UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS”

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

INGENIERÍA ELÉCTRICA

EXPERIENCIA N° 6
POLARIZACION Y ESTABILIZACION DEL TRANSISTOR
BIPOLAR

CURSO: CIRCUITOS ELECTRONICOS I

PROFESORA: ING. LITA SOTO

ALUMNO: CARDENAS RÍOS, ALEX STEVEN- 20190255

QUIQUE VAZQUE, JESUS- 20190284

TENORIO CORONEL, DAVID- 20190294

JOHNNY ANGELINO, GUTIÉRREZ- 20190123

LIMA-PERU
AÑO 2021
 LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I EXPERIENCIA N° 6

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

EXPERIENCIA N° 6
POLARIZACION Y ESTABILIZACION DEL TRANSISTOR BIPOLAR

I. OBJETIVOS

∙ Estudiar las diferentes polarizaciones del transistor bipolar para su

operación en alterna.
∙ Determinar las condiciones de funcionamiento del transistor en sus
configuraciones, así como las limitaciones existentes, tanto para
continua como para alterna.

II. EQUIPOS Y MATERIALES

∙ Osciloscopio
∙ Multímetro digital
∙ Generador de señales
∙ Fuente de poder DC
∙ Miliamperímetro DC
∙ Microamperímetro DC
∙ Resistores de R1 = 47KΩ/56 KΩ, R2 = 22KΩ/3.3 KΩ, Rc =
1.2KΩ/3.3KΩ, RL = 10KΩ/1 KΩ, Re = 1 KΩ
∙ Condensadores de Ci = 10uF, Co = 22uF, Ce = 100uF
∙ Transistores BC548 (NPN) o BC558 (PNP)
∙ 01 protoboard
∙ Cables de conexión diversos
∙ 01 Computadora con Multisim

III. INFORME PREVIO

1. Determinar los valores teóricos de funcionamiento del circuito mostrado en la

figura 6.1. Llenar la tabla 6.3
2. Realizar el análisis de funcionamiento en corriente alterna del circuito anterior
en corriente alterna. Llenar la tabla 6.4
3. Determinar los valores teóricos de funcionamiento del circuito mostrado en la
figura 6.2. Llenar la tabla 6.5
4. Realizar el análisis de funcionamiento en corriente alterna del circuito anterior
 en corriente alterna. Llenar la tabla 6.6

IV. PROCEDIMIENTO

1. Simular el circuito mostrado en la figura 6.1. Llene los campos

correspondientes de las tablas 6.1 y 6.2

2. Implementar el circuito de la figura 6.1. Medir las tensiones y corrientes en los

terminales del transistor para determinar el punto de operación Q. Completar la
Tabla 6.1.
Tabla 6.1
Punto Q Valor teórico Valor simulado Valor medido

Ic(mA) 2.68 2.45 2.28

Ib(uA) 21.4 20.1 18.8

Vce(v) 6.10 6.9 8.77

3. En el circuito mostrado en la figura 6.1 aplique una señal sinusoidal de 50 mV

con una frecuencia de 1 KHz. Mida V o para determinar la ganancia A v = Vo/Vi.
Llenar la Tabla 6.2.
Tabla 6.2
 Vi(mVpp) Vo(vpp Av Vi Vo(vpp) Av Vo Av
) Sin Sin Sin Ce Sin Ce
distorsión distorsión

50 Teórico 6.7 12.8 0.07 6.3 84.3 0.08 1.2

Simulado 6.4 12.5 0.06 6 81.7 0.08 1.1

Medido 5.7 11.1 0.05 5.4 77.8 0.07 1

Con Teórico 2.6 44 0.07 6.1 78.5 0.05 0.7

RL=1K
Ω Simulado 2.7 46.3 0.07 6.2 79.3 0.06 0.7

Medido 2.6 40.4 0.08 6 70.1 0.04 0.6

4. Aumentar el valor de Vi hasta obtener el máximo valor de Vo sin distorsion

(tampoco debe variar la corriente de base Ib). Continuar llenando la tabla 6.2. 5.
Retirar el condensador Ce y medir Vo así como también Av. Llenar la tabla 6.2. 6.
Repetir los pasos 3, 4 y 5 al cambiar RL a 1KΩ.Llenar la siguiente fila horizontal
en la tabla 6.2.
7. Realizar la simulación del circuito mostrado en la figura 6.2. Luego Implementar
el circuito, variando la entrada a través del condensador de emisor C e y
colocando Ci a tierra. Colocar la resistencia adicional de 1KΩ en serie al
generador pues en base común el transistor tiene una impedancia muy baja
que afecta mucho al generador. El punto Q permanece constante. Llenar la
tabla 6.3.
Tabla 6.3
Valores Vce(V) Ve(V) Vb(V) VRc(V) Ib(uA) Ic(mA)

