UNIVERSIDAD POPULAR AUTÓNOMA

DEL ESTADO DE PUEBLA

CAMPUS PUEBLA | MODALIDAD

ESCOLARIZADA

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍAS.

ASIGNATURA: Amplificadores Electronicos.

CLAVE: IET201 GRUPO: 2

“Práctica 3.- Polarización divisor de voltaje”

INTEGRANTES DEL EQUIPO

NOMBRE MATRÍCULA CARRERA
José Carlos Lozano 17030221 Ing. Aeroespacial
Lizardi

Juan Pablo Escajeda 5802588 Ing. Mecatrónica

Garcia

Mariela Raviela Molina 26330010 Ing. Electrónica

PROFESOR: Edson Olmedo Urrutia

PERIODO ACADÉMICO:Primavera 2023

 Introducción.

En la siguiente práctica se integrarán todos los conceptos aprendidos sobre los

transistores BJT en el transcurso del curso, para tener la capacidad de identificar
la polarización por divisor de voltaje apoyándonos de un diagrama
proporcionado en clase, analizar las corrientes que en este caso solo serán
corriente del colector y corriente de la base, y el voltaje Colector-Emisor, e
igualmente calcular la ganancia que presenta un circuito en físico, así al final
poder concluir en que región de operación está con el valor que nos resulte de
tensión entre la base y el colector. De igual manera se medirán los parámetros
mediante un simulador, un circuito físico y por su forma matemática para
después comparar las diferencias que existen entre ellos y concluir si es que
nuestra metodología es la indicada para analizar ese tipo de polarización.

Descripción General.
En esta tercera práctica, desarrollaremos una simulación de software y física
para analizar un circuito de polarización por divisor de voltaje de un transistor
BJT 2n2222, analizando sus tres canales, nosotros obtendremos las corrientes de
las resistencias en cada sección del circuito, lo cual nos permitirá un cálculo
experimental de la ganancia. También se realizará los cálculos mediantes las
fórmulas por el método exacto y el de aproximación para ver si estos se acercan
a los valores obtenidos con anterioridad.

Resumen Teórico.
Un circuito de polarización por divisor de voltaje para un transistor BJT es el
siguiente:

A partir del cual se necesitan obtener los valores de 𝞫, Ib, Ic, Vce.
El valor de la Beta, es un valor de identificación para cada tipo de transistor,
está directamente relacionado con Ib, Ic ya que es el cociente entre estos dos
valores. Este valor lo tendremos en la hoja de especificaciones de nuestro
transistor teniendo los siguientes valores que van dependiendo de la corriente
del colector y del voltaje colector-emisor:

Tabla 1. Valores de ganancia del transistor 2n2222

La corriente límite (Ic) que se le puede suministrar al transistor según el
datasheet es de 800 mA.
Vce, es el voltaje corriente emisor, este voltaje es arrojado por el voltaje de la
fuente menos el producto de Ic por Rc.
En este circuito Vb ya está dado por el voltaje de la base el cual se presenta
como una constante de 0.7 Volts.
Los valores de voltaje y corriente pueden variar unas décimas en los resultados
obtenidos, a continuación Datasheet de nuestro trasnsistor.

Descripción y Desarrollo de la Práctica.

Para comenzar con la práctica se tuvo que construir el circuito correspondiente
con el transistor, sus resistencias y la fuente de voltaje continuo del laboratorio
de electrónica de nuestra institución.

Una vez verificado que los componentes estuvieran correctamente conectados

se medirá la corriente tanto de la base como del colector de nuestro circuito,
para esto se ocupará un multímetro. Es necesario que para poder medir la
corriente este debe estar en circuito abierto y conectar las puntas cerrando el
circuito, dándonos como resultado lo siguiente:
 Corriente de base. Corriente del colector.

Una vez teniendo estos valores se calculara el valor verdadero de 𝛽 que tendra
nuestro circuito a una fuente de voltaje de 12 V con las resistencias en la base y
emisor, cuyos valores son de 140kΩ y 2.2kΩ respectivamente.

𝐼𝐶 1.028𝑚𝐴
β = 𝐼𝐵
= 38.97 µ𝐴
≈ 26
Después de conseguir este valor se tendrá que buscar los valores de Voltajes que
se requieren y se piden en la práctica para poder así luego compararlos con los
cálculos matemáticos que se realizarán y la simulación en el software de
Proteus.

Voltaje base-emisor. Voltaje colector-emisor.

Voltaje base-colector.
 Disposición de circuito.

Una vez terminadas las mediciones en el circuito físico y utilizando el valor de

la ganancia que se obtuvo previamente se hará el mismo circuito en un software
destinado a la simulación de circuitos electrónicos poniendo los valores exactos
de cada componente y así poder después comparar los resultados obtenidos.
Para finalizar se tendrán que recurrir a hacer los cálculos matemáticos sobre el
análisis de este circuito para corroborar si todo está dentro de los rangos de
valores que se deben de estar obteniendo por las características del transistor y
el valor de los componentes que lo conforman, teniendo como que resolver un
analisis de mallas.

