INFORME PRACTICA #4

Trabajo de curso

Juan David Acosta Castro

Cali-Colombia
juan_dav.acosta@uao.edu.co

Daniel Gutierrez Herrera

Cali-Colombia
deniel.gutierrez@uao.edu.co

I. INTRODUCCIÓN
EN ESTE INFORME SE UTILIZARÁN LOS CONOCIMIENTOS EN
CIRCUITOS ELÉCTRICOS YA VISTOS RECIENTEMENTE DONDE SE
CONOCERÁ Y SE LLEVARÁ A PRUEBA LOS CIRCUITOS DE ESTE
LABORATORIO TENIENDO EN CUENTA SU FUNCIÓN Y
CARACTERÍSTICAS PARA SU SOLUCIÓN Y CON LOS CÁLCULOS
APLICADOS CON LOS NUEVOS COMPONENTES PODER LLEGAR A
SU CORRECTO DESARROLLO Y PODER DEMOSTRAR LAS
Figure 1. Fórmulas ley de ohm.
HERRAMIENTAS APLICADAS. EN UN ENTORNO PRÁCTICO,
SIMULADO Y TEÓRICO. Ley de Kirchhoff: ley de la electrónica que explica el
Abstract—In this report, the knowledge in electrical circuits comportamiento del voltaje y la corriente, en que estos
already seen recently will be USED, where the circuits of this dos conforman un medio propicio para el flujo de
laboratory will be known and tested, taking into account their electrones, están basadas en el principio de la
function and characteristics for their solution and with the conservación de cargas y energía.
calculations applied with the new components to be able to
arrive at ITS CORRECT development and be able to *ley 1 (ley de corrientes): la suma aritmética de las
demonstrate the applied tools. in a practical, simulated and corrientes que entran por un nodo es igual a las que salen
theoretical environment. del mismo de la siguiente forma:

Keywords-component; Resistor, Conductor, Voltage Source,

Current Collector, Emitter, Base, Gate, Drain, Source, Direct
Current, Ohm, Volt, Amp, Watts, Kirchoff, Transistor, Vout,
Vin, BJT, JFET.
II. ANTECEDENTES
A. Marco teórico:
Ley de ohm: ley fundamental de la electrónica, explica el
comportamiento del funcionamiento en un circuito
conformado por una resistencia, una corriente y un
voltaje, se usan fórmulas prácticas para la comprensión de
los circuitos de la siguiente manera:
𝑖𝑇 = 𝑖1 + 𝑖2 + 𝑖3 +... + 𝑖𝑛
*ley 2 (ley de voltajes): la suma aritmética de los voltajes
que van en una trayectoria cerrada única, es el mismo que
el de la fuente total de la siguiente forma:
𝑉𝑇 = 𝑉1 + 𝑉2 + 𝑉3 +... + 𝑉𝑛
Resistencia: elemento disipador de corriente eléctrica de
símbolo (Ω) y unidad ohmios, las resistencias más
comunes son la fija y la variable usando dependiendo de
los requerimientos del circuito.

Figure 2. Tipos de resistencias más comunes.

Generador de tensión: elemento eléctrico encargado de

suministrar una cantidad de voltaje o tensión previamente
establecido, su valor en unidades es el voltio y su símbolo
es (V), tiene una polaridad (positivo y negativo) al que REGIÓN DE SATURACIÓN: Las uniones colector-base
debe ser conectado en el circuito. y base emisor están polarizadas directamente, el voltaje
colector-emisor es pequeño y la corriente es muy grande.

REGIÓN DE CORTE: En esta región la corriente de

colector es cero o casi cero para cualquier valor de voltaje
colector-emisor, las uniones colector-base y base emisor
están inversamente polarizadas.

Figure 3. Símbolos de fuente de tensión y curva característica.
Generador de corriente: elemento activo encargado de
proveer al circuito de una carga eléctrica específica, su
valor en unidades es el amperio y su símbolo es (A).
Figure 4. Símbolos de fuente de corriente y curva característica.
Transistor: El transistor es un dispositivo cuya resistencia
interna puede variar en función de la señal de entrada.
Esta variación de resistencia provoca que sea capaz de
regular la corriente que circula por el circuito al que está
conectado.
Transistor JFET: En un JFET de canal N tenemos 2
uniones PN entre las gate (G), que es semiconductor P y
la fuente (N) que es el canal y la otra entre el otro
semiconductor P y el canal.
En una unión PN la zona donde se unen los 2
semiconductores se llama zona de agotamiento. Esta zona
de agotamiento es una zona en donde los electrones se
unen a los huecos y no existen portadores de carga, es
decir no electrones ni huecos sueltos. En esa zona no hay
posibilidad de corriente, ya que no se pueden mover los
electrones hacia los huecos. Si se polariza inversamente la
unión PN, es decir el semiconductor P al negativo y el N
al positivo de la tensión, entonces la zona de agotamiento
aumenta con el aumento de la tensión polarizada
inversamente. Aumentando VGS disminuye la intensidad
por el canal ID.

