V RL Vo corriente se muestra en la figura 1.26.1.
60Hz s2
- -
Vi
D2 n:1
Figura 1.25 120ac D3 D1
+
Vs
Vs1 ® +
Vsp Vs2
60 Hz D2 D4
RL Vo
Vi - -
®
Figura 1.26.1
Para el semiciclo negativo de la señal en
0  2 t el secundario del transformador,
conducen los diodos D3 y D4 mientras D1
y D2 están abiertos debido a la
-Vsp polarización inversa. La trayectoria de la
T corriente se muestra en la figura 1.26.2.
Vo Vop=Vsp-0.7V
n:1
120ac - D3
Vprom=VDC D1
Vs
+
®

60 Hz + D2 D4
RL Vo
Vi -
®
0  2 t Figura 1.26.2
Figura 1.25.1 Formas de onda
11
 Felipe Paz Campos 2013
Nota: ® Significa continuidad de la 1.11.4.1 Filtrado para rectificador de
corriente. media onda.
Las formas de onda en el secundario del n:1 Vop=Vsp-0.7V
120ac
transformador (Vs) y en la carga (Vo) se + +
muestran en la figura 1.26.3. vs +
- C
Vo
Vs RL
60 Hz - -
Vsp Vi
Figura 1.27
Durante el primer cuarto de la señal del
voltaje en el secundario del
0  2 t
transformador, el capacitor se carga al
voltaje pico de este, menos la caída del
diodo (Vop=Vsp-0.7V).
Cuando el capacitor se carga a:
-Vsp
T Vop=Vsp-0.7V el diodo se polariza en
inversa y el capacitor comienza a
Vo Vop=Vsp-1.4V descargarse a través de la carga y se
Vprom=VDC
seguirá descargando durante el semiclo
negativo, cuando vuelve el siguiente
semiclo positivo el capacitor no se ha
descargado por completo e inicia
nuevamente su carga, hasta alcanzar
0  2 t Vop=Vsp-0.7V y así sucesivamente.
Figura 1.26.3 Las formas de onda en la carga se
muestran en la figura 1.27.1.
1 T
T 0
V prom  Vop send
Vo Voltaje de Rizo (Vr)
Vprom=VDC
1  1 2

2  0 
V prom  V send  Vop send Vop
2
op
0

2 xVop
V prom   0.637Vop (1.14)

1.11.4 Filtrado en los rectificadores de
voltaje. 0 T/4
 2 t
Los circuitos rectificadores proporcionan Figura 1.27.1
un voltaje DC pulsante en la salida.
Estas pulsaciones, conocidas como rizo Vr
de salida, pueden reducirse por medio de V prom  VDC  Vop  (1.15)
filtrado. 2
El tipo más común de filtro emplea un I Lp
solo capacitor. Vr  (1.16)
fC
Vop
I Lp  (1.17)
RL

12
 Felipe Paz Campos 2013
De la ecuación (1.16) Vr (voltaje de rizo) carga, hasta alcanzar Vop=Vsp-1.4V y así
se observa, si C es grande Vr es pequeño, sucesivamente.
entre más alto sea el valor de C más Las formas de onda en la carga se
pequeño será Vr. El inconveniente que muestran en la figura 1.28.1.
existe, es que entre más alto sea el valor
de C demanda mayor corriente y esta Vo Voltaje de Rizo (Vr)
Vprom=VDC
corriente es la misma que circula por el
diodo y se debe tener en cuenta el valor Vop
máximo de la corriente que soporta el
diodo para que no se queme. Para esto
podemos calcular Cmáx de la siguiente
ecuación.
2Vop
0 T/4
 2 t
I D max  I Lp (1  2 ) (1.18) Figura 1.28.1
Vr
Vr
1.11.4.2 Filtrado para rectificador de V prom  VDC  Vop  (1.19)
onda completa. 2
El filtrado para onda completa con
I Lp
derivación central o tipo puente es igual y Vr  (1.20)
las ecuaciones también. Lo único que se 2 fC
debe tomar en cuenta es que en onda Vop
completa con derivación central existe I Lp  Donde Vop es diferente al de
una caída de voltaje de 0.7V y en el tipo RL
puente 1.4V ya que trabajan dos diodos media onda, ya que, en el de onda
en cada semiclo de la señal. completa hay una caída de 1.4V y en el de
Filtrado para tipo puente. media onda 0.7V.
n:1
120ac
De la ecuación Vr (voltaje de rizo) se
observa, si C es grande Vr es pequeño,
Vs entre más alto sea el valor de C más
+

