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I.
Transistores IGBT y sus aplicaciones electrónicas.

Cristopher Samir Solórzano Avendaño

Edrey Benjamín Nicaragua Roblero

Francisco Javier Castro Tórrez

Steven Alberto Arias González

Departamento de electrónica Industrial

Centro Tecnológico Pedro Aráuz Palacios

Lengua y Literatura

Ana Trejos

13 de junio de 2023
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índice

I. Introducción .............................................................. 3
II. Planteamiento del Problema...................................... 4
A. Descripción del Problema............................................. 4
B. Formulación del Problema ........................................... 4
C. Justificación del Problema.......................................... 5
III. Metodología de Trabajo ............................................. 6
IV. Objetivos ................................................................... 8
V. Cita corta ................................................................... 9
VI. Cita larga ................................................................. 10
VII. .Paráfrasis .............................................................. 11
VIII. .Bosquejo .............................................................. 12
IX. Marco teórico .......................................................... 13
A. Funcionamiento del transistor IGBT ......................... 14
X. Conclusión ............................................................... 19
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I. Introducción

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos

capas de material tipo P y una de material tipo P. El primero se llama transistor npn y

el segundo transistor pnp.

Durante mucho tiempo se buscó la forma de obtener un dispositivo que

tuviera una alta impedancia de entrada y que fuera capaz de manejar altas potencias

a altas velocidades, esto dio lugar a la creación de los transistores bipolar de puerta

aislada (IGBT).

Hablar de los IGBT son mayores palabras puesto que estos transistores son

especiales, son de grandes presentaciones y aplicaciones de gran envergadura sobre

todo en el campo industrial. Es in dispositivo versátil para trabajar en estas dos áreas

de la electrónica por sus grandes manejos de corriente y el pequeñísimo voltaje de

saturación que normalmente maneja un transistor bipolar y al igual que el transistor

de efecto de campo FET, en la puerta o gate tiene las mismas características.

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II. Planteamiento del Problema

A. Descripción del Problema

El objetivo de estudio de esta investigación es indagar el funcionamiento

del transistor IGBT. El tema ha sido elegido por el interés del estudiante de

electrónica industrial y por estar incluido en el programa de la asignatura

electrónica analógica que aborda los transistores de potencias y todo lo que

conlleva sistema de potencias, tensión, corriente eléctrica.

El transistor IGBT es un dispositivo semiconductor que se utiliza como

controlador en un circuito de potencia, su diseño permite un alto rendimiento

y eficiencia energética, además de ofrecer una mayor conmutación y capacidad

de bloqueo de voltaje en comparación de otros dispositivos de potencia.

El estudio de este tema, permite ampliar conocimientos teóricos, los

cuales serán El equipo investigador con el fin de aportar a la solución de este

problema, se plantea la siguiente pregunta:

B. Formulación del Problema

¿Cuál es el funcionamiento, características, ventajas y desventajas del transistor IBGT? de

utilidad para alcanzar con éxito el desempeño profesional del técnico en electrónica
industrial.
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C. Justificación del Problema

El estudio de los transistores IGBT es muy importante para los estudiantes

de electrónica que te permite ampliar los conocimientos teóricos sobre el tema.

El IGBT se utiliza para velocidades de conmutación de hasta 100KH,

también usado en aplicaciones de alta y media energías como fuente

conmutación, control de la tensión y cocina de inducción.

Los resultados de investigación beneficiarán a los estudiantes de

electrónica y comunidad educativa, el cual podrá ser utilizado como

material didáctico o para ampliar este tema.

Los costos de trabajo de investigación son manejables dado que se cuenta

con fuentes secundarias y complementarias y están disponibles, en páginas web,

bibliotecas o laboratorios de electrónica, de igual forma se dispone de recursos

materiales para su ejecución.

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III. Metodología de Trabajo

El marco metodológico de la investigación transistores IGBT y sus aplicaciones, se basa

en el método científico, parte de un problema prioritario, sentido en el campo de la

Electrónica se realiza por ser un tema factible y se procede a plantear un plan de trabajo para

llevar a la práctica a través de fases plenamente planificados en el cronograma (ver anexo) y

un método que a continuación se detalla:

Tipo de estudio

Esta investigación es de tipo descriptiva, porque permite la recolección de

información, describir en el problema, interpretar, analizar y procesar los datos, destacando su

importancia y generando conclusión; brindando al centro un material didáctico que puede ser

consultado.

Procedimiento metodológico

Levantamiento de información: El estudio se realiza a través del análisis de la teoría de

los diferentes autores y datos obtenidos de la realidad que se direcciona en el área de

Electrónica.

Análisis de información: Los datos obtenidos se analiza y se procesa para profundizar y

comprender mejor la problemática.

