Laboratorio de Electrónica II Universidad del Valle

FACULTAD DE INGENIERÍAS
ESCUELA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
ÁREA: INFORMÁTICA INDUSTRIAL
ASIGNATURA: LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II

PRÁCTICA DE LABORATORIO # 2
POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)

**** Lea completamente esta guía antes de realizar la práctica ****

1. OBJETIVOS

 Analizar el comportamiento del transistor BJT polarizado en DC.

 Identificar diferentes circuitos de polarización del transistor.
 Identificar aplicaciones de las regiones de funcionamiento del transistor BJT.
 Analizar las principales características de los circuitos de polarización.
 Utilizar herramientas de simulación para analizar el comportamiento de los circuitos de polarización.
 Verificar el funcionamiento de algunas de las etapas básicas que pueden conformar un amplificador operacional
discreto.
 Identificar las características básicas de cada una de las etapas analizadas durante la práctica.

2. EQUIPOS Y MATERIALES

Suministrados por el laboratorio

 1 Osciloscopio de dos canales.

 1 Fuente de DC.
 1 Multímetro.

Suministrados por el estudiante

 4 Transistores 2N2222A con ganancia de corriente (beta) distinta (también se pueden adquirir 2N3904).
 Resistencias 330K, 1K, 10K, 330, 4.7K, 2.7K, 330, 680 (revisar los circuitos de la guía y verificar cantidades y
valores).
 2 pulsadores.
 Puntas de fuente (Caimanes), pinzas, pelacables, protoboard, cables para protoboard.
 4 diodos LED

3. CONTENIDO

3.1 INFORMACIÓN PREVIA

El transistor es considerado un componente electrónico activo, pues el nivel de salida de AC es mayor que el de entrada,
esto es debido a una transferencia de energía proporcionada por las fuentes de DC utilizadas, por esta razón el análisis y
diseño de circuitos con transistores requiere un análisis en DC y otro en AC. Esta separación es posible gracias a que el
teorema de superposición es aplicable. Sin embargo, debe tenerse en cuenta que la selección de los parámetros para los
niveles de DC requeridos afectarán la respuesta de AC y viceversa.

3.2 PUNTO DE OPERACIÓN

Es claro que el transistor presenta un comportamiento lineal en la región activa, razón por la cual se trata de ubicar el
punto de funcionamiento en esa región. Una vez establecido el punto de operación, los recorridos de la señal de entrada
(corriente de base por ejemplo) en función del tiempo darán lugar a una tensión o corriente de salida (tensión o corriente

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de colector) de la misma forma de onda. Si la señal de salida no es una fiel reproducción de la señal de entrada, el punto
de funcionamiento no está ubicado apropiadamente.

Note que aunque hay libertad en la elección de los valores de Rb, Rc, R L y Vcc, no debe hacer trabajar el transistor en
cualquier punto de la región activa, ya que diversas características del transistor limitan su margen de empleo útil. Estas
características limitadoras son: la disipación máxima de potencia Pmax, la tensión máxima colector-emisor Vcemax, la
corriente de colector máxima Icmax, y la máxima tensión emisor-base Vebmax.

Habiendo polarizado un BJT en un punto de operación, debe tenerse en cuenta el efecto de la temperatura ya que provoca
cambios en las características importantes del dispositivo como la ganancia de corriente (ca) y la corriente de fuga del
transistor (Iceo). De esta forma, el diseño debe proporcionar un grado de estabilidad ante cambios de temperatura de
modo que resulten mínimos sus efectos sobre el punto de operación.

Aunque hasta ahora se ha mencionado sólo el funcionamiento del transistor en la región activa o lineal, existen otras dos
regiones de funcionamiento: corte y saturación. La operación del transistor en cada una de las regiones se obtiene
garantizando las siguientes polarizaciones en sus terminales:

1. Operación en la región lineal o activa:

Unión base - emisor con polarización directa.
Unión base - colector con polarización inversa.

2. Operación en la región de corte:

Unión base - emisor con polarización inversa.

3. Operación en la región de saturación:

Unión base - emisor con polarización directa
Unión base - colector con polarización directa.

