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ÍNDICE
1. INTRODUCCIÓN. ....................................................................................................................... 3
2. TRABAJO PRELIMINAR.............................................................................................................. 3
2.1. Modos de trabajo de un transistor BJT............................................................................. 3
2.2 Curvas características del transistor BJT. ........................................................................... 6
2.3 Simulación con LTspice. ...................................................................................................... 7
3. RESULTADOS EXPERIMENTALES. ............................................................................................. 9
3.1. Material necesario............................................................................................................. 9
3.2. Identificación de los terminales del transistor. ................................................................ 9
3.3. Modos de trabajo del transistor bipolar. ......................................................................... 9
4. CONCLUSIÓN........................................................................................................................... 16

2
1. INTRODUCCIÓN.
La finalidad de llevar a cabo esta práctica es la siguiente:

Tal y como se expresó en la práctica anterior, cabe destacar el conocimiento del uso de los
distintos equipos e instrumentos empleados en el laboratorio.

Asimismo, cabe señalar la familiarización con el transistor BJT aprendido en el Tema 3 en clase.
Para ello, se trabajará con un transistor bipolar modelo BC 547. Se determinarán sus terminales
(emisor, base y colector) y se examinarán las regiones de corte, activa y saturación junto con sus
correspondientes condiciones.

Se realizarán dos ejercicios distintos:

En el primero de ellos se investigarán los modos de trabajo del transistor BJT a partir del circuito
proporcionado por el enunciado. Para ello, se calcularán los voltajes colector-emisor (𝑉𝐶𝐸 ) para
las distintas zonas, así como la corriente del colector (𝐼𝐶 ).

En el segundo de ellos se representarán las curvas características (𝐼𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 ) del transistor bipolar
de unión.

Conceptos teóricos que podrían ser útiles para el desempeño de la práctica podrían ser las
condiciones en las que trabaja cada régimen. Es decir:

CORTE 𝑉𝐵𝐸 < 𝑉𝐹 𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 = 𝐼𝐸 = 0

RAN 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐹 𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 β 𝑉𝐶𝐸 > 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡
SATURACIÓN 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐹 𝐼𝐶 < 𝐼𝐵 β 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡

2. TRABAJO PRELIMINAR.
2.1. Modos de trabajo de un transistor BJT.
a) Calcula teóricamente los límites de las regiones de trabajo del transistor, en función del
valor de 𝑉𝐵𝐵. Para ello deberás determinar también 𝑉𝐶𝐸 en función de 𝑉𝐵𝐵 en RAN. Ten en
cuenta que los LEDs se suelen fabricar de materiales distintos al Si, por lo que 𝑉𝐹, 𝐿𝐸𝐷, no puede
considerarse igual a 0.7 V. Deberás dejar la expresión indicada en función de 𝑉𝐹, 𝐿𝐸𝐷.

PRIMER PASO: Estudiamos el circuito en corte (VBE < VFBE; IC = IB= IE= 0).

LKV 1: 𝑉𝑅𝐵 = 𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 → 0 = 𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 → 𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 ; 𝑉𝐵𝐵 < 𝑉𝐵𝐸

LKV 2: 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐹𝐿𝐸𝐷 + 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 → 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐹𝐿𝐸𝐷 + 𝑉𝐶𝐸 → 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐹𝐿𝐸𝐷

SEGUNDO PASO: Resolvemos el ejercicio en RAN (𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐹 ; 𝑉𝐶𝐸 > 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 ).

𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸
LKV 1: 𝑉𝑅𝐵 = 𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 → 𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 → 𝑉𝐵𝐵 = 𝐼𝐵 · 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 → 𝐼𝐵 = 𝑅𝐵

LKV 2: 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐹𝐿𝐸𝐷 + 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 → 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐹𝐿𝐸𝐷 + 𝐼𝐶 · 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 →

𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
→ 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐹𝐿𝐸𝐷 − ( ) · 𝑅𝐶 · β
𝑅𝐵
TERCER PASO: Estudiamos el circuito en saturación (𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐹 ; 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 ).