Integración de la información: Los resultados se organizan de acuerdo a los objetivos

específicos que se señala en la investigación, permitiendo identificar los hallazgos más

relevantes del tema. Recursos

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Financieros: Para el desarrollo de la investigación es auto financiado por cada uno de los miembros

del grupo investigador.

Humano: Para la recopilación de información se contó con el apoyo de docentes y grupo

investigador.

Materiales: Equipos tecnológicos, cuadernos, fuentes bibliográficas; necesarios para

reestructurar

la información de la investigación.
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IV. Objetivos

- Explicar el funcionamiento interno de un IGBT.

-Describir las características del transistor IGBT con respectos a otros transistores de potencias.
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V. Cita corta

El transistor IGBT “es un dispositivo versátil para trabajar en dos áreas en

electrónica por sus grandes manejos de corriente y el pequeño voltaje de saturación,

redujo el consumo de energía. El IGBT se usa en los electrodomésticos, automóviles,

paneles solares”. Desde su inversión, el IGBT ha ahorrado a las empresas de

electrodomésticos una gran cantidad de dinero.

Joyan Boliga.B.2016 sin pág.

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VI. Cita larga

El transistor bipolar de puerta aislada es mayormente conocido por las siglas IGBT.

Es un dispositivo semiconductor que se aplica como Interruptor controlado en circuito de

electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de

puertas de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo

voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la

entrada de control y transistor bipolar Como interruptor en un solo dispositivo.

FUENTES

Carlos Muños(2020) Funciones del transistor

IGBT(http://es.wikibooks.org/wiki/Electr%B3nica.de.potencia/IGBT/problemas.de.dise%(3%).
B10.
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VII..Paráfrasis
El transistor IGBT se ha convertido en estos últimos años en un componente esencial

para electrónica de potencia moderna. Con los transistores bipolares, el IGBT ha

evolucionado numerosas aplicaciones de dispositivo clave en la industria de la energía, la

automatización, la electrónica de consumo etc. El transistor IGBT ha ampliado las

posibilidades en sistema de conversión de energía, inversores, fuentes de alimentación,

control de motores entre otros.

Gracias a su capacidad de avances significativas en las eficiencias energéticas, la

reducción de pérdidas y la minimización de potencia impulsada así desarrolla e innova en

diversas industrias.
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VIII..Bosquejo

I. Características del transistor IGBT.

A. Indicador de tensión de control.

B. Resistencia interna.

C. Inductancia parásita.

D. Capacitancia de voltaje de entrada y salida del transistor

IGBT.

II. Funcionamiento del transistor IGBT

III. Ventajas y desventajas del transistor IGBT con respecto al MOSFET.

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IX. Marco teórico

A. Indicador de tensión de control.

Consiste en que los dispositivos conectados en paralelos puedan

manejar altas tensiones. También que este pueda trabajar como un interruptor

controlado de potencia.

B. Resistencia interna
Tiene la capacidad de manejo de corriente para mantener en conducción,

logrando mantener una mayor precisión posible en los electrodomésticos.

C. Inductancia parasita
Combinan a la vez potencias de alta precisión y mínima
inductancia.

D. Capacidad de voltaje de entrada y salida del transistor

IGBT.

Soportan voltajes de 6/5kv y su salida a 50kv logrando una mayor

precisión posible en los equipos.

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A. Funcionamiento del transistor IGBT

La función del IGBT es la conmutación más rápida posible de las corrientes eléctricas

como su nombre indica un IGBT es un transistor bipolar con una estructura de puerta aislada

en si es básicamente un MOSFET.

Al igual que un MOSFET el IGBT se controla con tensión. Para el encendido se da una

tensión positiva en puerta respecto al emisor, los portadores n son atraídos a la región p de la

puerta; así se polariza en directa la base del transistor NPN permitiendo la circulación de

corriente colector-emisor.

El IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor utilizado

en electrónica de potencia para controlar la corriente y el voltaje en circuitos de alta potencia.

El funcionamiento interno del IGBT es similar al del transistor bipolar, pero incorpora una

compuerta aislada que permite un control más preciso de la corriente que fluye a través del

dispositivo.

El IGBT consta de tres capas de material semiconductor, N-P-N o P-N-P, y dos

terminales de conexión, el colector y el emisor. La capa central es la base, y se encuentra

aislada eléctricamente de los otros dos terminales por una capa de óxido. La compuerta se

encuentra conectada a esta capa de óxido, y permite controlar la corriente que fluye entre el

colector y el emisor.
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Cuando se aplica una tensión positiva entre la compuerta y el emisor, se produce un

flujo de electrones desde el emisor hacia el colector. Este flujo se puede controlar mediante

la tensión aplicada a la compuerta. Cuando la tensión en la compuerta es baja, el IGBT se

comporta como un interruptor abierto, y no permite que fluya corriente entre el colector y el

emisor. Cuando la tensión en la

compuerta es alta, el IGBT se comporta como un interruptor cerrado, permitiendo

que fluya corriente entre el colector y el emisor.

