BENEMERITA UNIVERSIDAD AUTONOMA DE PUEBLA - BUAP

“FACULTAD DE CIENCIAS DE LA ELECTRÓNICA”

Dispositivos Electrónicos
NRC 59417

“PRÁCTICA 1”

CURVA CARACTERÍSTICA DE UN DIODO

DOCENTE: José Mauro Huerta Rivera

EQUIPO:

Gaviño Bartolo Sayuri 201929423

sayuri.gavino@alumno.buap.mx

Amozoc Escalona Maria 201933597

maria.amozoc@alumno.buap.mx

Flores Flores Marco Antonio 202081938

marco.floresfl@alumno.buap.mx

Varela Flores Sebastian

sebastian.varela@alumno.buap.mx 202060296

PRIMAVERA 2023

31 DE ENERO 2023
 I. RESUMEN
En esta práctica se construyó la curva característica de un diodo a partir de datos
experimentales, tanto en polaridad directa como polaridad inversa. Con el fin de observar el
comportamiento de un diodo de unión P-N, se utilizó una fuente de laboratorio, en donde se
fue variando el voltaje con intervalos a partir de 0.2 V hasta 20 V .

II. INTRODUCCIÓN

El diodo puede ser descrito como un dispositivo de dos terminales, el cual es sensible a la
polaridad que permite pasar la corriente eléctrica en un sentido y la bloquean en el sentido
contrario. Es un componente básico de los circuitos electrónicos y eléctricos, muy presentes en
nuestra vida diaria.

Los diodos tienen una polaridad determinada por un ánodo (terminal positivo) y un cátodo
(terminal negativo). La mayoría de los diodos permiten que la corriente fluya solo cuando se aplica
tensión al ánodo positivo.

La importancia de los diodos semiconductores es conocer su funcionamiento y las diversas

aplicaciones en la electrónica, ya que es esencial para el trabajo de circuitos, circuitos integrados,
electrónica de potencia entre otras.

III. OBJETIVOS
1. Generales; Analizar el comportamiento del diodo específico (1N4004) mediante la
simulación de un circuito.
2. Específicos; Poner en práctica nuestros conocimientos adquiridos anteriormente sobre
componentes básicos y el ensamblaje de circuitos. Recopilar los datos para así poder
observar el comportamiento y límite del diodo con distintos valores de resistencias.
Comparar los resultados obtenidos de manera practica con lo que se obtuvo de manera
teórica.

IV. MARCO TEÓRICO

William B. Shockley y varios de sus colegas de Bell Laboratories estudiaron el fenómeno de la

corriente inversa en las uniones P-N a principios de la década de 1950, luego de la invención del
transistor y su investigación sobre materiales semiconductores. Lo hicieron utilizando la teoría
que Zener había desarrollado en su trabajo de 1934 para explicar el fenómeno efecto túnel. La
aplicación práctica de estos estudios tomó la forma de un diodo semiconductor que Shockley
llamó diodo Zener.

Investigaciones posteriores revelaron que el efecto creado en estas uniones era en realidad un
efecto de avalancha, aunque este tipo de semiconductor todavía se conoce como diodo Zener.

● Unión P-N

Los semiconductores son materiales cuya conductividad se sitúa entre la de los conductores y la
de los aislantes. Los semiconductores se clasifican en semiconductores intrínsecos y
semiconductores extrínsecos. Los semiconductores extrínsecos se clasifican a su vez en
semiconductores de tipo N y de tipo P.

Una unión P-N es una interfaz o un límite entre dos tipos de material semiconductor, el tipo p y el
tipo n, dentro de un semiconductor.

En un semiconductor, la unión P-N se crea mediante el método de dopaje. El lado P o positivo

del semiconductor tiene un exceso de huecos y el lado N o negativo tiene un exceso de
electrones.

● Unión P-N no polarizada

Figura 1. Representación de Unión P-N no polarizado.