Nos queda el siguiente sistema de ecuaciones:

3
 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐹𝐿𝐸𝐷 𝑠𝑖 𝑉𝐵𝐵 < 𝑉𝐵𝐸 8 − 𝑉𝐹𝐿𝐸𝐷 𝑠𝑖 𝑉𝐵𝐵 < 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐹𝐿𝐸𝐷 − ( ) · 𝑅𝐶 · β → 𝑉𝐶𝐸 = 8− 𝑉𝐹𝐿𝐸𝐷 − ( ) · 𝑅𝐶 · β
𝑅𝐵 𝑅𝐵
{ 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 { 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡

(b) Determina la expresión teórica de la corriente del colector, 𝐼𝐶, en función de la corriente
de la base, 𝐼𝐵, y represéntala gráficamente. Asume para ello un valor de 𝑉𝐹, 𝐿𝐸𝐷 de entre 1 y 3
V, y un valor de 𝛽 de entre 110 y 800 (emplea 𝑉𝐹, 𝐵𝐽𝑇 = 0.6 V y 𝑉𝐶𝐸, 𝑠𝑎𝑡 = 0.3 V). Indica qué valores
has escogido para cada parámetro.

PRIMER PASO: Determinamos los valores a emplear: β = 110 y 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 = 1.

SEGUNDO PASO: Estudiamos el ejercicio en corte:

𝑉𝐵𝐸 < 𝑉𝐹 → 𝐼𝐶 = 0.
TERCER PASO: Resolvemos el circuito en RAN:

𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐹 ; 𝑉𝐶𝐸 > 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 → 𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 β

CUARTO PASO: Estudiamos el ejercicio en saturación:

𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐹 ; 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 → 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 + 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 →

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 − 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 → 𝐼𝐶 =
𝑅𝐶

Finalmente, nos queda el siguiente sistema de ecuaciones:

0 0
0 𝐴 (1)
𝐼𝐵 β 110𝐼𝐵
𝐼𝐶 = { 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 − 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 → 𝐼𝐶 = {
8 − 1 − 0,3
→ 𝐼𝐶 = {110𝐼 𝐵 A(2)
̅
0,0203̅̅̅ 𝐴(3)
𝑅𝐶 330
Correspondiendo la ecuación (1) a corte, la ecuación (2) a RAN y la ecuación (3) a saturación.

QUINTO PASO: Representamos las ecuaciones anteriores

Ilustración 1 Ic - Ib (mA)

4
(c) Si la tensión de salida se mide en el terminal del colector (𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝐶𝐸), y la de entrada en la
fuente a la base (𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝐵𝐵) ¿a qué tipo de configuración correspondería el montaje (emisor
común, colector común o base común)? Representa 𝑉𝑜𝑢𝑡 frente a 𝑉𝑖𝑛, en este caso sólo para
las regiones de RAN y saturación del transistor. Indica en la gráfica los valores límite de 𝑉𝑜𝑢𝑡 y
𝑉𝑖𝑛 para cada región.

PRIMER PASO: El tipo de configuración al que corresponde el montaje es emisor común.

SEGUNDO PASO: Representamos 𝑉𝑜𝑢𝑡 frente a 𝑉𝑖𝑛 para las regiones de RAN y Saturación.

2.1. RAN: 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐹 ; 𝑉𝐶𝐸 > 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 ; 𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 β

𝑉𝑖𝑛 −𝑉𝐵𝐸
LKV 1: 𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝑅𝑏 + 𝑉𝐵𝐸 → 𝑉𝑖𝑛 = 𝑅𝑏 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 → 𝐼𝐵 = 𝑅𝑏
.

𝑉𝑖𝑛 −𝑉𝐵𝐸
Dado que 𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 β → 𝐼𝐶 = β
𝑅𝑏

LKV 2: 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 + 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 → 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 + 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝑜𝑢𝑡 → 𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶 − 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 →
𝑉𝑖𝑛 −𝑉𝐵𝐸
𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 → 𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝐶𝐶 − β𝑅𝐶 − 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 .
𝑅𝑏

2.2. Saturación: 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐹 ; 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 ; 𝐼𝐶 < 𝐼𝐵 β

𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 .