En resumen, el funcionamiento interno del IGBT se basa en la capacidad de su

compuerta aislada para controlar la corriente que fluye entre el colector y el emisor. Esto lo

hace especialmente útil en aplicaciones de electrónica de potencia, donde se requiere un

control preciso de la corriente y el voltaje en circuitos de alta potencia.

B. Ventajas y desventajas de un transistor IGBT con respecto al MOSFET

mediante una tabla comparativa.

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Transistor IGBT MOSFET

-Trabaja con -Mayor
altas
temperaturas eficiencia
-Circuito
Ventajas mientras
paralelo
simple operan en
-Perdidas
voltajes bajos
mininas
de corriente en -Funcionan a
circuito abierto menor potencia y

no consumen

potencia.

-son lentos en apagarse -Los voltajes de sobre

Generan mayores pérdidas de
energía.
Desventajas -Mayor costo en comparación
con otros dispositivos de
potencia, su mayor tiempo de
conmutación y su menor
capacidad para manejar altas
frecuencias.
-Los IGBT pueden ser
susceptibles a fallas por
sobretensión y sobrecorriente
si no se utilizan correctamente.
carga lo hacen inestable
-Se pueden dañar debido
a la electricidad estática.
- Sensibilidad a la
electrostática, su
tendencia a la oscilación y
su costo relativamente
alto en comparación en
comparación con otros
dispositivos de
conmutación.
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C. Características Del Transistor IGBT

El transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) combina las ventajas de los transistores
bipolares y los MOSFETs, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta potencia. Algunas de
sus características son:

Baja resistencia en conducción: El IGBT tiene una baja resistencia en su estado de conducción, lo
que permite una menor disipación de calor y una mayor eficiencia energética.

Control de la corriente: El IGBT puede ser controlado por un voltaje en su puerta, lo que permite
un control preciso de la corriente que fluye a través del dispositivo.

Alta impedancia de entrada: El IGBT tiene una alta impedancia de entrada, lo que significa que
consume muy poca corriente al ser controlado por un circuito externo.

Capacidad de bloqueo de voltaje: El IGBT puede soportar altas tensiones de bloqueo sin sufrir
daños.

Tiempos de conmutación rápidos: El IGBT tiene tiempos de conmutación rápidos, lo que lo hace
adecuado para aplicaciones de alta frecuencia.

En resumen, el transistor IGBT es un dispositivo semiconductor utilizado en aplicaciones de alta

potencia donde se requiere un control preciso y una alta eficiencia energética.
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D. Ventajas del IGBT con respecto a otros Transistores de potecia

Ventajas del IGBT conforme a otros transistores

El IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) tiene varias ventajas en comparación con otros tipos
de transistores, tales como:

Mayor eficiencia energética: El IGBT tiene una baja resistencia en su estado de conducción, lo
que reduce la disipación de energía y mejora la eficiencia energética en comparación con los
transistores bipolares.

Control preciso: El IGBT puede ser controlado por un voltaje en su puerta, lo que permite un
control más preciso de la corriente que fluye a través del dispositivo en comparación con los
MOSFETs.

Capacidad de bloqueo de voltaje: El IGBT puede soportar altas tensiones de bloqueo sin sufrir
daños, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta potencia.

Tiempos de conmutación rápidos: El IGBT tiene tiempos de conmutación rápidos, lo que lo hace
adecuado para aplicaciones de alta frecuencia.

Bajo costo: En general, el costo del IGBT es más bajo que el costo combinado de los MOSFETs y
los transistores bipolares equivalentes.

En resumen, el IGBT ofrece una combinación única de alta eficiencia energética, control preciso,
capacidad de bloqueo de voltaje y tiempos de conmutación rápidos a un costo razonable en
comparación con otros tipos de transistores.
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X.Conclusión

El transistor IGBT es un dispositivo semiconductor que combina las características de los

transistores bipolares y los MOSFET. Se utiliza en muchas aplicaciones, como en la
electrónica de potencia, ya que puede manejar altas corrientes y tensiones con una baja
pérdida de energía. Además, el IGBT tiene una alta velocidad de conmutación y es capaz
de operar en frecuencias más altas que los transistores bipolares convencionales. En
resumen, el IGBT es un componente importante en la electrónica de potencia moderna
y ha permitido avances significativos en la eficiencia energética y la reducción del
tamaño y peso de los dispositivos electrónicos. ¿Necesitas más información al respecto?