Analisis y Diseño de Circuitos Con Transistore - Fitchen - F

7.
,'3')
Anlisis y diseo de circuitos

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con transistores \.J

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FRANKLIN C. FITCHEN
Departamento de Ingeniera Elctrica Universidad Estatal de Dakota del Sur
BANCO
DE LA REPU8UC-"
AltANGO
BI8L10T~CA lUI5-ANGl.
OEPTO. DE: AOQUI51CION
Circuito integrado antes de sellarlo. La placa semiconductora contiene el equivalente de 31 componentes convencionales. En este circuito las reas de difusin estn interconectadas por medio de la plantilla de aluminio depositado, y forman un multivibrador biestable o f1ip-f1op. (Coltesa de Texas lnstnunents, Inc.]
(3
EDITORIAL MEXICO
LIMUSA 1975
24
INTRODUCCION A LOS TRANSISTORES
AMPLIFICACION
25
En relacin con los circuitos, la diferencia ms importante entre las unidades p-n-p y n-pon se puede apreciar en las conexiones de la figura 1-9. La corriente de base para un transistor p-n-p fluye desde la terminal de base hacia afuera; en una unidad n-pon se dirige hacia la base. Las polaridades del potencial de colector son tambin opuestas; el tipo p-n-p requiere un potencial negativo de colector; el n-pon, positivo. La suma de las corrientes que entran al transistor establece una relacin importante entre las magnitudes de las corrientes de las terminales: lE
dos, se infiere que la diferencia entre la potencia de carga y la potencia de la seal de entrada la producen las fuentes de potencia. Histricamente el transistor se emple al principio en la configuracin de base comn. La letra griega a (alfa) se ha usado para simbolizar la ganancia de corriente en un transistor polarizado en forma adecuada y operado en aquella conexin. Se define la alfa de cd o factor de amplificacin de corriente esttico como
= le + lB'
(1-3)
OCd
== lE
lel
VCB=const
(1-4)
La ecuacin (1-3) se aplica a ambos tipos de conductividad y tiene un importante papel en la discusin que sigue. Los sentidos actuales de estas corrientes se muestran en la figura 1-9. La flecha en el smbolo del transistor se utiliza
r;
-Vcc
fe
f>
r1;
-e-
De la ecuacin (14) se desprende que para un VeB especfico la alfa de cd se puede determinar dividiendo simplemente los valores estticos de le por IeOtros smbolos comunes de a son hFB y HFB En la seccin anterior se hizo notar que por lo general la corriente de emisor es la mayor de las tres corrientes y por tanto el valor de a es menor que la unidad, Los valores tpicos de este parmetro estn entre 0.9 y 1.0 y varan en cierta medida con V e lEeB Para pequeas variaciones en tomo al punto de operacin, se define una a de seales pequeas segn las relaciones siguientes:
e i
ti
ex.
== lmiE_O
--:ul E
I
VeB
__
=
const
aiel aiE
VCB=const
(1-5)
-VBB
+VBB bl
+Vcc La restriccin de que "ce sea constante significa que la carga en el transistor est en corto circuito para la componente de la seal que vara en el tiempo. Si esto no fuera as, veB cambiara con ie. Por esto a es el factor de amplificacin de corriente en corto circuito del transistor en configuracin de base comn, y normalmente 0.9 < a < 1.0. Este parmetro de ganancia de corriente en corto circuito del transistor en configuracin de base comn se simboliza tambin con hfb (vea el captulo 4). Para un transistor en conexin de emisor comn, el factor de amplificacin de corriente en corto circuito es ~ (beta). La beta de cd se define como
al
Figura 1-9
Polarizacin para 10s transistores: a) unidad p-n-p;
b) unidad n-pon.
para indicar el sentido de la corriente de emisor. Es indispensable conocer la magnitud de las corrientes de la ecuacin (1-3) y la informacin sobre ella se obtiene de la curva de la figura 1-6b). Con un potencial dado de colector, -5 V, por ejemplo, es obvio que la corriente de base ser -25 J.A Y la corriente de colector -1 mA. La magnitud de la corriente de emisor ser entonces de 1:025 mA y estar dirigida hacia el transistor, como puede apreciarse en la figura 1-9a). Para los triodos de unin es aplicable la siguiente regla general: La corriente de emisor es la mayor de las tres corrientes y su magnitud es aproximadamente igual a la de la corriente de colector. Esta regla es vlida para diferentes caractersticas del colector; sin embargo, no lo es para el caso en que le = O, ni se aplica en la regin de la figura 1-6c) donde la corriente de base es positiva. 1-7 Amplificacin. La magnitud de una seal elctrica se puede incrementar mediante el uso exclusivo de elementos pasivos, como un transformador o un circuito L-C cerca de resonancia amplifican los niveles de potencial o de corriente. Sin embargo, para lograr que el nivel de potencia de una seal se eleve, es necesario emplear un dispositivo activo, como un tubo al vaco o un transistor. En un dispositivo activo una pequea seal de entrada controla las variaciones del potencial o la corriente de salida de mayor magnitud. Puesto que la amplificacin de potencia slo se logra si se usan dispositivos polariza-
~cd
== lB
lel
VCE=const
(1-6)
Este parmetro se simboliza algunas veces como hFE o H . FE Para esta misma configuracin, el factor de amplificacin para seales pequeas es
f3 == lmiB_O
ti
A,'. B.
L1iel
VCE-cons
=
t
aiel ai
B
VCE=const
(1-7)
De nuevo, se considera la carga en corto circuito. En la prctica f3 puede tomar valores mayores de 500; su valer depende en gran medida del punto de operacin que se seleccione. En vez de ~ se utiliza algunas veces h . fe En la figura 1-10 se puede analizar grficamente la diferencia entre los parmetros de cd y de seales pequeas, a partir de la descripcin de la, caracterstica de transferencia de corriente para un transistor p-n-p con emisor
26
INTRODUCCI9N
A LOS TRANSISTORES
AMPLlFICACION
27
comn. Para lc = -2 mA, lB = -50 .lA, i3cd = 40. El factor de amplificacin de corriente para seales pequeas en este punto est dado por la pendiente de la curva; su valor ser i3 = 48. La ecuacin (1-3) relaciona las tres corrientes del transistor; los factores de amplificacin estn tambin relacionados:
La configuracin de emisor comn presenta una resistencia de entrada mayor que la de la conexin de base comn y una resistencia de salida menor, pero el valor de la ganancia en corriente es mayor y por tanto se logra una considerable ganancia en potencia. Si R se considera de 2000 n y la etapa se carga con una resistencia de 2000 n, la ganancia en potencia resultante ser: G
le 2RL
=
b
I
P=
y la relacin complementaria es
a/(l - a).
(l-8a)
I 2R. ~
R. ~ 10,000.
I
p2RL
a = P/({J
+ 1).
a).
(1-8b)
Es importante
notar tambin que (J
Con el transistor usado como amplificador de colector comn, la ganancia de corriente es aproximadamente Bkx, pero la resistencia de entrada es muy alta, del orden de los 100,000 n. Para una carga de 2000 n
+ 1 =1/0 -
(1-&) G - l 2R. b
I
Las ecuaciones (1-8) se aplican tanto a los parmetros de cd como a los de seales pequeas y para obtenerlas debe considerarse slo que vCB = vCE (problema 1-12).
-6
_ I/RL:::
(~)2
(J.
RL ~ 200. R
._-:
~
ex:
O ti)
-le...
-5
t;~ -4 Ww
0:::E
u w~z
WW
0= w:::E
ex: ex:
-3
V<E=-5V
-2 -1
00
/
-25
V
-75 -100
(lB)
Los parmetros a y i3 fueron definidos previamente como factores de amplificacin de corriente en corto circuito. En los ejemplos citados arriba la resistencia de carga no es igual a cero y, en consecuencia, Vc no es constante, de manera que los clculos anteriores son slo aproximaciones. En el captulo 5 se obtendrn expresiones ms exactas para la ganancia de un circuito. Las propiedades de amplificacin de un dispositivo o un circuito se especifican adecuadamente mediante la relacin numrica entre las magnitudes de salida y entrada o mediante el decibel, una unidad logartmica de la relacin de potencia. Por definicin, la ganancia en potencia en decibeles es ganancia en dB
= 10 log - ,
p
Po
(1-9)
-50
-125
CORRIENTE DE BASE EN MICROAMPERES Figura 1-10
donde el sub ndice o representa la variable de salida o de carga y el sub ndice i la variable suministrada al circuito por la fuente de seal. Si se desea extender esta defmicin a potenciales y corrientes, la ecuacin (1-9) se transforma en ganancia
Curvas caractersticas de transferencia para un transistor tpico p-n-p.
= =
= =
10 log
V/IRo -21V
dB,
Aunque a no es mayor que la unidad y por tanto la corriente de carga es menor que la corriente de entrada en la configuracin de base comn, se obtiene ganancia de potencia debido a los distintos niveles de impedancia. Por lo general la resistencia de entrada R es muy baja, del orden de 50 n, cuando el dispositivo se conecta a una carga RL de 2000 n. La ganancia en potencia est dada por la relacin entre la potencia entregada a la carga y la potencia suministrada a las terminales de entrada, G _ Po _ L, 2RL _ a2RL_ - p. - l 2 R. = R. = 40
l
ganancia Si
y
1OIog(I/Roll/R)
dB.
s; = R
ganancia ganancia
1OIog(Volv)2 2010g(Ioll)
2010g(VoIV)
dB,
(1-10a) (1-10b)
dB.
con los valores anteriores.
Las ecuaciones (1-10a) y (l-lOb) se emplean correctamente slo si los valores de las resistencias son idnticos. En circuitos de transistores los niveles de resistencias son por lo general muy diferentes; sin embargo, en el uso comn de las ecuaciones de potencial y corriente no se presta atencin a los niveles de resistencia.
SATURACION y CORTE 28 INTRODUCCION A LOS TRANSISTORES
29
A manera de ejemplo del uso del decibel, puede expresarse el resultado de los tres clculos anteriores de ganancia y se tendr que una relacin de ganancia en potencia de 10,000 equivale a 40 dB, 200 a 23 dB Y 40 es equivalente a 16 dB. "1-8 Corrientes de fuga. En la figura 1-7a) se puede observar que cuando el emisor est abierto, es decir, no circula corriente de emisor, existe sin embargo una pequea corriente de colector. Esta corriente, simbolizada por ICBO (tambin Ico), es la corriente inversa o de fuga de la unin colector a base inversamente polarizada, y en las unidades de gennanio alcanza valores del orden de algunos microamperes. ICBO vara tambin ligeramente con el potencial de colector, pero por lo general se considera que es constante para una temperatura dada. La figura 1-11a) representa la corriente de fuga, cuya importancia radica en sus efectos sobre el punto de operacin; en el captulo 3 se hace un anlisis ms detenido de este tema. Si el colector de un transistor se desconecta como en la figura 1-11b) y se aplica un potencial de emisor a base para polarizar inversamente la unin, la corriente resultante se denomina IEBO (tambin lEO). leno es la corriente inversa o de fuga de la unin pon de emisor a base, que est polarizada en sentido directo en operacin normal. Al dejar desconectada la terminal de base y aplicar un potencial entre colector y emisor que proporciona a la unin colector a base una polarizacin inversa, tal como se representa en la figura l-11c), se obtiene una corriente llamada ICE O . Esta corriente es de mayor magnitud que cualquiera de las corrientes de fuga que se mencionan anteriormente.
para un valor dado de VCB. Si an se considera que Q e ICBO no cambian con VCB, la ecuacin (1-12) se puede usar para esquematizar las caractersticas de un paso con base comn; el esquema que se obtenga representar una familia de lneas horizontales de le constante y ser posible emplearlo para el anlisis grfico. Para estudiar las caractersticas de una etapa con base comn se substituye la ecuacin (1-3) en la (1-12): le = a(le + lB) + leBo (1-13) Reordenando, (1-14) le = aIB/(1 - a) + leBo/O - a).
y con la ecuacin (1-8) se obtiene
le Cuando
PIB + (P
1)leBo
ICEO.
(1-15) Entonces (1-16)
le
O, la corriente
resultante de colector es Iceo

=
(P
1)leBo
y la ecuacin (1-15) puede escribirse como
le
PIB + Iceo-
(1-17)
(tEO
-1
-=
a) Figura 1-11
-=
-=
b)
-=
e)
La ecuacin (1-17) es una descripcin matemtica de las caractersticas de colector con emisor comn Y representa una familia de lneas horizontales con lB constante. Aunque la ecuacin (1-17) no muestra la dependencia existente entre las caractersticas y VCE, es de gran importancia para esquematizar las caractersticas de salida a partir de los valores de (3 y de ICEO. 1-9 Saturacin y corte. La configuracin de emisor comn se ha convertido en la ms popular entre los diseadores de circuitos, sobre todo por la alta amplificacin de potencia que se obtiene de ella. En tal virtud resulta apropiado hacer un anlisis ms detallado de esta conexin. Al hacerlo, se encuentra que las caractersticas de colector proporcionan mayor informacin acerca de la operacin de lo que a primera vista aparentan.
-~i i i
a) fCBO es la corriente de colector a base con el emisor abierto; b) fEBO es la corriente de emisor a base con colector abierto; e) fCEO es la corriente de colector a emisor con la base abierta.
'" -150 I '" :;;
/ r
-5 I
Supngase que el factor de amplificacin de corriente para seales pequeas no cambia su valor en la regin de corriente til de las caractersticas del colector. Entonces, bajo esta consideracin, es vlido relacionar a: con los valores de cd de las corrientes dentro del transistor, incluyendo el valor de la corriente de fuga. Para este caso particular, Mel rx-111 E v CB y, re ordenando los trminos le - le - leBol
ee
'" :: -100 E
c:
;) 1
7'
I
-3 -2
1mA
'"
-50
/I/::=Jr~
lB
I
I
(1-11)
V CB
~
0....O
-100
-200
-300
-400
const
lE
cono!
VCE en milivolts
Figura 1-12
Regin de saturacin de un transistor p-n-p de potencia media, en conexin de emisor comn.
= I + leBo
(1-12)
30
INTRODUCCIpN
A LOS TRANSISTORES
EL TEC DE UNION
31
Examnense, por ejemplo, las curvas de la figura l-b) y concretamente la regin de bajo potencial de las curvas de colector, es decir, la regin de la curva que va de cero a algunos cientos de milivolts y que se denomina regin de saturacin debido a que los incrementos de la corriente de base no producen las grandes variaciones en la corriente de colector que se logran en la regin de mayores potenciales de colector. Aunque la figura 1-6b) parece indicar lneas superpuestas de corriente constante de base para valores bajos de VCE, en realidad no se superponen si se usa una escala apropiada para representar esta regin, como en la figura 1-}2. En la regin de saturacin las dos uniones p-n estn polarizadas en sentido directo. Con frecuencia se define una resistencia de saturacin Res, que puede determinarse a partir de la relacin entre VCE e lc en cualquier punto de la regin saturada. En los transistores de germanio por lo general Rcs no alcanza las 20 n y se desprecia en la mayora de las aplicaciones; pero los transistores de silicio de baja potencia presentan una resistencia de saturacin de varios cientos de ohms, lo que limita la zona de operacin permisible de las caractersticas. De acuerdo con la figura es evidente que la magnitud de la resistencia de saturacin depende de la corriente de base y el valor que se asigne a Rcs estar relacionado con los valores especficos de lc e leOtra regin de las caractersticas que merece atencin es la que corresponde a las bajas corrientes. Se ha introducido el smbolo ICEo para designar la corriente de colector cuando Ie es cero y las curvas indican las relaciones entre lc y VCE cuando la corriente de base sale de la terminal de base de un transistor p-n-p, Se pregunta entonces: Puede operar el transistor con corriente inversa de base? La respuesta no la dan las caractersticas tpicas porque las lneas de corriente constante de base por lo comn no se representan en esta regin. Sin embargo, la mnima corriente de colector debe ser ICBO, que es la corriente inversa de fuga de la unin. ICBO fluye hacia la base del transistor p-n-p. En consecuencia, se concluye que es posible la operacin a corrientes tan bajas como ICBO' La figura 1-13 aclara las relaciones entre las variables de inters cerca del corte.
convencional, genera menos ruido y tiene mayor resistencia a la radiacin nuclear. Existen dos tipos de TEC, el tipo de unin y la variedad de compuerta aislada. En su forma simple, el TEC de unin de silicio tiene una sola unin p-n; por lo comn la unin se polariza a la inversa y forma el par de terminales de entrada del dispositivo de tres terminales. En consecuencia, el dispositivo presenta la alta impedancia caracterstica de un diodo de silicio inversamente polrizado. La corriente de salida fluye a travs de una barra o canal de material tipo P o tipo n y no a travs de la unin como en el transistor convencional. Se puede ver en la figura 1-14 que las terminales se denominan compuerta, fuente y salida. * La fuente y la salida son intercambiables usualmente. La flecha en la compuerta del TEC de unin indica la direccin de la corriente convencional en sentido directo, pero como la unin de este dispositivo normalmente est polarizada a la inversa, la corriente de fuga estar en sentido opuesto al de la flecha.
