CÓDIGO: SGC.DI.

505
GUIA PARA LAS PRÁCTICAS DE VERSIÓN: 2.0
FECHA ULTIMA REVISIÓN:
LABORATORIO, TALLER O CAMPO. 09/02/2022

TECNOLOGÍA SUPERIOR EN
DEPARTAMENTO: ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA CARRERA:
ELECTROMECÁNICA
PERIODO OCTUBRE 2021 –
ASIGNATURA: ELECTRONICA BÁSICA FEBRERO 2022 NIVEL: II
LECTIVO:
DOCENTE: ING. LUCÍA GUERRERO NRC: 9045 PRÁCTICA N°: 9
Software Proteus- Protoboard.
LABORATORIO DONDE SE DESARROLLARÁ LA PRÁCTICA
TEMA DE LA
POLARIZACIÓN DEL JFET
PRÁCTICA:
INTRODUCCIÓN:
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el
campo eléctrico para controlar la conductividad de un “canal” en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como
resistencias controladas por diferencia de potencial.
La mayoría de los FET, están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea
monocristalina semiconductora como la región activa o canal. La región activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de
película fina) es una película que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicación de los TFT es
como pantallas de cristal líquido o LCD).
Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-
Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base
del BJT (Bipolar Junction Transistor). El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión,
donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.

OBJETIVOS:
 Analizar el funcionamiento de los transistores JFET en distintas polarizaciones

MATERIALES:
REACTIVOS:
INSUMOS:
Proteus

EQUIPOS:
Computadora
MUESTRA:
INSTRUCCIONES:
1. Implemente en proteus y en el protoboard el circuito indicado en la figura. Utilice el transistor 2N3821.
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20v

R1
4k

Q1
2N3821

R2
1M

4V
4V
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2. Mida el VGSQ, IDQ, IS, VDS, VD, VG y VS. Elabore una tabla y anote los valores medidos.

20V

R1
4k

+1.12
(+) V=15.5228

mA

(+)
V=1.55561e-005 Q1
2N3821 +15.5
Volts

Q1(S)
V=0
+0.01
mV

R2
1M
+1.12
mA

VALORES PROTEUS PROTOBOARD

VGSQ 0.01mV 0.01mV
IDQ 1.12mA 1.11mA
IS 1.12mA 1.11mA
VDS 15.5V 15V
VD 15.5V 15V
VG 1.55V 1.54V
VS 0V 0V
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3. Implemente en proteus y en el protoboard el circuito indicado en la figura. Utilice el transistor 2N5198

16V

R3
2K

(+) V=15.8653
+0.06
mA

Q2:A(G) V=-
1.98018

Q2:A
2N5197 +15.9
Q2:A Volts
(S)
V=0

-MAX
mV

R4
1M
+0.06
mA

V1
2V
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5. Mida el VGSQ, IDQ, IS, VDS, VD, VG y VS. Elabore una tabla y anote los valores medidos

VALORES PROTEUS PROTOBOARD

VGSQ 0V 0V
IDQ 0.06mA 0.07mA
IS 0.06mA 0.07mA
VDS 15.9V 15V
VD 15.86V 15V
VG - 1.98V -1.99V
VS 0V 0V

6. Implemente en proteus el circuito indicado en la figura. Utilice el transistor 2N5460.

-22V

R5
2K

(-)
-5.13
mA

V=-11.7485

Q3(G) V=0.988105
Q3
-11.7
2N5460
Volts

Q3(S)
V=0

+988
mV

R6
1M
-5.13
mA

BAT1
1V
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7. Mida el VGSQ, IDQ, IS, VDS, VD, VG y VS. Elabore una tabla y anote los valores medidos.

VALORES PROTEUS
VGSQ 988 mV
IDQ -5.13mA
IS -5.13mA
VDS -11.7V
VD -11.75V
VG 0.98V
VS 0V

8. Implemente el circuito indicado en la en la figura. Use el transistor 2N5460

-22V

R9
1k

R7
1k
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9. Aplique en Vi un voltaje de 0V.

