UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

UNIVERSIDAD DEL PERÚ, DECANA DE AMÉRICA

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

REPORTE N° 2
CONFIGURACION DARLINGTON

INTEGRANTES:

Castañeda Rojas Carl William 20190054

DOCENTE : VICTOR EDMUNDO ALVA SALDAÑA

LIMA – PERÚ

2022
Un transistor Darlington es un dispositivo que equivale a la
conexión de dos transistores en acoplamiento directo, en la
ejecución del sistema se puede obtener ganancias resultantes
del producto de los dos transistores.

Presenta utilidades para la amplificación de señales en audio

tanto así como luces sensibles al movimiento,
intercomunicadores, cierre de puertas de garaje, etc.

Para la empresa industrial excita solenoides de forma directa, contadores, entre otros,
mediante el uso de interface lógicas TTL.
Algunos tipos de circuito integrado Darlington:

Las entradas están fijadas frente a las salidas para simplificar el diseño de la placa de

aplicación. Estos dispositivos de STMicroelectronics interconectan familias lógicas

estándar.

Cada canal tiene una capacidad nominal de 500 mA y puede soportar corrientes

máximas de 600 mA Se incluyen diodos de supresión para la conducción de carga

inductiva y las entradas se conectan frente a las salidas para simplificar el diseño de la

placa.

Son útiles para impulsar cargas, incluidos solenoides, relés, pantallas LED, lámparas de

filamento y cabezales de impresión térmica.

Para el análisis del sistema necesitaremos mencionar que el parámetro beta está dada
como 8000 resultando del producto de B1 con B2.
Analizamos el voltaje Vcc donde será el resultado del voltaje Vb + Vbe + Ve
 Vcc= 1.6+ReIe+RbIb
Despejando:

Ib=(15v-1.6v)/4.61k+(8000)1.3k
Ib=1.28uA
Para la intensidad IE:

IE = (8000)
(1.28uA)=10.24mA

Para los valores de Ve

VE=10.24mA(1.3k)=13.013V
Para el voltaje en VB

VB=13.013+1.6=14.613v

IMPEDANCIA DE ENTRADA:
Para el circuito presentamos el análisis en
la impedancia de entrada para ambos
transistores:
En
Notamos el resultado cuando los valores para cada parámetro de cada transistor son
diferentes, de este modo diremos que Z i1

Luego como la resistencia Re es mucho mayor que re en el segundo transistor, así como
el parámetro beta por RE es mucho mayor que re en el primer transistor podemos decir
que:

Ahora analizando la impedancia de entrada diremos que es el resultado de RB//Zi1

REMPLAZANDO

Como estamos trabajando con dos parámetros diferentes Bd

IMPEDANCIA DE SALIDA:
Para hallar la impedancia de salida resulta del análisis de la intensidad Io que se
intercepta con las intensidades Ib2 y Ib1:

Notamos que las intensidades Ib2 + B2Ib2 se juntan siendo el resultado (B2+1)Ib2
Luego la intensidad del emisor del transistor 1 nace como resutado de las intensidades
Ib1 y Ic1

Para (B2+1)Ib2 tenemos Ic2 de manera practica.

Podemos notar que las intensidades de la base al anular las intensidades del colector es
igual a la intensidad del colector número dos del segundo transistor.

Al anular ambas fuentes de corriente el resultado sera la igualdad de las intensidades

siendo estas Ic2 para los tres casos.
De esta manera notamos que la impedancia de salida será la suma de las resistencias
presentes en la gráfica.

GANANCIA DE CORREINTE:
Evaluando la corriente de salida para el sistema

El amperaje
resulta de una
serie de
correines

anticipadamente iniciando desde la intensidad Ib1

Sabemos que la impedancia inicial para el primer transistor es :

Podemos decir que al aplicar divisor de corriente diremos que la impedancia de entrada
es igual a la impedancia de entrada en el primer transistor:
Luego para los valores Ib en el primer transistor será:

Después de reemplazar Ib del primer transistor en Io diremos que la intensidad Ii es

igual a la suma de resistencias RB con la impedancia Zi1 :

Simplificando la ecuación, como los parámetros beta son muy mayores a uno al sumarse
la ecuación resultante sería:

GANANCIA DE VOLTAJE
Analizando el sistema para el circuito:
Vemos que los voltajes
de entrada y salida están
representados por:

Sabiendo que la
impedancia de entrada
es igual a la
impedancia del primer
transistor de entrada

Remplazamos para los

valores sabiendo que
estamos trabajando con parámetros diferentes Bd:

En el sistema podemos mencionar la gran factibilidad a la hora de polarizar los

resistores junto con el condensador de esto sabemos que la impedancia se verá
aumentada para obtener una mayor señal de ganancia y entrada.
 Análisis en DC:
-Para los valores de ganancia de voltaje, de corriente, impedancia de salida y de
entrada, procederemos a hacer lo cálculos necesarios ya mencionados con anterioridad,
evaluaremos la polarización en voltaje de thevenin:
Vth =15(12k/R2+12k) = 9.2V