.nJlsali~
c"mp",~"mp"~
Fuente
Figura }-14 Construccin idealizada de un TEC de unin y diagrama de circuito para un disposi tivo de canal p.
Los elementos del circuito para polarizar un TEC de canal p se muestran en la figura 1-15. La fuente de compuerta Vee y la fuente de salida VDD garantizan que la unin compuerta-fuente est polarizada a la inversa. Para cualquier fin prctico, llDI = l/si, puesto que le es una pequea corriente de fuga del orden de 10- 9 A a.la temperatura ambiente.
VDD
Figura 1-15 -lB Figura 1-13 Porcin de las caractersticas de transferencia en que se muestran las corrientes de fuga en configuracin de emisor comn, transistor p-n-p.
Polarizacin para un TEC de unin de canal p.
o
1-10 El TEC de unin. El transistor de efecto de campo o TEC opera bajo el principio de que el espesor y por tanto la resistencia de un canal conductor de material semiconductor se puede modular o regular por la magnitud de un potencial que se aplique en las terminales de entrada. Como amplificador, el TEC presenta una impedancia de entrada mayor que el transistor
En la figura 1-15 se indican dos fuentes de potencial, pero es posible eliminar por completo Vee si se agrega una resistencia entre la terminal de la fuente y tierra, de manera que la cada de potencial a travs del elemento proporcione la diferencia de potencial positiva necesaria de compuerta a fuente. Se puede tambin polarizar en forma ms complicada si se usa la fuente VDD, as como una resistencia de fuente; este mtodo se analizar en el captulo 3.
* Algunas veces se emplean los trminos reja, ctodo y placa para designar estas tres terminales, debido a la similitud de este dispositivo con el triodo al vaco.
32
PARAMETROS DEL TEC
33
Las caractersticas estticas de fuente comn para un TEC de unin de canal p se muestran en la figura 1-16. Del anlisis de estas grficas se obtienen las siguientes observaciones: 1. En general la corriente de entrada es despreciable y la cantidad importante ser VGS. El TEC se considera un dispositivo controlado por potencial. 2. Es posible operar el dispositivo con una polarizacin en sentido directo en la compuerta, como se ve en la lnea que corresponde a VGS = -0.5 V. Si se excede este potencial, la corriente de compuerta crece y se pierde la ventaja de la alta impedancia de entrada. 3. Para valores de VDS mayores que el potencial de corte. Vp' el dispositivo presenta ganancia e impedancia de salida mayores. En consecuencia, significa una ventaja operar a altos potenciales de salida.
1-11 Parmetros del TEC. Para describir las propiedades de amplificacin de un transistor de efecto de campo es conveniente definir el parmetro de transconductanciao conductancia mutua. Matemticamente, g
m
M == lmvGS~o --uVGS
I
VDS=const
aVGS
ai
_D
"os=const
(1-18)
Este parmetro, que tambin se simboliza por gfs es la relacin de corriente de salida de seal pequea a potencial de entrada, medida con carga en corto circuito. La gama de valores tpicos de gm est entre 500 y 10,000 ~mhos. La ganancia en potencial de una etapa con TEC est dada aproximadamente por
IAvl ~
-7
gI/lRL
(1-19)
-6
--H--/ I
V os
0.5 _
La ecuacin (1-19) se puede emplear cuando la resistencia de salida del TEC es suficientemente grande para ser despreciada y la impedancia de entrada es infinita. Para describir cualitativamente un TEC se cuenta con los siguientes parmetros:
/
-5
I en w
DSS / ~
I
j
~.
a:
w ~ -4
--1
:E
z -3
w
. q
e-2
/ / I /;/7
J
/ Vpj I
~ -=b)
_ 0.5
r--
~~ -cal
Figura 1-17
/~
_"'
~
3.0 -8
VDS
Definiciones grficas de IDSS e IGSS.
-1
v/ // / r/./
U _/
/// /1-
1. Corriente de circuito cerrado [ID SS, tambin ID(on)]. Este parmetro representa el valor de la corriente de salida con VGS = U Y para un potencial especfico de salida igual a Vp. Para medir 1 DSS se usa la red de la figura l-l7a); el nivel se muestra en la figura 1-16. 2. Transconductancia de cd (gFS, tambin gM). Se usar la definicin ID
V/
gFS
-2
-4
-6
-10
12
14
16
== VGS
Vos=const
(1-20)
EN VOL TS
Figura 1-16
Caractersticas de fuente comn para un TEC tpico de unin de canal p.
Las caractersticas de entrada son las de un diodo inversamente polarizado y no se presentan aqu. La operacin con salida comn es muy similar a la de fuente comn que antes se mostr. En un TEC de compuerta dual se tiene un control adicional de las caractersticas estticas a partir del potencial aplicado a la segunda compuerta.
El parmetro gFS describe al TEC de manera similar a como hFE describe al transistor. 3. Potencial de corte (Vp). El potencial aplicado entre compuerta y fuente que reduce la corriente de salida hasta un valor prcticamente de cero es el potencial de corte. Es igual al potencial salida-fuente que cierra por completo el canal y para el cual ID no aumenta con VDS. Puesto que la medicin precisa de Vp es difcil, con frecuencia resulta ms conveniente expresar las relaciones operacionaJes en funcin de otros parmetros ms fcilmente mesurables. 4. Corriente de corte de compuerta (IGss). La calidad de la unin de entrada con polarizacin inversa se determina mediante la medicin de la co-
34 rriente de fuga l oss-
INTRODUCCION A LOS TRANSISTORES Este parmetro se comporta de la misma manera que
PROBLEMAS
35
lcs o . la corriente de fuga del transistor de difusin. loss se define grficamente en la figura 1-17b). 1-12 El TEC de compuerta aislada. El transistor de efecto de campo se puede construir sin la unin, usando una diferencia de potencial que se aplica entre el canal y una compuerta situada tan prxima que controle la conductancia del canal. Este tipo de unidad de compuerta aislada se conoce tambin con las siglas MOS o TMOS (transistor de semiconductor-xido-metal) o TECCA (TEC de compuerta aislada). Puesto que la compuerta y el canal estn separados por un aislador, la resistencia de entrada del MOS es mucho mayor que la del TEC de unin y es relativamente estable respecto a variaciones de temperatura. En la fabricacin de un MOS de canal n, el canal se difunde en un substrato o base de material, p, .de manera que existe una unin p-n en la estructura. Esta unin no se usa como un medio directo de control de la corriente fuente-salida; sin embargo, existe un efecto secundario que se puede emplear si se desea alterar las caractersticas del dispositivo. La figura 1-18a) representa la construccin idealizada de un MOS de canal n y el smbolo del dispositivo para diagramas de circuito. Con frecuencia este dispositivo de cuatro terminales se opera con la terminal de substrato conectada a la terminal de la fuente. Las caractersticas estticas de fuente para un dispositivo de canal n se dan en la figura 1-18b). Puesto que no existe diodo alguno, es posible operar con
al
9
valores positivos y negativos de VOS Como se muestra en el diagrama, la regin de operacin se denomina de acrecentamiento cuando la polarizacin de compuerta incrementa la conductividad del canal y de agotamiento cuando la disminuye. Existe una versin del MOS que opera por completo en el modo de acrecentamiento y que se discute en el captulo 2. El efecto de un potencial que se aplique entre el substrato y la terminal de compuerta, VSubs, depende de los parmetros de diseo del propio dispositivo. El efecto de este potencial en una unidad particular se muestra en la figura 1-18c). Las consideraciones sobre polarizacin para dispositivos de compuerta aislada son idnticas a las del TEC de unin. Para proteger la capa de aislamiento de xido de la presencia de carga esttica, la compuerta debe llevarse a tierra a travs de una resistencia fija finita y no dejarse flotando. 1-13 Resumen. Se han descrito en este captulo las, caractersticas de los transistores, convencional y de efecto de campo, por medio de curvas, definiciones y ecuaciones. Este material, aunque fundamentalmente descriptivo, constituye una parte importante del texto. En la medida en que el lector avance se dar cuenta de' que los captulos posteriores son en buena parte una ampliacin y aclaracin de los conceptos que se han introducido aqu, con el objeto de obtener un conocimiento que permita entender los dispositivos y aplicarlos de la mejor manera posible. Si el lector posee una base slida en tcnicas de circuitos de tubos al vaco, puede emplear el material analizado hasta el momento para disear circuitos de transistores. Sin embargo, sin un conocimiento de los detalles inherentes a los circuitos de semiconductores, como estabilidad de polarizacin, desbocamiento trmico y variaciones de parmetros, es poco probable que se logre un buen diseo de circuitos. El captulo 2 es una introduccin a la fsica de los semiconductores, indispensable al ingeniero que se disponga a trabajar con transistores para conocer la operacin fsica y poder apreciar sus limitaciones. Al familiarizarse con los procesos fsicos el lector estar ms capacitado para seguir con facilidad los avances de la ciencia' de la fsica del estado slido y el arte del diseo de los dispositivos del semiconductor que se esperan en la prxima dcada. [PROBLEMAS
6[ 3
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0~1 O
30
bl
101 -4
-2
O
VGS (volta)
1-1. La resistencia dinmica de un diodo es la pendiente de su curva caracterstica en un punto particular y su resistencia esttica se obtiene simplemente de dividir el valor total de V por 1 en un punto. Para las curvas de la figura I-Ib) obtenga las resistencias dinmica y esttica en a) 0.2 V, polarizacin directa b) 5 V, polarizacin inversa e) 600 /lA, polarizacin inversa 1-2. El dispositivo del circuito que aparece en la figura es un diodo Zener. Considere que el potencial entre terminales permanece constante a 20 V. La carga es de 1000 n e R
(volts)
el
Carga
Figura 1-18
TMOS de canal n: a) construccin Y smbolo de diagrama de circuitos; b) caractersticas de fuente comn; e) gm vs Vos para varios potenciales substrato-fuente, VDS constante.
Problema 1-2
"
36
BIBLlOGRAFIA
37
invariante, pero V variar de 23 a 28 V. Seleccione R de manera que la corriente a travs del diodo no exceda los 60 mA cuando V alcance su mximo valor. Cul ser la corriente del diodo si V = 23 V? 1-3. Usando la informacin que se proporciona en la figura 1-6 trace las curvas caractersticas estticas de transferencar-s, a) Con la corriente de colector como ordenada y el ~ de base como abscisa para valores de potencial de colector de 0.5 y 10 V b) Con la corriente de colector como ordenada y la corriente de base como abscisa para valores de potencial de colector de 0.5 y 10 V. ~ 1-4. Explique la convencin usada en la figura 1-6 segn la cual los signos de V CE, ICe lB son negativos. Qu signos debern usarse para las corrientes en un dispositivo n-p-r Esperara usted que todos los fabricantes e ingenieros siguieran esta convencin? 1-5. Disee un circuito para obtener las curvas caractersticas estticas para un transistor de baja potencia conectado con base comn. 1-6. Use la figura 1-6c) y la definicin de resistencia dinmica de entrada del transistor como la pendiente de estas curvas caractersticas pan: trazar la resistencia dinmica de entrada vs. el potencial base a emisor para un potencial constante de colector de -10 V. 1-7. Usando la informacin contenida en la figura 1-8 dibuje diagramas similares a los de la figura 1-9a) y 1-9b) para transistores tipo p-n-p y n-pon en configuraciones de base comn y colector comn. 1-8. Calcule (3cd de la figura 1-6b) con VCE =-5 V. Vara con el potencial de colector? Vara (3cd con la corriente de colector? 1-9. Un transistor muestra una amplificacin de corriente de corto circuito de 0.995 cuando se usa en un circuito de base comn. Calcule la ganancia en corriente de corto circuito como amplificador de emisor comn y tambin como amplificador de colector comn. 1-10. Use la figura 1-10 para determinar (3y (3cd con lB =-100 IlA. 1-11. Exprese la relacin (3/(X como funcin nicamente de (3 y como funcin de (X nicamen te. 1-12. Derive las ecuaciones (1-8a), (1-8b) Y (1-8c). 1-13. Calcule la ganancia de potencial aproximada para cada configuracin usando los mismos valores para (X, (3, R Y RL que se dan en los ejemplos del texto de la seccin 1-7. 1-14. Con el empleo de las ecuaciones (1-3) y (1-12) obtenga una expresin de te en trminos de lB e ICEO, y para esta expresin trace las curvas caractersticas de salida para un transistor en conexin de colector comn. Discuta el espaciado entre lneas de lB constante y tambin discuta la lnea lB = O. 1-15. Explique por qu en la figura 1-6c) lB slo puede tomar valores positivos hasta lCBO' Dibuje el circuito para obtener VBE = O Y auxiliar su explicacin. 1-16. Un transistor para el cual (3= 100 e ICBO = 5 IlA se conecta en una etapa de emisor comn y al medir la corriente de colector se obtiene 1 C = 1 mA con resistencia de carga cero. Calcule lE, lB, (X e ICEO bajo estas condiciones. 1-17. Calcule la resistencia de saturacin de colector en cd RCS de la figura 1-12 para cada valor de corriente de base con V CE = 100 mV que se muestra. l-lB. Un sistema amplificador de sonido alimenta una bocina con 4 W de potencia de audio cuando el sistema, que tiene una resistencia de entrada de 10,000 ohms, est alimentado con una seal de 0.2 V. La bocina es del tipo comn de 4 ohms y se considera que es no inductiva. a) Exprese la ganancia de potencia en dB b) Exprese la ganancia de potencial en dB e) Exprese la ganancia de corriente en dB d) Exprese la relacin de niveles de resistencias en dB a partir de la ecuacin (1-9) y substraiga de la respuesta a la parte e) para llegar a la respuesta a). 1-19. Usando la ecuacin (1-17) que expresa las caractersticas idealizadas, demuestre que para un transistor en conexin de emisor comn, una corriente de base de -1CBO produce una corriente de colector de igual magnitud. 1-20. En una sola hoja de papel para grficas, d las caractersticas aproximadas de colector para base comn y emisor comn para un transistor con (X= 0.975, ICO = 10 J1A y Bcs = 200 n, con una variacin de corrientes de colector hasta de 5 mA y de potenciales de unin de colector hasta de 20 V.
1-21. ICBO, ICEO e IEBO se han usado para simbolizar las corrientes de fuga del transistor. a) Sugiera un sistema que resulte de esta notacin, con tres subndices. b) proponga los circuitos que serviran para medir independientemente cada una de estas corrientes para un transistor n-pon. 1-22. Dibuje circuitos similares a los de las figuras 1-15 y 1-17 para un TEC de unin de canal n. 1-23. Con la informacin que se obtiene de la figura 1-16, trace: a) Las caractersticas de transferencia: V GS en la abscisa, ID en la ordenada con VDS ==-:-10 V. b) gm vs VGS l(gm es la pendiente de la curva en a)]. e) gFS vs V GS'
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CAPITULO
Fsica de semiconductores y dispositivos semiconductores

Los dispositivos semiconductores han sido usados en circuitos elctricos desde el cristal de galena o bigote de gato, de la poca anterior a los tubos al vaco. Los rectificadores secos de xido de cobre y selenio fueron dispositivos populares para cargar bateras y en rectificacin electrnica durante las dos dcadas que precedieron a la introduccin del transistor y el diodo de unin; y el termistor y los dispositivos fotoelctricos de materiales semiconductores han sido componentes de circuitos desde hace largo tiempo. La comprensin de la operacin de estos dispositivos semiconductores primitivos es ahora ms completa debido a la amplitud de la investigacin cientfica de los fenmenos de la fsica del estado slido iniciada a fines de la dcada de 1940. Los elementos semiconductores de mayor importancia en la actualidad son el germanio y el silicio. El arseniuro de galio se usa en la fabricacin de diodos tnel y transistores, y parece razonable suponer que otros compuestos como el fosfuro de galio, el carburo de silicio, el fosfuro de indio, el antimoniuro de aluminio y posiblemente algunos compuestos orgnicos lleguen a desempear un papel ms importante en la electrnica en un futuro no muy lejano. Al llegar a este punto en el estudio de los transistores es conveniente prestar alguna atencin a los principios de la fsica de semiconductores, la aplicacin de estos principios y los mtodos de manufactura del transistor. Aunque tericamente no es necesario que un diseador de circuitos est enterado de los procesos fsicos involucrados en la operacin de un transistor, tal conocimiento es de gran utilidad para apreciar las limitaciones de los transistores, entender cabalmente la operacin del circuito y mantenerse al da en el desarrollo de este campo. 2-1 Estructura. La cuarta columna de la tabla peridica incluye al silicio y al germanio, que poseen cuatro electrones en su rbita o capa exterior y tienden a formar cristal cuando estn en el estado puro elemental. Un cristal es un. slido en el cual los tomos estn organizados de una manera definida segn un patrn que se repite a travs del slido. Los cristales pueden consistir en diferentes arreglos geomtricos de tomos; el patrn tridimensional repetido a travs del cristal que nos interesa aqu es el conocido como estructura cbica 39
1
Transistor de unin fundida, sin cubierta. (Cortesa de Raytheon Division.) Company, Semiconductor
,..40 \ FISICA DE SEMICONDUCTORES IMPUREZAS 41
del diamante de caras centradas, una estructura idntica a la de la forma diamante del carbono. " La distribucin de los cuatro elementos de valencia en el tomo de germanio o silicio es tal que un electrn est ligado a cada uno de los cuatro tomos en el cristal. Esta condicin, conocida como enlace covalente, da lugar a una capa exterior ocupada para cada tomo y, en adicin a sus propios cuatro electrones, cada tomo comparte con sus vecinos otros cuatro electrones, como se muestra en la figura 2-1. Cuando este anillo exterior contiene ocho electrones, el tomo es estable y no existen electrones libres en la estructura ideal a 0 K, lo cual significa que el cristal tiene propiedades aisladoras, puesto que la presencia de portadores de carga libres es la que caracteriza a los materiales conductores.