-22V

-19.9
mA
R9 R10(1)
V=-2.12994
1k

Q4(G)
0v V=-9.58138e-007
Q4 -2.13
R7 2N5460 Volts
Q4(S) R10
V=0
1k 10k

R80.00

-19.7
mA
22kVolts

10. Mida el VGSQ, IDQ, IS, VDS, VD, VG y VS. Elabore una tabla y anote los valores medidos.

VALORES PROTEUS
VGSQ 0V
IDQ -19.9mV
IS -19.7mV
VDS -2.13 V
VD -2.13V
VG -9.58V
VS 0V
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11. Aplique en Vi un voltaje de 6V. CAMPO.

-22V

-2.00
mA
R9 R10(1)
V=-19.9998
1k

Q4(G)
6V V=5.73907
-20.0
Q4
R7 2N5460 Volts
Q4(S) R10
V=0
1k 10k

R8 +5.74
0.00
mA

22kVolts

12. Mida el VGSQ, IDQ, IS, VDS, VD, VG y VS. Elabore una tabla y anote los valores medidos.

VALORES PROTEUS
VGSQ 5,74V
IDQ -2 mA
IS 0VmA
VDS -20V
VD -19.99V
VG 5.74V
VS 0V
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13. Aplique con el generador una señal cuadrada de 12Vp-p. Conecte un osciloscopio en el terminal del drenador
(D) del transistor, observe y registre en el documento la forma de onda de salida.
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14. Desconecte la resistencia de 10K y sustituya por un diodo LED.

15. Explique qué sucede con el LED.

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CAMPO.

-22V
-20.5
mA

R9 R9(2)
V=-1.51528
1k

Q4(G)
V=-0.401792
Q4
R7 2N5460 Volts
+ D1 -1.52
1k LED-RED

- R8
-26.0

-0.03

AMFM
mA

mA

22kVolts
-0.40

RESPUESTA:
Se uso un foco led rojo en lugar de un verde ya que el led rojo necesita menos cantidad de corriente para encenderse el foco led
cuando el voltaje de entrada es 0V el led se encuentra apagado al ponerle 6V hay corriente por lo que el led rojo se enciende.

Igual se hiso una conexión con un generador en 12Vpico pico en este caso titila el led por lo que hay instantes donde el
voltaje es cero y instantes donde hay voltaje.
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ACTIVIDADES POR DESARROLLAR:

 Presente los cálculos matemáticos del VGSQ, IDQ, IS, VDS, VD, VG y VS de cada circuito implementado
RESULTADOS OBTENIDOS:
 Manejo del programa proteus
 Analiza el funcionamiento de los transistores JFET canal n y p
CONCLUSIONES:
 El transistor JFET tiene aplicaciones similares al transistor BJT
 Se analizo que no todos los JFET son iguales cada JFET tienen diferentes características dan diferentes valores.
 Analizamos que las resistencias influyen mucho en los valores de la corriente de fuente dando un valor
diferente ala corriente del drenador ya que los JFET tienen resistencia en sí.
 Al implementar un led en el circuito podemos observar que al tener una entrada de ov en la compuerta el
led no prende a diferencia de que si le ponemos mas voltaje como en el circuito que
pusimos 6v y el led rojo requiere menor corriente.
RECOMENDACIONES:
 Verifique que los circuitos implementados estén conectados de manera correcta antes de proceder a la simular
 Debemos implementar correctamente cada elemento según nuestro circuito.
 Al no encontrar en el simulador el JFET que deseamos lo podemos remplazar por uno similar.
 Debemos realizar las mediciones correctamente al igual que podemos utilizar puntas de pruebas
FIRMAS

BALSECA CHRISTIAN GALLO MATEO

F: ……………………………………………. F: ……………………………………………. F: ……………………………………………………

Nombre: Ing. Lucía Guerrero Mgs. Nombre: Ing. Marcelo Silva Nombre: Ing. Silvia Alpúsig
DOCENTE COORDINADOR DE ÁREA DE COORDINADOR/JEFE DE LABORATORIO
CONOCIMIENTO
01/02/2022