Cuando un electrón se difunde del lado N al lado P, queda un donante ionizado en el lado N, que
es inmóvil. A medida que el proceso continúa, se desarrolla una capa de carga positiva en el lado
N de la unión. Del mismo modo, cuando un agujero pasa del lado P al lado N, queda un aceptor
ionizado en el lado P, lo que da lugar a la formación de una capa de cargas negativas en el lado
P de la unión. Esta región de carga positiva y carga negativa a ambos lados de la unión se
denomina región de agotamiento. Debido a esta región de carga espacial positiva a ambos lados
de la unión, se desarrolla un campo eléctrico con la dirección de una carga positiva hacia la carga
negativa. Debido a este campo eléctrico, un electrón en el lado p de la unión se mueve hacia el
lado n de la unión. Este movimiento se denomina deriva. Aquí, vemos que la dirección de la
corriente de deriva es opuesta a la de la corriente de difusión.

● Ecuación Matemática

La fórmula utilizada en la unión P-N depende de la diferencia de potencial incorporada creada

por el campo eléctrico se da como:

𝑁𝐷 𝑁𝐴
𝑉𝑏 = 𝑉𝑇 ln[ ]
𝑛𝑖2

donde:

- 𝑽𝒃 es el voltaje de unión.
- 𝑉𝑇 es la tensión térmica con valor constante de 26 mV a temperatura ambiente
- 𝑁𝐷 y 𝑁𝐴 son las concentraciones de impurezas
- 𝑛𝑖 es la concentración intrínseca.

● Condiciones de polarización

Existen tres condiciones de polarización para el diodo de unión P-N, que se basan en la tensión
aplicada:

1) Polarización cero: No se aplica tensión externa al diodo de unión P-N:

2) Polarización directa: El terminal positivo del potencial de tensión se conecta al tipo P,
mientras que el terminal negativo se conecta al tipo N.
3) Polarización inversa: El terminal negativo del potencial de tensión se conecta al tipo P y
el positivo se conecta al tipo N.

Al dispositivo así obtenido se le denomina diodo, al extremo

P se le denomina ánodo, representado por la letra A,
mientras que la zona N el cátodo, se representa por la letra
C (o K). Cuando se somete al diodo a una diferencia de
tensión externa, se dice que el diodo está polarizado,
pudiendo ser la polarización directa o inversa.
Figura 2. Representación de un Diodo.
 a) Diodo en Polarización Directa

Figura 3. Representación de un Diodo en polarización directa.

La polarización directa es cuando se aplica una tensión a través del diodo semiconductor, de
forma que el lado P esté conectado al terminal positivo de la fuente de voltaje, y el lado N esté
conectado al terminal negativo. En este caso, el potencial incorporado del diodo y la anchura de
la región de agotamiento disminuye, y la altura de la barrera se reduce, por lo cual la tensión de
barrera global es (𝑉0 -𝑉𝑖 ) que es la diferencia entre el potencial incorporado y el potencial aplicado.
Si se suministra una pequeña cantidad de tensión, la tensión de barrera disminuirá en pequeña
forma y, por lo tanto, sólo un pequeño número de portadores cruzan. En cambio, si se aumenta
el potencial en un valor significativo, la reducción de la altura de la barrera será mayor,
permitiendo así el paso de un mayor número de portadores.

b) Diodo en polarización inversa

Figura 4. Representación de un Diodo en polarización inversa.

La polarización Inversa es cuando se aplica tensión a través del diodo semiconductor, de tal
manera que el terminal positivo está conectado al lado N y el terminal negativo al lado P. Como
la dirección de la tensión externa es la misma que la del potencial de barrera, la barrera de tensión
total suma (𝑉0 +𝑉). Además, la anchura de la región de agotamiento aumenta. Como resultado, el
movimiento de los portadores de un lado a otro de la unión disminuye significativamente.
 ● Características de los diodos semiconductores

A continuación, se mostrará la curva característica V-I de un diodo semiconductor. Esta curva

característica es una explicación de que la corriente en el diodo semiconductor comienza a
conducirse cuando la corriente supera el umbral de la tensión de avance, sin embargo, cada
Diodo tiene una especificación diferente.

Gráfica 1. Comportamiento del diodo con polarización directa (izquierda), y con

polarización inversa (derecha).
Donde:

- 𝐼𝐷 es la corriente del diodo.

- 𝐼𝑆 la corriente de saturación.
- 𝑉𝑇 es la tensión térmica con valor constante de 26 mV a temperatura ambiente
- 𝑉𝐷 es el voltaje del diodo.

En las gráficas anteriores, se muestra un crecimiento exponencial al estar polarizado

directamente; sin embargo, si se aplica polarización inversa, el diodo tendrá un rompimiento
(Break Off Voltage), donde el diodo quedará inutilizable.