3.3 CIRCUITO DE POLARIZACIÓN FIJA

El circuito de la figura 1 es uno de los circuitos de polarización más simple, cuyo análisis en DC se puede simplificar
considerando un circuito de entrada y uno de salida. Para el primero se tiene la siguiente ecuación:

Vcc  V BE
IB 
RB

Para el circuito de salida se tienen las siguientes ecuaciones:

Ic  (   1) I B , I E  I B y VCE  Vcc  IcRc

Se puede verificar que el nivel de la corriente de colector depende de la corriente de base, y ésta a su vez, depende del
valor elegido para R B , por tanto el nivel de la corriente de colector depende de la resistencia de base y no de la resistencia
de colector (Rc).

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3.4 CIRCUITO DE POLARIZACIÓN ESTABILIZADA DE EMISOR

El circuito de la figura 2 es similar al anterior con la diferencia que se ha adicionado una resistencia en el emisor; éste
cambio contribuye a mejorar la estabilidad. Ahora, el circuito se describe por las siguientes ecuaciones:

Vcc  VBE
IB 
RB  (   1) RE

VCE  Vcc  Ic( Rc  RE )

3.5 POLARIZACIÓN CON DIVISOR DE VOLTAJE – AUTOPOLARIZADO UNIVERSAL

Contrario a las configuraciones anteriores, La configuración del circuito de la Figura 3 tiene la gran ventaja de que la
corriente de polarización I CQ y el voltaje de polarización VCQ son independientes de la ganancia , que, como se
mencionó anteriormente, depende de la temperatura.

Para su análisis se calcula la resistencia y voltaje Thévenin equivalentes, cuyos valores se definen por las siguientes
ecuaciones:

RTh  R1 R2

Y el voltaje Thévenin viene dado por el voltaje de la resistencia R2 así:

R2.Vcc
E Th  V R 2 
R1  R2

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El circuito de la Figura 3 se puede redibujar de acuerdo con la figura 4, de tal forma que se puede calcular la corriente de
base y el voltaje colector emisor así:

E Th  V BE
IB  y VCE  Vcc  Ic( Rc  R E )
RTh  (   1) R E

3.6 COMPUERTAS LÓGICAS

Una compuerta lógica es un dispositivo electrónico que permite representar una función booleana. Estos circuitos utilizan
intervalos de voltaje predefinidos para representar estados binarios. Bajo estos conceptos y con la comprensión de los
modos de operación del transistor es posible implementar fácilmente circuitos compuestos de elementos discretos, que
permitan realizar decisiones lógicas. En la figura 4 se observan tres tipos de compuertas básicos: NOT, OR y AND.

R1
330Ω

J1 LED1 Q1
R2
Key = A 330Ω LED2
NOT V1 2N2222A
5V

R1

330Ω
J1 LED1
Q1

Key = A
R2 2N2222A
330Ω LED3

J2 LED2
OR Q2

Key = B

V2 R3 2N2222A R4
5V 330Ω 100Ω

R5

330Ω

4
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R5

330Ω

R1

620Ω

Q3
R4

470Ω LED1
2N2222A
J1 Q1
R2
AND Key = A 470Ω
2N2222A

J2 Q2
R3
Key = B 470Ω
2N2222A
V2
5V

Fig. 4. Funciones Booleanas Básicas Implementadas con Componentes Discretos

4. CÁLCULOS PREVIOS (Pre-informe)

A continuación se indican los puntos que obligatoriamente deben aparecer en el informe junto con el valor de cada uno
de ellos.

4.1 Circuito de polarización fija

A. Para el circuito de la figura 1 y usando un transistor con β=200 indique el punto de operación y calcule la
corriente de base, la corriente de colector y el voltaje de colector emisor. Dibuje la recta de carga y ubique
el punto de operación.
B. Calcule un nuevo valor para la resistencia Rb para obtener el triple de la corriente de base inicial y repita el
punto A.
C. Realice la simulación de todos los puntos y realice las tablas para tomar los datos (tome en cuenta que los
puntos A y B se repiten en la práctica para otro transistor).

