Universidad Central de Venezuela

Facultad de Ingeniería
Escuela: Eléctrica
Departamento: Electrónica

INFORME N°3

Aux. Docente Elaborado por

Tovar, José Rivero, Axel
C.I.: 25.562.263

Caracas, enero de 2023

 INTRODUCCIÓN

En los experimentos que se llevaran a cabo el lector podrá familiarizar y estudiar

algunas topologías y nociones básicas acerca de polarización del BJT, en conjunto
se estudiará el punto estático de operación variando el valor de las resistencias del
circuito, aunado a esto se realizará el análisis de la recta de carga estática y su
relación con las curvas características del transistor.
 PRE-LABORATORIO

POLARIZACIÓN DEL BJT

1.1) Determine el punto estático de operación para los circuitos de la figura 1, 2, 3,

4 y 5. El valor de 𝑉𝐵𝐸 𝑦 β, deben obtenerlo del manual del fabricante según el
transistor a utilizar.
1.2) Obtenga la tensión en cada uno de los terminales del BJT. Tensión en el
colector (𝑉𝐶 ), tensión en la base (𝑉𝐵 ) y la tensión en el emisor (𝑉𝐸 ).
El Transistor BJT a utilizar es el 2N3904, siendo este un transistor NPN. El valor de
𝑉𝐵𝐸 𝑦 β, obtenidos por el manual del fabricante son los que se mostraran a
continuación:

Por lo indicado en la práctica n°3, los ejercicios que se verán a continuación se

hicieron con un 𝛽 = 150 𝑦 𝑉𝐵𝐸 = 0.65.
Ante todo, se debe ajustar la fuente de alimentación para alimentar el montaje de la
figura 1, 2, 3, 4 y 5. Donde nos encargaremos de medir sus caídas de tensión en los
transistores como lo son 𝑉𝐶 , 𝑉𝐵 𝑦 𝑉𝐸 . Todas las tensiones serán medidas con un
multímetro digital o en caso de no tener alguno, con el osciloscopio.

FIGURA 1

Aplicando LVK
𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑹𝑪 − 𝑽𝑪𝑬 − 𝑽𝑹𝑬 = 𝟎 → 𝒆𝒄. 𝟏
𝐼𝐶
Por ley de ohm

𝐼𝐵 𝑽𝑹𝑪 = 𝑰𝑪 𝑹𝑪 ; 𝑽𝑹𝑬 = 𝑰𝑬𝑹𝑬 ; sustituir en la 𝒆𝒄. 𝟏

𝑽𝑪𝑪 − 𝑰𝑪 𝑹𝑪 − 𝑽𝑪𝑬 − 𝑰𝑬 𝑹𝑬 = 𝟎 → 𝒆𝒄. 𝟏
Aplicando LCK
𝐼𝐸 𝑰𝑬 = 𝑰𝑩 + 𝑰𝑪 ; 𝑅𝑒𝑐𝑜𝑟𝑑𝑎𝑟 𝑞𝑢𝑒 𝑰𝑪 = 𝜷𝑰𝑩 ,
𝑝𝑜𝑟 𝑙𝑜 𝑡𝑎𝑛𝑡𝑜 𝑞𝑢𝑒𝑑𝑎𝑟𝑖𝑎 𝑰𝑬 = 𝑰𝑩 + 𝜷 𝑰𝑩 = (𝟏 + 𝜷)𝑰𝑩
Sustituir en la 𝑒𝑐. 1, despejamos 𝐼𝐶 𝑦 𝑙𝑢𝑒𝑔𝑜 𝑉𝐶𝐸 quedando lo siguiente:
𝑽𝑪𝑪 −𝑽𝑪𝑬 −𝑰𝑩 𝑹𝑬
𝑰𝑪 = → 𝒆𝒄. 𝟐 ; 𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪𝑪 − 𝑰𝑩 𝑹𝑬 − 𝑰𝑪 (𝑹𝑪 + 𝑹𝑬 ) → 𝒆𝒄. 𝟑
𝑹𝑪 +𝑹𝑬

Ahora analizando el circuito, se tiene que la Base no tiene ninguna realimentación,

por lo tanto, la 𝐼𝐵 = 0𝐴. Por esta razón, el transistor se encuentra en zona de corte,
es decir, no pasa corriente por el emisor, debido a que el transistor en el modelo
circuital de parámetros híbridos, tenemos una fuente de corriente controlada por la
corriente de base, esto entre colector y emisor.
Dando como resultado los siguientes valores,
𝑰𝑬 = 𝟎 𝑨, por lo tanto, 𝑽𝑬 = 𝟎 𝑽. Conociendo 𝑽𝑪𝑬, 𝑡𝑒𝑛𝑒𝑚𝑜𝑠 𝑞𝑢𝑒 𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪 −
𝑽𝑬, 𝐷𝑒𝑠𝑝𝑒𝑗𝑎𝑛𝑑𝑜 𝑽𝑪 . 𝑽𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 + 𝑽𝑬 = 𝑽𝑪𝑬 + 𝟎 = 𝑽𝑪𝑬.

Recordar que 𝑰𝑪 = 𝜷𝑰𝑩 = 𝟎 𝑨 . Sustituyendo valores en la 𝒆𝒄. 𝟑 nos queda,

𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪𝑪 = 𝑽𝑪 = 𝟏𝟐 𝑽; 𝑽𝑩 = 𝟎 𝑽; 𝑽𝑬 = 𝟎𝑽
Esto nos indica que no posee punto estático de operación.
Se realizó la simulación del circuito con las especificaciones indicadas, mostrada en
la figura 1.1.

Figura 1.1. Simulación circuito 1.