0
la tabla peridica, germanio y silicio, son elementos de la tercera y quinta columnas. La tabla 2-1 contiene la porcin de la tabla peridica que incluye los elementos de mayor importancia para el trabajo de los semiconductores. TABLA 2-1 Fragmento de la tabla peridica con elementos importantes el trabajo con semiconductores Grupo 4 Carbono'[, Silicio~t1
. 32 Germam0726
para
Grupo 3 Borolo.8 . . 13 AlummlO27 Galio~~. 7 lndio~~4.8
Grupo 5 Ntrgenoj , Fsforo~l Arsnico~~ An tm 01110 2 1.8 1

. . 51
Estaol~8.
Orbita exterior
<r:
-,
Ncleos y otros electrones
Cuando se agrega un nmero pequeo de tomos de arsnico, por ejemplo, al cristal de germanio, la estructura permanece intacta, esto es, existen enlaces covalentes entre todos los tomos adyacentes. Pero como cada tomo de arsnico tiene cinco electrones en su rbita exterior, es evidente que en cada tomo de impureza queda fuera un electrn, es decir, un electrn no entra en el enlace covalente. A este electrn se le puede llamar electrn libre, puesto que fcilmente se separa del tomo de arsnico. La figura 2-2 describe esta situacin. Como sera de esperar, la resistividad del cristal decrece debido a la
Figura 2-1
Porcin de la estructura cristalina de germanio perfecto.
Impurezas de donador El germanio puro O silicio, se conoce como un semiconductor intrnseco. La conduccin elctrica es posible porque algunos enlaces covalentes se rompen por la energa trmica aun a temperatura ambiente. Un campo elctrico o un rayo de luz pueden tambin suministrar la energa necesaria para romper los enlaces covalentes y liberar electrones que actan como portadores de carga. Es posible medir y aun 'calcular el nmero de enlaces rotos debido a la adicin de energa a un semiconductor intrnseco. A 3000 K, que es ms o menos la temperatura ambiente normal, la resistividad del germanio puro es de 50 n cm aproximadamente, con ms de 1013 portadores de carga por centmetro cbico de material. La resistividad del silicio a la misma temperatura es de unos 240,000 n cm, con cerca de 1010 portadores de carga por centmetro cbico.? 2-2 Impurezas. En la manufactura de transistores o diodos no se emplea el cristal perfecto; las caractersticas de estos dispositivos dependen de las impurezas contenidas en el cristal que alteran sus propiedades intrnsecas de conductividad. El semiconductor extrnseco se obtiene de las imperfecciones existentes en la estructura cristalina, imperfecciones qumicas debidas a la presencia de materiales extraos que quedan despus de los procesos de refinacin o por la adicin controlada de impurezas conocidas, proceso llamado impurificacin. Las impurezas que se agregan a propsito a los elementos de la cuarta columna de
/ ~ 1
Figura 2-2
La adicin de un donador resultado un electrn libre.
al cristal de germanio de la figura 2-1 da por
presencia de electrones libres. Donador es el trmino que se aplica con ms frecuencia a aquellos elementos que, cuando se agregan al germanio puro, proporcionan electrones libres a la estructura. El material compuesto que se forma de esta manera es un germanio de tipo n, donde n es la abreviatura de negativo, por el signo de la carga del electrn. En materiales de tipo n la conduccin elctrica es fundamentalmente un movimiento de electrones. La adicin de impurezas con tres electrones en su rbita exterior tiene un efecto opuesto en la estructura. Como se ve en la figura 2-3, hay pocos elec-
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FISICA DE SEMI CONDUCTORES
DIAGRAMA DE NIVELES DE ENERGIA
43
trones para efectuar todos los enlaces covalentes. Entre cada tomo de la impureza y los tomos adyacentes existir el vaco de un electrn; esta ausencia de un electrn se denomina hueco. Aceptor se llama el elemento que, cuando se agrega a un semiconductor intrnseco, da por resultado la existencia de huecos en la estructura, y significa que el elemento aceptar un electrn que se encuentre disponible para cubrir sus necesidades en la estructura. El
Figura 2-3
La adicin de un aceptor al cristal de gennanio de la figura 2-1 da por resultado un hueco.
material tipo p tiene un exceso de huecos; p es la abreviatura de positivo, el signo de un hueco (puesto que el electrn tiene signo negativo, la ausencia de un electrn equivale a una partcula cargada positivamente). En materiales de tipo p la conduccin elctrica se origina por el movimiento de huecos. La resistividad del germanio decrece con la adicin de impurezas aceptaras, as el hueco acta como portador de carga y es comparable en eficiencia a un electrn libre. El movimiento de un electrn libre es al azar en una muestra de material tipo n; el electrn es libre de errar. Lo mismo ocurre con un hueco en el material tipo p, ya que los electrones de enlace vecinos pueden con facilidad llenar el espacio vaco y el hueco parece moverse a travs del material. Cuando el movimiento de un portador de carga lo provoca un campo elctrico, el proceso se menciona como deriva. Los huecos se comportan de manera opuesta a los electrones; son atrados hacia cargas negativas.
'\/
~
" D./
~c
~B
~J\X
/
88" /88"
\/e
Ubicacin original del hueco
-,
~=
/
Movimiento / del electrn \
F' ( ~'\a/
~ Figura 2-4
~ Pte"'-88/ -. ~
88 8 'Ubicacin
8E~
8A~ 8 ~'-Aceptor
fir.al del hueco
El movimiento de electrones para llenar los huecos en, la estructura produce el movimiento de huecos.
Un segundo proceso resultante del movimiento de portadores dentro de un semiconductor es la difusin, el movimiento de portadores de regiones de alta concentracin a regiones de baja concentracin. Tanto electrones como huecos se difunden cuando existe un gradiente de concentracin apropiado. El movimiento de los huecos se puede apreciar en la figura 2-4. Si un hueco se encuentra inicialmente en la rbita exterior del tomo aceptar, X en el diagrama, es posible que un electrn situado en A se mueva de su posicin hacia el hueco y, puesto que est en la misma rbita, no es necesaria una energa adicional. Despus de este movimiento, habr un hueco en A. El electrn de B puede llenar el nuevo hueco de A, de manera que el vaco se desplaza hacia B y as continuar el movimiento hasta que el hueco alcance a G y siga adelante. Puede concluirse que el movimiento del hueco es posible, que se realiza en sentido opuesto al flujo de electrones y que tiene lugar dentro de las capas de valencia de los tomos. Es interesante hacer notar que la velocidad media de deriva de los huecos es aproximadamente un medio de la velocidad de los electrones. Para asegurar una descripcin real de los fenmenos de los semiconductores debe entenderse que las impurezas son inmviles, y que los portadores son los electrones y los huecos, porque su movimiento controla el movimiento de la carga y las que se llaman corrientes elctricas. Los electrones en materiales de tipo n y los huecos en materiales tipo p son portadores mayoritarios, mientras que cualquier electrn en un material tipo p o cualesquiera huecos en material tipo n son portadores minoritarios. La carga neta de un ejemplar tipo p o tipo n es normalmente cero, puesto que no se han agregado ni quitado electrones ni huecos a los tomos que constituyen el cristal y los tomos por s mismos son neutros. La estructura puede tener un exceso de electrones o de huecos debido al tipo de impureza que se adiciona, pero este exceso es slo relativo a la estructura perfecta del cristal. 2-3 Diagrama de niveles de energa. La teora atmica moderna seala que para un tomo de cualquier elemento hay un nmero entero de rbitas o niveles en los cuales puede situarse el electrn, y cada nivel representa un valor particular de energa que poseen los electrones que residen ah. Para mover un electrn de un nivel a otro de mayor energa, el sistema debe recibir una cantidad de energa igual a la diferencia de energa entre niveles; la energa puede ser suministrada por una fuente adecuada. Los electrones prximos al ncleo estn en los ms bajos niveles de energa; los ms lejanos poseen las energas ms altas. Mientras mayor es la energa de un electrn menor es la atraccin del ncleo. Hasta aqu se ha considerado un solo tomo. Cuando un nmero muy grande de tomos se congregan para formar un slido, no es vlida ya la descripcin de niveles de energa dada para un tomo individual, debido a las interacciones entre ste y sus tomos vecinos. En un slido es muy grande el nmero de niveles de energa, pero por lo general estn muy prximos. Un conjunto de niveles de energa prximos se denomina banda, y en un slido cada banda est separada de las otras por una banda prohibida que comprende aquellos niveles de energa que los electrones no pueden tener en este slido. No todos los slidos tienen bandas prohibidas en su espectro de energa, pero los semiconductores s las poseen. Las diferencias entre aisladores, conductores y semiconductores se pueden apreciar desde el punto de vista de los niveles de energa. El ancho de la
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FISICA DE SEMICONDUCTORES
UNIONES pon
<t:J
banda prohibida entre la banda de valencia de niveles permitidos de energa y la banda de conduccin de niveles permitidos de energa, da una clave para entender estas diferencias. Si se necesita una gran cantidad de energa en forma de calor, por ejemplo para incrementar la conductividad de un material hasta niveles razonables, entonces la banda prohibida de este material es grande y, consecuentemente, el material en condiciones normales es un aislador. Por otro lado, si la energa necesaria para lograr una buena conductividad elctrica es despreciable, el material dado se clasifica como conductor. Una banda prohibda de espesor intermedio caracteriza a un semiconductor. En la figura 25 se ofrece una representacin grfica de los niveles de energa para diferentes materiales. Debe tenerse en mente que, aunque existen otras bandas en una estructura atmica determinada, la que importa es la banda prohibida entre la banda de valencia llamada tambin banda llena y la banda de conduccin conocida tambin como banda vaca. En el germanio y el silicio la banda prohibida es tan pequea a la temperatura ambiente, que un nmero apreciable de enlaces interatmicos se rompen con energa trmica y un nmero de electrones adquiere energa suficiente para moverse de la banda de valencia a la banda de conduccin de cristal. La banda prohibida del germanio es de 0.72 electrn volts, mientras que la del silicio es de 1.1 electrn volts. (El electrn volt, eV, es una unidad de energa equivalente a 1.6 X 10-19 W-seg). z o Banda de conduccin a:: z o Banda de conduccin a::
(..)
de energa en el diagrama de niveles de ene.rga. La ubicacin de estos nuevos niveles est ligeramente por debajo del nivel inferior de la banda de conduccin para el germanio puro, la banda est prohibida solamente para los electrones del cristal puro (vea la figura 2-6). El espesor total de la banda prohibida
z
~ ~
W
j
o ~
Ubicacin de los niveles de donadores Ubicacin de los niveles de acepto res

__ ..1
--,---~
.
W ~~~~~~~~~ Z
W
Figura 2~
Ubicacin de los niveles de mpurifcado.
donadores
y aceptores
en un semiconductor
~ [Banda de conduccin
(..)
w --1
W --1 W
w --1
W --1 W
a::
(..)
W --1 W --1
a:: w z w Banda de valencia

C!l
.
al
a:: w z w Banda de valencia

C!l
C!l
a:: w
~ [Banda de valencia
e) de niveles de energa:
bl
Figura 2-5
Represen tacin de slidos por medio de diagramas a) aislador; b) semiconductor; e) conductor.
Considrense los otros elementos de la columna cuatro de la tabla peridica (tabla 2-1). El carbono, en forma de diamante, tiene una banda prohibida de 7 eV y es no conductivo hasta muy altas temperaturas. La forma cristalina del estao, llamada estao gris, tiene una banda prohibida de slo 0.1 eV y, en consecuencia, es cristal estable slo a muy bajas temperaturas. Ninguno de estos materiales se puede usar en la manufactura de transistores. La presencia de electrones con energas de banda de conduccin debida a la ruptura de enlaces interatmicos da por resultado la existencia de huecos en la banda de valencia. Una impureza pen tavalen te, que es un donador cuando se agrega al germanio, aade electrones al cristal sin aadir nuevos huecos. Sin embargo, es importante hacer notar que el sistema de niveles de energa es ms complicado por el efecto de este donador; la impureza introduce nuevos niveles
se estableci previamente en 0.72 eV; la energa que se requiere para llevar un electrn de la impureza donadora a la banda de conduccin es del orden de 1.01 eV, y puesto que en una temperatura ambiente normal la energa trmica tiene un valor aproximado de 0.02 eV, se concluye que casi todos los electrones se desprenden de los tomos donadores y tienen energas de banda de conduccin. La introduccin de una impureza trivalente tambin crea nuevos niveles de energa. Para los aceptores, sin embargo, estos niveles de energa estn en la banda prohibida, en la vecindad del nivel superior de la banda de valencia. La temperatura ambiente produce ionizacin en muchos tomos aceptores y un evidente movimiento de huecos de los niveles del aceptor a la banda de valencia. En los diagramas de niveles de energa se describen las energas de los electrones; las energas de los huecos tienen un mximo cerca de la banda de valencia y decrecen verticalmente hacia abajo. Dicho de otra manera, los electrones son admitidos por los aceptores; estos electrones son proporcionados por la banda de valencia y dejan una preponderancia de huecos en la banda de valencia. En resumen, a temperatura ambiente, el material tipo n tiene un exceso de electrones y la conduccin elctrica es por deriva de electrones de la banda de conduccin; en un material tipo p existe un exceso de huecos y la conduccin elctrica es principalmente por deriva de huecos de la banda de valencia. 2-4 Uniones pon. Al enlazar un material tipo p y uno tipo n para formar un solo cristal se crea una unin pon. Los mtodos de manufactura de uniones se analizan en la seccin 2-7 y en otros textos. Inmediatamente despus de creada la unin se produce una difusin de portadores y algunos electrones de la regin n cruzan la frontera, mientras que algunos huecos de la regin p se desplazan hacia el otro lado. Luego de cruzar la unin, un electrn se encuentra en un rea de alta concentracin de huecos. Es probable la recombinacin y entonces el electrn se aniquila como portador. Un proceso similar ocurre con los huecos de la regin p. Puesto que originalmente cada regin era elctricamente neutra, las recombinaciones electrn-hueco en ambas regiones y en la
46
UNIONES p-n
47
vecindad de la unin producen capas de aceptores ionizados en la regin p y de donadores ionizados en la regin n, de manera que ambas regiones experimentan una acumulacin neta continua de carga mientras no se establezca un equilibrio y la difusin de portadores de carga a travs de la unin se vea detenida por la accin de fuerzas de repulsin entre el portador y la concentracin de carga a travs de la frontera. La unin p-n en equilibrio est simbolizada en la figura 2-7a). Debido a la carga acumulada, en la vecindad de la unin p-n aparece una diferencia de potencial; en las figuras 2-7b) Y 2-7c) aparecen la distribucin de carga y de potencial. Durante el proceso de equilibrio las cargas situadas en la vecindad de la unin han sido "barridas" y el rea se conoce como regin desrtica o de transicin o de carga espacial. La barrera de potencial que se muestra en la figura 2-7c) constituye un obstculo que deben superar los hueReginp Hueco::e+ Atomo + aceptor 8 Regin-n I --Electrn donador
neutra, su diagrama de energas de electrn es desplazado ligeramente hacia arriba respecto a la regin n por una cantidad de energa igual e q'V], siendo q la carga del electrn y VJ la diferencia de potencial electrosttico a travs de la unin. z o
(.)
: I(/uu/t;(/
W
...1
W
...1 I
,,.
<!
(!)
a: w
ffi
Figura 2-8
1--.:=
88
1
I 8 8 ~Atomo 8 8 I 000
I
Diagrama de niveles de energa de la unin pon.