En éste caso, se utilizó un Diodo 1N4004, el cual tiene su rompimiento en aproximadamente en

200 V.
 V. MATERIALES Y EQUIPO
- 1 resistencia de 100 Ω.
- 1 resistencia 1 KΩ.
- Protoboard.
- Un diodo 1N4004.
- 2 multímetros para medir corriente y voltaje.
- Fuente de Voltaje.

VI. PROCEDIMIENTO
Se realizó lo siguiente para la práctica:
1. Análisis y armado del circuito eléctrico con resistencia de 100 Ω.
2. Se colocó un multímetro para medir corriente y voltaje en el circuito eléctrico.
3. Se comenzó a inducir voltaje a nuestro circuito, y se observó su comportamiento.
4. Se recabaron los datos que se obtuvieron tanto de voltaje como de corriente en el diodo.
5. Se cambio la resistencia de 100 Ω por una resistencia de 1 KΩ, y se repitió el proceso del
paso número tres y cuatro.
6. Se cambio la polaridad del diodo, y se realizaron nuevamente el paso tres y cuatro.

Imagen 1. Circuito armado con Diodo.

Imagen 3. Tabla con los datos obtenidos

Imagen 2. Multímetros conectados para la medición de corriente y

voltaje.
VII. ANÁLISIS DE RESULTADOS

Tras concluir con las mediciones necesarias, se tabularon las 25 muestras y se obtuvieron sus
respectivas gráficas; ya que se trabajó con un Diodo 1N4004 las curvas características que
presentó fueron las siguientes:

Como se puede observar, el diodo

está por rozar el valor de .8V y salir
disparado, y, a partir de ahí, sigue
subiendo y subiendo.
Esta curvatura esta dada a partir
de la condición de que este tipo de
diodo necesita .7 V para transmitir
corriente; tiene un crecimiento
exponencial al tener polarización
directa, pero al aproximarse a los
200 V, llegará a su punto de
rompimiento (Break Off Voltage)
Como se puede apreciar, al tener una
resistencia mayor, el diodo trabaja
entre los .7 y .73 V, llegando a
sobrepasar la asíntota que tiene;
analizando los datos, se puede intuir
que al seguir suministrando un voltaje
cada vez mayor, este llegará a su punto
de rompimiento,.

Además, al estar polarizado

directamente, su curva característica
tendrá un crecimiento exponencial, y al
tener una resistencia de mayor valor,
esta misma frenará el paso de corriente
a través del diodo.
Finalmente, se analizó qué pasaría con el diodo al tener polarización inversa, no existe ningún
paso de corriente a través de este, además, se observa un crecimiento constante de su voltaje,
por lo cual, llegará un punto de rompimiento, donde el diodo sufrirá un daño irreparable; al estar
llegando a este punto de rompimiento, tendrá un descenso en picada hacia el cuarto cuadrante,
pues la corriente que fluirá a través sería negativa.
VIII. CONCLUSIONES

En base a toda la teoría que teníamos se pudo demostrar en la práctica que efectivamente
nuestro diodo tiene un mejor rendimiento al colocarse una resistencia con un valor más alto ya
que puede evitar su deterioro. con la resistencia de 100 ohms pudimos observar cómo se
quemaba al llegar a los 20 v, sin embargo, con la resistencia de 1k no sucedió. Pudimos entender
de manera más clara los conceptos de conductividad y algunas características de materiales
semiconductores. De tal manera gracias a la misma práctica obtuvimos la curva característica de
un diodo que fue investigado anteriormente

IX. REFERENCIAS

● Figueroa, F. (2021, 5 julio). DIODO: CURVA CARACTERÍSTICA. SENSORICX.

Recuperado 8 de septiembre de 2022, de https://sensoricx.com/electronica-basica/diodo-
curvacaracteristica
● Diodos. Curva característica y tensión umbral. (2014, 28 octubre). Ingelibre. Recuperado
8 de septiembre de 2022, de
https://ingelibreblog.wordpress.com/2014/10/27/diodoscurva-caracteristica-y-tension-
umbral/
● s/n, F. (2021, 9 mayo). ¿Qué es un diodo? Fluke. Recuperado 8 de septiembre de 2022,
de https://www.fluke.com/es-mx/informacion/blog/electrica/que-es-un-diodo