Beta=150

FIGURA 2

En este circuito tenemos la base realimentada con el emisor,

sin embargo, análogamente al circuito anterior, para que pase
𝐼𝐶 la corriente de emisor, debe haber una
corriente en la base, corriente que es
cero, por lo tanto, nos encontramos en
𝐼𝐵 la zona de corte.
𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪𝑪 = 𝑽𝑪 = 𝟏𝟐 𝑽; 𝑽𝑩 = 𝟎 𝑽; 𝑽𝑬 =
𝟎𝑽
Esto nos indica que no posee punto
𝐼𝐸 estático de operación.
Se realizó la simulación del circuito con
las especificaciones indicadas,
mostrada en la figura 2.1.
Figura 2.1. Simulación circuito 2.
Beta=150
 FIGURA 3. POLARIZACIÓN FIJA
 Hallando 𝐼𝐵
Aplicando LVK por 𝑹𝑩
𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 0 Despejamos 𝐼𝐵 , nos queda;
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 12 − 0.65
𝐼𝐵 = = = 20.27 𝜇𝐴
𝑅𝐵 560𝑥103
𝐼𝐵  Hallando Recta de carga
𝐼𝐸
Método de los puntos de corte
Aplicando LVK por 𝑹𝑪
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 0 → 𝒆𝒄. 𝟒 Despejamos de la 𝒆𝒄. 𝟒, 𝑽𝑪𝑬 𝒆 𝑰𝑪
−𝑽𝑪𝑬 +𝑽𝑪𝑪
𝑰𝑪 = 𝑹𝑪
→ 𝒆𝒄. 𝟓 ; 𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪𝑪 − 𝑰𝑪 𝑹𝑪 → 𝒆𝒄. 𝟔

En la 𝒆𝒄. 𝟓, 𝑽𝑪𝑬 = 𝟎, para hallar el punto de corte en 𝐼𝐶 del plano cartesiano 𝐼𝐶 𝑣𝑠 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐶 12
Resultando 𝐼𝐶 = = 𝟐𝒙𝟏𝟎𝟑 = 6𝑚𝐴
𝑹𝑪

En la 𝑒𝑐. 6, 𝐼𝐶 = 0𝐴, para hallar el punto de corte en 𝑉𝐶𝐸 del plano cartesiano 𝐼𝐶 𝑣𝑠 𝑉𝐶𝐸
Resultando 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶
Consiguiendo dos puntos en el plano (12,0), (0,6𝑥10−3 ) hallando así la recta de carga

Otro método
Sustituimos valores en la 𝑒𝑐. 5, excepto 𝑉𝐶𝐸 , quedando lo siguiente:
−𝟏 𝟏𝟐
𝑰𝑪 = 𝟐𝒙𝟏𝟎𝟑 𝑽𝑪𝑬 + 2𝑥103 = −𝟎. 𝟓𝒙𝟏𝟎−𝟑 𝑽𝑪𝑬 + 𝟔𝒙𝟏𝟎−𝟑, Siendo esta la ecuación de la
recta de carga.

 Puntos de operación
𝐼𝐶𝑄 = 𝛽𝐼𝐵 = 150 ∗ 20.27𝜇𝐴 = 3𝑚𝐴
Evaluando 𝐼𝐶𝑄 𝑒𝑛 𝑙𝑎 𝑒𝑐. 6, ℎ𝑎𝑙𝑙𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑉𝐶𝐸𝑄 , 𝑽𝑪𝑬𝑸 = 𝟏𝟐 − 𝟑𝒙𝟏𝟎−𝟑 ∗ 𝟐𝒙𝟏𝟎𝟑 = 𝟓. 𝟗𝟐𝑽

 Tensión en los terminales del BJT

𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪 − 𝑽𝑬 = 𝑽𝑪 − 𝟎𝑽 𝒑𝒐𝒓𝒍𝒐 𝒕𝒂𝒏𝒕𝒐, 𝑽𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 = 𝟓. 𝟗𝟐𝑽
𝑽𝑩𝑬 = 𝑽𝑩 − 𝑽𝑬 = 𝑽𝑩 − 𝟎𝑽 𝒑𝒐𝒓 𝒍𝒐 𝒕𝒂𝒏𝒕𝒐 𝑽𝑩 = 𝑽𝑩𝑬 = 𝟎. 𝟔𝟓𝑽
 Figura 3.1. Recta de carga del circuito 3. Punto estático de operación
se encuentra en zona activa.

Se realizó la simulación del circuito con las especificaciones indicadas, mostrada en

la figura 3.1.

Figura 3.2. Simulación circuito 3.

Beta=150
 FIGURA 4. REALIMENTACIÓN EMISOR
 Hallando 𝐼𝐵
Aplicando LVK por 𝑹𝑩
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0 Despejamos 𝐼𝐵 , nos queda;
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 12 − 0.65
𝐼𝐵 = = = 13.17𝜇𝐴
𝑅𝐵 + (1 + 𝛽)𝑅𝐸 560𝑥103 + (1 + 150)2𝑥103
 Hallando recta de carga
Aplicando LVK por 𝑹𝑪
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0 → 𝒆𝒄. 𝟕 Despejamos de
la 𝒆𝒄. 𝟕, 𝑽𝑪𝑬 𝒆 𝑰𝑪
−𝑽𝑪𝑬 + 𝑽𝑪𝑪 − (𝟏 + 𝜷)𝑰𝑩 𝑹𝑬
𝑰𝑪 = → 𝒆𝒄. 𝟖 ; 𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪𝑪 − 𝑰𝑪 𝑹𝑪 − (𝟏 + 𝜷)𝑰𝑩 𝑹𝑬 → 𝒆𝒄. 𝟗
𝑹𝑪
Sustituimos valores en la 𝑒𝑐. 8, excepto 𝑉𝐶𝐸 , quedando lo siguiente:
−𝟏 𝟏𝟐−𝟏𝟓𝟏∗𝟏𝟑.𝟏𝟕𝒙𝟏𝟎−𝟔 ∗𝟐𝟎𝟎
𝑰𝑪 = 𝑽 + = −𝟎. 𝟓𝒙𝟏𝟎−𝟑𝑽𝑪𝑬 + 𝟓. 𝟖𝒙𝟏𝟎−𝟑 , Siendo esta la
𝟐𝒙𝟏𝟎𝟑 𝑪𝑬 2𝑥103
ecuación de la recta de carga.
 Puntos de operación
𝐼𝐶𝑄 = 𝛽𝐼𝐵 = 150 ∗ 13.17𝜇𝐴 = 2𝑚𝐴
Evaluando 𝐼𝐶𝑄 𝑒𝑛 𝑙𝑎 𝑒𝑐. 9, ℎ𝑎𝑙𝑙𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑉𝐶𝐸𝑄 , 𝑽𝑪𝑬𝑸 = 𝟏𝟐 − 𝟐𝒙𝟏𝟎−𝟑 ∗ 𝟐𝒙𝟏𝟎𝟑 − (𝟏 +
𝟏𝟓𝟎)𝟏𝟑. 𝟏𝟕𝒙𝟏𝟎−𝟔 ∗ 𝟐𝟎𝟎 = 𝟕. 𝟔𝑽
 Tensión en los terminales del BJT
𝑰𝑬 = 𝑰𝑩 + 𝑰𝑪 = 𝟏𝟑. 𝟏𝟕𝒙𝟏𝟎−𝟔 + 𝟐𝒙𝟏𝟎−𝟑 = 𝟐𝒎𝑨
𝑽𝑬 = 𝑰𝑬𝑹𝑬 = 𝟐𝒙𝟏𝟎−𝟑 ∗ 𝟐𝟎𝟎 = 𝟎. 𝟒𝑽
𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪 − 𝑽𝑬 𝒑𝒐𝒓𝒍𝒐 𝒕𝒂𝒏𝒕𝒐, 𝑽𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 + 𝑽𝑬 = 𝟕. 𝟔𝑽 + 𝟎. 𝟒𝑽 = 𝟖𝑽
𝑽𝑩𝑬 = 𝑽𝑩 − 𝑽𝑬 𝒑𝒐𝒓 𝒍𝒐 𝒕𝒂𝒏𝒕𝒐 𝑽𝑩 = 𝑽𝑩𝑬 + 𝑽𝑬 = 𝟎. 𝟔𝟓𝑽 + 𝟎. 𝟒𝑽 = 𝟏. 𝟎𝟓𝑽
A diferencia del resto de las simulaciones en esta no dan los valores cuando lo simulo
con un 𝛽 = 150, 𝑠𝑖𝑛𝑜 𝛽 = 100, como se ve a continuación:

Figura 4.1. Simulación circuito 4. Figura 4.2. Simulación circuito 4.

Beta=150 Beta=100
 Figura 4.3. Recta de carga del circuito 4. Punto estático de operación
se encuentra en zona activa.

FIGURA 5. CIRCUITO UNIVERSAL

Para trabajar este circuito aplicamos Thevenin desde la base hacia la izquierda,
obteniendo una fuente Thevenin y una resistencia Thevenin. Equivalente a la
siguiente figura:

Figura 5.1. Circuito equivalente de

la figura 5. Aplicando Thevenin
  Aplicando Thevenin
𝑅 𝑅
Las resistencias quedarían en paralelo, dando como resultado 𝑅𝑇ℎ = 𝑅 1+𝑅2 = 25.8𝑘Ω
1 2

𝑉𝑖𝑛 𝑅2
La fuente seria la caída de tensión en la resistencia 𝑅2 , 𝑠𝑖𝑒𝑛𝑑𝑜 𝑉𝑇ℎ = 𝑅 = 3.4𝑉
1 +𝑅2

 Hallando 𝑰𝑩
Aplicando LVK por 𝑹𝑩
𝑉𝑇ℎ − 𝐼𝐵 𝑅𝑇ℎ − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0 Despejamos 𝐼𝐵 , nos queda;
𝑉𝑇ℎ − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = = 49.11𝜇𝐴
𝑅𝑇ℎ + (1 + 𝛽)𝑅𝐸
 Hallando recta de carga
Aplicando LVK por 𝑹𝑪
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0 → 𝒆𝒄. 𝟏𝟎 Despejamos de la 𝒆𝒄. 𝟕, 𝑽𝑪𝑬 𝒆 𝑰𝑪
−𝑽𝑪𝑬 +𝑽𝑪𝑪 −(𝟏+𝜷)𝑰𝑩 𝑹𝑬
𝑰𝑪 = 𝑹𝑪
→ 𝒆𝒄. 𝟏𝟏; 𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪𝑪 − 𝑰𝑪 𝑹𝑪 − (𝟏 + 𝜷)𝑰𝑩 𝑹𝑬 → 𝒆𝒄. 𝟏𝟐

Sustituimos valores en la 𝑒𝑐. 11, excepto 𝑉𝐶𝐸 , quedando lo siguiente:

−𝟏 𝟏𝟐−𝟏𝟓𝟏∗𝟒𝟗.𝟏𝟏𝒙𝟏𝟎−𝟔 ∗𝟐𝟎𝟎
𝑰𝑪 = 𝟓𝟏𝟎 𝑽𝑪𝑬 + = −𝟏. 𝟗𝟔𝒙𝟏𝟎−𝟑 𝑽𝑪𝑬 + 𝟐𝟎. 𝟔𝟐𝒙𝟏𝟎−𝟑, Siendo esta la
510
ecuación de la recta de carga.
 Puntos de operación
𝐼𝐶𝑄 = 𝛽𝐼𝐵 = 150 ∗ 49.11𝜇𝐴 = 7.37𝑚𝐴
Evaluando 𝐼𝐶𝑄 𝑒𝑛 𝑙𝑎 𝑒𝑐. 12, ℎ𝑎𝑙𝑙𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑉𝐶𝐸𝑄 , 𝑽𝑪𝑬𝑸 = 𝟏𝟐 − 𝟕. 𝟑𝟕𝒙𝟏𝟎−𝟑 ∗ 𝟓𝟏𝟎 − (𝟏 +
𝟏𝟓𝟎)𝟒𝟗. 𝟏𝟏𝒙𝟏𝟎−𝟔 ∗ 𝟐𝟎𝟎 = 𝟔. 𝟕𝟔𝑽
 Tensión en los terminales del BJT
𝑰𝑬 ≅ 𝑰𝑪 = 𝟕. 𝟑𝟕𝒎𝑨
𝑽𝑬 = 𝑰𝑬𝑹𝑬 = 𝟕. 𝟑𝟕𝒙𝟏𝟎−𝟑 ∗ 𝟐𝟎𝟎 = 𝟏. 𝟒𝟕𝑽
𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪 − 𝑽𝑬 𝒑𝒐𝒓𝒍𝒐 𝒕𝒂𝒏𝒕𝒐, 𝑽𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 + 𝑽𝑬 = 𝟔. 𝟕𝟔𝑽 + 𝟏. 𝟒𝟕𝑽 = 𝟖. 𝟐𝟑𝑽
𝑽𝑩𝑬 = 𝑽𝑩 − 𝑽𝑬 𝒑𝒐𝒓 𝒍𝒐 𝒕𝒂𝒏𝒕𝒐 𝑽𝑩 = 𝑽𝑩𝑬 + 𝑽𝑬 = 𝟎. 𝟔𝟓𝑽 + 𝟏. 𝟒𝟕𝑽 = 𝟐. 𝟏𝟐𝑽
 Figura 5.2. Recta de carga del circuito 5. Punto estático de operación
se encuentra en zona activa.