+ 888
808
Densidad de carga
al
+
Distanc ia a travs del semiconductor
bl
Potencial electrosttico
Para que un electrn se mueva de la regin n a la regin p, es necesano que posea una energa suficiente para sobrepasar la barrera de potencial, el electrn debe invadir la regin p que tiene ms carga negativa que la regin n. As, a los huecos de la regin p habr necesidad de suministrarles energa externa para que venzan la barrera de potencial correspondiente. La agitacin trmica permite que algunos portadores crucen la unin a temperatura ambiente, pero ningn movimiento neto de portadores mayoritarios est balanceado con los portadores minoritarios. Los portadores minoritarios, aunque pocos en nmero, se deslizan ms fcilmente hacia abajo por la barrera de potencial. Si se aplica una polarizacin inversa a la unin p-n, como muestra la figura 2-9a), se hace ms difcil de superar, la barrera de potencial para los elec-
rl
!
I
1I111~1~
-""11+
~
Distancia a travs del semiconductor
e) Figura 2-7
La unin pon: a) despus de la difusin y la recombinacin; b) distribucin de cargas; e) barrera de potencial.
cos de la regin p, y aunque no 'aparezca en la figura, una barrera de la misma magnitud se presenta tambin a los electrones de la regin n. En la figura 2-8 se esquematiza un diagrama de niveles de energa para la unin p-n. Debido a que la regin p ha perdido algunos huecos de alta energa y ganado algunos electrones de alta energa y por tanto no es elctricamente
Regin-p
Figura 2-9
al
Regin-n
Regin-p
b)
Regin-n
Unin pon con potencial aplicado: a) polarizacin inversa; b) polarizacin directa.
48
"
OPERACION DEL TRANSISTOR
49
trones de la regin n. La nica corriente posible proviene de los pocos portadores minoritarios que hay en cada lado de la unin. La magnitud de esta corriente de fuga o inversa la determina fundamentalmente la temperatura de unin, puesto que la fuente principal de portadores minoritarios est en los enlaces covalentes rotos trmicamente. La corriente de fuga es prcticamente independiente de la magnitud del potencial de polarizacin inverso mientras no se exceda el potencial Zener, a partir del cual la corriente inversa crece muy rpidamente. La ruptura de la unin se presenta cuando el campo elctrico a travs de la misma produce ionizacin como resultado de las colisiones de los portadores de alta energa con los electrones de valencia. La ruptura Zener representa un fenmeno de emisin de campo, donde el fuerte campo elctrico en la regin de unin fuerza a los portadores fuera de sus tomos. La polarizacin en sentido directo aplicada a una estructura pon facilita el movimiento de cargas mayoritarias a travs de la unin. La figura 2-9b) indica que la altura de la barrera de potencial se ha reducido, de manera que una parte de los portadores logra cruzar la unin con facilidad. Una nueva reduccin de la barrera permite que un nmero an mayor de cargas cruce la unin, y aunque la corriente inversa persiste, es despreciable en comparacin con la corriente debida al movimiento de los portadores mayoritarios. La caracterstica corriente-potencial del diodo de unin, representada en la figura 2-10, se describe tericamente mediante la siguiente ecuacin: 1 = IR(v/kT
-
1),
(2-1)
donde 1= corriente de la unin en amperes IR = valor de saturacin de la corriente inversa en amperes q = carga de un electrn, 1.602 X 10-19 coulombs V = diferencia de potencial en volts T = temperatura absoluta en grados Kelvin k = constante de Boltzmann, 1.380 X 10-23 joule por K. Esta ecuacin es vlida para las dos polaridades del potencial y concuerda con los datos experimentales.
rrientes de fuga de mayor magnitud. En el captulo 1 se definieron fCBO e como corrientes de fuga de las estructuras pon dentro del transistor; ambas son corrientes sumamente sensibles a cambios de temperatura; su grado de sensibilidad se analizar en el captulo 3. En resumen, en la operacin de un diodo de unin pon son importantes los siguientes puntos. Al unir un material tipo p a uno tipo n se establece una barrera de potencial que limita el movimiento azaroso de los portadores mayoritarios a travs de la unin. Los portadores minoritarios, que se generan mediante el suministro de energa trmica o por algn otro medio, pueden cruzar con facilidad la unin polarizada a la inversa y su flujo es esencialmente independiente de la magnitud de la polarizacin, en tanto no se excedan las condiciones de ruptura. Con la polarizacin directa la altura de la barrera de potencial se reduce y un gran nmero de los portadores mayoritarios cruzan la unin. 2-5 Operacin del transistor. Mediante la comprensin de la operacin de una unin pon se llega a entender la operacin del transistor, que consiste, en el caso del transistor comn de unin, en dos uniones rectificadoras. La estructura bsica puede tomar cualquiera de las formas que se esquematizan en la figura 1-2: una superposicin p-n-p o una superposicin n-pon. Las regiones de emisor y colector forman las partes externas de la estructura; entre ellas est la regin delgada de base. Los circuitos externos se conectan mediante contactos relativamente grandes a cada uno de los elementos para asegurar terminaciones no rectificadoras. En el captulo 1 se seal que, en condiciones de polarizacin normal, la unin emisor-base est polarizada en sentido directo o de alta conduccin, mientras que la unin colector-base est polarizada en el sentido inverso. Ahora considrese la figura 2-11a) que muestra un transistor n-pon y sus diagramas de niveles de energa en ausencia de polarizacin. La barrera de energa se representa en el diagrama de energas del electrn y, como podra esperarse, no hay flujo neto de cargas. La unin de emisor puede polarizarse ahora en sentido directo y la unin de colector inversamente con un potencial positivo a travs de una resistencia de carga, para lograr la operacin normal.
!eBO
EmisorFF-lp
Base
Colector
Emisor -
~Ol"to,
R
L
+1
En sentido directo
-V 100 I 1.0
10
I
-=
2:
-=
-=
1
2: V/L/LO a
Base
-e~-
"t"
-1
t 1.0
+v
Inversa Ruptura
a V//// a:
(!J u a: UJ
-1-
a:
~:j~""\""""""'UJ...,J UJ
C!it:;~'
a:UJ UJ ...,J 2:UJ
Figura 2-10
Curva caracterstica tpica para una unin (diodo) pon.
UJ...,J
UJ
el
Es importante el efecto de la temperatura ambiente sobre la corriente de fuga o inversa del diodo. A mayores temperaturas, se genera un nmero mayor de pares electrn-hueco y los portadores adconales resultantes producen co-
al
Figura 2-11
bl
El transistor de unin con diagramas de niveles de energa: a) sin potenciales de polarizacin; b) normalmente polarizado.
-,
50 FISICA DE SEMICONDUCTORES
...,
OPERACION DEL TRANSISTOR 51
Los portadores mayoritarios, es decir, los electrones en la regin n del emisor, se mueven hacia la regin de base bajo la accin de la polarizacin directa aplicada a la unin base-emisor, alcanzan con facilidad la regin de la base y la cruzan fundamentalmente por difusin. En la unin de colector encuentran la barrera de potencial producida por el potencial de colector a base y, debido a que estos electrones son portadores minoritarios en la regin de base, no tienen problemas con la polarizacin inversa de la unin del colector y se deslizan hacia la parte inferior de la barrera, en el colector. De esta manera los portadores del emisor alcanzan el colector cuando est presente una polarizacin adecuada. Este fenmeno es precisamente la amplificacin en el transistor, tal como se hizo notar en el captulo 1, es decir, el paso de corriente de un circuito de baja resistencia a un circuito de alta resistencia. Cuando se aplica una seal variable en el tiempo entre terminales de base y emisor, esta seal sirve exactamente para modular el potencial esttico emisor-base; en otras palabras, altera la barrera de potencial entre emisor y base para permitir que un nmero mayor o menor de cargas emitidas alcancen el colector. El nmero de electrones que alcanzan el colector del emisor en los transistores n-pon es menor que el nmero de electrones inyectado, por el emisor, ya que en la regin de la base se produce recombinacin de electrones y huecos; el nmero de recombinaciones debe mantenerse bajo para lograr una alta eficiencia de amplificacin. En consecuencia, la regin de la base se hace de un espesor mnimo y la densidad de impurezas del material de la base se controla durante el proceso de fabricacin; estas medidas, reducen el tiempo que el electrn gasta en la regin de la base mientras se difunde en ella y delimitan el nmero de huecos con los cuales puede recombinarse. El valor de alfa, la fraccin de cargas emitidas que se colectan, depende directamente de esta recombinacin. Si la base es muy amplia, todas las cargas emitidas se recombinarn en esta regin y el dispositivo simplemente cumplir la funcin de un rectificador, con el emisor y la base como electrodos. El comportamiento en altas frecuencias tambin depende del espesor de la base. Es de esperarse que no existan fuertes campos elctricos en esta regin y, por tanto, el proceso de difusin de cargas a travs de la base es un proceso relativamente lento y la distancia recorrida por una carga es un factor importante en la capacidad del transistor para ser controlado por seales de alta frecuencia. En un transistor se observa en forma clara la limitacin debida a la temperatura al considerar que a las concentraciones normales de portadores libres se agregan pares electrn-hueco que se generan trmicamente. A temperaturas suficientemente altas estos portadores producidos trmicamente pueden ser ms abundantes que los portadores de la impureza y hacer imposible la accin del transistor. Existen otras corrientes en el transistor n-pon. lceo es la corriente colector a base con emisor desconectado y est compuesta de portadores minoritarios del colector (huecos) que se mueven hacia la base. Los huecos que fluyen de la base al emisor constituyen otro flujo de portadores que se conserva, sin embargo, lo ms bajo posible en comparacin con el flujo de electrones del emisor, por medio del control de la concentracin de impurezas en la base. En resumen, en las diferentes secciones del transistor se producen las siguientes corrientes:
1I
1. le-fundamentalmente electrones del emisor. Incluye a Iceo, huecos del colector movindose de la base y algunos electrones de la base hacia el colector. 2. lE-electrones del emisor al colector. Tambin algunos huecos de base a emisor. 3. lB-esencialmente huecos que se combinan con la corriente principal de electrones en difusin a travs de la regin de base. Tambin incluye a lceo y huecos de base a emisor. Para visualizar estos movimientos de los portadores, se representan esquemticamente en la figura 2-12. Las corrientes en las conexiones externas al transistor son atribuibles a la deriva de electrones. Los principios de operacin del transistor son los mismos, independientemente de la configuracin en que se use. En la conexin de emisor comn, la magnitud del potencial emisor-base controla la conduccin en la trayectoria emisor colector. Debido a que la corriente de carga no proviene de la fuente de seal localizada entre base y emisor, es posible lograr una gran amplificacin de corriente. Si en el dispositivo no hubieran recombinaciones de portadores en la base, la corriente de base sera insignificante y la operacin sera la de un dispositivo ideal controlado por potencial. Ahora es posible explicar por qu le = lceo cuando no hay corriente de base externa. Debido al potencial inverso colector-base, lcso existe y las recombinaciones en la base, representadas por a, necesitan huecos que sern suministrados por lceo- Entonces, de la ecuacin (1-12) lc Resolviendo para le, IC
= alE + ICBO = lE' = (/3 + 1)lcBo = ICEO'

(2-2)
La ecuacin del diodo, ecuacin (2-1), se puede usar para describir algunos aspectos de la operacin del transistor, ya que, como se ha visto, el transistor tiene diodos de unin como partes componentes. Las no linealidades de las curvas potencial-corriente han favorecido la creencia muy generalizada de que el transistor es un dispositivo amplificador de corriente, pues si bien puede obtenerse ganancia en potencial, corriente y potencia, el dispositivo tiende a amplificar linealmente la corriente de entrada. De aqu que muchas curvas caractersticas del transistor se tracen por medio de corrientes, 10 cual puede parecer una presentacin algo diferente a quien est familiarizado con la amplificacin de tubos al vaco; sin embargo, los resultados son los mismos.
Huecos
(ICBO)
en.,
re
o el Electrones
~
lB
-
<
:i
Z'
H C) ~
o.u~
\ Huecos
E .
I
Huecos (recombinacin)
n
~
~
z C!l ~ O
1
t:J
-J
v
~
H <
~
Figura 2-12
Corrientes en un transistor n-pon.
~ r,O;;: C)
cc ;
52
FlSICA DE SEMICONDUCTORES
CAPACITANCIAS DEL TRANSISTOR DE UNION
53
In
Q)
g
a:;
-c -c -c .;; <:
Q)
<:
'-'
Q)
I n(O)
Unin del emisor Borde de la regin desrtica I
La Idnjdxl es simplemente n(O)jW, con W espesor de la base e 1 = AJ, donde A es el rea de la base. En consecuencia, para que no haya recombinaciones, la corriente de colector deber ser
I[el = AqDn(n(O)jW).
Unin del colector
x
(2-4)
'"
~
I I
! , '"
Q)
Cl
La carga de electrones contenida en la regin de base Q se determina al multiplicar A por la mitad del rea del tringulo de la figura 2-13. As, Q La transconductancia
E Figura 2-13
= t AqWn(O).
(2-5)
Densidad de portadores
minoritarios en la regin de base de un transistor
n-pon. 2-6 Capacitancias del transistor de unin. Dos mecanismos de capacitancia alteran el comportamiento del transistor de unin a altas frecuencias: una capacitancia de difusin o almacenamiento, asociada con la difusin de portadores a travs de la base, y una capacitancia de barrera, agotamiento, carga espacial o transicin, presente a travs de cualquier unin pon y causada por las capas de cargas que resultan de la ionizacin de impurezas. Capacitancia de difUsin. Para analizar este efecto, considrese la figura 2-13 que muestra algo idealizada, la densidad de electrones en la regin de la base de un transistor n-pon. La distancia entre O y W representa la seccin activa de la base; E y C representan las uniones metlicas de colector y emisor. La densidad de los portadores minoritarios (electrones), inyectados a la base desde el emisor, vara linealmente desde neO) en la unin de emisor hasta cero en la unin de colector. El nivel neO) es independiente de la polarizacin directa aplicada a la unin de entrada. Los electrones que llegan a W son llevados hacia adelante y continan hacia la regin del colector debido a la polarizacin normal inversa que se aplica a la unin de colector. Por la pendiente de la curva resulta evidente la existencia de un gradiente de concentracin de portadores minoritarios en la base y, en ausencia de campos elctricos, este gradiente de concentracin produce un movimiento de cargas debido a la difusin, de manera que los electrones se difundirn a travs de la base hacia el colector de acuerdo con la ecuacin de difusin para electrones.
del transistor, gm' se define como
gm
==
aie
aVEB
I
VCB=conSI
(2-6a)
Si se considera que la ecuacin del diodo (2-1) describe adecuadamente la relacin entre ic Y VBE, entonces se obtendr, a partir de la derivada de esta expresin, la relacin entre gm y la corriente esttica de colector:
o; ~ q[c!kT.
Recurdese que la capacitancia se define matemticamente Entonces la capacitancia de difusin es dQ dQ dn(O) dIe CD=-=-----. dVOE dn(O) at dVOE Cuando las ecuaciones (2-4) y (2-5) se derivan adecuadamente con la ecuacin (2-6), la capacitancia de difusin es CD = W2gm/2Dn.
(2-M) como C == dQjdV.
(2-7)
y se combinan
(2-8) del
J, = qDnVn.
(2-3a)
Esta capacitancia une a la base y al emisor en los circuitos equivalentes transistor. La relacin de Einstein para la constante de difusin de electrones es
D; = (kTjq)J1n,
El operador del (V) simboliza la suma vectorial de derivadas espaciales de n. Para un estudio unidmensional, la ecuacin (2-3a) se convierte en J; con J; q D; n
(2-9)
= qDn(dn/dx)
(2-3b)
= densidad
de corriente
debida a los electrones, A/m2
= carga del electrn (considerada como una constante positiva) = constante de difusin para electrones = densidad de electrones, electrones/m",
donde f.1n es la constante de movilidad de los electrones en un material p. La movilidad se defme como la relacin de la velocidad a la deriva del portador a la intensidad de campo elctrico para portadores en el semiconductor (vea problema 2-6). Usando valores experimentales tpicos para f.1 y considerando T como temperatura ambiente, las constantes de difusin son 31 y 94 cm2/seg para portadores minoritarios en el germanio y el silicio, respectivamente. Capacitancia de barrera. A cualquier unin pon se asocia una capacitancia, independientemente de que est polarizada directa o inversamente. Considrese la figura 2-14; en el punto x = Xl exis te una unin pon y las capas desrticas se extienden hasta x = O Y x = X2. La densidad de aceptores en la regin p
54
FABRICACION DEL TRANSISTOR
55
es N Y la densidad de donadores en la regin n es Nd El potencial de contacto es VJ; V y V2 designan los potenciales electrostticos en las regiones p y n, respectivamente. Capas desrticas
----L1
I I
I ~ :/1\1 ~ I
~l LH-T j ~
O
Xl X2
'X
Figura 2-14
Variables definidas para el estudio de la capacitancia de barrera.