Por tanto, nos queda que:

𝑉𝑖𝑛 − 𝑉𝐵𝐸 𝑅𝑏
𝑉𝐶𝐶 − β𝑅𝐶 − 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 𝑠𝑖 𝑉𝐵𝐸 < 𝑉𝑖𝑛 < (𝑉 − 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 ) + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷
𝑅𝑏 β𝑅𝐶 𝐶𝐶
𝑉𝑜𝑢𝑡 =
𝑅𝑏
𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 𝑠𝑖 𝑉𝑖𝑛 > (𝑉 − 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 ) + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷
{ β𝑅𝐶 𝐶𝐶

Si se representan las ecuaciones anteriores la gráfica quedaría de la siguiente manera

Ilustración 2 Vout - Vin (V)

5
2.2 Curvas características del transistor BJT.
(a) Para un valor fijo de 𝑉𝐵𝐵 = 5 V, calcula el valor 𝑉𝐶𝐶, 𝑙 a partir del cual el transistor pasa del
régimen de saturación al régimen activo normal. Asume los mismos valores de parámetros
que en la sección 2.1. Repite el cálculo para un valor distinto de 𝑉𝐵𝐵, mayor que 𝑉𝐹, 𝐵𝐽𝑇 = 0.6 V
y menor que 8 V.

PRIMER PASO: Determinamos los valores a emplear: β = 110 y 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 = 1.

SEGUNDO PASO: Calculamos 𝑉𝐶𝐶, 𝑙 a partir del cual el transistor pasa del régimen de saturación
al régimen activo normal para 𝑉𝐵𝐵 = 5 V.

2.1. 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 + 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 . Dado que para hallar 𝑉𝐶𝐶 en saturación, 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 = 0,3,
haremos: 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 + 0,3 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 .

2.2. Hallamos 𝐼𝐶 :
𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸 5−0,6
𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 β → 𝐼𝐶 = 𝑅𝑏
β → 𝐼𝐶 =
56
110 = 8,64mA.

1
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 → 𝑉𝐶𝐸 = 3,15 − 0,33𝐼𝐶 → 𝐼𝐶 = (3,15 − 𝑉𝐶𝐸 )
0,33
Nos queda el siguiente sistema de ecuaciones en función del valor de 𝑉𝐶𝐸 :
𝑂 𝑠𝑖 0
1
𝐼𝐶 = { (3,15 − 𝑉𝐶𝐸 ) 𝑠𝑖 0 < 𝑉𝐶𝐸 < 3
0,33
8,64 𝑠𝑖 𝑉𝐶𝐸 > 0, ,3
2.3. Finalmente, obtenemos 𝑉𝐶𝐶 : 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 + 0,3 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 → 𝑉𝐶𝐶 = 1 + 0,3 + 0,00864 ∗ 330.

Por tanto: 𝑉𝐶𝐶 > 4,15 para pasar del régimen de saturación al régimen activo normal.

TERCER PASO: Calculamos 𝑉𝐶𝐶, 𝑙 a partir del cual el transistor pasa del régimen de saturación al
régimen activo normal para 𝑉𝐵𝐵 = 7 V.

3.1. 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 + 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 . Dado que para hallar 𝑉𝐶𝐶 en saturación, 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 = 0,3,
haremos: 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 + 0,3 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 .

3.2. Hallamos 𝐼𝐶 :
𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸 7−0,6
𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 β → 𝐼𝐶 = 𝑅𝑏
β → 𝐼𝐶 =
56
110 = 12,57mA.

1
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 → 𝑉𝐶𝐸 = 4,45 − 0,33𝐼𝐶 → 𝐼𝐶 = (4,45 − 𝑉𝐶𝐸 )
0,33
Nos queda el siguiente sistema de ecuaciones en función del valor de 𝑉𝐶𝐸 :
𝑂 𝑠𝑖 0
1
𝐼𝐶 = { (4,45 − 𝑉𝐶𝐸 ) 𝑠𝑖 0 < 𝑉𝐶𝐸 < 3
0,33
12,57 𝑠𝑖 𝑉𝐶𝐸 > 0,3

2.3. Finalmente, obtenemos 𝑉𝐶𝐶 : 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 + 0,3 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 → 𝑉𝐶𝐶 = 1 + 0,3 + 0,01257 ∗ 330.