-Considerando las resistencias 7.5K paralelo a 12K para Rth = 4.6K, RE= 1.5.
Para los valores de RB sumaremos la resistencia que esta antes de la base del
transitor 1 de 1 k; RB= Rth + 100K
 -Aplicamos en los puntos de polarización del circuito, donde necesitaremos a la
intensidad IB el voltaje VBE y al emisor VE:
Vth = VB + 2(VBE) + VE2
9.2= RB1 (IB1) + 2(0.7) + IE2 (RE)

-Considerando el parámetro Hfe de 153.5 hallamos la intensidad en B del primer

transistor considerando que la polarización en DC para el punto de operación Q:
IC1=B (IB1)

- Remplazamos los valores:

9.2 = (IC1/153.5) (RB= Rth + 100K) + 2(0.7) + IE2 (RE)

-Decimos que IE1=IB1+IC1, siendo esta equivalente a la intensidad de la base

del segundo transistor.
Luego la IE2= (153.5+1) (IB2)
IE1= IB2

- Remplazando:
Vth = VB + 2(VBE) + VE2
9.2= 104.6K (IC1/153.5) + 2(0.7) + (153.5+1) (IC1/153.5 + IC1)
IC1=26uA
 Ahora veremos IC2 es IB2 (B), considerando que la intensidad IB2 es igual a
IE1:

IC2=IE1 (153.5)= (IC1+IB)(153.5)= (26uA+ 0.16uA)153.5=4mA

Para la salida de Q1 y Q2 hallaremos voltaje colector emisor del segundo

transisitor:
El transistor 2 IC2= 4mA
VCC= VCE2 + VE2
15= VCE2 + (IC2+IB2)(1.5K)
VCE2= 15-(2.6uA+4mA) 1.5k = 15-6.03=8.960V

Para el transistor 1 IC2= 4mA

VCC= VCE1 + VBE2 + VE2
15= VCE1 + 0.7 + (IC2+IB2)(1.5K)
VCE1=15-(6.03+0.7) = 8.273V
 Análisis en AC:
Analizamos el circuito con un sistema equivalente eliminando los capacitores y
el voltaje DC trabajando en AC:
 Hallaremos resistencia de entrada para el primer y segundo transistor, donde
IC1 y IC2 son 26 uA y 4 mA.
hie=(re)B donde re = 26mV /IC :
hie1 = (26mV / IC1)153.5 = 153.5K Ohm
hie2 = (26mV / IC2)153.5 = 997.75 Ohm

La ganancia del BJT (hfe), sabiendo que IB1 viene Vth/ Rth + 100K:
IE1/IB1=B1 =28.9uA/685nA = 42
IE2/IB2=B2 = 5.43mA/28.9uA= 187
 Para el voltaje en la resistencia 100K hallaremos la intensidad en la resistencia
100K:
Ibq1 (hie1) + Ibq2 (hie2) = (I100K) (100k)

Para Ibq2 = Ieq1, notamos que Ieq1= Ibq1+ Icq1 = Ibq1 (hfe1 +1 )
I100K= Ibq1 (hie1+ hie2(hfe1 +1 )) / (100k)
I100K= Ibq1 (3.41)
Podemos deducir que:
I100K es como 341 nA y Ibq1 es como 100 nA

Para hallar la ganancia dividiremos el voltaje de entrada entre el voltaje de

salida:

Hallaremos el voltaje de salida:

Vo =(I100K + Ibq1 + Icq2)(7.5k//12k//1.5k//12k)
Vo=( Ibq1)( 0.8.107)
Hallaremos el voltaje de entrada:
Vg=(V1+V2+Vo)= I1K.(1Kohm )+ I100K (100Kohm) + Vo
Considerando que I1K = I100K + Ibq1
Vg= (I100K + Ibq1) (1Kohm )+ I100K (100Kohm) + Vo
Reemplazando Vo=( Ibq1)( 0.8.107)
Vg= (I100K + Ibq1) (1Kohm )+ I100K (100Kohm) +( Ibq1)( 0.8.107)
Vg=( Ibq1)(1.1.107)

Para la ganancia de voltaje:

Av = Vo/ Vg = 0.7
 Hallaremos la ganancia de corriente:
Ai= Io/Ii , donde Io = Vo / Rl=12k y Ii= I1K = I100K + Ibq1
Reemplazando:
Ai = (Vo / Rl)/( I100K + Ibq1) = ( Ibq1)( 0.8.107) /12k / I100K= Ibq1 (3.41) +
Ibq1
Ai= 151.171

Hallaremos la impedancia de entrada y salida:

Zi= Vg/ Ii = (Ibq1)(1.1.107)/ Ibq1 (3.41) + Ibq1 = 1.1. 107 / 4.41 = 2.4 M ohm
Para analizar la impedancia de salida usaremos el valor eficaz esto será de la
siguiente manera:
VRMS = Vpico / (√2) 2 = (Ibq1)(1.1.107) /2.82 = 0.39 VRMS
Vg=( Ibq1)(1.1.107) = 100nA(1.1.107) =1.1 VPICO
Luego podemos notar que la resistencia variable está en un 24% de 10Mohm
como máximo eso significa que para aproximadamente 2.4 M ohm tendrá la impedancia
de entrada.