La variacin espacial del potencial en una regin que contiene cargas la predice la ecuacin de Poisson, que se expresa, para el caso de geometra unidimensional, como d2 V/dx2
= -
p/e
(2-10)
La densidad de carga en la regin es p y E es la permeabilidad del material. Para la regin p, p = -qNa Y P = qNd para la regin n. La ecuacin (2-10) se puede integrar dos veces para cada regin, con las siguientes condiciones a la frontera para la evaluacin de las constantes de integracin dVjdx dV2/dx
= 0, x = 0, = 0, x = X2,
VI V2
= 0, = V,
X X
= 0, = x2
En la unin x debe cumplirse que dVfdx = dV2/dx y V = V2. Tambin se considera que las pennitividades de las regiones son iguales. De lo discutido aqu se concluye que Xl Si este valor para
X 1
= [Nd/(N. + Nd)]X2
(2-11)
se substituye en la expresin para V2, se obtiene X2
= [2eV(Na + Nd)/qN.NdP/2
(2-12)
En la ecuacin (2-12) V = VJ 'cuando no hay campo externo; V = VJ + Val cuando Va es polarizacin inversa; V = VJ - Val cuando hay polarizacin directa. Es evidente, segn la ecuacin (2-12), que el espesor de la barrera . decrece con la polarizacin directa y se incrementa con la polarizacin inversa. Para obtener una expresin para la capacitancia de barrera. se parte de la definicin C = dQ/dV. En la reginp IQpl= qNa(x - O)A; IQn 1= qNd(X2 - x)A en la regin n. Tomando (dQn/dx2 XdxddV) se obtiene CT
= eA/x2
KV-I/2.
(2-13)
En la unin de emisor polarizada directamente CT es muy pequea y por regla general puede despreciarse en comparacin con la capacidad de difusin CD. El efecto mayor de CT se manifiesta entre colector y base. Para una unin con densidad de impureza graduada linealmente se tendr una capacitancia de transicin proporcional a V- /3 . Modulacin del espesor de la base. El potencial esttico colector a base VCB produce el fenmeno de extensin de la regin desrtica dentro de la base fsica, en magnitud igual a C - W en la figura 2-13. Cualesquiera cambios que ocurran en VCB, que podran ser los que produzca una seal superpuesta a nivel esttico, tambin afectan al espesor de la regin desrtica. La carga total contenida ah se altera entonces debido a que un cambio en el espesor de la base modifica la pendiente de la curva de densidad de los portadores minoritarios. Si se considera la difusin como el nico mecanismo que controla el valor de la corriente de colector, esta corriente debe cambiar de acuerdo con cualquier variacin en vCB' Este fenmeno da lugar a un incremento en la mayor porcin de la resistencia de salida de un transistor y se debe tomar en cuenta en cualquier circuito equivalente que describa al dispositivo. El cambio en ic causado por las variaciones en vCB afecta tambin la entrada del transistor, puesto que la corriente de base se considera linealmente dependiente de la corriente de colector por medio del factor {3. Para denotar un cambio en iB producido por cambios en VCB, el colector y la base pueden considerarse unidos por un elemento resis tivo , que se aade a la capacitancia de barrera colector-base. En la seccin 4-9 se ofrece una discusin ms amplia de los efectos de la modulacin del espesor de la base para el tratamiento del circuito equivalente hbrido-1T. 2-7 Fabricacin del transistor. En la actualidad es alto el nivel de calidad de los transistores comerciales; esto se debe en gran parte al desarrollo de las tcnicas de manufactura de la dcada pasada. Hay varios mtodos de manufactura que son importantes y que seguramente se superarn por la gran competencia que existe entre los fabricantes de transistores. El mtodo de manufactura rara vez constituye una base para la seleccin de un transistor particular para un circuito dado. Aunque el mtodo de manufactura se refleja en diferencias operacionales importantes, ser el estudio de las caractersticas y no de la fabricacin lo que determine el tipo de transistor que se deba usar. Los mecanismos de rnpurflcacin de semiconductores, que son bsicamente tres, originan los diversos tipos de transistores convencionales. Para la fabricacin de un transistor se pueden emplear las tcnicas de crecimiento, de aleacin o la difusin de impurezas en el material serniconductor, ya sea individualmente o combinadas. El crecimiento de las uniones se realiza a partir de una pequea semilla de un fragmento de material obtenido en una operacin previa. La semilla se pone en contacto con la superficie de una porcin de semiconductor fundido y se aleja lentamente de ella. El tamao de la semilla original crece debido a que el material fundido en la vecindad de la semilla se adhiere a sta y se enfra al retirada. Las caractersticas del material fundido, se pueden cambiar durante la operacin de salida o extraccin si se aaden impurezas. El cristal completo se corta en diodos o transistores y se sueldan las terminales a las reas apropiadas. La apariencia de un transistor de unin crecida es semejante a la figu-
56
FABRICACION DEL TRANSISTOR
57
ra 1-2 Y sus dimensiones tpicas son (2.54 X 10- 2 X2.54 X 10- 2 )(2.54 X 10- 1 ) cm. El dispositivo fabricado de la manera descrita se denomina tambin transistor de doble impurificacin. El transistor crecido proporcionalmente es un dispositivo cuya estructura depende de las variaciones en la velocidad de crecimiento. Es posible impurificar una fundicin con donadores y aceptores y hacer crecer un solo cristal a partir de ella. El cristal ser de tipo n si crece con rapidez y de tipo p si crece lentamente porque las impurezas difieren en sus caractersticas de solubilidad. Mediante un control adecuado de la proporcin de crecimiento es posible producir regiones alternadas p y n en un solo cristal. Una variante de este caso es el transistor de fundido inverso, en el cual una barra que contiene tanto donadores como aceptores se funde en un extremo y por enfriamiento se forma una delgada regin de base. El transistor de unin de aleacin o de fusin ha sido ampliamente usado. Una placa de material de base (por lo general germanio tipo n) se coloca en un soporte entre dos pldoras de impureza, indio, por ejemplo. La estructura se calienta hasta que la impureza se funde, 155 C para el indio, y penetra el material base, disolviendo parte de ste. Al enfriarse, el cristal recrecido constituye una estructura completa de tres capas, como se muestra en la figura 2-15a). Mediante control de temperatura, tiempo y medida de la pldora es posible lograr varias caractersticas de operacin, pero, como de este proceso resulta una alta capacitancia de unin, este tipo de transistor no es muy adecuado para operar en altas frecuencias. Cuando se introdujo, el transistor de barrera de superficie ampli la gama de frecuencias del transistor. Una oblea base muy delgada (5.08 X 10-4 cm), con pequeos contactos electroplateados que forman uniones rectificadoras, da por resultado un transistor operable a frecuencias mayores de 100 Mc/seg, Esta construccin y operacin se logr mediante un proceso de manufactura que consiste en someter una pequea pieza de germanio a dos chorros de electrlito, que pueden ser de una solucin de cloruro de indio y que chocan sobre las caras opuestas de la placa. El grabado del semiconductor se completa pasando una corriente a travs de los chorros de electrlito y el germanio. Cuando se alcanza un espesor adecuado de la base, las polaridades de la corriente se invierten y los chorros revisten de metal los contactos del emisor y del colector en cada lado de la base. Los avances en los procedimientos antes mencionados se han logrado mediante la adicin de tcnicas de difusin de impurezas a los procesos bsicos. Estas variaciones se conocen como transistor de crecimiento difundido, aleacin difundida, o de microaleacin (TMA), o microaleacin difundida (TMAP). En todos los casos, excepto en el TMA, las estructuras mejoradas tienen regiones de base con distribuciones graduadas, de impurezas para lograr un comportamiento ms adecuado en alta frecuencia. En los procesos de difusin, las impurezas de un tipo de conductividad se difunden a alta temperatura en la superficie de una barra de material de tipo opuesto, para formar una unin pon. El anlisis que se realiza en esta seccin se refiere a la difusin de impurezas en un slido; esto no debe confundirse con la difusin de portadores en relacin con las corrientes en la base del transistor que ya se estudi. Los procesos son matemticamente equivalentes. Como ejemplo de un proceso de difusin, considrese que una muestra de silicio de tipo n se coloca en un horno y se inyecta BCh, cloruro de boro, en
0
un gas portador, nitrgeno, por ejemplo. En la superficie se produce una reaccin qumica que libera boro, de manera que se forman capas de aceptores en las placas de silicio. Cuando las concentraciones de donadores y aceptores son iguales se forma una unin pon en una estructura difusa. En un lado de la unin deben predominar los donadores, mientras que en el otro deben predominar los aceptores. Debido a que los procesos de difusin siempre dan lugar a concentraciones graduadas de impurezas, se genera un campo elctrico interno que asegura la operacin en altas frecuencias. Un anlisis ms extenso de esto aparece en la seccin 2-8. Terminal del emisor Terminal del colector
Indio Terminal del emisor
Terminal de la base
-L.....L.../
Terminal de la base
a)
Colector
b)
Terminal de la base
Terminal de la base Terminal del emisor Capa protectora de Si02
~~2~~
~...
Colector
e)
Colector
d)
Figura 2-15
Fabricacin del transistor: a) unin de aleacin; b) mesa; e) planar; d) epitaxial,
En el transistor mesa o de base difusa se difunde P2 Os, pentxido de fsforo, en una regin de colector de silicio tipo n para formar la regin de base. El emisor puede ser de aluminio aleado en la base. El tratamiento con cido de las reas apropiadas de la estructura entera, da por resultado la formacin de una meseta, como puede observarse en la figura 2-15b). En el transistor de difusin doble, el emisor tambin se difunde en vez de ser aleado. En la construccin planar se utiliza la difusin y la desactivacin superficial que protege superficies y orillas de la unin contra la contaminacin. Las corrientes de fuga son bajas debido a que en las superficies expuestas se forma un aislador, el Si02 [vea la figura 2-15c)]. Un transistor epitaxial posee una capa delgada de material de baja conductividad para su colector, con el resto de la regin de colector de alta conductjvdad, como se muestra en la figura 2-15d). La capa eptaxial da al transistor capacidad para operar con altos
58
EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
59
potenciales, en tanto que la regin n + ayuda a reducir la resistencia de saturacin del dispositivo. 2-8 Consideraciones sobre alta frecuencia. Las limitaciones en el comportamiento de los transistores de unin en alta frecuencia las causan la capacitancia de difusin, la capacitancia de carga espacial y la resistencia distribuida de base, esto es, la resistencia hmica del material de base. Desde los inicios de la tecnologa de transistores se han realizado esfuerzos por reducir estos efectos. Como se seal en la seccin 2-7, el uso de regiones de base de impurezas dosificadas ha resuelto una parte importante del problema de altas frecuencias.
No
dx.
Esta ecuacin expresa el potencial del campo interno Ex causado por dNa/ Es evidente el efecto de este campo sobre los electrones que cruzan la base cuando se considera que la densidad de corriente del electrn no slo debe contener el trmino normal de difusin, sino tambin un trmino de deriva debido a Ex' Esta corriente de electrones en la base es, para an = ap' Jn = qDn(dnldx) - qDidNoldx). (2-17)
El efecto de una dNa/dx negativa es que, para un nivel dado de corriente, se requiere menos carga acumulada (el rea del tringulo de la figura 2-13). La capacidad de difusin se reduce y se alcanza un mejor funcionamiento en altas frecuencias. Area reducida de unin Emisor Base
,,----<>+VBB
N =Nd
a
X
O
Unin del emisor---...
Colector
Nd
+VEE
-Vcc
Figura 2-16
Perfil de concentracin de impurezas.
Figura 2-17
Tetrodo de unin.
Los dispositivos de base con impurezas dosificadas por lo general aseguran un comportamiento ms adecuado en alta frecuencia, debido a que la existencia del campo elctrico interno asociado a la base permite tanto los mecanismos de deriva como de difusin en el transporte de los portadores minoritarios a travs de la regin. Para mostrar que existe un campo elctrico generado por el gradiente de impurezas en la base tipo p de un transistor n-pon, considrese que la densidad de aceptores N vara segn la distancia desde la unin de emisor; dNa/dx es distinta de cero y, si vara segn la grfica de la figura 2-16, la derivada es negativa. En el caso general, la' densidad de corriente de huecos en la base tipo p depender de la difusin y la deriva. La ecuacin (2-3) da una relacin matemtica para la densidad de corriente de difusin. La deriva est descrita por la ley de Ohm; en forma general .J = O'E (2-14)
siendo a la conductividad del material y E el campo aplicado. Para los huecos de la base, la densidad de corriente en la direccin x o longitudinal es
Jp
= -qDidpldx)
+ O'pEx
(2-15)
con ap la conductividad para los huecos en el material p, y p la densidad de huecos. En un dispositivo de alta calidad debe ser muy pequea la corriente neta que atraviese la unin. Se hace (2-15) igual a cero y posteriormente se considera una inyeccin de bajo nivel de electrones desde el emisor. Esto permite que p = Na La intensidad de campo en la base ser Ex
Otro enfoque al problema de ampliar el funcionamiento del transistor a altas frecuencias es el desarrollo del tetrado de unin o transistor de doble base, que se muestra en la figura 2-17. Se obtienen ciertas ventajas de operacin si se colocan dos conexiones en los lados opuestos de la regin de base de un transistor ordinario de unin y se aplica un potencial de polarizacin entre estas dos terminales. La polarizacin interbase se hace suficientemente grande, de manera que slo una porcin de la unin del emisor opera como un emisor y el resto del emisor se corta. De esta manera la resistencia efectiva de base se disminuye debido a que la accin del transistor se efecta en la cercana de un contacto de base, y esta reduccin en la resistencia de base redunda de inmediato en la extensin del intervalo de frecuencias de operacin permisible del transistor de unin. 2-9 El transistor de efecto de campo. En el captulo 1 se hizo un anlisis muy breve de las caractersticas estticas y las definiciones de los parmetros importantes del transistor de efecto de campo. La figura 2-18 presenta el esquema del comportamiento fsico de la v.ariedad de unin de este dispositivo. La terminal de la barra de tipo p est conectada a tierra y la terminal de salida conecta con la fuente de potencial VDD. Estas conexiones son no rectficadoras, a diferencia de la conexin de compuerta que forma un diodo pon. La conductancia de la trayectoria salida-fuente es funcin directa de las dimensiones efectivas de la barra. Para una geometra simple, la conductancia de una barra de material semiconductor es G
= (qDpIO'p)(dNoldx).
(2-16)
= q)1,pWTIL
(2-18)
60
con q
J1h
RECTIFICADORES
CONTROLADOS
61
= carga del electrn
movilidad de los huecos
= densidad de los huecos
La conductancia de la unidad se puede controlar ms fcilmente por variacin de la dimensin efec tiva fsica T. Se ha dicho anteriormente que la regin desrtica de una unin inversamente polarizada se ampla cuando se incrementa el potencial. La polarizacin inversa en el TEC de unin depende de VDD y VGG y el contorno de la regin desrtica presente en la configuracin fsica de la figura 2-18 es amplio cerca de la salida y estrecho cerca de la terminal de fuente de la barra, como se muestra en el rea sombreada de la figura. El canal de la barra abajo de esta rea representa una trayectoria de conductancia relativamente alta. La altura efectiva del canal T' depende en alto grado de la polarizacin inversa de la unin. Si se aplica una polarizacin apropiada el canal se "corta" y la resistencia de la trayectoria fuente-salida tendr un valor ms alto.
estado de corte y slo puede notarse una ligera dependencia de ID sobre VDD' El potencial salida-fuente que resulta de una saturacin virtual de ID es Vp; en Vp la capa de carga espacial se ampla de manera que la barra est esencialmente cerrada. Para niveles de potencial arriba de Vp la cada de potencial en el canal se ve confinada a una boquilla de seccin estrecha cerca de la salida. El dispositivo presenta una resistencia de salida de valor alto, como puede verse por las caractersticas, que son prcticamente planas arriba de Vp. Abajo de Vp se tiene una resistencia de salida relativamente baja. Por lo comn la operacin del transistor se realiza para valores de VDS por arriba del corte; esta regin se conoce tambin con el nombre de regin "pentodo" y abajo de Vp el dispositivo se dice que trabaja en su regin "triodo". La operacin del TEC de compuerta aislada se basa en los mismos principios que el dispositivo de unin. La carga en el electrodo de compuerta repele a la carga de la regin adyacente del canal, hasta agotar los portadores mviles en el canal. Sin embargo, el MOS difiere del dispositivo de unin por su capacidad de operar con ambas polaridades de potencial de compuerta; al aplicar un potencial positivo a la compuerta de un dispositivo de canal n, la corriente de salida aumenta gracias a los portadores mviles adicionales de que se dispone para la conduccin en el canal. Oxido Compuerta
Fo
Canal Substrato
a)
n
p
.r-voo
Figura 2-18 TEC simplificado, polarizacin para canal p. Figura 2-20
Substrato
b)
Unidades MOS: a) tipo de agotamiento; b) tipo de acrecentamiento.