Por tanto: 𝑉𝐶𝐶 > 5,45 para pasar del régimen de saturación al régimen activo normal.

6
(b) Teniendo en cuenta las expresiones deducidas en la sección 2.1 para 𝑉𝐶𝐸 e 𝐼𝐶, representa
la curva 𝐼𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 para los dos valores de 𝑉𝐵𝐵 que has empleado en el apartado anterior,
indicando el punto de paso del régimen de saturación al régimen activo normal, (𝑉𝐶𝐸, 𝑙 , 𝐼𝐶, 𝑙 ).

En la siguiente gráfica se representa la corriente que pasa por los terminales CE del transistor.En
esta se observa un notorio cambio de la tendencia lineal con la que comienza la gráfica. Esto es
así porque hay un cambio de región en Vce = 0.3V. En ese punto se pasa de saturación a RAN
haciéndose la intensidad constante.

Ilustración 3 Ic - Vce (V)

2.3 Simulación con LTspice.

(a) Manteniendo 𝑉𝐶𝐶 constante e igual a 8 V, realiza una simulación de tipo DCsweep (barrido
en voltajes) para la fuente 𝑉𝐵𝐵, variándola entre los valores de 0 a 6 V. Representa la curva de
𝑉𝐶𝐸 frente a 𝑉𝐵𝐵. ¿Cómo esperarías que fuera la curva para valores de 𝑉𝐵𝐵 inferiores a 𝑉𝐹, 𝐵𝐽𝐶 y
qué observas en realidad? ¿A qué crees que se debe?

Ilustración 4 Vout - Vin con el simulador

7
Basándonos en el sistema de ecuaciones que representa la función 𝑉𝑜𝑢𝑡 (= 𝑉𝐶𝐸 ), frente a
𝑉𝑖𝑛 (= 𝑉𝐵𝐵 ), se obtiene la función de transferencia del sistema. Para valores 𝑉𝐵𝐵 inferiores a
𝑉𝐹,𝐵𝐽𝐶, la función se mantiene constante, puesto que en dicho rango, 𝑉𝐶𝐸 no depende de 𝑉𝐵𝐵 ,
sino de 𝑉𝐶𝐶 y 𝑉𝐹𝐿𝐸𝐷 (valores proporcionados por el enunciado).

(b) Representa 𝐼𝐶 frente a 𝐼𝐵. ¿Qué valor de 𝛽 se está empleando en la simulación?

Ic - Ib
2.50E-02

2.00E-02

1.50E-02

1.00E-02
Ic

5.00E-03

0.00E+00
0.00E+00 1.00E+00 2.00E+00 3.00E+00 4.00E+00 5.00E+00 6.00E+00 7.00E+00
-5.00E-03
Ib

Ilustración 5 Ic-Ib en representado en el simulador

c) Representa las curvas características 𝐼𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 para los dos valores de 𝑉𝐵𝐵 empleados en el
apartado 2.2.

Ilustración 6 Curva del transistor para Vbb = 7V Ilustración 7 Curva del transistor para Vbb = 5V

8
3. RESULTADOS EXPERIMENTALES.
3.1. Material necesario.
Placa de inserción. Transistor bipolar modelo BC 547.

Cables de banana - cocodrilo. Resistencias.

Cable telefónico. LED rojo.

3.2. Identificación de los terminales del transistor.

3.3. Modos de trabajo del transistor bipolar.

PRIMER PASO: Determinamos el valor real de las resistencias 𝑅𝑏 y 𝑅𝑐 dadas.

𝑅𝑏 = 55,78 kΩ 𝑅𝑐 = 0,329 kΩ

SEGUNDO PASO: Medimos el valor real de 𝑉𝑐𝑐 haciendo uso del multímetro.