60 Hz RL pequeño será Vr. El inconveniente que

Vi C Vo existe, es que entre más alto sea el valor
-
de C demanda mayor corriente y esta
Figura 1.28
corriente es la misma que circula por los
Durante el primer cuarto de la señal del dos diodos que están conduciendo y se
voltaje en el secundario del debe tener en cuenta el valor máximo de
transformador, el capacitor se carga al la corriente que soporta cada diodo para
voltaje pico de este, menos la caída de los que no se queme. Para esto podemos
diodos (Vop=Vsp-1.4V).
calcular Cmáx de la siguiente ecuación.
Cuando el capacitor se carga a:
Vop=Vsp-1.4V los dos diodos que estaban Vop
I D max  I Lp (1  2 ) (1.21)
conduciendo se polarizan en inversa y el 2Vr
capacitor comienza a descargarse a través
de la carga, cuando llega el semiclo
negativo el capacitor no se ha descargado
por completo e inicia nuevamente su

13
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Vop  33.24V ; De la ecuación (1.17):
1.12 EJEMPLOS 1.B 33.24V
Ejemplo # 1 I Lp   33.24mA (Corriente pico
Para el circuito de la figura 1.29. 1k
a) Dibuje y calcule el voltaje en la carga)
promedio en la carga sin filtro. De la ecuación (1.16):
b) Dibuje y calcule el voltaje  33.24mA 
Vr  V     0.5540V
promedio en la carga con filtro.  60 x1000 F 
Considere VF = 0.7V. De la ecuación (1.15):
5:1
120ac 0.5540V
+
V prom  VDC  33.24V   32.96V
Vo 2
RL Nota: Las variables Vs, Vop, ILp,Vr y Vprom
C 1kΩ
60 Hz 1000uF
-
Serán utilizadas en algunos de los
Vi ejercicios posteriores.
Ejemplo # 2
Figura 1.29
Para el circuito mostrado en la figura
Solución: a) Sin filtro 1.30, determine el valor del capacitor (C)
Vo 35.00 V
y la relación de transformación (n). El
25.00 V

15.00 V
voltaje en la carga es de 50VDC, con un
5.000 V rizo pico a pico del 10% del voltaje en la
-5.000 V
0.000ms 20.00ms 40.00ms 60.00ms 80.00ms
carga. Considere VF = 0.7V.
n:1
Measurement Cursors
120ac
Vo X: 20.833m Y: 33.236 +
RL
120 V Vo
Vs   24 Vr.m.s (Voltaje ac o r.m.s en el 1kΩ
5 60 Hz C
secundario) Vi -
VSP  24 (2)  33.94V (Voltaje pico en el Figura 1.30

secundario) Solución:
De la ecuación (1.11): De la ecuación (1.15) se obtiene:
Vop  33.94V  0.7V  33.24V (Voltaje 0.1x50V
Vop  50   52.5V
pico en la carga) 2
De (1.17):
De la ecuación (1.12) se obtiene:
52.5V
33.24V I Lp   52.5mA
V prom  VDC   10.58V (Voltaje 1k

De (1.16):
promedio en la carga)
 52.5mA 
b) Con filtro: Vr  V     5V ;
Vo 40.00 V  60C  
30.00 V Despejando C obtenemos:
52.5mA
20.00 V
C  175F
10.00 V
5 x60
0.000 V
Vsp  52.5V  0.7V  53.2V de (1.11)
0.000ms 20.00ms 40.00ms 60.00ms 80.00ms
Vip 169.7V
Measurement Cursors
n   3.19  3
Vsp 53.2V
Vo X: 20.722m Y: 32.96