Se realizó la simulación del circuito con las especificaciones indicadas, mostrada en

la figura 5.2 y 5.3.

Figura 5.4. Simulación circuito equivalente

Figura 5.3. Simulación circuito 5.
de la figura 5.1. Beta = 150
Beta = 150
 RESUMEN

Se llevó a cabo un estudio de diferentes configuraciones de polarización del BJT,

entre dichas configuraciones tenemos:
 Polarización fija
 Realimentación de emisor
 Circuito universal
De cada una de ellas, se logró visualizar sus distintas zonas de operación, tanto en
corte como en activa, con la finalidad de observar la importancia en dichas
configuraciones, puesto que el punto estático de operación siempre dependerá de las
resistencias, tomando en cuenta constantemente la corriente de base, debido a esta
el transistor puede hallarse en alguna zona de operación, a causa de que en su
modelo de Ebers-Moll, entre colector y emisor tiene una fuente de corriente controlada
por la corriente de base, permitiéndonos tener corriente de colector, en consecuencia
su corriente de emisor.
Por otro lado, su 𝛽 o parámetro hibrido ℎ𝑓𝑒, puede variar en cada una de sus
configuraciones, dependiendo de su temperatura, corriente de colector, entre otros
factores importantes.
 RESULTADOS
Circuit 𝜷
𝑽𝑪 𝑽𝑩 𝑽𝑬 𝑰𝑪 𝑰𝑩 𝑰𝑬
o 𝒉𝒇𝒆
12
1 0𝑉 0𝑉 0𝐴 0𝐴 0𝐴 0
±1𝑉
12
2 0𝑉 0𝑉 0𝐴 0𝐴 0𝐴 0
±1𝑉
1.3 0.72 5.35 20.14 5.35
3 0𝑉 265.6
± 0.1 𝑉 ± 0.1 𝑉 ± 0.1 𝑚𝐴 ± 0.1 𝜇𝐴 ± 0.1 𝑚𝐴
2.8 1.8 1 4.6 18.21 4.6
4.a 252.6
± 0.4 𝑉 ± 0.2 𝑉 ± 0.2 𝑉 ± 0.4 𝑚𝐴 ± 0.2 𝜇𝐴 ± 0.4 𝑚𝐴
20 640 10 5.99 16.71 6
4.b1 358.47
± 10 𝑚𝑉 ± 40 𝑚𝑉 ± 10𝑚𝑉 ± 0.05 𝑚𝐴 ± 0.05 𝜇𝐴 ± 0.05 𝑚𝐴
1.5 2 1.2 5.25 23.26 5.27
4.b2 225.75
± 0.1 𝑉 ± 0.2 𝑉 ± 0.1 𝑉 ± 0.1 𝑚𝐴 ± 0.2 𝜇𝐴 ± 0.1 𝑚𝐴
1.3 1.65 1 4.46 18.48 4.48
4.b3 241.31
± 0.1 𝑉 ± 0.1 𝑉 ± 0.1 𝑉 ± 0.1 𝑚𝐴 ± 0.1 𝜇𝐴 ± 0.1 𝑚𝐴
4.6 1.7 1 4.625 18.40 4.64
4.b4 251.46
± 0.4 𝑉 ± 0.1 𝑉 ± 0.1 𝑉 ± 0.4 𝑚𝐴 ± 0.1 𝜇𝐴 ± 0.4 𝑚𝐴
2.8 1.8 1.2 4.6 18.21 4.62
4.b5 252.55
± 0.2 𝑉 ± 0.1 𝑉 ± 0.1 𝑉 ± 0.2 𝑚𝐴 ± 0.1 𝜇𝐴 ± 0.2 𝑚𝐴
2.6 1.5 0.85 4.7 18.75 4.72
4.b6 250.7
± 0.2 𝑉 ± 0.1 𝑉 ± 0.1 𝑉 ± 0.2 𝑚𝐴 ± 0.1 𝜇𝐴 ± 0.2 𝑚𝐴
8.23 2.12 2.7 7.39
5.a
± 0.4 𝑉 ± 0.2 𝑉 ± 0.2 𝑉 ± 0.2 𝑚𝐴
7.6 2.8 1.9 8.63
5.b1
± 0.4 𝑉 ± 0.2 𝑉 ± 0.1 𝑉 ± 0.4 𝑚𝐴
6.8 3 2.2 10.20
5.b2
± 0.4 𝑉 ± 0.2 𝑉 ± 0.2 𝑉 ± 0.4 𝑚𝐴
6.6 2.8 2 10.59
5.b3
± 0.4 𝑉 ± 0.2 𝑉 ± 0.1 𝑉 ± 0.4 𝑚𝐴
2.4 1.75 7.84
5.b4 8±1𝑉
± 0.2 𝑉 ± 0.1 𝑉 ± 0.4 𝑚𝐴
6.4 2.6 2 9.03
5.b5
± 0.4 𝑉 ± 0.2 𝑉 ± 0.2 𝑉 ± 0.4 𝑚𝐴
2.6 2 9.30
5.b6 8±1𝑉
± 0.2 𝑉 ± 0.2 𝑉 ± 0.4 𝑚𝐴
7.5 2.75 2 8.82
5.b7
±1𝑉 ± 0.2 𝑉 + 0.2 𝑉 ± 0.4 𝑚𝐴
6.4 2.5 1.8 10.98
5.b8
± 0.4 𝑉 ± 0.2 𝑉 ± 0.1 𝑉 ± 0.4 𝑚𝐴