𝑉𝑐𝑐 = 8,049 𝑉

a) Varía 𝑽𝑩𝑩 entre 0 y 6 V aumentando su valor aproximadamente cada 0.3 V al principio

(hasta 1.5 V) y cada 0.5 V después. Para cada valor de 𝑽𝑩𝑩 mide su valor real con el multímetro
y anótalo en la Tabla I, junto con la medida de las correspondientes caídas de potencial en el
LED, las resistencias 𝑹𝒃 y 𝑹𝒄 , y entre los terminales colector y emisor del transistor, 𝑽𝑪𝑬 .
Comprueba que, una vez circula corriente, el voltaje que cae en el LED es aproximadamente
constante. ¿Cuál es el valor de la tensión de encendido del LED, 𝑽𝑭,𝑳𝑬𝑫? A partir de estas
lecturas calcula las corrientes de base y colector.

PRIMER PASO: Hallamos las corrientes de base y colector. Para ello, aplicamos la ley de Ohm.

𝑽𝑩𝑩 (V) 𝑽𝑹𝒃(V) 𝑽𝑹𝒄(V) 𝑽𝑳𝑬𝑫(V) 𝑽𝑪𝑬 (V) 𝑰𝑩 (mA) 𝑰𝑪 (mA)

0,3 0,3591 0 0 1,06 6,94 0 0
0,6 0,6324 0 0 1,7558 6,185 0 0
0,9 0,861 0,213 0,4817 1,857 5,679 0,003818573 1,464133739
1,2 1,1882 0,5219 1,1798 1,9262 4,907 0,0093564 3,586018237
1,5 1,521 0,8433 1,8954 1,9789 4,136 0,015118322 5,761094225
2 2,001 1,308 2,869 2,0413 3,045 0,023449265 8,720364742
2,5 2,508 1,8059 3,926 2,106 1,968 0,032375403 11,9331307
3 2,974 2,261 4,781 2,1561 1,0666 0,040534242 14,53191489
3,5 3,453 2,737 5,22 2,1822 0,904 0,049067766 15,8662614
4 4,057 3,332 5,396 2,193 0,4034 0,059734672 16,40121581
4,5 4,633 3,905 5,507 2,1987 0,2838 0,070007171 16,73860182
5 5,132 4,402 5,563 2,202 0,223 0,078917175 16,90881459
5,5 5,444 4,71 5,582 2,206 0,203 0,084438867 16,96656535
6 5,978 5,247 5,598 2,205 0,182 0,094065973 17,01519757

9
SEGUNDO PASO: Debemos comprobar que, una vez circula corriente, el voltaje que cae en el
LED es aproximadamente constante. Sin embargo, para valores de 𝑉𝐵𝐵 comprendidos entre
0,861V y 5,978V, 𝑉𝐿𝐸𝐷 varía uno con respecto a otro con una diferencia máxima de 0,0692V y
una diferencia mínima de 0,001V.

TERCER PASO: Determinamos cuál es el valor de la tensión de encendido del LED. Es decir, cuál
es el valor para el que el circuito pasa de estar en corte a estar en conducción.

Cuando 𝑉𝐵𝐵 comprende los valores 0,3591 y 0,6324V, tenemos que 𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 = 0. Por tanto, para
𝑉𝐿𝐸𝐷 = 1,06V y 𝑉𝐿𝐸𝐷 = 1,7558V, el circuito está en corte.

Sin embargo, para 𝑉𝐵𝐵 = 0,861V tenemos que 𝐼𝐶 ≠ 𝐼𝐵 ≠ 0. Por tanto, para 𝑉𝐿𝐸𝐷 = 1,857V el
circuito pasa a estar en conducción.

Como consecuencia, 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 = 1,857V, valor que debería mantenerse aproximadamente

constante. Puesto que no es así, dado que sufre unas pequeñas diferencias, determinaremos
𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 como el promedio de todos los valores comprendidos. Es decir: 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 =2,1044V.

(b) Traza la gráfica experimental 𝑰𝑪 vs 𝑰𝑩 , indicando las tres zonas de trabajo del transistor.
Anota el valor experimental del voltaje de saturación del transistor 𝑽𝑪𝑬,𝒔𝒂𝒕 (piensa si puede
ser conveniente determinar el valor promedio).