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32.54V
Vop  32.54V ; I Lp   32.54mA
Ejemplo # 3 1K
Para el circuito de la figura 1.31. De la ecuación (1.20) resulta:
a) Dibuje y calcule el voltaje
 32.54mA 
promedio en la carga sin filtro. Vr  V     0.2712V
b) Dibuje y calcule el voltaje  (120 x1000 F ) 
promedio en la carga con filtro. De la ecuación (1.19) se obtiene:
Considere VF = 0.7V. 0.2712V
V prom  VDC  32.54V   32.4V
120ac 5:1
2
Ejemplo # 4
Para el circuito mostrado en la figura 1.32
+ calcule el voltaje promedio en la carga
60 Hz RL Vo con filtro y sin filtro.
Vi C 1kΩ Considere VF = 0.7V.
1000uF - D1
Figura 1.31 120ac 5:1
+
Solución: D2
Sin filtro: RL Vo
60 Hz C 1kΩ
Vo Vi 1000uF
-
40.00 V
30.00 V
20.00 V
Figura 1.32
10.00 V
Solución:
0.000 V
0.000ms 20.00ms 40.00ms 60.00ms 80.00ms Sin filtro:
120V
VS   24Vr .m.s
Measurement Cursors

Vo X: 20.891m Y: 32.542
5
120V 24 2
VS   24Vr .m.s VSP  24 2  33.94V VSP1   16.97V
5 2
VSP  24 2  33.94V VoP  16.97V  0.7V  16.27V (Voltaje
VoP  33.94V  1.4V  32.54V de salida pico )
De la ecuación (1.14) se obtiene: De la ecuación (1.13) resulta:
2 x32.54V 2 x16.27V
V prom  VDC   20.72V V prom  VDC   10.36V
 
Con filtro: Con filtro:
35.00 V
El Vop y ILP son los mismos sin filtro y
Vo
25.00 V con filtro.
15.00 V
16.27V
VoP  16.27V ; I LP   16.27mA
5.000 V 1k
-5.000 V

0.000ms 20.00ms 40.00ms 60.00ms 80.00ms

De la ecuación (1.20) se obtiene:
 16.27mA 
Measurement Cursors
Vr  V     0.136V
 120 x1000 F 
Vo X: 20.891m Y: 32.403

De la ecuación (1.19) resulta:

El Vop y ILP son los mismos sin filtro y 0.136V
V prom  VDC  16.27V   16.2V
con filtro. 2

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Ejemplo # 5 Puesto que es el mismo valor de Vprom1
Para el circuito mostrado en la figura lo único que negativo.
1.33, Dibuje y calcule: El voltaje V prom1, 2  V prom1  V prom2
promedio en RL1 (V1) y RL2 (V2), el
voltaje promedio V1,2. Dato: VF = 0.7V. V prom1, 2  39.9865 V  (39.9865V )  79.97V
120ac 2:1
Ejemplo # 6
1 Para el circuito mostrado en la figura 1.34
RL1 calcule el valor máximo del capacitor que
C1 1kΩ se puede utilizar. IDmax = 500mA.
60 Hz 100uF
Vi Considere VF = 0.7V.
RL2 10:1
C2 120ac
1kΩ
100uF
+ RL
2 Vo
Figura 1.33 1kΩ
60 Hz C -
Solución: Las formas de onda se Vi
muestran a continuación. Figura 1.34
100.0
V1,2 Solución:
Vop  16.271V ; I Lp  16.271mA
50.00
V1
0.000

V2 -50.00 De la ecuación (1.18):

0.000ms 30.00ms 60.00ms 90.00ms
2Vop
I D max  I Lp (1  2
Measurement Cursors
V1,2 X: 4.1143m Y: 83.500 ) Despejando Vr
Vr
120V 2Vop
VS   60Vrms Vr 
2 I D max  I Lp
Vsp  60 2  84.85V (Voltaje en el ( )2
2 I Lp
secundario pico). Introduciendo valores:
Vp1, 2  84.85V  1.4V  83.45V (Voltaje 2 x16.271V
Vr   1.454V
pico de 1,2). 500mA  16.271mA 2
( )
V p1, 2 83.45V 2 x16.271mA
V p L1    41.725V
2 2 De la ecuación (1.16):
V p L 2  41.725V I Lp 16.271mA
Vr   C max   187  F
De la ecuación (1.17) se obtiene: fC 60 x1.454V
41.725V Ejemplo # 7
I L P1   41.75mA
1k Para el circuito mostrado en la figura
De la ecuación (1.20) se obtiene: 1.35, calcule el valor máximo del
41.725mA capacitor que se puede utilizar.
Vr1  V   3.477V
120 x100 F  IDmáx = 500mA.Considere VF = 0.7V.
De la ecuación (1.19) resulta:
3.477V
V prom1  41.725V   39.9865V
2
Vprom2  39.9865V