Transistor BJT: El BJT tiene tres terminales. Estos

terminales se conocen como Colector, Emisor y Base.

Polaridad PNP- NPN (POLARITY) – Es la condición de

voltaje y de corriente que se establece en un transistor
Figure 6. JFET y su símbolo.
para fijar un punto de operación (Q), para mantener el
transistor en la región activa directa.
VGS: Voltaje Ground Source.

ID: Corriente de Drain.

IS: Corriente de Source.

III.DESARROLLO

A. Ecuaciones:

Circuito #1 BJT
1,5𝑉−0,7𝑉
𝐼𝐵 = 6800Ω
= 0, 12𝑚𝐴

12𝑉
𝐼𝑆𝐴𝑇 = 180Ω
= 66, 6𝑚𝐴

Figure 5. BJT y su símbolo. 𝐼𝐶 = 220(0, 12𝑚𝐴) = 26, 4𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐸 = 12𝑉 − 26, 4𝑚𝐴(180Ω) = 7, 248𝑉

VCE: Voltaje Colector Emisor.
12𝑉−7,248𝑉
IC: Corriente de Colector. 𝐼𝐵 = 180Ω
= 26, 4𝑚𝐴

IE: Corriente de Emisor. Transistor en Zona activa

 Circuito #2 BJT Circuito #2 JFET
5𝑉−0,7𝑉 𝑉𝐷𝐷*𝑅2
𝐼𝐵1 = 270Ω
= 15, 93 𝑢𝐴 𝑉𝐺 = 𝑅1+𝑅2

𝐼𝐶1 = 155(15, 93 𝑢𝐴) = 2, 47𝑚𝐴 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆; 𝑉𝑆 = 𝐼𝑆 * 𝑅𝑆

𝑉𝐷𝐷*𝑅2
𝑉𝐶𝐸1 = 12𝑉 − 2, 47𝑚𝐴(3, 3𝑘Ω) = 3, 85𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 𝑅1+𝑅2
− 𝐼𝑆 * 𝑅𝑆

𝑉𝐺𝑆 2
𝑉𝐶𝐸1 = 𝑉𝐵2 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 * (1 − 𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓
)

𝑉𝐵2 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑉𝐸2 = 0 20*180𝑘

𝑉𝐺 = 180𝑘+420𝑘
= 6𝑉

3, 85𝑉 − 0, 7𝑉 − 𝐼𝐸2(2000Ω) = 0 𝑉𝐺𝑆 = 6 − 𝐼𝐷 * 2, 7𝑘

3,15𝑉 𝐼𝐷𝑆𝑆𝑚𝑎𝑥 = 5𝑚𝐴

𝐼𝐸2 = 2000Ω
𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 =− 0, 5𝑉
𝐼𝐸2 = 1, 58 𝑚𝐴
6−𝐼𝐷*2,7𝑘 2
𝐼𝐷 = 5𝑚𝐴 * (1 − −0,5
)
𝑉𝐶𝐸2 = 12𝑉 − 1, 54𝑚𝐴(5, 8𝑘Ω + 2000Ω)
2
𝐼𝐷 = 5𝑚𝐴(1 − (− 12 + 5400𝐼𝐷)
𝑉𝐶𝐸2 = 0𝑉
2
𝐼𝐷 = 5𝑚𝐴(1 + 12 − 5400𝐼𝐷)
Transistor en Zona saturada
2
𝐼𝐷 = 5𝑚𝐴(13 − 5400𝐼𝐷)
Circuito #1 JFET 2 2 2
𝐼𝐷 = 5𝑚𝐴(13 − 2(13)(5, 4𝑘𝐼𝐷) + 5, 4𝑘 𝐼𝐷 )
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐼𝐷 * 𝑅𝑆
2 2
𝐼𝐷 = 5𝑚𝐴(169 − 140, 4𝑘𝐼𝐷 + 5400 𝐼𝐷 )
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 * (1 − 𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓
)
2
𝐼𝐷 = 0, 845 − 702𝐼𝐷 + 145800𝐼𝐷 )
𝑉𝐺𝑆 = 0 * 𝐼𝐷 * 680Ω
2
− 0, 845 + 703𝐼𝐷 − 145800𝐼𝐷 = 0
𝐼𝐷𝑆𝑆𝑚𝑎𝑥 = 75𝑚𝐴
2
−𝑏± 𝑏 −4𝑎𝑐
𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 =− 2𝑉 2𝑎