PRIMER PASO: Trazamos la gráfica experimental 𝐼𝐶 vs 𝐼𝐵 , señalando las correspondientes zonas

de trabajo del transistor.

Ilustración 8 Ic vs Ib

Zona de Saturación: Zona comprendida entre los valores 0 y 0,0405mA correspondientes a 𝐼𝐵 .

10
¿Cómo puede deducirse? Debido a que conocemos que en la zona de saturación, la corriente no
es constante (𝐼𝑐 < 𝐼𝐵 β).

Zona de RAN: Zona comprendida entre los valores 0,0405mA y 0,094mA correspondientes a 𝐼𝐵 .
Es decir, cuando 𝑉𝐶𝐸 > 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 e 𝐼𝑐 = 𝐼𝐵 β (en el régimen activo normal, la corriente sí se
mantiene constante).

Zona de Corte: Zona en la que sucede que 𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 = 𝐼𝐸 = 0.

SEGUNDO PASO: Determinamos el valor experimental del voltaje de saturación del transistor
𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 . Dado que para 𝐼𝐵 = 0,0405mA sucede el cambio de régimen de saturación a RAN,
𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 tendrá el valor de 𝑉𝐶𝐸 correspondiente a 𝐼𝐵 = 0,0405mA. Es decir: 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 = 1,0666V.

TERCER PASO: Deducimos si es conveniente utilizar el valor promedio.

(c) A partir de la gráfica determina el valor de la ganancia de corriente continua del transistor,
𝛽 (también denominado ℎ𝐹𝐸, según la nomenclatura), cuando trabaja en la región activa de la
zona de conducción. Para ello realiza un ajuste lineal en dicha región.

Si realizamos la regresión lineal de la gráfica anterior, obtenemos la siguiente ecuación:

𝑦 = 194,5𝑥 + 2,6287
Dado que para nosotros 𝑥 = 𝐼𝐵 e 𝑦 = 𝐼𝐶 , tenemos que: 𝐼𝐶 = 194,5𝐼𝐵 + 2,6287.

Puesto que en región activa de la zona de conducción 𝐼𝐶 = β 𝐼𝐵 , podemos determinar que:

β = 194,5
(d) Compara los datos experimentales con los resultados obtenidos en el apartado de trabajo
preliminar. Para ello, repite, si es necesario, los cálculos teóricos empleando el valor de 𝐕𝐅,𝐋𝐄𝐃
obtenido experimentalmente. ¿Se corresponden las regiones de corte, RAN y saturación con
las calculadas de forma teórica? ¿Cumplen los valores de 𝑉𝐵𝐵, 𝑉𝑅𝑏, 𝑉𝑅𝑐, 𝑉𝐿𝐸𝐷 y 𝑉𝐶𝐸 la ley de
mallas de Kirchhoff? ¿A qué crees que se debe?

PRIMER PASO: Obtenemos de forma teórica el valor de 𝑉𝐶𝐸 e 𝐼𝐶 para las distintas regiones.
Empleamos el valor de 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 = 2,1044V, 𝑉𝐹,𝐵𝐽𝑇 = 0,6V, 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 = 0,3V y β = 194,5. Luego:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐹𝐿𝐸𝐷
Corte (𝑉𝐹,𝐵𝐽𝑇 < 0,6) → {
𝐼𝐶 = 0
𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐹,𝐵𝐽𝑇
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐹𝐿𝐸𝐷 − ( 𝑅𝐵
) · 𝑅𝐶 · β
RAN (𝑉𝐵𝐸 = 0,6; 𝑉𝐶𝐸 > 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 ) → { 𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐹,𝐵𝐽𝑇
𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 β = ( )β
𝑅𝐵

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡
Saturación (𝑉𝐹,𝐵𝐽𝑇 = 0,6; 𝑉𝐶𝐸 > 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 ) → { 𝑉 −𝑉 −𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡
𝐼𝐶 = 𝐶𝐶 𝐹,𝐿𝐸𝐷
𝑅 𝐶

Sustituyendo por los datos correspondientes, obtenemos los siguientes resultados:

𝑽𝑪𝑬 (V) 𝑰𝑪 (A)

Corte 5,8956 0
RAN 6,2845-0,648𝑉𝐵𝐵 0,3̅𝑉𝐵𝐵 -0,2
Saturación 0,3 0,017

11
SEGUNDO PASO: Comparamos los datos teóricos con los experimentales. Para ello, se ha
realizado una gráfica que representa 𝑉𝐶𝐸 frente a 𝑉𝐵𝐵 tanto teóricos como experimentales.