16
 Felipe Paz Campos 2013
10:1
120ac
voltaje prácticamente constante como se
muestra en la figura 1.37. La ruptura
+ Zener no origina necesariamente la
RL Vo destrucción del diodo, mientras la
60 Hz
Vi C 1kΩ corriente está limitada en el diodo por el
-
circuito exterior hasta un nivel que no
Figura 1.35 exceda la capacidad de potencia del
diodo.
Solución: A(Ánodo) K(Kátodo)
- +
Vop  15.571V ; I Lp  15.571mA
Figura 1.36 Símbolo
De la ecuación (1.21):
Vop I Zona directa
I D max  I Lp (1  2 )
2Vr
Despejando Vr se obtiene:
Vop
Vr  Vz V
I D max  I Lp 2
2( )
2 I Lp Voltaje umbral
15.571V (Vγ)
Vr   0.3176 V Zona zener
500mA  15.571mA 2
2( )
2 x15.571mA
De la ecuación (1.20):
Zona inversa Figura 1.37
I Lp 15.571mA
Vr   C max   408.6 F 1.13.1 Aproximaciones del diodo Zener.
2 fC 120 x0.3176V
1.13 Diodo Zener
1.13.1.1 1ra Aproximación
Existen distintos tipos de diodos: los
Como primera aproximación se usa el
diodos Zener, los diodos opto
modelo ideal. Cuando está activo se
electrónicos, Schottky, varicap, etc.
comporta como una pequeña batería y
Los diodos Zener, contrariamente a los
cuando está inactivo como un circuito
diodos comunes anteriormente descriptos,
abierto. Esto se muestra en la figura 1.38
son diodos que han sido especialmente
y figura 1.39.
diseñados para que funcionen en la zona
de ruptura. El diodo Zener también es K(Kátodo) K
llamado diodo de avalancha y su principal
utilización es en reguladores de tensión.
Su símbolo eléctrico es el que se muestra
+
≡ +
Vz
en la figura 1.36. Según el nivel de dopaje -
que se le de al silicio, la tensión de -
ruptura Vz puede variar de 2V a 200V. A(Ánodo) A
Los diodos Zener se caracterizan por
tener un cambio muy brusco de corriente Figura 1.38 Diodo Zener activo
en la zona de ruptura, manteniendo el

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 Felipe Paz Campos 2013
K(Kátodo) K libro de datos el valor de la resistencia
zener.
Circuito 1.13.2 El diodo Zener como Regulador
abierto
≡ de Voltaje.
120ac n:1
RS

A(Ánodo) A +
Figura 1.39 Diodo Zener inactivo 60 Hz Vi C + Vo RL
vs Vz
-
-
da
1.13.1.2 2 Aproximación
Figurra 1.42
Como segunda aproximación, cuando el rz // RL
Vr ( RL )  Vr (1.22)
diodo zener está activo se comporta como RS  rz // RL
una pequeña batería en serie con una
La ecuación 1.22 es el voltaje de rizado
pequeña resistencia y cuando está
en la carga para el circuito 1.42.
inactivo como un circuito abierto. Esto se
La figura 1.43 representa el circuito de la
muestra en la figura 1.40 y figura 1.41.
figura 1.42 a partir del condensador.
RS
K(Kátodo) K +
+ IS + Iz
+
Vz Vi Vz
RL V
o
IL
≡ - -
-
-
rz
Figura 1.43
A(Ánodo) A
La primera condición que se debe cumplir
Figura 1.40 Diodo Zener activo
para garantizar que el diodo zener entre a
conducción es:
VTH  Vz (1.23)
K(Kátodo) K
Una vez que el diodo zener entra a
conducción se puede escribir:
≡ Circuito IS  Iz  IL (1.24)
abierto
Vo  Vz : Cons tan te (1.25)
Vo
A(Ánodo) A IL  (1.26)
Figura 1.41 Diodo Zener inactivo
RL
1.13.1.3 Como elegir una V  Vz
IS  i (1.27)
aproximación RS
Se usará la primera aproximación del
diodo zener, ya que el valor de la
resistencia zener es bastante pequeño
como para despreciar su efecto (unidades
de ohm). Además para usar la segunda
aproximación se necesitará buscar en el