Exacta:

𝑅1𝑅2 82000(22000)
𝑅𝑇𝐻 = 𝑅1||𝑅2 = 𝑅1+𝑅2
= 82000+22000
= 17346. 15
 𝑅2𝑉𝐶𝐶 22000(12)
𝐸𝑇𝐻 = 𝑅2+𝑅1
= 82000+22000
= 2. 53𝑉
𝐸𝑇𝐻−𝑉𝐵𝐸 2.53−0.7
𝐼𝐵 = 𝑅𝑇𝐻+(β+1)𝑅𝐸
= 17346.15+(23+1)1200
= 36. 78µ𝐴

𝐼𝐶 = β𝐼𝐵 = 26(36. 78µ𝐴) = 0. 956𝑚𝐴

( )
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 = 12 − 0. 956𝑚𝐴(5600 + 1200) = 5. 49𝑉

Aproximada:

β𝑅𝐸 ≥ 10𝑅2 → 26(1200) ≤ 10(22000)

𝑅2𝑉𝐶𝐶 22000(12)
𝑉𝐵 = 𝑅2+𝑅1
= 82000+22000
= 2. 53𝑉

𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 2. 53 − 0. 7 = 1. 83
𝑉𝐸 1.83
𝐼𝐸 = 𝑅𝐸
= 1200
= 1. 53𝑚𝐴
𝐼𝐸 1.53𝑚𝐴
𝐼𝐵 = β+1
= 26+1
= 56. 74µ𝐴, 𝐼𝐶 = β𝐼𝐵 = 26(56. 74µ𝐴) = 1. 47𝑚𝐴
( )
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 = 12 − 1. 47𝑚𝐴(5600 + 1200) = 1. 96𝑉

Análisis de resultados.
Una vez realizados el análisis del circuito mediante 3 métodos diferentes de
medición como es en físico, simulación y por planteamiento matemático, se
obtienen los resultados que se muestran en la tabla siguiente:

Circuito Simulación Exacta Aproximada

Ib 38.97 𝜇A 35.5 𝜇A 36.78 𝜇A 56.74 𝜇A
Ic 1.028 mA 0.92 mA .956 mA 1.47mA
Vce 5.382 V 5.68 V 5.49 V 1.96

Se puede observar que los resultados que se obtuvieron son muy parecidos unos
con otros hablando de las 3 primeras columnas de la tabla, donde la corriente
que pasa por la base solo varía por menos de 2 microampere que es un cambio
insignificante, por otro lado la corriente del colector varía en 0.1 mA que de
igual manera se podría considerar despreciable.
Es curioso que los datos de la simulación como de los cálculos matemáticos,
dependiendo del método de solución que se utilizó es donde el resultado puede
estar cerca de los demás o irse demasiado alejado a este. Al saber cual es el
voltaje de la base-colector y como el resultado de este nos dio negativo se sabe
que la polarización está en la zona activa.

Conclusión.
Al finalizar la práctica, se logró ver los resultados de lo aprendido en las partes
teóricas de la clase para poder realizar este análisis de una polarización
estabilizada en emisor para un transistor BJT. Los resultados no fueron los
esperados, pero solo en una sola solución que es el método aproximado por
fórmula, ya que en los demás hay muchos de los parámetros que coincidieron o
se acercaron demasiado a los que calculamos mediante el método exacto y a lo
obtenido durante la simulación, sin habiendo una diferencia grande entre la
simulación, el circuito físico y el método exacto. Se aprendió 2 cosas
principales en esta práctica, la primera que es importante saber cómo funciona
la polarización por divisor de voltaje para hacer que este funcione en la zona
activa ya que nos ayudará a la amplificación. La segunda es que se comprueba
que para que el método por aproximación sea útil y de los resultados
aproximados al circuito real es necesario que se cumpla la primera condición
donde la ganancia por RE nos de mayor o igual que 10R2, de lo contrario nos
alejamos de los valores reales.
Por otra parte el uso de la hoja de especificaciones nos ayuda a saber cómo es
que se debe de estar manejando el transistor y nos da valores aproximados a los
que debemos tener en la ganancia, este sirve de guía ya que no tenemos ni la
misma corriente (Ic) o el voltaje de colector-emisor que nos marcan.
Bibliografía.
Octopart (2020, November 8). Central Semiconductor 2N2222 Datasheet. Retrieved January
30, 2023, from
https://octopart.com/datasheet/2n2222-central+semiconductor-834998?utm_source=bing&ut
m_medium=cpc&utm_campaign=b_cpc_intl_search_dsa_english_en_usd_datasheets&utm_t
erm=datasheet&utm_content=Intl%20Datasheet%20DSA

Roble (2023, January 30). CIRCUITOS DE POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR EN

EMISOR COMÚN. Retrieved January 30, 2023, from
http://roble.pntic.mec.es/jlop0164/archivos/polarizacion-transistor.pdf