TALLER SOBRE MOSFET

FELIPE MEDINA
GEOVANY ACOSTA
JUAN ZAMBRANO
DOCENTE: YAMIR HERNANDO BOLAÑOS MUÑOZ

UNIVERSIDAD AUTONOMA DEL CAUCA

INGENIERIA ELECTRONICA
CIRCUITOS DE POTENCIA
ABRIL 2020
PARTE 1:
1- Dibuje los canales n y p del MOSFET:

2- Principal diferencia entre un transistor MOSFET y un BJT:

 La principal diferencia entre los transistores BJT y los MOSFET

consiste en que este último es controlado por tensión aplicada en la
puerta (G), y requieren solo una pequeña corriente de entrada,
mientras que los BJT son controlados por corriente aplicada a la
base.

3- Ventajas del MOSFET frente al BJT

 La velocidad de conmutación para los MOSFET esta en el orden de

los nanosegundos, por esto los MOSFET son muy usados en
convertidores de pequeña potencia y alta frecuencia y unas de sus
ventajas son:

1- Los MOSFET no tiene el problema de segunda ruptura.

2- Mayor ancho de banda.
3- Alta impedancia de entrada.
4- Parámetros propios y externos que permiten definir la potencia que disipa un
MOSFET:

1- ID: Corriente máxima de drenador que puede soportar el MOSFET.

2- RDS(ON): Define potencia en modo conducción.
3- Vds: Voltaje que soporta en modo bloqueo
4- Vdsmax: Voltaje drenador y surtidor
5- Vgth: Voltaje umbral para disparo del MOSFET
5- Ventaja de usar un MOSFET para protección de polarización inversa, frente a
esquemas de protección con diodos:
 La potencia que disipa el MOSFET es más baja.

PARTE 2:
1- Se tiene el siguiente circuito: - Señal PWM=200Hz
-Ciclo útil de la señal: 60%

 Tensión eficaz en la carga según el ciclo útil de la señal:

48
 1 1
𝑇= = = 5𝑚𝑠
𝑓 200𝐻𝑧

𝑇(60%) = 5𝑚𝑠 ∗ 0.6 = 3𝑚𝑠

1 𝑇
𝑉𝑟𝑚𝑠 = √ ∫ 𝑉(𝑡)2 𝑑𝑡
𝑇 0

1 3
𝑉𝑟𝑚𝑠 = √ ∫ (48𝑣)2 𝑑𝑡
5 0
1
𝑉𝑟𝑚𝑠 = √5 (2304𝑡)evaluado de 0 a 3.

1
𝑉𝑟𝑚𝑠 = √ (6912)
5
𝑉𝑟𝑚𝑠 = √1382,4
𝑉𝑟𝑚𝑠 = 37,18𝑣

𝑉𝑟𝑚𝑠 37,18𝑣
𝐼𝑟𝑚𝑠 = =
𝑅 50Ω
𝐼𝑟𝑚𝑠 = 743,6𝑚𝐴 en la carga
 Potencia disipada por el MOSFET si la RDS(ON)= 0,028Ω
𝑉 48
𝐼𝐷 = = = 960𝑚𝐴
𝑅 50Ω
𝑃(𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇) = 𝑅𝐷𝑆(𝑂𝑁) ∗ 𝐼𝐷 = 0,028Ω ∗ 960𝑚𝐴
𝑃(𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇) = 26,88𝑚𝑊
Rectificando que el cálculo de ID sea correcto:
−𝑉𝑖 + 𝑉𝑟 + 𝑉𝑚𝑜𝑠𝑓𝑒𝑡 = 0
𝑉𝑖 = 𝑉𝑟 + 𝑉𝑚𝑜𝑠𝑓𝑒𝑡
48𝑣 = 𝑅 ∗ 𝐼𝐷 + 𝑅𝐷𝑆(𝑂𝑁) ∗ 𝐼𝐷
48𝑣 = 𝐼𝐷(𝑅 + 𝑅𝐷𝑆(𝑂𝑁))
48𝑣
𝐼𝐷 =
𝑅 + 𝑅𝐷𝑆(𝑂𝑁)
48𝑣
𝐼𝐷 = = 959,46𝑚𝐴
50Ω + 0,028Ω
 𝑃(𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇) = 𝑅𝐷𝑆(𝑂𝑁) ∗ 𝐼𝐷 = 0,028Ω ∗ 959,46𝑚𝐴
𝑃(𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇) = 26,86𝑚𝑊

 Potencia disipada en la carga:

𝑃 = 𝑉 ∗ 𝐼 = 48𝑣 ∗ 960𝑚𝐴
𝑃 = 46,08𝑊

 Irms en la carga:

𝑉𝑟𝑚𝑠 37,18
𝐼𝑟𝑚𝑠 = = = 743,6𝑚𝐴
𝑅 50

2- Se requiere diseñar un dispositivo electrónico para monitoreo de

temperatura y posición (satelital –GPS), este debe contar con un módulo de
comunicación IoT que permita comunicar las dos variables (temperatura y
posición) cuatro veces al día a una plataforma web, como condiciones de
aplicación por parte del cliente se tiene que:
Según la información anterior y teniendo en cuenta las condiciones del proyecto a
realizar:
2.1 Diagrama (grafico) que permita estimar el consumo de corriente máximo por
día:
 CONSUMO

t0= Reposo; t1= Operando.

2.2 Acorde con el grafico del punto anterior, calcule consumo por día y también al
cabo de 6 meses que es el tiempo mínimo requerido para la duración de la
batería.