El conocimiento de estos fenmenos fsicos bsicos permite predecir las caractersticas de salida del dispositivo. La lnea o-a de la figura 2-19 representa la resistencia hmica del material de la barra; la caracterstica V-1 debera seguir esta lnea si la conductancia no se alterase por el efecto de un potencial salida-fuente incrementado sobre la altura de la capa desrtica. En el punto b se tiene corte y para potenciales mayores que Vp la barra permanece en el
a
ID
e VGG =K
o'
Figura 2-19
~p
'-VDD
Generacin de caractersticas de salida.
Si el canal es elctricamente conductivo en la ausencia de potencial compuerta-fuente, el MOS se conoce como de tipo de agotamiento. Si el canal es conductivo slo cuando hay potencial de compuerta, ser de tipo de acrecentamiento. En la figura 2-20 se aprecian las diferencias bsicas entre estos tipos de MOS. En la variedad de agotamiento se tiene un canal discreto, mientras que el dispositivo de acrecentamiento trabaja sobre la base de la atraccin de portadores mviles desde el substrato para formar un canal de portadores que incrementa la conduccin entre salida y fuente. 2-10 Rectificadores controlados. Aunque son similares en dimensiones fsicas y apariencia externa a los diodos convencionales de potencia, los rectificadores controlados tienen una terminal adicional llamada compuerta que es posible usar para desconectar la red nodo-ctodo. Una seal pequea de control puede servir para controlar una corriente grande de salida o de nodo; as este dispositivo, al que con frecuencia se llama rectificador controlado de silicio o RCS, tiene caractersticas de amplificacin que no poseen otros dispositivos convencionales. El RCS es un dispositivo de conmutacin y con estados activo e inactivo para la corriente de carga; la conductancia nodo-ctodo es alta o baja, res-
62
RECTIFICADO RES CONTROLADOS
63
pectivamente, en ambos estados. Por lo comn el dispositivo est inactivo, pero puede activarse por medio de una seal apropiada en la compuerta. Si los smbolos del tipo de semiconductor corresponden a ctodo, compuerta o capa de control, copa de bloqueo y nodo, respectivamente, se tratar de un dispositivo n-p-n y, como se muestra en la figura 2-21, en la estructura existen uniones de nodo, ctodo y de control. An~odo 11 Compuerta Terminal del ctod~nin del Ctod o ctod o P Capa de control n Capa de bloqueo
p
Unin de control Unin de nodo
'x
')
Anodo
Figura 2-21
RCS, smbolo y construccin.
Cuando el dispositivo est inversamente polarizado, tanto la unin de nodo como la de ctodo pueden bloquear el potencial que se aplica. Debido a que la capa de bloqueo y la capa de nodo tienen un contenido muy ligero o moderado de impurezas, mientras que las capas de ctodo y de control estn altamente impurificadas, casi todo el potencial que se aplica aparece a travs de la unin de nodo. La polarizacin normal, positiva en el nodo, negativa en el ctodo, da por resultado que la unin de control est inversamente polarizada, mientras que las otras dos uniones estn directamente polarizadas. Slo se presenta una pequea corriente de fuga hasta que el dispositivo pasa al estado de conduccin.
....
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lo.
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1
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1
1
Vp1 "so POTENCIAL EN SENTIDO DIRECTO
vF
Figura 2-22
Caractersticas de nodo de un RCS.
El estado de conduccin puede ocurrir mediante la accin de un pulso suficientemente alto de corriente o de potencial (positivo respecto al ctodo) en la compuerta. De aqu se origina una nube de huecos que se inyectan en la capa de control cerca de la terminal de compuerta. Al mismo tiempo, una nube de electrones se mueve hacia la capa de control desde el ctodo. Estos electrones, situados ahora en la capa de control, son atrados a la barrera de la unin de control, que repele los huecos inyectados desde la compuerta para que se difundan hacia la unin de ctodo. Cuando la nube de huecos se acerca a la unin de ctodo, se inyecta una nube de electrones adicional a la capa de control, debida a la carga espacial positiva; de esta manera dos mecanismos producen simultneamente la inyeccin de electrones en la capa de control. Los electrones que atrae la unin de control no tienen dificultad en deslizarse hacia abajo por la barrera de potencial asociada y llegar al nodo. La barrera de potencial de la unin de control normalmente tiene tal magnitud que se produce una multiplicacin de portadores por colisin. Al mismo tiempo los huecos del rea de nodo se mueven hacia el ctodo y en la barrera de control tambin tiene lugar la multiplicacin de portadores. La alta densidad resultante en el lado p de la unin de ctodo atrae ms electrones y el proceso contina hasta que la barrera de potencial original en la unin de control se rompe por completo y el dispositivo pasa a conduccin total. El RCS no puede pasar al estado de no conduccin con seales de compuerta y, por tanto, el potencial de nodo se debe reducir lo suficiente para que la corriente de nodo caiga a cero. Las caractersticas estticas directas de un RCS tpico se muestran en la figura 2-22. En la condicin de no conduccin hay corriente de nodo, el nivel de la cual es normalmente menor que el de la corriente IH y la cada de potencial nodo-ctodo a travs del RCS puede ser tan grande como el potencial directo de ruptura VBO' VBO es el potencial que se requiere para disparar, el dispositivo con corriente de compuerta nula. Para otros valores de corriente de compuerta la unidad deber dispararse con valores de VF menores que el nivel de ruptura. La condicin de conduccin se muestra en la figura por medio de la lnea discontinua. Cuando el dispositivo est disparado, la corriente directa tiene un valor que dictan fundamentalmente la fuente de potencia y la resistencia de carga presente en el circuito de ctodo-nodo. La corriente remanente es el valor mnimo de la corriente directa que el RCS puede tener. Despus de ser disparado, el potencial de nodo se puede reducir y la corriente de nodo decrecer proporcionalmente hasta que se alcanza el nivel IH. Para cualquier reduccin posterior en VF, la corriente directa caer a cero. Los valores tpicos de IH seran de 1 a 100 mA, pequeos si se comparan con el promedio correspondiente de corrientes directas para estos dispositivos, que es de 150 A_ De acuerdo con el anterior anlisis de puesta en conduccin por corriente de compuerta, sera de esperarse que las caractersticas de compuerta-ctodo correspondieran a las de un diodo directamente polarizado, similar al emisor de un transistor convencional. Si nuevamente se examina a la figura 2-22, se nota que para un valor especfico de VF, VFl, por ejemplo, que represente la fuente Qe poder en la red de carga de un circuito simple, el ReS no puede pasar al estado de conduccin con una corriente de compuerta menor que IC2' Las interrelaciones entre I C y VF son evidentes. Sin embargo, debido a las variaciones de produccin y a la gran influencia de la temperatura sobre las
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EL DIODO TUNEL
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caractersticas, el diseador del circuito debe conocer los lmites de las caractersticas de compuerta para asegurar que el RCS se dispare siempre cuando se d una seal de compuerta conocida. En el modelo bsico de RCS se han introducido modificaciones para lograr otros dispositivos llamados conmutadores de silicio de compuerta controlada (CCC). El funcionamiento de un tipo de CCC es similar al del RCS estndar en el primer cuadrante de las caractersticas y tambin en el tercer cuadrante. La operacin del dispositivo es semejante a la de dos RCS en paralelo, con ctodos y nodos unidos. Este conmutador, conocido como "Triac", se puede disparar por pulsos de cualquier polaridad y tanto en el primero como en el tercer cuadrantes. 2-11 El transistor de una unin. Este dispositivo recuerda al TEC en tanto que tiene una sola unin pon, pero difiere de ste en que en su operacin normal esa unin est polarizada directamente. En la figura 2-23 se presenta un esbozo fsico y el smbolo del transistor con polarizacin adecuada. El transistor de una unin, conocido algunas veces como diodo de doble base, consiste en una barra ligeramente impurificada, en este caso de silicio tipo n, con una unin que se localiza cerca de su centro. La resistencia entre la base 1 y la base 2 es la resistencia interbase RBB y es del orden de 5 a 10 kn cuando el emisor est abierto o la unin inversamente polarizada. Con un potencial aplicado VBB, el potencial en el lado n de la unin de emisor es r VBB La fraccin r se conoce tambin como la relacin intrnseca de separacin y por lo general posee un valor entre 0.5 y 0.75, 10 que indica que el emisor est algo ms cercano a la base 2 que a la base l.
Entre los puntos mximo y mnimo de las caractersticas de emisor, el transistor de una unin tiene una resistencia dinmica negativa, debido a que la pendiente de la caracterstica es negativa. Esta propiedad, es decir, la resistencia negativa, es de gran utilidad en la generacin de formas de onda, oscilaciones, Y en la amplificacin. En el captulo 13 se ampla el anlisis del transistor de una unin.
\\
\
\ \
\---VBB=K
\
\c '
'\
-, <,
VBB=K2
<,
-1m
-=-------- ----- -'"::::---':::::=-==-~=:::-.::~===-:...==

I ~
IB2=o Iv DE EMISOR
+
p
CORRIENTE Figura 2-24
lE
Caracterstica esttica de emisor para un transistor de una unin.
Figura 2-23
Construccin y smbolo del transistor de una unin.
En la figura 2-24 se presentan las caractersticas estticas de emisor de una unidad tpica. Para valores de VE abajo de r VBB, la unin del emisor est polarizada inversamente y slo es posible un nivel muy bajo de corriente de emisor. Un incremento de potencial emisor-base 1, de manera que la unin est polarizada directamente como en Vp, permite la inyeccin de huecos en la barra. Estos huecos son repelidos por la base 2, pero su presencia en la barra incrementa su conductividad entre el emisor y la base 1. Esta conductividad incrementada da lugar a una cada de potencial VE necesaria para mantener un nivel dado de corriente lE. Si se supone que al dispositivo lo alimenta una fuente de corriente lE, cualquier incremento en esta corriente aumentar la conductividad y la cada VE decrecer. Este proceso contina hasta que se alcanza el valle, con coordenadas Vv e Iv y, para valores de corriente de emisor mayores que Iv, la parte de emisor del dispositivo se comporta como un diodo convencional de unin pon polarizado directamente, como puede verse en la curva de IB2 = O de la figura 2-24.
2-12 El diodo tnel, El diodo tnel, tambin conocido como diodo Esa. ki, es un dispositivo de dos terminales que presenta una regin de resistencia incremental negativa y que por lo general est hecho de germanio o arseniuro de galio.
En el diodo tnel ambas regiones p y n estn fuertemente impurificadas y, en consecuencia, la regin desrtica es en extremo estrecha; los portadores pasan a travs de la barrera de potencial por efecto tnel si la propia barrera es suficientemente delgada (del orden de 10-6 cm) y si en el otro lado existen niveles de energa disponibles. El smbolo del diodo tnel aparece en la figura 2-25. El dispositivo, en operacin normal, est polarizado directamente, con el positivo en el material P. Las caractersticas de corriente y potencial en un diodo tnel tpico tambin se dan en la figura 2-25. La regin de resistencia negativa se puede apreciar en la vecindad de e), y para valores altos de potencial directo por arriba del valle Vv, el dispositivo se comporta de manera similar a los diodos convencionales. Para potenciales inversos se hace evidente una corriente inversa de gran magnitud.
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IF
DISPOSITIVOS DE CONTACTO METALICO
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y-Vr-"
~
Diodo ~convencional
VF
aracterstica, una mayor polarizacin directa reduce la corriente directa abajo de su valor pico, debido al reducido nmero de estados disponibles en la banda de valencia de la regin p, opuestos a los niveles de conduccin en la regin n. Para una polarizacin directa suficientemente grande, como en d), el dispositivo opera como en un diodo convencional. Las unidades de arseniuro de galio difieren de los diodos tnel de germanio en el hecho de que sus potenciales mximo y mnimo son aproximadamente el doble. Para una unidad tpica de germanio Vp = 75 mV, Vv = 330 mV, Ip = 20 mA e L; = 2 mA. Si en el proceso de manufactura de un diodo tnel se usan menos impurezas, el pico de corriente decrece, de manera que ste es ligeramente mayor o igual que la corriente mnima. Este dispositivo se conoce como diodo inverso y su curva caracterstica tpica se muestra en la figura 2-27.
1
Figura 2-25
Sn bolo del diodo tnel y curva caracterstica tpica potencial-corriente.
La operacin fsica del diodo tnel se debe considerar en relacin con las regiones a), b), e) y d) de la curva caracterstica de potencial corriente. Los correspondientes diagramas de niveles de energa se dan en la figura 2-26. En ausencia de polarizacin, como en a) de la figura 2-25, se establece un potencial de contacto como el de cualquier unin Pon. La polarizacin directa de la unin, como en b) de la figura, permite que el nivel de las bandas de conduccin est opuesto a los estados vacos del material p. El efecto tnel cun tic o ocurre a travs de barreras muy delgadas, como muestra la flecha. En c) de la figura 2-26, que corresponde a la porcin e) de la curva
N
Figura 2-27
Curva caracterstica de un diodo inverso.
Electrones de la banda de conduccin J
1jj////I!;1Ii
r=:
~\\\\\~
e)
1.
------'".
a)
b)
/////////#'~
I!!////J~
/"
-~~\\~
d)
Figura 2-26
Diagramas de niveles de energa para el diodo tnel; las letras se refieren a los puntos en la curva caracterstica de la figura 2-25.
Si se usa en la direccin inversa, el diodo inverso, tiene una conductancia mayor que un diodo convencional polarizado directamente. Al usarse en sentido directo puede servir como regulador de bajo potencial y si se conecta en serie con otros componentes, como diodos tnel, la curva V-1 compuesta puede ser de inters. 2-13 Dispositivos de contacto metlico. Desde hace tiempo se sabe que la accin de rectificacin se puede obtener a partir de un contacto de metal semiconductor y que tambin es posible lograr un contacto hmico o no rectificador entre estos materiales; todos los dispositivos analizados hasta aqu emplean tales contactos. El que un contacto particular sea o no rectificador depende del metal o del semiconductor Que se emplee. Para formular una regla general a seguir en la determinacin del comportamiento de un contacto, se puede usar la fUncin de trabajo, del material como caracterstica de prueba. La funcin de trabajo de un material se define como la cantidad de energa necesaria para que un electrn salga de la superficie del material, o que escape por completo de la atraccin de las partculas del material. Si se designa la funcin de trabajo del metal como y la del semiconduc tor por el con tacto ser hmico si m s m < s, y rectifica si m > s.22 Tambin es posible obtener un contacto hmico si el metal y el semiconductor se pueden alear, con lo cual se logra una "transicin gradual entre ambos materiales. Hayexcepciones a estas reglas. Los rectificadores comerciales que usan un contacto metal-semiconductor p:ua su operacin son los rectificadores de selenio y de xido de cobre y el diodo de contacto de punto, cristal. El rectificador de selenio emplea la unin
68
FISICA DE SEMICONDUCTORES MICROELECTRONICA 69 En el rea general de la microelectrnica se incluyen los circuitos de pelcula delgada, en los cuales las capas de materiales conductores, aisladores, semiconductores o ferromagnticos se depositan en una plantilla sobre un substrato pasivo, un substrato es el material de base o ncleo de un microcircuito y puede ser pasivo, como el vidrio, o activo, como el silicio. Los ejemplos de microcircuitos que se dan en esta seccin no son del tipo de circuitos de pelcula delgada. Terminal del emisor S.O Terminal del I 2 colector Ctodo comn
entre selenio y cadmio, plomo o estao. Estos mismos metales se emplean a veces en contacto con el xido de cobre en el rectificador de xido de cobre, mientras que el diodo de contacto puntual se fabrica a partir de un pequeo trozo de material semiconductor, germanio por ejemplo, y un alambre fino, bigote, que se adelgaza en un extremo hasta que tenga la dimensin de un punto. Cuando se tiene un punto adecuado para la rectificacin en la superficie del material, la unidad recibe un pulso de corriente que permite soldar el alambre a la pieza. Por supuesto que la capacidad de manejo de potencia del dispositivo depender del dimetro del alambre. Emisor Colector
+VEE Figura 2-28
Reginn Reginp
+Vcc Transistor de contacto de punto.
Terminal de aislamiento -del diodo-a) Figura 2-29
Terminal de aislamiento --del diodo-b)
Terminal de aislamiento --del diodo-e)
Elementos de circuitos integrados: diodos.
a) transistor; b) resistencia; e) par de
Los primeros transistores fueron del tipo de contacto de punto, pero se dejaron de usar debido a las muchas ventajas de los transistores de unin. En la figura 2-28 se muestra un transistor de punto de contacto. Con frecuencia el colector es un alambre de bronce con fsforo. Las regiones p y n se introducen en el germanio por formacin, mediante el paso de una corriente de gran magnitud a travs del contacto en la direccin inversa. El diodo emisor-base tambin hace uso de dispositivos de contacto puntual. Los dispositivos de contacto puntual presentan una o: mayor que la unidad y la estructura tiene un comportamiento que corresponde ms a cuatro capas de material semiconductor que a tres, como es el caso de las estructuras convencionales p-n-p o
n-p-n.