4.2 Circuito de polarización estabilizada de emisor

A. Para el circuito de la figura 2 y usando un transistor con β=200 indique el punto de operación y calcule la
corriente de base, la corriente de colector y el voltaje de colector emisor. Dibuje la recta de carga y ubique
el punto de operación.
B. Calcule un nuevo valor para la resistencia Rb para obtener la mitad de la corriente de colector inicial y repita
el punto A.
C. Realice la simulación de todos los puntos y realice las tablas para tomar los datos (tome en cuenta que los
puntos A y B se repiten en la práctica para otro transistor).

4.3 Circuito de polarización con divisor de voltaje

A. Para el circuito de la figura 3 y usando un transistor con β=200 indique el punto de operación y calcule la
corriente de base, la corriente de colector y el voltaje de colector emisor. Dibuje la recta de carga y ubique
el punto de operación.
B. Calcule nuevos valores de R1 y R2 para obtener el doble de la corriente de colector inicial y repita el punto
A.
C. Realice la simulación de todos los puntos y realice las tablas para tomar los datos (tome en cuenta que los
puntos A y B se repiten en la práctica para otro transistor).

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5. PROCEDIMIENTO

Para poder acceder a la práctica es necesario presentar los montajes acompañados de los cálculos de los
componentes pasivos solicitados (Pre-informe) y las tablas que se van a llenar en cada uno de los puntos del
procedimiento.

5.1 Para cada uno de los circuitos de las figuras 1, 2 y 3 realice lo siguiente:

A. Energice el circuito.
B. Empleando el transistor 2N2222A realice todas las medidas reales de los datos calculados en los puntos 4.1 a
4.3 del pre-informe.
C. Cambie el transistor 2N2222A por un transistor con un Beta lo más diferente posible al usado inicialmente realice
todas las medidas reales de los datos calculados en los puntos 4.1 a 4.3 del pre-informe.

5.2 Para cada uno de los circuitos de las figura 4 realice lo siguiente:
A. Energice el circuito.
B. Verifique el funcionamiento lógico de las compuertas NOT, OR y AND consignando los valores de saturación
y corte de la salida.
C. Implemente la compuerta NOR y NAND, Verifique su funcionamiento, documente los resultados, problemas y
conclusiones obtenidas del montaje realizado.

6. INFORME

6.1 Efectué un análisis comparativo entre los resultados prácticos, teóricos y simulados. Analice y explique las
similitudes/diferencias. (Para mejorar la presentación y facilitar el análisis, ORGANIZAR toda la información
en TABLAS). (3,0)

6.2 Investigue una aplicación práctica del transistor trabajando en cada una de las tres regiones de funcionamiento (1,0).

6.3 Conclusiones (y sugerencias si usted lo desea). (1,0)

7. METODOLOGÍA

 Los montajes y el pre-informe debe presentarse el día de la sesión.

 En el pre-informe deben estar consignadas las tablas necesarias para realizar las tomas de datos durante la práctica y
debe ser entregado al final de la misma.
 El pre-informe y el informe debe tener muy buena presentación (de preferencia en computador) y si necesitan incluir
cálculos realizados a mano, éstos deben ir consignados como anexos en hojas iguales a las del resto del pre-informe.
Lo anterior buscando fomentar una cultura de buena presentación de los trabajos realizados así como el orden en los
mismos.
 El informe debe ser entregado el día en que está programada la siguiente práctica, y es indispensable para su
calificación que se hallan sustentado los resultados en clase del procedimiento. En caso que no alcance a realizar en
clase todos los puntos, debe buscar un espacio extra-clase para terminar el procedimiento y para sustentarlos ante la
profesora.
 La asistencia a las sesiones de laboratorio son obligatorias, y por tanto, sólo los estudiantes que hayan asistido a la
sesión práctica tienen derecho a obtener una nota por la misma. La evaluación de la práctica se basará en los siguientes
ítems:
o Calidad del pre-informe (presentación y contenido) y Montajes (40%).
o Calidad del informe (presentación y contenido). (60%).

8. BIBLIOGRAFIA.

7.1 Electrónica. Teoría de circuitos.

BOYLESTAD Nashelsky. Quinta edición. Prentice Hall. México 1994.

7.2Electrónica integrada. Circuitos y Sistemas Analógicos y Digitales.

J.MILLMAN. C.HALKIAS. De. Hispano -Europea. Barcelona 1986.