Para la impedancia Zo los tenemos en los terminales de salida del circuito.

Llamaremos re = hie2/ B2 + hie1/ B1. B2 = 24.33

Zo = R13//R16//(R17(R15//(re) + R14/ B1. B2)

Reemplazando;

Zo=7.5k//12k//1.5k//( 100K//re + 1k/ B1. B2 )

Zo=7.5k//12k//1.5k//( 100K//0.024K + 1k/ 7.854K ) = 23.50 ohm

Evaluando los cálculos desplazando RL y añadiendo una resistencia variable,

notando:
 COMPARANDO EL CUADRO:

Vce1( Vce2( Ic1( Ic2(A) Av Ai Zi Zo

V) V) A)
Valor 8.273 8.960V 26uA 4mA 0.7 151.17 2.4 M 23.50
Calculado 1 ohm ohm

Valor 8.05V 8.7V 27uA 5mA 0.7 147.56 2.4M 23.50

Simulado ohm ohm

Valor medido 8.32V 8.7V 27uA 5mA 0.7 146.25 2.4M 23.50
ohm ohm
Mediante la simulación tenemos los siguientes valores:

Vg Vo Ig Io
Valor 295.3mV 214.8mV 123uA 9.12uA
calculado
Valor simulado 388mV 148mV 239uA 4.42uA
Posicionamos para una diferencia de -3dB con respecto a la amplitud, donde Go resulta
ser la ganancia máxima en decibelios y Go menos 3 es la ganancia a las frecuencias de
corte ((1)),ppt17nombre del profesor material de clase

Podemos decir que las frecuencias de corte son la frecuencia de corte inferior y la
frecuencia de corte superior orientados en la escala para Hertz.
El ancho de banda está dada por la diferencia de frecuencias tanto de corte inferior con
la de corte superior.

fL(KHZ) fh(KHZ) BW(KHZ)

Valor simulado 3.482Hz 46.223Hz 42.741Hz
 1) Comparamos los datos teóricos y prácticos:

Valor teórico Valor simulado

Vce1 8.273 8.05V
Vce2 8.960V 8.7V
Ic1 26uA 27uA

Ic2 4mA 5mA

Av 0.7 0.7

Ai 151.171 147.56

Zi 2.4 M ohm 2.4M

ohm
Zo 23.50 ohm 23.50 ohm

2) Para los esquemas prácticos donde se encuentre la configuración Darlington

tenemos:

CONTROLADORES BASICOS DRIVERS:

El controlador de voltaje resulta ser de gran ayuda para modificar y retener cierto

voltaje que la mayoría de dispositivos suelen aguantar cunado estos está trabajando.

De ello se desprende el Controlador Básico. Un sumidero es un tipo de drenador que

absorbe la corriente de energía en exceso procedente de la fuente de voltaje, el circuito

más común para generar un controlador de carga es un transistor NPN bipolar, por ello

un sistema Darlington será el ideal para los requerimientos ya que presenta una mayor

ganancia a cambio de una corriente en base relativamente baja.

El transistor de salida de un 4N25, es todavía un dispositivo de baja potencia, con una

VCC máxima de 30 Voltios y corriente de colector de 150mA, por lo que para manejar

cargas mayores, debemos utilizar los componentes de mayor potencia.

3) Los valores fueron aproximados en múltiples ocasiones, en vista de ello no

cambiaría o modificaría algún dispositivo en específico, según lo apreciado

tenemos la corrección del uso para la gráfica de Bode.

4) Debido a lo visto con anterioridad puedo concluir que resulta ser necesario el

uso adecuado de los componentes a la hora del diseño y aplicación par aun

circuito electrónico, donde mediante cálculos presentados de manera teórica

podemos llegar a resolver problemas expresados por algún ordenador.

  Podemos apreciar que mediante la gráfica de BODE analizaremos las
frecuencias de corte por donde pasa el circuito en su totalidad para ello la
diferencia de corte al ser diferenciadas nos dará el ancho de banda vista de forma
experimental.

. GUPTA, R. (1969). Estabilidad del transistor compuesto Darlington. REVISTA

INTERNACIONAL DE ELECTRÓNICA, 26 (2), 110.

Boylestad, RL, Nashelsky, L., Barraza, CM y Fernández, AS (2003). Electrónica: teoría

de circuitos y dispositivos electrónicos (Vol. 8). PEARSON educación.

Boylestad, RL y Nashelsky, L. (2012). Dispositivos electrónicos y teoría de

circuitos . Prentice Hall.

https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/controladores-basicos-drivers