18
 Felipe Paz Campos 2013
Con RL constante y Vi variable se debe cumplir: VTH ≥ Vz, ecuación
RS (1.23).
IS + Iz
+
22Vx1k
+ Calculando VTH   20V
Vi Vz
RL V
o 1.1k
- IL Como se cumple la condición, entonces
-
-
podemos decir: Vo = Vz = 10V, ecuación
Figura 1.44 (1.25).
I S min  I z min  I Lcte (1.28) Por tanto de la ecuación (1.26) se calcula:
10V
V  Vz IL   10mA
I S min  i min (1.29) 1k
RS Ejemplo # 2
I Smáx  I zmáx  I Lcte (1.30) Entre que valores puede variar RL en el
circuito de la figura 1.47, de modo que el
V V
I Smáx  imáx z (1.31) diodo zener siempre regule.
RS Pzmáx = 100mW.
470Ω
Con RL Variable y Vi Constante IL
RS +
+
RS +
6V8
30V
VO
+
IS + Iz - RL
+ -
RL V -
Vi Vz o
- IL
-
- Figura 1.47
Solución:
Figura 1.45 De la ecuación (1.23) se tiene VTH ≥ Vz
para que el diodo zener funcione.
I Scte  I z max  I L min (1.32)
30VxR L min
V VTH   6.8V
I L min  o (1.33) RL min  470
RLmáx Despejando RLmin, se obtiene:
I Scte  I z min  I Lmáx (1.34) 6.8Vx 470
RL min   137.76
V 30V  6.8V
I Lmáx  o (1.35) De la ecuación (1.32) se tiene:
RL min IScte = Izmáx + ILmin ;
1.14 EJEMPLOS 1.C De la ecuación (1.33):
Ejemplo # 1 Vz
Para el circuito de la figura 1.46 calcule: I L min 
Vo e IL. RLmáx
100Ω p 100mW
+ I zmáx  zmáx   14.7mA
+ RS +
Vz 6.8V
22V 10V
RL V
- IL 1kΩ
o Sustituyendo en la ecuación (1.32):
-
- 30V  6.8V 6.8V
 14.7mA 
470 RLmáx
Figura 1.46
6.8V
Solución: Primero se tiene que Despejando RLmáx   196.18
comprobar si el diodo zener está en la 34.66mA
zona de operación activa o no, para esto Entonces: 137.76  RL  196.18

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 Felipe Paz Campos 2013
Ejemplo # 3 240Ω
Entre que valores puede variar Vi en el IL
RS +
circuito de la figura 1.48, de modo que + +
30V RL V
Vo = 10V y que no exceda la potencia 12V 560Ω
O
-
máxima que soporta el diodo zener, que - -
es de 600mW.
RS
120Ω Figura 1.49
+
+ IL Solución: El componente que está
+ defectuoso en este caso es el diodo zener.
vi 10V
RL V
- 560Ω
o Estaría abierto, ya que:
-
- 30Vx500
Vo   20.27V
740
Figura 1.48 Ejemplo # 5
Solución: Utilizando un diodo zener y cualquier
De la ecuación (1.23) se tiene VTH ≥ Vz numero de resistores disponibles, diseñe
para que el diodo zener funcione. un circuito de reducción de voltaje que
560xVi min permita que un radio portátil,
VTH   10V
120  560 normalmente alimentado por una batería
Despejando Vimin, se obtiene: de “radio transistores” estándar de 9V
10V (120  560) quede alimentada en su lugar a partir de
Vi min   12.14V una batería de automóvil de 12V. La
560
De la ecuación (1.30) se tiene: potencia máxima que puede ser disipada
I smáx  I z max  I L max por los zeners disponibles es de 1W. La
radio requiere de un máximo de 0.5 W de
10V
I Lcte   17.86mA energía, a todo volumen. Note que el
560 voltaje de la batería de automóvil puede
P 600mW de hecho variar en un rango de 12V hasta
I zmáx  zmáx   60mA 13.6V, dependiendo de su estado y de la
Vz 10V
V  10V corriente total utilizada por el automóvil.
I s max  i máx  60mA  17.86mA El valor 13.6V representa el voltaje real
120 en circuito abierto en una batería de
Despejando Vimáx resulta: plomo de ácido de seis celdas.
Vi máx  19.3432V Solución: Se requiere de un circuito que
12.14V  Vi  19.3432V pueda convertir una fuente de voltaje
Ejemplo # 4 directa de 12V a una fuente de voltaje
En el circuito de la figura 1.49 el diodo directa de 9V. Dicho circuito deberá
zener tiene Vz = 12V y una rz = 1.4Ω. Si aceptar 12V en las terminales de entrada
al medir se obtiene aproximadamente y proporcionar 9V a la carga en sus
20V en la carga ¿Qué componente está terminales de salida. El circuito será el
defectuoso?. Explique porqué. mostrado en la figura 1.50.