Ilustración 9 Función de transferencia

Como podemos observar, ambas gráficas no se asemejan debido a diversos criterios:

En primer lugar, en la gráfica experimental no se tiene representada la región de corte, puesto

que en el laboratorio no se midió las caídas de tensiones para 𝑉𝐵𝐵 = 0.

En segundo lugar, ambas representaciones no presentan el mismo ajuste, por lo que 𝑉𝐵𝐵
experimental excede los 9V y 𝑉𝐵𝐵 teórico no sobrepasa los 6V.

Sin embargo, si imaginamos una región de corte y obviamos que las dos gráficas no están
ajustadas, en ambas dos sí se mantiene que tanto en la región de corte como en la región de
saturación, 𝑉𝐶𝐸 es constante y únicamente cambiante en la zona de RAN.

Por tanto, podemos deducir que ambas guardan una proporcionalidad y que 𝑉𝐵𝐵, 𝑉𝑅𝑏, 𝑉𝑅𝑐, 𝑉𝐿𝐸𝐷
y 𝑉𝐶𝐸 sí cumplen las mallas de Kirchhoff.

(e) Suponiendo que el LED pueda aguantar una corriente máxima de 35 mA ¿podría valer esta
configuración circuital como protección para el LED contra excesos de corriente si se fija 𝑉𝐶𝐶 =
8 V? Ten en cuenta los resultados experimentales y teóricos, obtenidos en los apartados
anteriores.

Si observamos el circuito proporcionado por el enunciado, la corriente que atraviesa el LED

corresponde con la corriente procedente del colector (𝐼𝐶 ).

12
Fijado el voltaje 𝑉𝐶𝐶 con un valor de 8V, podemos observar que la 𝐼𝐶 medida experimentalmente
no supera los 18mA. Por tanto, en este caso podría valer la configuración circuital dada como
protección para el LED.

Sin embargo, en el caso teórico, 𝐼𝐶 sí supera los 35mA, por lo que dicha configuración no sería
posible.

(e) Representa la curva de transferencia del circuito (toma 𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝐶𝐸, y 𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝐵𝐵) y
compárala con los resultados teóricos y simulados del trabajo preliminar (recalcula las gráficas
teóricas con los valores experimentales de 𝑉𝐹,𝐿𝐸𝐷 si es necesario). ¿Qué similitudes y
diferencias encuentras entre ellas? ¿A qué se debe?

Ilustración 10 Vce - Vbb

Cabe destacar que ambas gráficas presentan notables diferencias. En primer lugar, se aprecia
que el circuito experimental llega a la región de corte en un valor de Vbb menor que el de la
gráfica teórica en el que se aprecia un cambio cuando Vbb = 0.7V. El circuito pasa de estar en
corte a régimen activo. Por otro lado, ambas gráficas comparten un valor de entrada de Vbb a la
región de saturación

13
3.4. Curvas características del transistor BJT: Fija ahora la tensión 𝑉𝐵𝐵 a 5 V aproximadamente
(fijamos la corriente de base), mide su valor y anótalo.

VBB = 5

(f) Varía la fuente de tensión 𝑉𝐶𝐶 entre 1 y 10 V, en pasos de 1 V. Mide el voltaje 𝑉𝐶𝐶 en cada
punto, el voltaje que cae en 𝑅𝑏 (para obtener la corriente de base), el voltaje que cae en 𝑅𝑐
(para obtener la corriente de colector) y el valor de 𝑉𝐶𝐸. Anótalo todo en la Tabla II. Tabla II.
Datos de la curva característica del transistor para 𝑉𝐵𝐵1.