−680𝐼𝐷 2
𝐼𝐷 = 75𝑚𝐴 * (1 − ) 𝑉𝐺𝑆1 = 6, 85𝑉; 𝑉𝐺𝑆2 = 6, 16𝑉
−2

2 𝐼𝐷1 = 2, 53𝑚𝐴; 𝐼𝐷2 = 2, 28𝑚𝐴

𝐼𝐷 = 75𝑚𝐴 * (1 − 340𝐼𝐷)
2 2 2
𝐼𝐷 = 75𝑚𝐴 * (1 − 2(340𝐼𝐷) + 340 𝐼𝐷 )
2 2
𝐼𝐷 = 75𝑚𝐴(1 − 680 + 340 𝐼𝐷 )
2
𝐼𝐷 = 75𝑚𝐴 − 51𝐼𝐷 + 8670𝐼𝐷
2
− 75 + 52𝐼𝐷 − 8670𝐼𝐷 = 0
2
−𝑏± 𝑏 −4𝑎𝑐
2𝑎

𝑉𝐺𝑆1 =− 2, 43𝑉; 𝑉𝐺𝑆2 =− 1, 64

𝐼𝐷1 = 3, 58𝑚𝐴; 𝐼𝐷2 = 2, 41𝑚𝐴

 Circuito #2 JFET
III. SIMULACIONES
Circuito #1 BJT

Figure 10. Simulación circuito 2 JFET

IV. PRÁCTICA
Circuito #1 BJT
Figure 7. Simulación circuito 1 BJT

Circuito #2 BJT

Figure 11. Voltaje resistencia base (6.8kΩ)

Figure 8. Simulación circuito 2 BJT

Circuito #1 JFET

Figure 12. Voltaje base emisor

Figure 9. Simulación circuito 1 JFET

Figure 13. Voltaje colector emisor

 Figure 18. Voltaje resistencia colector (5.8kΩ)

Circuito #1 JFET

Figure 14. Voltaje resistencia colector (180Ω)

Circuito #2 BJT

Figure 19. Voltage Ground Source

Circuito #2 JFET

Figure 15. Voltaje resistencia base (270kΩ)

Figure 16. Voltaje colector emisor

Figure 20. Voltage Ground Source

Figure 17. Voltaje resistencia colector (3.3kΩ)
V. PORCENTAJES DE ERROR
Circuito #1 BJT
7,54 − 7,51
% 𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = || 7,54 || * 100 = 0, 39%

Circuito #2 BJT
3,77 − 3,42
% 𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = || 3,77 || * 100 = 9, 28%

Circuito #1 JFET
1,77 − 1,64
% 𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = || 1,77 || * 100 = 7, 34%
Circuito #2 JFET
6,2 − 6,16
% 𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = || 6,2 || * 100 = 0, 64%
VI. CONCLUSIÓN
Finalmente se puede apreciar la forma en que el valor del
beta en la teoría es un dato exacto que se debe usar en
muchas ocasiones para hallar corrientes que entran o salen
del transistor, por otro lado tanto en la simulación como
en la vida real este valor cambia mucho y no es algo que
podamos tener en cuenta como un valor exacto, esto
debido a que en la práctica este cambia en cada uno de los
transistores, esto al final varía los valores de las corrientes
resultantes por lo cual se debe calcular y variar las
resistencias que se tienen en la teoría para que den los
resultados esperados. , este es el caso para los transistores
bjt, para los transistores Jfet, no se tiene en cuenta el valor
del beta gracias a que no existe como tal, uno de los
mayores problemas a la hora de trabajar con los jfet es que
al no ser comerciales, es mucho más complejo
conseguirlos y por ende, lograr finalizar esta práctica fue
todo un reto, por otro lado, gracias a que las ecuaciones
para lograr encontrar todos los valores del jfet son
diferentes, solamente se tuvo que hallar un solo valor de
voltaje para cada circuito jfet, agilizando mucho el trabajo
de la medida, cosa que con los bjt había que medir 3
valores distintos de voltaje para verificar que estos
funcionen correctamente.
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lectricos_Jesus_Fraile_Mora_F.pdf&Expires=1676264354&Signat
ure=aRRLLQ2Vs4RqZmjGbBjnhXCrXff67MYC-Hro-BUCdvyc9
EeQ8uMtkBQPF32VqPPIqqP1n9tRJiyVgOInKR3tE7VVk7yg0M-
jF1-RkSwvI6ER4uDN4UQYKwt~LDVeu7tYzSmsoc0QAVVdzDtt
Jmgnj0bIWj-hGfSaUSnqY-nW~aHbwGwAnbu1mJqx5dzpGm8ki
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BdXs81EsZunNY1~Vgg7yIxfUt0Goerp4fr2ASEQLaQ__&Key-Pa
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