20
 Felipe Paz Campos 2013

IL El voltaje pico del condensador es:

R1
Vcmáx = Vz + VR1
+
I1 Asumiendo una caída de VR1=3V.
+ radio
+
Iz VO Entonces:
VBAT portatil
Vcmáx = 10V + 3V= 13V.
12V a 13.6V - Vz =9V - Por tanto:
Vsp = 13V +1.4V = 14.4V
Figura 1.50 120 2V
Calculando n   11.79
Pradiomáx 0.5W 14.4V
I Lmáx    56mA El valor real será n =12. Con este valor
VL 9V
Vsp = 14.14V
I1  I z max  I L  1mA  56mA  57mA Vcmáx = 12.74V y VR1 = 2.74V.
(Tomando Iz = 1mA, corriente de 2.74V
ruptura inversa). R1   53.73 (Con 1mA como
51mA
V  VO 12V  9V
R1  BAT   52.63 corriente de ruptura inversa del diodo
I1 57mA zener).
Para R1 se seleccionará el valor estándar Para el cálculo de C asumiremos:
de 51Ω. Vr = 1%Vcmáx = 0.1274V
13.6V  9V Por tanto de (1.20):
I1máx   90.2mA I1 51mA
51 C   3,336uF .
PZ  I1VZ  90.2mAx9V  0.81W 120Vr 120 x0.1274V
El limite máximo de potencia 1W para el PROBLEMAS
zener no se ha excedido, incluso para Considere VF = 0.7V. a menos que se diga
VBAT =13.6V. otra cosa.
(13.6V  9V ) 2 1.1 Determine I3 en el circuito de la
PR1  VR1 I 1   0.41W Figura P1.1.
51 a) Utilizando modelo ideal.
Deberá seleccionarse para esta aplicación b) Utilizando 2da aproximación.
un resistor con una potencia nominal de c) Considerando diodos con VF = 0.7V y
por lo menos 0.5W. RF = 10Ω.
Ejemplo # 6 R1 D1 D3
Diseñe una fuente de alimentación con 10Ω

puente rectificador, regulado por un diodo I3

zener de 10V. La alimentación deberá ser D2 D4
+
capaz de entregar a la carga hasta 50mA. 5V R3
R2 R4
50Ω 80Ω
Solución: El circuito será el que se 100Ω
muestra en la figura 1.51.
120ac n:1 Figura P1.1
I1
IL 1.2 Para el circuito de la figura P1.2.
R1 + a) Dibuje y calcule el voltaje
60 Hz + Iz
Vi C promedio en la carga sin filtro.
Vz
- VL R b) Dibuje y calcule el voltaje
- L
Figura 1.51 promedio en la carga con filtro.