VCC VRb VRc IB IC VCE

1.024 0 0 0 0 0.00507
2.0024 4.305 0.173 0.0771782 0.52583587 0.026
3.054 4.266 1.0613 0.07647902 3.22583587 0.07004
4.002 4.243 1.922 0.07606669 5.84194529 0.09436
4.988 4.229 2.824 0.0758157 8.58358663 0.11645
6.051 4.219 3.803 0.07563643 11.5592705 0.142
7.02 4.211 4.69 0.07549301 14.2553191 0.17366
7.957 4.205 5.516 0.07538544 16.7659574 0.2361
8.988 4.204 6.313 0.07536752 19.1884498 0.42
9.997 4.204 7.061 0.07536752 21.4620061 0.64

(g) Repite el apartado anterior para una tensión 𝑉𝐵𝐵 diferente (emplea el mismo valor que
utilizaste en la sección 2.2 del trabajo preliminar). Mide tantos valores como sea necesario
para obtener una curva con al menos 4 puntos en la región de RAN (recuerda el valor de 𝑉𝐶𝐶,𝑙
que calculaste en la sección 2.2 del trabajo preliminar), extendiendo la Tabla III si hiciera falta.

VBB = 7V

VCC VRb VRc IB IC VCE

1.025 0 0 0 0 0.00471
2.084 6.318 0.239 0.1132664 0.72644377 0.02502
2.998 6.287 1.024 0.11271065 3.11246201 0.057
3.939 6.268 1.879 0.11237003 5.7112462 0.07867
5.055 6.253 2.901 0.11210111 8.81762918 0.09971
5.965 6.244 3.75 0.11193976 11.3981763 0.116
6.92 6.235 4.631 0.11177842 14.0759878 0.13532
8.049 6.226 5.672 0.11161707 17.2401216 0.162
9.082 6.219 6.509 0.11149157 19.7841945 0.202
10.042 6.216 7.43 0.11143779 22.5835866 0.2985

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(h) Dibuja las características 𝐼𝐶 vs 𝑉𝐶𝐸 para las dos corrientes de base usadas en los apartados
(f) y (g), y discute los resultados obtenidos comparándolos con las curvas teóricas y
simuladas del trabajo preliminar

Ilustración 11 Ilustración 12

Ilustración 13

En primer lugar, se compararán todas las expresiones de la intensidad juntas. Se puede apreciar
una notoria diferencia entre ellas, para empezar las representaciones teóricas tienen una
tendencia lineal en la región de saturación mientras que las experimentales tienen una
tendencia más curva, además que no se aprecia un cambio brusco cuando Vce = 0.3 V (valor
teórico de saturación). No obstante, dado que los materiales no son ideales en la región de RAN
las curvas experimentales no se mantienen constantes como en las teóricas.

Cabe destacar que en la ilustración 11 ambas gráficas solo coinciden en los primeros valores de
la región de RAN luego la gráfica experimental se separa hasta alcanzar un valor máximo
superior a 20 mA esto se debe a que la no idealidad del BJT. Por otro lado, hay cierta diferencia
entre el valor de cambio de un régimen a otro. En el caso del teórico se alcanza cuando Vce =
0.3V y en el caso del experimental es menor.

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Por último, en la ilustración 12 sucede lo mismo que la ilustración 11, es decir ambas gráficas se
solapan en los primeros valores de la región de RAN. Luego, se separan. No obstante, a
diferencia del caso anterior ambas gráficas alcanzan el régimen de saturación para un mismo
valor de Vbb

4. CONCLUSIÓN.
A modo de resumen, los conceptos a destacar de cada ejercicio son los siguientes.

En relación con los modos de trabajo del transistor bipolar de unión, se puede determinar que
las caídas de voltaje cumplen las mallas de Kirchhoff. Además, a pesar de no ser totalmente
semejantes los resultados teóricos con los resultados experimentales, se puede afirmar que se
guarda una cierta proporcionalidad de unos con respecto a otros, pues en ambas soluciones se
cumplen las condiciones de cada régimen de trabajo.

Con respecto a las curvas características del transistor BJT, los resultados experimentales no
tienen un comportamiento lineal como se esperaba y nunca llegan a ser constantes debido a la
no idealidad.

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