Teóricos 3.92mV 16.941m 1.951uV 17.437m 0.264 0.026

V V

Simulados 3.92mV 16.941m 1.951uV 17.437m 0.264 0.028

V V

Medidos 3.92mV 16.95mV 1.96uV 17.5mV 0.262 0.027

10. Repetir los pasos 3, 4 y 5 pero retirando en el último paso el condensador

Ci. Llenar la tabla 6.4.
 Tabla 6.4
Vi(mVpp) Vo(vpp) Av Vi Vo(vpp) Av Vo Av
Sin Sin Sin Ce Sin Ce
distorsión distorsión

50 Teórico 48.2 0.96 532 mV 2.56uV 5.021pF 15.77mV 0.029

Simulado 48.2 0.96 532 mV 2.671uV 5.021pF 15.75mV 0.029

Medido 48.3 0.96 531 mV 2.56 uV 5.028pF 15.76mV 0.029

Con Teórico 24.7 0.49 530 mV 1.94 uV 3.037pF 8.029mV 0.016

RL=1KΩ
Simulado 24.7 0.49 530 mV 1.61 uV 3.037pF 8.025mV 0.014

Medido 24.8 0.49 530 mV 1.77 uV 3.959pF 8.027mV 0.015

V. CUESTIONARIO

1. ¿Qué sucede con el punto Q cuando se varían R1 y R2; ¿Varía la recta de

carga? Explicar.

Al variar los valores de R1 y R2, el punto de operación Q, es decir el valor de la

corriente de base (Ib), colector (Ic) y el voltaje entre el colector y emisor (Vce)

cambia debido a que la tensión de entrada del circuito thevenin equivalente cambia,

como lo indica la figura:

 Además se puede expresar la corriente de colector en función del voltaje

thevenin, como la siguiente forma:

Por lo tanto, al cambiar R1 y R2, el punto de operación Q cambia.

La recta de carga depende de Rc,Re y Vcc como se muestra en la siguiente

figura; no depende de R1 y R2, por lo que no cambia.

2. ¿Qué ocurre con el punto Q y la recta de carga cuando varían R c y RL?

Explicar.

Como se observó en la fórmula anterior, el punto de operación Q si

depende ed Rc y RL, por lo que cuando varia Rc y RL, el punto de

operación Q si cambiara
 La recta de carga depende de Rc,Re y Vcc por lo que al variar alguno de estos
parámetros, la recta de carga variará

3. Explicar lo sucedido en la Tabla 2 cuando se varía RL y cuando se

desconecta Ce.

El circuito de la figura 6.1 esta en modo Emisor Común, por lo que lo

representamos con los parámetros híbridos, que da la siguiente forma:

Ganancia de tensión (Av)

Como se observa en la ganancia, si aumentamos el valor de RL, aumentara el

valor de la ganancia de tensión (Av) como se muestra en la tabla6.2

Cuando se quita el condensador Ce, Ganancia de tensión (Av) queda

expresado de la siguiente forma:

4. ¿Cuáles son las diferencias de funcionamiento entre los circuitos de las figuras
6.1 y 6.2?

La fuente de corriente desplaza de emisor común a base común como se

muestra en la siguiente figura:

Esto provoca que el transistor tenga muy baja impedancia, por lo que es

necesario conectar una resistencia eléctrica de entrada, como indica el

procedimiento esta resistencia hace disminuir la corriente y por consiguiente la

ganancia de tensión. Por lo que el 1er circuito es mucho más eficiente en el

proceso de amplificación de tensión.

VII. BIBLIOGRAFÍA

https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar

https://cifpn1.com/electronica/?p=2783

https://uelectronics.com/transistores-bjt/

https://programarfacil.com/blog/arduino-blog/transistor-bipolar-bjt-npn/