21
 Felipe Paz Campos 2013
120ac
120ac 5:1 2:1
+ 1
RL +
+ RL1
C Vo 1kΩ 60 Hz 2kΩ
60 Hz 1000uF - V1 V1,2
Vi Vi -
V2 1kΩ
Figura P1.2 + RL2
2 -
1.3 Para el circuito de la figura P1.3. Figura P1.6
a) Dibuje y calcule el voltaje promedio en 1.7 Para el circuito mostrado en la figura
la carga sin filtro. P1.7, dibuje y calcule Vo. Considere
b) Dibuje y calcule el voltaje promedio en diodos ideales.
la carga con filtro. R1 D1
-25/25V 1:2 1kΩ
120ac 5:1 +
R2 D2
1kΩ
60 Hz RL Vo
+
RL Vi 10kΩ -
60 Hz Vo
C 2k
2kΩ Figura P1.7
Vi 1000uF - 1.8 Para el circuito mostrado en la figura
Figura P1.3 P1.8 ¿Qué valor de capacitor se requiere
1.4 Para el circuito mostrado en la figura para obtener un voltaje de salida que no
P1.4 calcule el voltaje promedio en la varía más de 5%?. Dibuje la forma de
carga con filtro y sin filtro. onda de salida.
D1 R
120ac 5:1 5kΩ
+ +
+ RL
Vo 560Ω 100Vrms Vo
10kΩ
60 Hz C 60Hz
D2 RL - -
Vi 1000uF -
Figura P1.4
Figura P1.8
1.5 Para el circuito mostrado en la figura 1.9 Diseñe una fuente de potencia de cd
P1.5 calcule el voltaje promedio en RL1 no regulada de onda completa que tenga
(V1) y RL2 (V2), además calcule el voltaje una entrada de 220Vrms a 60Hz y un
promedio V1,2. máximo de voltaje de salida de 19.5V y
120ac 2:1
un mínimo de 15V. Esta alimentación
1
RL1 será necesaria para proporcionar potencia
C1 a una carga que requiere una corriente
60 Hz 2kΩ
1000uF máxima de 500mA. Suponga diodos y
vs RL2
transformador ideales. Determine:
C2
1000uF 1kΩ a) La configuración del circuito
2 (dibujo).
Figura P1.5 b) Relación de vueltas del
1.6 Para el circuito mostrado en la figura transformador.
P1.6, calcule el voltaje promedio en RL1 c) El tamaño del capacitor.
(V1) y RL2 (V2), además calcule el voltaje
promedio V1,2. 1.10 Un circuito integrado requiere
voltajes positivo y negativo para su
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 Felipe Paz Campos 2013
operación. Empleando el circuito que se 1.14 Para el circuito de la figura P1.14,
muestra en la figura P1.10, determine la calcule: VL e IL.
relación de vueltas del transformador y el RS +
+
+ 560Ω
tamaño del capacitor que se necesita para RL V
22V L
obtener un máximo de 14V y mínimo de - 10V IL 220Ω
12V en la salida, cuando el voltaje de - -
entrada es 120Vrms a 60Hz. Considere la Figura P1.14
2da aproximación para los diodos e ignore 1.15 Entre que valores puede variar Vi en
las perdidas en el transformador. el circuito de la figura P1.15, de modo
n:1
120ac que VL = 10V constante y que no exceda
1 la potencia máxima que soporta el diodo
zener, que es de 600mW.
60 Hz C Vo1 5:1
100Ω
Vi Is IL
180Ω
C Vo2
100Ω Rs
2 60 Hz +
Figura P1.10 vi C + Iz
1000uF VL
1.11 Para el circuito de la figura P1.11, 10V RL 680Ω
-
calcule el valor máximo del capacitor que Figura P1.15 -
se puede utilizar. IDmáx = 1A. 1.16 Para el circuito de la figura P1.16,
10:1
120ac calcule:
+
RL
a) Vprom1
1kΩ
b) Vprom2
60 Hz C c) Vprom1,2.
- 5:1
Vi 120ac
Figura P1.11
1
1.12 Para el circuito de la figura P1.12,
calcule el valor máximo del capacitor que C1
60 Hz
se puede utilizar. IDmáx = 1A. Vi
1000uF
10:1
120ac
C2
1000uF
Figura P1.16
2
RL
60 Hz 1.17 Un diodo Schottky D1 con VF = 0.3V
vs C 1kΩ
y un diodo de unión PN de silicio D2 con
Figura P1.12 VF = 0.7V están conectados en paralelo
en el circuito de la figura P1.17,
1.13 Para el circuito de la figura P1.13,
determine el voltaje de cada diodo y la
calcule: VL e IL.
RS corriente I1.
100Ω
+ I1 R1
+ + 1kΩ D1 D2
+ V1
22V 10V
RL V 5V SCHOTTKY
L
- IL 2kΩ
-
-

Figura P1.13 Figura P1.17

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