Tabla 1. Datos medidos en el laboratorio junto con el cálculo

de las corrientes y el parámetro hibrido he
Circuito 𝑽𝑪𝑬𝑸 𝑰𝑪𝑸
1 12 ± 1 𝑉 0𝐴
2 12 ± 1 𝑉 0𝐴
3 1.3 ± 0.1 𝑉 5.35 ± 0.1 𝑚𝐴
4.a 1.8 ± 0.1 𝑉 4.6 ± 0.4 𝑚𝐴
4.b1 10 ± 10 𝑚𝑉 5.99 ± 0.05 𝑚𝐴
4.b2 0.3 ± 0.1 𝑉 5.25 ± 0.1 𝑚𝐴
4.b3 −0.45 ± 0.1 𝑉 4.46 ± 0.1 𝑚𝐴
4.b4 2.9 ± 0.4 𝑉 4.625 ± 0.4 𝑚𝐴
4.b5 1 ± 0.1 𝑉 4.6 ± 0.2 𝑚𝐴
4.b6 1.1 ± 0.1 𝑉 4.7 ± 0.2 𝑚𝐴
5.a 5.53 ± 0.4 𝑉 7.39 ± 0.2 𝑚𝐴
5.b1 5.7 ± 0.4 𝑉 8.63 ± 0.4 𝑚𝐴
5.b2 4.6 ± 0.4 𝑉 10.20 ± 0.4 𝑚𝐴
5.b3 4.6 ± 0.4 𝑉 10.59 ± 0.4 𝑚𝐴
5.b4 6.25 ± 0.4 𝑉 7.84 ± 0.4 𝑚𝐴
5.b5 4.4 ± 0.4 𝑉 9.03 ± 0.4 𝑚𝐴
5.b6 6 ± 0.4 𝑉 9.30 ± 0.4 𝑚𝐴
5.b7 5.5 ± 0.4 𝑉 8.82 ± 0.4 𝑚𝐴
5.b8 4.6 ± 0.4 𝑉 10.98 ± 0.4 𝑚𝐴
Tabla 2. Puntos estáticos de operación de cada circuito.

Figura 6. Característica de salida de un BJT típico operando

en Emisor-Común
Calculo de sus puntos de operación, recta de carga y otros puntos de interés.
Circuito 1
 Recta de carga
−𝑽𝑪𝑬 +𝑽𝑪𝑪 −(𝟏+𝜷)𝑰𝑩 𝑹𝑬 −𝑽𝑪𝑬 +𝑽𝑪𝑪 −𝑽𝑬 −𝟏 𝑽𝑪𝑪 −𝑽𝑬
Usando la 𝑒𝑐. 8, 𝑰𝑪 = = = 𝑽𝑪𝑬 +
𝑹𝑪 𝑹𝑪 𝑅𝐶 𝑅𝐶

−1 12 − 0
𝐼𝐶 = 3
𝑉𝐶𝐸 + = −0.5𝑥10−3 𝑉𝐶𝐸 + 6𝑥10−3
2𝑥10 2𝑥103

Figura 7. Recta de carga del circuito 1. Punto estático de operación

se encuentra en zona de corte como se visualiza en la figura 6.

Circuito 2
 Recta de carga
−𝑽𝑪𝑬 +𝑽𝑪𝑪 −(𝟏+𝜷)𝑰𝑩 𝑹𝑬 −𝑽𝑪𝑬 +𝑽𝑪𝑪 −𝑽𝑬 −𝟏 𝑽𝑪𝑪 −𝑽𝑬
Usando la 𝑒𝑐. 8, 𝑰𝑪 = = = 𝑽𝑪𝑬 +
𝑹𝑪 𝑹𝑪 𝑅𝐶 𝑅𝐶

−1 12 − 0
𝐼𝐶 = 3
𝑉𝐶𝐸 + = −0.5𝑥10−3 𝑉𝐶𝐸 + 6𝑥10−3
2𝑥10 2𝑥103
Es análoga al Circuito 1, su punto estático de operación está en zona de corte como
se observa en la figura 7.
Circuito 3
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶 12−1.3 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵 12−0.72
𝐼𝐶𝑄 = = = 5.35 ± 0.1 𝑚𝐴 ; 𝐼𝐵 = = 560𝑥103 = 20.14 ± 0.1 𝜇𝐴
𝑅𝐶 2𝑥103 𝑅𝐵
𝐼
𝛽 = 𝐼 𝐶 = 265.6 ; 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 = 5.35𝑥10−3 + 20.14𝑥10−6 = 5.35 ± 0.1 𝑚𝐴 ≅ 𝐼𝐶
𝐵

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 1.3 − 0 = 1.3 ± 0.1 𝑉

 Recta de carga
−𝑽𝑪𝑬 +𝑽𝑪𝑪 −𝟏 𝑽𝑪𝑪
Usando la 𝑒𝑐. 5, 𝑰𝑪 = = 𝑽𝑪𝑬 +
𝑹𝑪 𝑹𝑪 𝑹𝑪

−1 12
𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + = −0.5𝑥10−3 𝑉𝐶𝐸 + 6𝑥10−3
2𝑥103 2𝑥103

Figura 8. Recta de carga del circuito 3. Punto estático de operación se

encuentra en zona activa como se visualiza en la figura 6.
Circuito 4
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶 12−2.8 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵 12−1.8
 4.a) 𝐼𝐶𝑄 = = = 4.6 ± 0.4 𝑚𝐴 ; 𝐼𝐵 = = 560𝑥103 = 18.21 ±
𝑅𝐶 2𝑥103 𝑅𝐵
0.2 𝜇𝐴
𝐼
𝛽 = 𝐼 𝐶 = 252.6 ; 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 = 4.6𝑥10−3 + 18.21𝑥10−6 = 4.6 ± 0.4 𝑚𝐴 ≅ 𝐼𝐶
𝐵

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 2.8 − 1 = 1.8 ± 0.1 𝑉

 Recta de carga
Usando la 𝑒𝑐. 8, 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑒𝑙 𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑖𝑡𝑜 4 𝑦 5;
−𝑽𝑪𝑬 + 𝑽𝑪𝑪 − (𝟏 + 𝜷)𝑰𝑩 𝑹𝑬 −𝑽𝑪𝑬 + 𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑬 −𝟏 𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑬
𝑰𝑪 = = = 𝑽𝑪𝑬 +
𝑹𝑪 𝑹𝑪 𝑅𝐶 𝑅𝐶
−1 12 − 1
𝐼𝐶 = 3
𝑉𝐶𝐸 + = −0.5𝑥10−3 𝑉𝐶𝐸 + 5.5𝑥10−3
2𝑥10 2𝑥103

Figura 9. Recta de carga del circuito 4.a. Punto estático de operación

se encuentra en zona activa.
 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶 12−20𝑥10−3 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵
 4.b1) 𝐼𝐶𝑄 = = = 5.99 ± 0.05 𝑚𝐴 ; 𝐼𝐵 = =
𝑅𝐶 2𝑥103 𝑅𝐵
12−640𝑥10−3
= 16.71 ± 0.05 𝜇𝐴
680𝑥103
𝐼
𝛽 = 𝐼 𝐶 = 358.47 ; 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 = 5.99𝑥10−3 + 16.71𝑥10−6 = 6 ± 0.05 𝑚𝐴 ≅ 𝐼𝐶
𝐵