2-14 Microelectrnca, El trmino microelectrnica se emplea por lo general para describir al conjunto de tecnologas que se Usan para producir circuitos completos o mdulos de un tamao extremadamente pequeo. Adems de la microminiaturzacn, las tcnicas de la microelectrnica ofrecen otras ventajas sobre los circuitos convencionales, como la uniformidad que se logra, adems de la confiabilidad, el peso mnimo y la disminucin en potencia consumida y en costo total. El ensamblado de microelectrnica se caracteriza en general por la ausencia de elementos discretos de circuito; los elementos no necesariamente se reconocen y no forman partes separables del montaje en su conjunto. Un circuito integrado o microcircuito es un dispositivo que realiza la funcin de un circuito completo o de una parte importante de un circuito fabricado por medios convencionales, en el cual los elementos del circuito, tanto pasivos como activos, estn incluidos o integrados a una oblea slida de material semiconductor. El procedimiento para la fabricacin de circuitos integrados consiste en la difusin selectiva de impurezas adecuadas en una oblea de silicio, para simular las funciones de un conjunto de elementos individuales.
El procedimiento que se usa para fabricar circuitos integrados es producto de mtodos desarrollados para el transistor planar. Un transistor de circuito integrado, como el que se muestra en la figura 2-29a), se puede elaborar a partir de una oblea pulida de silicio tipo n, por ejemplo, y mediante la formacin de una capa de Si02 sobre sus superficies por exposicin al oxgeno a altas temperaturas. La oblea se cubre con un material fotosensible y se expone a la luz ultravioleta a travs de una mscara que delinear las reas de los elementos del circuito. Al revelar fotogrfcamente y grabar el Si02 se definen las reas importantes de la superficie de la oblea. La difusin de la impureza de tipo p a travs de canales abiertos en la capa protectora de la cara superior y tambin de toda la cara inferior da por resultado una capa de material p como la que aparece en la figura. La unin entre esta regin p y el material n remanente forma el diodo de aislamiento que se analiza ms adelante. Al repetir la secuencia fotogrfica de operaciones que antes se menciona con la difusin de impurezas apropiadas se obtienen las regiones de base tipo p y de emisor tipo n tal como se ve en la figura. Despus de completar las secuencias de enmascaramiento, el grabado, la difusin y la oxidacin, es necesario interconectar los diversos elementos sobre la oblea de silicio. Se perfora la capa exterior de xido y las obleas se colocan en una cmara de alto vaco en la cual se evapora aluminio. El aluminio se d~posita en una ligera capa sobre toda la oblea y esta capa se graba adecuadamente para formar la plantilla de conexiones. Debido a que se hacen muchos circuitos integrados al mismo tiempo en obleas relativamente grandes, el paso final consiste en cortar la oblea para formar los circuitos individuales. Para separar los elementos del circuito contiguos se forma una capa adicional p difusa que forma una unin p-n de aislamiento adherida al colector del transistor. El diodo de aislamiento estar inversamente polarizado de manera
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F1SICA DE SEMICONDUCTORES
PROBLEMAS PROBLEMAS
71
que a los elementos interconstruidos los asle este diodo. El colector del transistor tendr salida por la parte superior, tal como se muestra. En la figura 2-29b) se muestra un resistor de circuito integrado. La resistencia es simplemente la de la regin p entre los contactos y su valor lo determina fundamentalmente la distancia entre contactos y la densidad de impureza en la regin. Por otro lado, en la figura 2-29c) estn esquematizados dos diodos con un ctodo comn de tipo n, que sirve tambin como ctodo del diodo de aislamiento. Si los diodos se polarizan inversamente, se pueden usar tambin como capacitancias de bajo valor, si se emplea el Si02 como dielctrico entre el silicio o un electrodo de aluminio depositado. La capacitancia de tal estructura est controlada por el rea de la placa y el espesor del dielctrico. Es posible producir elementos de circuitos integrados aislados sin el diodo parsito de aislamiento. Uno de tales mtodos, el aislamiento dielctrico, se efecta con una difusin de impurezas en un substrato tipo n seguido de un crecimiento de xido sobre toda el rea superior. El substrato original se remueve y se hace crecer un nuevo substrato de silicio policristalino por encima de la capa de xido previamente formada. Esta estructura se invierte de manera que el nuevo crecimiento forme la base. Entre el substrato y todas las reas activas hay una capa de xido que suministra el aislamiento necesario. 2-15 Otros dispositivos semiconductores. El diseador de circuitos cuenta en la actualidad con una muy importante familia de elementos activos y pasivos, y todo hace pensar que esta familia crecer en grandes proporciones. Se examinarn algunos de los miembros de ella: el condensador de silicio, el termistor, el varistor y el fotodiodo. En una unin p-n la regin desrtica o de transicin se ampla con el potencial inverso, que separa las dos reas de conduccin y disminuye la capacitancia de unin exactamente como si la unin constara de dos placas metlicas separadas por un dielctrico de espesor variable. Un dispositivo de silicio que opera con este fenmeno se llama condensador de silicio o varactor. Tiene variaciones tpicas de 120 a 22 pF para potenciales del orden de 0.1 a 25 V (1 pF == 1 picofarad == 10- 12 farad). El varactor o reactor variable, encuentra una extensa aplicacin en los amplificadores paramtricos, donde la no linealidad de sus caractersticas capacitancia-potencial se usa para amplificar seales de microondas. El termistor es una resistencia trmicamente sensible, con un coeficiente de temperatura grande y negativo. Por muchos aos los termistores se han usado en circuitos trmicamente compensados. Como ejemplo de la sensibilidad a temperatura ambiente, se mencionar que una unidad con 10,000 n a 00 C puede tener 200 n a 1000 C y 10 n a 3000 C. La resistencia que presenta una relacin no lineal entre el potencial aplicado y la corriente se llama varistor. La curva V-] directa de un diodo presenta caractersticas similares de no linealidad. Los varistores comerciales se pueden obtener para potenciales y corrientes de valores altos y bajos. As como los semiconductores son sensibles a la energa trmica, lo son tambin a la luz. Un fotodiodo consta de una unin p-n; la energa luminosa produce pares electrn-hueco y si el diodo se polariza inversamente su conductividad se alterar con la incidencia de la luz. El fototransistor es una estructura de tres capas n-p-n, por ejemplo, con slo dos terminales externas. Tambin se pueden obtener unidades fotosensitivas de contacto de punto.
2-1. La ecuacin (2-1) predice la ruptura inversa? Explique la respuesta. 2-2. Evale el exponente de la ecuacin (2-1) para una temperatura ambiente normal (3000 K). 2-3. Trace una curva similar a la de la figura 2-10, que compara los diodos de silicio y germanio. Cmo afectara el ancho de la banda prohibida a las caractersticas del diodo? 2-4. Trace la curva caracterstica directa de un diodo con una corriente inversa de saturacin de 10 J.1A para potenciales de 1 Y. Calcule cuando menos tres puntos de la curva directa. Considere la temperatura de 3000 K. 2-5. El trmino movilidad se usa para designar la facilidad de un portador de desplazarse a la deriva en un slido. Movilidad es la relacin de la velocidad de deriva respecto a la intensidad de campo elctrico: Vd cm/seg .t = E
Y/cm'
Demuestre que la conductividad de una muestra de material se puede expresar como nqu; n es la densidad de electrones libres que se consideran los nicos portadores. 2-6. En el germano intrnseco la movilidad de los huecos <fJp) es 1800 cm2/Yseg y la movilidad del electrn ~) es de 3800 cm2/Yseg. Si la conductividad medida en un material es de 0.01 (n cm)-I, calcule la densidad de los pares electrn-hueco (vea el problema 2-5). . 2-7. Calcule la resistividad de una unidad de silicio impurificado con 1016 donadores por cm>. La muestra tiene una longitud de 1 cm y una seccin de 2 X 2 mm, Determine la resistencia de la barra entre contactos que se localizan en los extremos de la dimensin longitudinal y tambin entre los contactos ubicados en lados opuestos de la dimensin mas pequea. Considere una movilidad del electrn de 1200 cm2/Yseg a 3000 K. 2-8. El nmero de pares electrn-hueco trmicamente generados en germano intrnseco est dado por ni = IOI6T3/2e-Eg/2kT (cm)':". Para temperaturas de 200, 300 Y 4000 K calcule la densidad de pares. Eg es el ancho de la banda prohibida. 2-9. Una muestra de germanio presenta una resistividad de 0.6 D.m. Encuentre la densidad de corriente en un campo aplicado de 1 Y/m si hay 1018 donadores y 4 X 1017 aceptores/m-' agregados a la undad. Las movilidades para los electrones y los huecos en el germanio deben considerarse de 3800 y 1800 cm2/Yseg. 2-10. Describa la operacin de un transistor p-n-p trazando un diagrama de niveles de energa similar al de la figura 2-1l. 2-11. Por qu existen portadores minoritarios? .Explica este razonamiento la diferencia en l CBO entre los dispositivos de germano y silicio? 2-12. Explique por qu los dispositivos semiconductores hechos de silicio pueden operar a mayor temperatura ambiente que los de germanio. 2-l3. Considere las caractersticas de salida de base comn que describen ICBO (lE = O), as como las curvas para otros valores de lE' Puesto que l CBO est producida por portadores minoritarios mientras que el resto de curvas de la familia resulta del movimiento de portadores mayoritarios. Explique por qu ambos causan una corriente de colector en la misma direccin. La explicacin puede ser ms clara con ayuda de un diagrama. 2-14. Explique claramente por qu un transistor conectado con base comn puede mostrar actividad como transistor con el potencial de la unin colector-base reducido a cero. 2-15. Se ha investigado la dependencia de alfa respecto al espesor de la base, con los siguientes resultados tericos:
fl>b
= 2.6/ W2 para germanio
p-n-p,
j~b = 5.6/ W2 para germanio n-p-n,

f~b
1.8/ W2 para transistores de silicio,
72
donde flJ<b simboliza la frecuencia de corte de alfa, la frecuencia a la cual ex ha decrecido hasta 1/.../2 de su magnitud en baja frecuencia, y W es el espesor de la base en pulgadas.22 Compare la operacin de los tres transistores con espesor de base 1/2, 1 y 2 mm. 2-16. Obtenga las ecuaciones (2-6b) y (2-8). 2-17. Obtenga las ecuaciones (2-11) y (2-12). 2-18. Explique, usando un argumento fsico, por qu puede ocurrir el paso al estado de conduccin en un RCS cuando no hay seal de compuerta. 2-19. Explique por qu existe una corriente inversa grande en los diodos tnel.
CAPITULO
BIBLIOGRAFIA
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El punto de operacin
En este captulo se inicia el tratamiento del transistor como parte importante de circuitos electrnicos prcticos. Hasta aqu, el transistor se ha considerado como una componente aislada; ahora se le incorpora a un circuito completo, con una operacin determinada. El primer tema que se trate ser el relativo al punto de operacin adecuado para un circuito y la comparacin de diferentes esquemas. En primer trmino se presenta el anlisis del transistor convencional, la conexin de emisor comn y posteriormente seguirn otros temas como 'la polarizacin del TEC y la conexin de fuente comn. El material que se presenta puede fcilmente extenderse a otras conexiones de estos disp ositivos. En el diseo moderno de circuitos electrnicos es de primordial importancia establecer un punto de operacin apropiado para una etapa con transistores y mantener este punto de operacin fijo, independientemente de las variaciones que pudieran presentarse por diferencias de manufactura entre unidades, envejecimiento, cambios de la temperatura ambiente, etc. Para establecer el punto de operacin de un circuito de emisor comn deben suministrarse los potenciales y las corrien.es directas necesarios para establecer las coordenadas de la regin activa de las caractersticas del colector. Despus de ubicar el punto de operacin, las variaciones en tiempo de la seal de entrada, corriente de base por ejemplo de cierta magnitud debern producir variaciones en la seal de salida de la misma forma de onda y mayor magnitud. Si estas variaciones de salida estn recortadas o no reproducen satisfactoriamente la seal de entrada, es probable que el punto de operacin no haya sido bien seleccionado y deba ser revisada su posicin en las caractersticas de colector. Un punto de operacin puede definirse mediante valores determinados de lB y VeE o de lB e le o bien le Y VeE Y se conoce tambin con el nombre de punto Q. 3-1 La lnea de carga esttica. La lnea de carga esttica o de cd es una lnea trazada en las caractersticas de colector y constituye el lugar geomtrico de los puntos de operacin posibles para el dispositivo en el circuito particular al que est conectado. Su uso en anlisis de circuitos es dar una idea de lo apropiado del punto de operacin. 73
74
EL PUNTO DE OPERACION
ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION
75
Considrese el circuito general de la figura 3-1; la suma de los potenciales en la malla de colector-emisor da Vee
= le Re + VeE + IER1
VEE.
(3-1a)
Como le e lE son aproximadamente como Vee = le(Re

y la solucin para le es Vee
iguales, la ecuacin (3-1a) puede escribirse
1. Sumar todas las resistencias en la red de emisor-colector. La recproca negativa de este valor da la pendiente de la lnea. 2. Sumar los potenciales de todas las fuentes en la red de emisor-colector. Esto determina un punto en el eje VeE de las caractersticas de colector. 3. La interseccin con el eje le se determina por la suma dada en el paso 2 dividida por la suma dada en el paso 1. 4. Trazar una lnea recta entre los puntos definidos en los pasos 2 y 3. Ejemplo. Una etapa de emisor comn trabaja con una carga resistiva de 5000 n y tiene una resistencia de emisor de 1000 n. La fuente de potencial de colector es de 12 V. Dibuje la lnea de carga de cd y localice un punto de operacin en le = 1 mA. La resistencia total de la red emisor-colector resulta de 6000 n. La lnea de carga intercepta al eje VeE en Vee ~ 12 V Y al eje le en Vecl(Re +Rd o sea en 2 mA. En la figura 3-2 se localizan la lnea y el punto Q.
+ R1) +
VeE - VEE.
(3-1b)
+ VEE
le
Re
+ R,
VeE
Re+ R
(3-2)
Las caractersticas de colector relacionan le con VeE. La ecuacin (3-2) se puede trazar como una lnea recta en estas mismas coordenadas, con una pendiente de -l/(Re +Rd Y con una interseccin del eje de le en (Vee + VEE)/(Re + R d Cuando la ecuacin (3-2) se superpone a las caractersticas de colector, recibe el nombre de recta de carga de cd. El punto de operacin o punto Q debe estar sobre esta lnea y tambin sobre la lnea lB determinada por la red de polarizacin de base.
+VBB +vcc
E
:2
W
70 60 50 40 Vcc_ ~
~
~
a::
W
...J
~ u
o U w w
o Rc+R
<,
tan Re +R1
-1
30 20
RB
-+ lB
~
W
:2
Q"",,-
10
a::
a::
~
POTENCIAL
1--
'-
Lnea de carga de 6000 ohms A EMISOR
lB=OJ.A
COLECTOR
(YcE)
Figura 3-2 -VEE Figura 3-1 Circuito general de polarizacin de un transistor.
Lnea de carga cd en las curvas caractersticas de colector para el ejemplo citado en el texto.
Para circuitos que usan una resistencia de emisor R 1, el valor de esta resistencia debe sumarse a Re con el objeto de establecer la pendiente de la recta de carga y la interseccin con el eje le. La recta de carga se origina en el punto en que la coordenada VeE es igual a Vee + VEE. Cuando no se usa fuente VEE, caso frecuente, la lnea parte de Vee. Las reglas generales para trazar la lnea de carga de cd para una etapa amplificadora de emisor comn pueden resumirse de la manera siguiente:*
* Estas reglas se deben modificar cuando se localiza un nodo del circuito entre la fuente de emisor o colector y el transistor (vea el problema 3-3).
3-2 Estabilidad de la polarizacin. En un buen diseo del circuito es indispensable que, una vez localizado un punto de operacin, no le afecten de manera importante las diferencias que existen entre unidades del mismo tipo de dispositivo ni los cambios de temperatura ambiental, y puesto que se ha sealado que el punto de operacin se puede especificar mediante varias coordenadas (lB, le. les), es importante determinar cul es la coordenada que puede asegurar mayor estabilidad del punto de operacin. Corno, ejemplo de este problema, considrese la figura 3-3. El punto de operacin est localizado en Q y una corriente variable de alrededor de 120 /lA pico a pico causa una variacin de corriente de colector de 3 mA pico a pico. La corriente de colector es una reproduccin bastante fiel de la seal de base y no existe recorte de la forma de onda debido a corte o saturacin. Esta es operacin Clase A.