Consumo 6hrs:

1 𝑇
𝐼𝑚 = ∫ 𝐼 (𝑡)𝑑𝑡
𝑇 0
21956𝑠𝑒𝑔 21600𝑠𝑒𝑔
1
𝐼𝑚 = ∫ 57,06𝑚𝐴 𝑑𝑡 + ∫ 230,06𝑚𝐴 𝑑𝑡
21600 0 21596𝑠𝑒𝑔
1
𝐼𝑚 = [57,06𝑚𝐴 (𝑡)]𝑒𝑣𝑎𝑙 0 𝑎 21956
21600
+ [230,06𝑚𝐴 (𝑡)]𝑒𝑣𝑎𝑙𝑢 21956 𝑎 21600
1
𝐼𝑚 = [1,23 ∗ 103 + 0,920]
21600
1
𝐼𝑚 = [1230,92]
21600
𝐼𝑚 = 56,98𝑚𝐴

Consumo por día:

𝐼𝑚 = 56,98𝑚𝐴 ∗ 4
𝐼𝑚 = 227,92𝑚𝐴
 Consumo por 6 meses: Cabe resaltar que en los 6 meses hay 3 de 30 días, y
otros 3 de 31 días, por lo que los días se tomaron con un valor de 183

𝐼𝑚 = 227,92𝑚𝐴 ∗ 183
𝐼𝑚 = 41,70𝐴

2.3 Si se tiene una batería de 1600mA, ¿Cuánto tiempo puede funcionar el

dispositivo? Si se tienen las condiciones anteriores

CONSUMO DIAS

227,92mA 1

1600mA x
1600𝑚𝐴 ∗ 1
𝑥=
227,92𝑚𝐴
𝑥 = 7,02 𝑑í𝑎𝑠.
Rectificando que el cálculo sea correcto:
𝑥 = 1𝑑𝑖𝑎 ∗ 7,02𝑑𝑖𝑎𝑠
𝑥 = 227,92𝑚𝐴 ∗ 7,02 𝑑𝑖𝑎𝑠
𝑥 = 1599.99𝑚𝐴 = 1600𝑚𝐴

2.4 Según el esquema general de la figura 1, analice como mediante lo aprendido

en la asignatura en el uso de MOSFET u otros dispositivos si así lo considera,
adicionando elementos que permitan disminuir el consumo de corriente y
aumentar la vida útil de la batería de 1600mA, proponga un esquema nuevo
indicando que elementos, en que etapas se insertarían para optimizar el
consumo y posibles configuraciones, tenga en cuenta que el microcontrolador
está operando a niveles de 3.6V máximo

t0 t1
PIC16LF19156 50nA 5mA
LM35 0 60uA
WSSFM10R4AT 0 200mA
QUELECTEL L80-R 0 25mA
SiSS26DN 0 100nA

Tamaño MOSFET seleccionado:

Consumo 6hrs:
 1 𝑇
𝐼𝑚 = ∫ 𝐼 (𝑡)𝑑𝑡
𝑇 0
21956𝑠𝑒𝑔 21600𝑠𝑒𝑔
1
𝐼𝑚 = ∫ 50𝑛𝐴 𝑑𝑡 + ∫ 230,06𝑚𝐴 𝑑𝑡
21600 0 21596𝑠𝑒𝑔
1
𝐼𝑚 = [50𝑛𝐴 (𝑡)]𝑒𝑣𝑎𝑙 0 𝑎 21956 + [230,06𝑚𝐴 (𝑡)]𝑒𝑣𝑎𝑙𝑢 21956 𝑎 21600
21600
1
𝐼𝑚 = [1,07 ∗ 10−3 + 0,92]
21600
1
𝐼𝑚 = [0,92]
21600
𝐼𝑚 = 42,59µ𝐴

Consumo por día:

𝐼𝑚 = 42,59µ𝐴 ∗ 4
𝐼𝑚 = 170,36µ𝐴

2.5

CONSUMO DIAS

170,36µA 1

1600mA x
1600𝑚𝐴 ∗ 1
𝑥=
170,36µ𝐴
𝑥 = 9,39 ∗ 103 𝑑í𝑎𝑠.
Rectificando que el cálculo sea correcto:
𝑥 = 1𝑑𝑖𝑎 ∗ 9,39 ∗ 103 𝑑𝑖𝑎𝑠
𝑥 = 170,36µ𝐴 ∗ 9,39 ∗ 103 𝑑𝑖𝑎𝑠
𝑥 = 1599.68𝑚𝐴 = 1600𝑚𝐴
 2.6 Implementando dos diodos en la entrada positiva y negativa, entre la
batería y el sistema, configurándola de manera de que solo permita el flujo de
voltaje en los sentidos de polarización del circuito lo cual impide corrientes
inversas en el sistema.

2.7 Referencias comerciales:

 CSD19537Q3 MOSFET
 SiSS26DN MOSFET

CONCLUSIONES
 En la práctica se aplican los conocimientos de la materia, diseñando
circuitos en base a los parámetros que requiere el cliente.
 Se implementa el funcionamiento del MOSFET como swich para un circuito
con salida logia, para que el consumo del circuito sea mucho menor y
prolongue la vida útil de la batería.
 Se dedujo que se puede aprovechar mejor el consumo de corriente en una
batería con respecto al tiempo.
 Implementamos dispositivos de protección para la seguridad de los
componentes del circuito