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 20𝑥10−3 − 10𝑥10−3 = 10 ± 10 𝑚𝑉

 Recta de carga
−𝟏 𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑬
𝑰𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 +
𝑅𝐶 𝑅𝐶
−1 12 − 10𝑥10−3
𝐼𝐶 = 3
𝑉𝐶𝐸 + 3
= −0.5𝑥10−3 𝑉𝐶𝐸 + 5.995𝑥10−3
2𝑥10 2𝑥10

Figura 10. Recta de carga del circuito 4.b1. Punto estático de

operación se encuentra en zona de saturación.
 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶 12−1.5 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵 12−2
4.b2) 𝐼𝐶𝑄 = 𝑅𝐶
= 2𝑥103
= 5.25 ± 0.1 𝑚𝐴 ; 𝐼𝐵 = 𝑅𝐵
= 430𝑥103 = 23.26 ± 0.2 𝜇𝐴
𝐼
𝛽 = 𝐼 𝐶 = 225.75 ; 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 = 5.25𝑥10−3 + 23.26𝑥10−6 = 5.27 ± 0.1 𝑚𝐴 ≅ 𝐼𝐶
𝐵

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 1.5 − 1.2 = 0.3 ± 0.1 𝑉

 Recta de carga
−𝟏 𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑬
𝑰𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 +
𝑅𝐶 𝑅𝐶
−1 12 − 1.2
𝐼𝐶 = 3
𝑉𝐶𝐸 + 3
= −0.5𝑥10−3 𝑉𝐶𝐸 + 5.4𝑥10−3
2𝑥10 2𝑥10

Figura 11. Recta de carga del circuito 4.b2. Punto estático de

operación se encuentra en zona de saturación.
 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶 12−1.3 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵 12−1.65
 4.b3) 𝐼𝐶𝑄 = 𝑅𝐶
= 2.4𝑥103 = 4.46 ± 0.1 𝑚𝐴 ; 𝐼𝐵 = 𝑅𝐵
= 560𝑥103 = 18.48 ±
0.1 𝜇𝐴
𝐼
𝛽 = 𝐼 𝐶 = 241.31 ; 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 = 4.46𝑥10−3 + 18.48𝑥10−6 = 4.48 ± 0.1 𝑚𝐴 ≅ 𝐼𝐶
𝐵

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 1.3 − 1.75 = −0.45 ± 0.1 𝑉

 Recta de carga
−𝟏 𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑬
𝑰𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 +
𝑅𝐶 𝑅𝐶
−1 12 − 1
𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + = −0.417𝑥10−3 𝑉𝐶𝐸 + 4.58𝑥10−3
2.4𝑥103 2.4𝑥103

Figura 12. Recta de carga del circuito 4.b3. Punto estático de

operación se encuentra en zona inadecuada pudo ser por error en la
medición.
 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶 12−4.6 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵 12−1.7
 4.b4) 𝐼𝐶𝑄 = = 1.6𝑥103 = 4.625 ± 0.4 𝑚𝐴 ; 𝐼𝐵 = = 560𝑥103 =
𝑅𝐶 𝑅𝐵
18.40 ± 0.1 𝜇𝐴
𝐼
𝛽 = 𝐼 𝐶 = 251.46 ; 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 = 4.625𝑥10−3 + 18.40𝑥10−6 = 4.64 ± 0.4 𝑚𝐴 ≅ 𝐼𝐶
𝐵

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 4.6 − 1.70 = 2.9 ± 0.4 𝑉

 Recta de carga
−𝟏 𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑬
𝑰𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 +
𝑅𝐶 𝑅𝐶
−1 12 − 1
𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + = −0.625𝑥10−3 𝑉𝐶𝐸 + 6.875𝑥10−3
1.6𝑥103 1.6𝑥103

Figura 13. Recta de carga del circuito 4.b4. Punto estático de

operación se encuentra en zona activa.
 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶 12−2.8 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵 12−1.8
 4.b5) 𝐼𝐶𝑄 = = = 4.6 ± 0.2 𝑚𝐴 ; 𝐼𝐵 = = 560𝑥103 = 18.21 ±
𝑅𝐶 2𝑥103 𝑅𝐵
0.1 𝜇𝐴
𝐼
𝛽 = 𝐼 𝐶 = 252.55 ; 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 = 4.6𝑥10−3 + 18.21𝑥10−6 = 4.62 ± 0.2 𝑚𝐴 ≅ 𝐼𝐶
𝐵

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 2.8 − 1.8 = 1 ± 0.1 𝑉

 Recta de carga
−𝟏 𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑬
𝑰𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 +
𝑅𝐶 𝑅𝐶
−1 12 − 1.2
𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + = −0.5𝑥10−3 𝑉𝐶𝐸 + 5.4𝑥10−3
2𝑥103 2𝑥103

Figura 14. Recta de carga del circuito 4.b5. Punto estático de

operación se encuentra en zona activa.
 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶 12−2.6 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵 12−1.5
 4.b6) 𝐼𝐶𝑄 = 𝑅𝐶
= 2𝑥103
= 4.7 ± 0.2 𝑚𝐴 ; 𝐼𝐵 = 𝑅𝐵
= 560𝑥103 = 18.75 ±
0.1 𝜇𝐴
𝐼
𝛽 = 𝐼 𝐶 = 250.7 ; 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 = 4.7𝑥10−3 + 18.75𝑥10−6 = 4.72 ± 0.2 𝑚𝐴 ≅ 𝐼𝐶
𝐵

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 2.6 − 1.5 = 1.1 ± 0.1 𝑉

 Recta de carga
−𝟏 𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑬
𝑰𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 +
𝑅𝐶 𝑅𝐶
−1 12 − 0.85
𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + = −0.5𝑥10−3 𝑉𝐶𝐸 + 5.575𝑥10−3
2𝑥103 2𝑥103

Figura 15. Recta de carga del circuito 4.b6. Punto estático de

operación se encuentra en zona activa.
Circuito 5
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶 12−8.23
 5.a) 𝐼𝐶𝑄 = = = 7.39 ± 0.2 𝑚𝐴
𝑅𝐶 2𝑥103
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 8.23 − 2.7 = 5.53 ± 0.4 𝑉
 Recta de carga
−𝟏 𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑬
𝑰𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 +
𝑅𝐶 𝑅𝐶
−1 12 − 2.7
𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + = −1.96𝑥10−3 𝑉𝐶𝐸 + 18.235𝑥10−3
510 510
 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶 12−7.6
 5.b1) 𝐼𝐶𝑄 = = = 8.63 ± 0.4 𝑚𝐴
𝑅𝐶 510
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 7.6 − 1.9 = 5.7 ± 0.4 𝑉
 Recta de carga
−𝟏 𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑬
𝑰𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 +
𝑅𝐶 𝑅𝐶
−1 12 − 1.9
𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + = −1.96𝑥10−3 𝑉𝐶𝐸 + 19.80𝑥10−3
510 510

Figura 17. Recta de carga del circuito 5.b1. Punto estático de

operación se encuentra en zona activa.
 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶 12−6.8
 5.b2) 𝐼𝐶𝑄 = = = 10.20 ± 0.4 𝑚𝐴
𝑅𝐶 510
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 6.8 − 2.2 = 4.6 ± 0.4 𝑉
 Recta de carga
−𝟏 𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑬
𝑰𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 +
𝑅𝐶 𝑅𝐶
−1 12 − 2.2
𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + = −1.96𝑥10−3 𝑉𝐶𝐸 + 19.22𝑥10−3
510 510

Figura 18. Recta de carga del circuito 5.b2. Punto estático de

operación se encuentra en zona activa.
 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶 12−6.6
 5.b3) 𝐼𝐶𝑄 = = = 10.59 ± 0.4 𝑚𝐴
𝑅𝐶 510
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 6.6 − 2 = 4.6 ± 0.4 𝑉
 Recta de carga
−𝟏 𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑬
𝑰𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 +
𝑅𝐶 𝑅𝐶
−1 12 − 2
𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + = −1.96𝑥10−3 𝑉𝐶𝐸 + 19.61𝑥10−3
510 510

Figura 19. Recta de carga del circuito 5.b3. Punto estático de

operación se encuentra en zona activa.
 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶 12−8
 5.b4) 𝐼𝐶𝑄 = = = 7.84 ± 0.4 𝑚𝐴
𝑅𝐶 510
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 8 − 1.75 = 6.25 ± 0.4 𝑉
 Recta de carga
−𝟏 𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑬
𝑰𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 +
𝑅𝐶 𝑅𝐶
−1 12 − 1.75
𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + = −1.96𝑥10−3 𝑉𝐶𝐸 + 20.10𝑥10−3
510 510

Figura 20. Recta de carga del circuito 5.b4. Punto estático de

operación se encuentra en zona activa.
 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶 12−6.4
 5.b5) 𝐼𝐶𝑄 = = = 9.03 ± 0.4 𝑚𝐴
𝑅𝐶 620
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 6.4 − 2 = 4.4 ± 0.4 𝑉
 Recta de carga
−𝟏 𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑬
𝑰𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 +
𝑅𝐶 𝑅𝐶
−1 12 − 2
𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + = −1.61𝑥10−3 𝑉𝐶𝐸 + 16.13𝑥10−3
620 620

Figura 21. Recta de carga del circuito 5.b5. Punto estático de

operación se encuentra en zona activa.
 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶 12−8
 5.b6) 𝐼𝐶𝑄 = = = 9.30 ± 0.4 𝑚𝐴
𝑅𝐶 430
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 8 − 2 = 6 ± 0.4 𝑉
 Recta de carga
−𝟏 𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑬
𝑰𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 +
𝑅𝐶 𝑅𝐶
−1 12 − 2
𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + = −2.33𝑥10−3 𝑉𝐶𝐸 + 23.26𝑥10−3
430 430

Figura 22. Recta de carga del circuito 5.b6. Punto estático de

operación se encuentra en zona activa.
 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶 12−7.5
 5.b7) 𝐼𝐶𝑄 = 𝑅𝐶
= 510
= 8.82 ± 0.4 𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 7.5 − 2 = 5.5 ± 0.4 𝑉
 Recta de carga
−𝟏 𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑬
𝑰𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 +
𝑅𝐶 𝑅𝐶
−1 12 − 2
𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + = −1.96𝑥10−3 𝑉𝐶𝐸 + 19.61𝑥10−3
510 510

Figura 23. Recta de carga del circuito 5.b7. Punto estático de

operación se encuentra en zona activa.
 𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶 12−6.4
 5.b8) 𝐼𝐶𝑄 = = = 10.98 ± 0.4 𝑚𝐴
𝑅𝐶 510
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 6.4 − 1.8 = 4.6 ± 0.4 𝑉
 Recta de carga
−𝟏 𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑬
𝑰𝑪 = 𝑽𝑪𝑬 +
𝑅𝐶 𝑅𝐶
−1 12 − 1.8
𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + = −1.96𝑥10−3 𝑉𝐶𝐸 + 20𝑥10−3
510 510

Figura 24. Recta de carga del circuito 5.b8. Punto estático de

operación se encuentra en zona activa.
 ANÁLISIS DE RESULTADOS
 Circuito 1 y 2
En la figura 7, tenemos la recta de carga, junto con su punto estático de operación
obtenidas experimentalmente. Si realizamos una comparación con las calculadas
teóricamente son completamente análogas, por encontrarse en zona de corte, tanto
para el circuito 1, como para el 2.
Esto ocurre, por no tener conectado su base a 𝑉𝐶𝐶 o una realimentación con el
colector, por esta razón su 𝐼𝐵 = 0 𝐴, por tanto no se encuentra polarizado el transistor.

 Circuito 3
En este circuito por tener emisor a tierra, siendo este una polarización fija,
observamos la figura 8, obtenida por las mediciones del laboratorio, en su punto
estático de operación es muy cercano a la zona de saturación, puesto que el
fabricante nos indica que este se encuentra en saturación con un valor de 𝑉𝐶𝐸 < 0.3 𝑉,
como se muestra a continuación:

Debido a esto, puede que tengamos una señal de salida distorsionada por muy
pequeña que sea.
Lo más ideal es que nuestro punto estático de operación se halle más cercano al
punto medio de la recta de carga como se muestra en la figura 3.1, si comparamos el
error que hay entre la experimental y la teórica, hallaremos que no es eficiente esta
configuración para amplificar una señal pequeña.
|5.92 − 1.3 |
𝐸𝐴𝑉𝐶𝐸 = ∗ 100% = 78.04%
5.92
Obteniéndose un error del 78.04%, lo cual se halla ineficiente.
Sin embargo, se nota que el experimental admite mayor corriente que lo teórico.
 Circuito 4 apartado a

Realizando una breve comparación con la figura 4.3 y 9, la figura 4.3 tendría distorsión
en su señal de salida por estar cerca de la zona de saturación, ahora bien, la
experimental, está más cercana al punto medio logrando así tener una señal de salida
amplificada.
Estudiaremos el error de la experimental a lo ideal para estimar su eficiencia.
|7.6 − 5.8|
𝐸𝐴𝑉𝐶𝐸 = ∗ 100% = 20.54%
7.6
Tiene menos error que la teórica, debido a esto la configuración puede ser eficiente a
bajas señales.
  Circuito 5 apartado a
El punto estático de operación en la figura 5.2 y 16, se aproximan al punto medio de
operación ideal. Realizando el cálculo de su error, para obtener su incertidumbre.
Podremos indicar si esta configuración es más eficiente que las anteriores por
mantenerse cerca de la zona activa ideal.

|6.76 − 5.53|
𝐸𝐴𝑉𝐶𝐸 = ∗ 100% = 18.20%
6.76
Obteniéndose de esta manera una menor incertidumbre que con las anteriores,
indicándose esta como la configuración universal, colocándose su punto estático de
operación en la zona activa más cercano a lo ideal.

 Circuito 4 apartado b
o b.1) La figura 10 nos proporciona un punto estático de operación en la
zona de saturación, dando a entender que en la configuración que tiene
colocándose una resistencia muy grande en su base, esta entra en
saturación, permitiendo el paso de su corriente total, debido a esto se
comporta como un interruptor cerrado.

o b.2) La figura 11, se mantienen análoga a la figura 10.

o b.3) La figura 12, se realizó una mala medición o un problema con las
herramientas de medición, teniendo un punto estático de operación
negativo donde no se halla sobre la recta de carga.

o b.4) La figura 13, Se varió su resistencia de base, y de colector siendo

esta más baja que de las anteriores configuraciones, logrando de esta
manera estar en la zona activa, sin embargo, podría distorsionar su
señal de salida por aun mantenerse cercano a la zona de saturación.

o b.5) La figura 14, Menos eficaz, puesto que deja pasar casi la totalidad
de su corriente así sea con señales pequeñas, en consecuencia
tendremos distorsiones en su salida, no obstante se puede mantener
sin distorsión con una señal muy pequeña, por mantenerse en su zona
activa y tener una tensión en 𝑉𝐶𝐸 > 0.3𝑉. También, se le realizo un
cambio de resistencia en este caso 𝑅𝐸 menor a las colocadas en las
diferentes configuraciones, las otras se mantuvieron fijas desde la figura
13.

o b.6) La figura 15, se mantiene análoga a la figura 14, variando su 𝑅𝐸

siendo esta menor las anteriores, permitiendo que haya menor caída de
tensión en 𝑉𝐸 , pero a pesar de esto, se sigue manteniendo cerca de la
zona de saturación.
 Circuito 5 apartado b

o b.1) La figura 17, el punto estático de operación se encuentra en zona

activa, muy eficaz por ser un circuito universal, y debido a sus
resistencias donde 𝑅! 𝑦 𝑅2 permiten el paso de la corriente de base, en
este caso es muy grande la diferencia haciendo esto una corriente de
base muy pero muy pequeña, sin embargo, una señal de entrada no se
distorsionara en su salida.
o b.2) La figura 18, así como la figura 17, se halla en zona activa, solo que
posee mayor capacidad de corriente de colector que la anterior,
permitiendo una carga mayor en su salida.

o b.3) La figura 19, se mantiene en zona activa, sin distorsionar la salida

pero con mayor capacidad de corriente por su variación en las 𝑅1 𝑦 𝑅2 ,
permitiendo 𝐼𝐵 ser mayor que en las anteriores configuraciones.

o La figura 20, 21, 22, 23 y 24, son muy análogas entre sí, diferenciándose
por la amplitud de señal de entrada a la cual pueden ser excitados en la
base.
 CONCLUSIONES

Tras el análisis realizado, podemos deducir que la configuración más efectiva para
amplificar la señal de entrada, es el circuito denominado “Universal” (Circuito 5). Esto
debido a la realimentación que existe entre las resistencias y el transistor.
Se puede deducir que mientras 𝑅1 𝑦 𝑅2 generen una impedancia equivalente para que
se obtenga un voltaje aproximadamente medio a la fuente de alimentación, se logra
no hacer más pequeña la corriente de base de lo que podría ser.
Otro dato importante que acotar, el circuito universal no es el único a usar, como
pudimos representar en las tablas de datos y las curvas características de los
transistores, cada una de las configuraciones pueden ser utilizadas para una
aplicación en específico, exceptuando el circuito 1 y 2.
Por otra parte, en el circuito 4 cuando se realizó la comparación y análisis de sus
puntos estáticos de operación, se pudo inferir que las resistencias más importante en
variar son 𝑅𝐸 𝑦 𝑅𝐶 , dado que la recta de carga es definida por ambas, donde una es
implícita y la otra explicita, en el cual si observamos la 𝑒𝑐. 8, al tener un 𝑅𝐶 bajo, se
genera una corriente de colector máxima alta, al igual que con 𝑅𝐸 al ser una
resistencia muy pequeña hay menos caída de tensión, modificando la variable de
estado mencionada anteriormente.
Tal como hemos podido comprobar, en la tabla 1, experimentalmente se halló beta
indicándonos que este parámetro hibrido depende de varios factores en el circuito,
puesto que varía en relación a su configuración, en consecuencia, podemos tener
mayor o menor ganancia.
Finalmente podemos concluir , con que los puntos estáticos de operación, dependen
de 𝑅𝐶 𝑦 𝑅𝐸 , para mantenerlos en una zona activa, a causa de lo dicho anteriormente
la configuración más estable es la configuración universal del BJT polarizado.
 BIBLIOGRAFÍA

 Millman J. & Grabel A., Microelectronics, Mc.Graw Hill.

 Sedra & Smith, Circuitos Microelectrónicas, Oxford.
 Horenstein & Mark, Microelectrónica Circuitos y Dispositivos, Prentice Hall
 Alldatasheet.com (s.f), https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/view/602873/CDIL/2N3904.html
 ANEXOS

HOJA DE DATOS FIRMADA

DATASHEET 2N3904