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VARIACIONES EN LOS PARAMETROS
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Si un transistor del mismo tipo pero con diferentes caractersticas elctricas, fuga, ganancia o saturacin, se insertara en el mismo circuito o bien la temperatura ambiente cambiara notablemente, la operacin se convertira en la que se muestra en la figura 3-4. Aunque el punto Q permanece en lB = -100 .LA, la misma seal de entrada considerada anteriormente (120 .LA pico a pico), produce una salida recortada. La etapa se ha llevado hasta la regin de saturacin de las curvas caractersticas y la salida no sigue ms las variaciones de la entrada. La diferencia principal entre las dos curvas es que la de la figura 3-4 describe una unidad de alta ganancia. Debido a las amplias tolerancias de manufactura en los parmetros, {jcd en este caso, el problema que se analiza aqu es real y debe ser resuelto por el diseador del circuito.
-lU
A partir de estas ideas se elaborar el circuito elctrico equivalente de un transistor, que se usar para el anlisis matemtico de los circuitos a transistores.
-10
<t V
"f
r-,
1
---t
E -8
c:
I I
-8
<t E -6 c:
l'1
.x
y~
~
r-,
1200
--\
<,
Variacin de la corriente de base
'"
1'.
rQ
r-, /
160
./
\
1"-,
1/
120
'"<J ..
.,
r-,
ru"
280
./
-240 ___ v -200
Variacin de la L>vI corriente de base
-2 o
-,
80 1IB=-40.A
-,
./
V
V
1" J
/\
V
-4
\ V
./
r-, V
V
~/
corriente de colector
Figura 3-4
I
-6 VCEen -8
-2
-4
-10
12
14
volts
160 120 80
\/la de
,jp
-2 O
Operacin tpica de la etapa de la figura 3-1 operando a la misma corriente de base que en la figura 3-3. Las curvas caractersticas del transistor representan una unidad de mayor ganancia.
\
2 4
comen p colector
Figura 3-3
\
-6 -8 -10 VeE en volts -12
1 11
-14
lB =-40 jJ.A
Operacin tpica de la etapa de la figura 3-1. Una corriente senoidal de base produce una corriente correspondiente de colector de mayor amplitud.
Cmo puede selecctonarse un punto de operacin que minimice los efectos de manufactura, envejecimiento y temperatura, y limite la distorsin causada por estos efectos? El estudio de las figuras 3-3 y 3-4 muestra que la estabilizacin de lB no es la solucin deseada a este problema, ya que lB se mantuvo
constante en el ejemplo anterior, mientras las otras coordenadas del punto de operacin se desplazaron. Si se mantiene constante un punto situado sobre los
Se ha subrayado anteriormente que el diodo emisor-base siempre se encuentra polarizado en sentido directo. Las variaciones en las propiedades del sentido directo de este diodo, que por lo general son grandes, se pueden atenuar mediante una resistencia externa. El diodo colector-base est siempre inversamente polarizado; sus variaciones sern tambin grandes, pero, puesto que hay presente una resistencia alta y esta resistencia influye en la pendiente de las curvas de colector, el efecto ser ms o menos secundario y se despreciar en el anlisis que sigue.
leEo
ejes de coordenadas de la curva, como un valor particular de le por ejemplo, se obtendr una operacin ms satisfactoria. Si en las figuras 3-3 y 3-4 el
punto Q se hubiera mantenido en le = -2.5 mA en lugar de en lB = -100 .LA, no se habra presentado la distorsin de la seal. La ganancia no se estabilza con este mtodo, pero existen otros que la aseguran y que sern tratados ms adelante; el objetivo de este captulo es la estabilidad del punto de operacin y lo apropiado de ste. Debido a que se pueden usar varias redes para polarizar las etapas de transistores, es necesario analizarlas comparativamente para su evaluacin. Un medio de evaluacin de circuitos que tiene amplia aceptacin es el estudio de la estabilidad relativa de le respecto a cambios en los parmetros de cd del dispositivo. La seccin 3-3 contiene un anlisis breve de estos parmetros. 3-3 Variaciones en los parmetros. En el captulo 1 se demostr que la corriente de colector de un transistor est constituida por dos componentes, una correspondiente a fuga y la otra a la corriente de entrada amplificada: lc
= 1 Bo ..2!.
14'
oe
le tlE
E
Figura 3-5
Circuito equivalente de cd para un transistor conectado con emisor comn.
f3JB
+ lCEO'
(3-3)
La atencin se centrar ahora en los generadores de corriente del circuito equivalente. El parmetro alfa puede diferir en un porcentaje muy bajo de unidad a unidad, de manera que esta tolerancia de manufactura afecta poco las consideraciones sobre la estabilidad de la polarizacin. Una contribucin mayor
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ANALlSIS DE CIRCUITOS
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a la inestabilidad la da el factor (1 - o) que se encontr en {3, y este trmino se deber reducir a un mnimo. Para un transistor con una a: de 0.97, 1 _ a: ser de 0.03. Si a: es de 0.99 en un transistor que substituye al anterior en el circuito, el trmino (1 - o) tendr un valor de 0.01. As, con los valores mencionados, en (1 - o) hay un 67 % de cambio, mientras que en a: ser menor que el 2 %. La variacin en fCBO es tambin de. gran importancia. Para un transistor de gennanio fCBO generalmente vara de acuerdo a la frmulalCBO
= AoeO.08(T-To)
(3-4)
donde Ao es el valor medido de lCBO a la temperatura de referencia, T es la temperatura de operacin de la unin del colector en grados centgrados y To es la temperatura de referencia en grados centgrados, por lo comn 27 C. La constante 0.08 representa un promedio determinado sobre un gran nmero de pruebas de transistores. En la figura 3-6 aparecen variaciones tpicas en fCBO. La figura representa fCBO contra temperatura para unidades de gennanio y silicio. En las unidades de gennanio se puede esperar hasta un 8 % de variacin en la corriente de fuga por C. Los transistores de silicio tienen en general menos sensibilidad a la temperatura. En resumen, las variaciones importantes de unidad a unidad se manifiestan en la magnitud del factor de amplificacin y en la magnitud de la corriente de fuga y, en consecuencia, la lnea de corriente de entrada nula de las caractersticas diferir para cada unidad, as como el espacio entre lneas de corriente de entrada constante. Los cambios de temperatura tendrn algn efecto en hFE, cuya variacin est dada en la figura 4-16. La corriente de fuga depende de manera importante de la temperatura. El cambio resultante en las caractersticas ser un efecto de escalera, con la altura del primer peldao, fuga, dependiente de la temperatura; los peldaos superiores se movern hacia arriba o hacia abajo con el primero.
1000
3-4 Anlisis de circuitos. La seleccin de un punto de operacin depende de varios factores, entre los cuales estn el mximo de las variaciones de seal que va a operar la etapa que se analiza, la carga, las fuentes de potencial con que se cuenta y la distorsin tolerable de la seal. Con una seleccin apropiada del punto de operacin se puede optimizar la ganancia. Muchos fabricantes proporcionan un "punto de operacin recomendado" que es, a menudo para transistores de baja potencia, el de fc = 1 mA y VCE = 5 V, pero no necesariamente debe operarse en este punto. No existen reglas especficas para seleccionar el punto; ser ms bien el estudio de diseos concretos lo que d al lector la capacidad para hacer la seleccin con base en los factores que influyen en el diseo del circuito. La seleccin de una red de polarizacin se puede hacer una vez que se analicen los diversos esquemas que en la prctica han demostrado ser de gran utilidad. En los prrafos que siguen se presentan algunos circuitos, que se pueden comparar segn los siguientes criterios: 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. Sensibilidad a la temperatura y a tolerancias de manufactura; sensibilidad a cambios en las potenciales de las fuentes; nmero de fuentes requeridas; disipacin de corriente en las fuentes; nmero de componentes de circuito; resistencia de entrada presentada a la seal; magnitud de la degeneracin (prdida en ganancia).
!/ 100
V
/
~ '"o ... 10 1= (2N43)
lo~
.... ~
Col
.c
"t- Silicio
(2N2192) t-,-
Germanio
-f../ ~
'=
ID'
1.0
D ,,/
LI
Desde luego que para un circuito dado no todos los factores anteriores tienen la misma importancia y, como se ha visto anteriormente, el n." 1 puede causar grandes dificultades, por lo que la atencin mayor se concentrar en la estabilidad del punto de operacin. El estudio del problema de estabilidad se iniciar al investigar lc, para hacerla independiente de fCBO Y de (1 - ). Despus de lograr esto, an es posible que la ganancia de la etapa vare a causa de ciertas influencias que se precisarn en un captulo posterior. Sin embargo, una parte del problema general se resuelve si en una etapa amplificadora se puede evitar una excitacin que la lleve a saturacin o corte en forma prematura e imprevisible. Qu es lo que causa la variacin de Ic? En el siguiente anlisis de mtodos de polarizacin se nota muy claramente la similitud entre las ecuaciones para lc, que contienen trminos con a: (1 - o) e fCBO: se ver que con frecuencia los efectos de los trminos (1 - a) se pueden minimizar, mientras que los trminos que incluyen lcso no son fciles de eliminar. Se estudiarn los mritos relativos de cada circuito . Para simplificar el anlisis de las etapas de emisor comn se harn las siguien tes consideraciones: 1. El potencial base-emisor VBE es insignificante, es decir, las cadas a travs de las resistencias R 1 Y R2 son mucho mayores que VBE. Si se desea un anlisis ms detallado del circuito se pueden hacer correcciones considerando que en todos los casos VBE es menor que 0.8 V Y por lo general es menor que 0.2 V para los transistores de gennanio de baja potencia. 2. El potencial colector a emisor V CE tiene un efecto despreciable en la corriente de colector. As, para los propsitos de este anlisis fc se forma
0.1 0 25 50 75 100 125 150 TEMPERATURA DE LA UNION EN C.
Figura 3-6
Variaciones tpicas de ICBO con la temperatura.
..
80
POLARIZACION FIJA
81
fundamentalmente de dos componentes, de acuerdo con la ecuacin (3-3) y depende del potencial de colector slo en la medida en que /B depende de l. 3. El factor de amplificacin de corriente en corto circuito (3 es constante en la gama de puntos de operacin posibles. Se ha definido con anterioridad un factor de estabilidad S, de amplia aceptacin, que se emplear aqu.? Es una medida de la estabilidad de la polarizacin o de la sensibilidad del circuito a la temperatura. Matemticamente,
s == t'llclt'llcBo
~ alc/alcBo.
(3-5)
condensadores de acoplamiento se utilizan para aislar esta etapa de los circuitos precedente y posterior. L~s potencial~s directos de al~entaci~n de colector y base, Vee Y VBB respectivamente, tienen por lo comun la misma fuente y el circuito necesita slo una fuente de potencial, lo cual representa una ventaja sobre otras alternativas. Este circuito presenta una corriente de base constante y, por tanto, una sensibilidad extrema a variaciones de ganancia. Las resistencias R Y R2 mejoran el funcionamiento al atenuar las variaciones en la resistencia de entrada del transistor y tienen adems otra funcin importante que tambin se analizar. ' Las ecuaciones bsicas del circuito son le
En realidad interesa la relacin de cambio Ne producida por DJeBo, pero para mayor sencillez se operar con derivadas parciales. El valor del factor de estabilidad radica en su empleo como una medida de comparacin entre circuitos. S, tal como se define aqu, no puede tener una magnitud menor que la unidad; entre ms cercana est a la unidad, menos sensible ser el punto de operacin a los cambios de temperatura. Una etapa de transistor polarizada adecuadamente, con S = 10 y sometida a una temperatura que modifique lceo en 40 JiA experimentar un cambio en el punto de operacin le de 400 JiA. El diseador deber determinar si este cambio de 400 JiA es tolerable para las necesidades precisas de su circuito. Hay otros factores estticos de estabilidad que en ocasiones son tiles. Para variaciones en VBE, VBB y o: se puede usar
= lE - lB,
f3IB
i =
+ (f3 +
l)lcBo,
VBB = IER Resolviendo para le, lc
+ IBR2
(3-6)
a VBB
+ ICBo(R + R2) . R + Ril - rx)
(3-7) analizar en esta
Su == aIC/avBE,
-VBB R2
-Vcc
M == OIC/aVBB,
N==
OIc/arx.
(8+1)lcBO
Los efectos de las variaciones en o: y en Icso se pueden ecuacin. Para minimizar la influencia de (1 - 0:) debe hacerse
R ~ R2(1 - ).
(3-8)
~Rc
E----o
B
0-1(
II
J
Figura 3-7
rRJE
V
~c
Rc~Fc >
BB
1 ...
Vcc
-=
!J)
lE
al
Polarizacin fija: a) etapa tpica de amplificador con emisor comn con polarizacin fija; b) circuito equivalente de cd de a).
La condicin de la ecuacin (3-8) es prctica slo si VBB es una fuente de bajo potencial separada de Vee. Si es necesario utilizar Vec para ambas fuentes, la ecuacin (3-8) no se satisface. Al emplear una polarizacin fija se debe tener en cuenta que la etapa amplificadora ser sensible a cambios en o: y, adems, un circuito con polarizacin' fija tendr una sensibilidad extrema a cambios en lcso, como se demostrar ms adelante. Sin embargo, este circuito ofrece grandes ventajas; se requiere un mnimo de componentes y la resistencia de entrada no se reduce en forma notable con la red de polarizacin, pues aunque R2 est en paralelo con el transistor, es en general de un valor suficientemente grande para no alterar la resistencia de ea de la etapa. La conveniencia de una sola fuente de potencia es tambin una necesidad en ciertas aplicaciones. Diferenciando la ecuacin (3-7) respecto a lcso se obtiene la siguiente relacin para el factor de estabilidad: S
Antes de considerar el primero de los circuitos de muestra, es necesario establecer qu nombres se adjudicarn a los circuitos de polarizacin para hacer ms clara la comparacin de su comportamiento. Estos nombres no tienen una validez universal; sin embargo, ser de gran utilidad establecer un sistema de nomenclaturas. 3-5 Polarizacin fija. Considrese la etapa amplificadora de emisor comn de la figura 3-7a) y su circuito equivalente en cd de la figura 3-7b). Los
a/c alcBo
=
R
+ R2
- rx)' un valor de Vee cualquier estabilidad
+ Ril
(3-9) suficientemente y, por tanto, a variacin en la M y N se dan
Como se ha expresado, R2 tiene por 10 general grande, sobre todo si la corriente de base se obtiene un paso con polarizacin fija siempre lo afectar corriente de fuga. Las frmulas para los factores de en la tabla 3-1.
82
POLARIZACION CON BATERIA UNICA
83
Las relaciones anteriores son de poco valor a menos que se consideren valores tpicos de parmetros y componentes. Se tiene un paso amplificador con las siguientes caractersticas: le VBB
= 1 mA,
=
Re 9 V, R
= 4700 n, = 1000 n,
Vee
IX = 0.988.
3-6 Polarizacin con batera nica. Esta forma de polarizacin difiere del caso con polarizacin fija en la adicin de una resistencia entre la terminal de base Y tierra, como se muestra en la figura 3-8. La resistencia adicional R3 se puede escoger de manera que la resistencia serie equivalente de la red de base, R2 en la figura 3-7, tenga un valor muy pequeo; de este modo se logra un mejoramiento substancial en los factores de estabilidad. Las ecuaciones para este circuito se pueden describir igual que para el caso de polarizacin fija, o bien se emplea el teorema de Thevenin para establecer la expresin para la corriente de colector:
La corriente de colector que se especifica se obtuvo con R2 de 600,000 factor de estabilidad ser entonces
Q.
El
~=
IXR3 VBB
s = 73.3
pAjpA
Y M
= 120 pAjV.
+ IeBo[R(R2 + R3) + R2R3] . R(R2 + R3) + (1 - IX)R2R3
(3-10)
La sensibilidad a alfa (N) no puede determinarse a partir de mediciones regulares en el circuito, debido a que la corriente de corte aparece en la expresin de N; el transistor, al ser probado independientemente, present una Icso de 2 }J.A.Por tanto, N
La sensibilidad a cambios en ecuacin (3-10)
lceo tendr el siguiente factor, deducido de la

R(R
S=
2 3 _-=:~=----='---=::........::R(R2
+ R ) + R2R3 + R3) + (1 - IX)R2R3
(3-11a)
= 0.0913 A/unidad = 913 pAjO.Ol unidad
Se usarn estos valores para comparar la polarizacin fija con otros esquemas de polarizacin. Aqu conviene hablar un poco de R. Esta resistencia es tcnicamente innecesaria, puesto que la etapa con polarizacin fija opera en forma satisfactoria sin resistencia de emisor. El condensador de paso es necesario para eliminar la degeneracin de ea en R, puesto que es un elemento comn a las redes de entrada y de salida. El condensador se escoger de acuerdo con el anlisis de la seccin 6-3, de manera que su reactancia sea baja a la mnima frecuencia que deba manejar el amplificador. Es evidente, segn la ecuacin 3-7, que R ayuda a atenuar los efectos de (1 - a), con lo cual disminuyen N y S. R produce una retroalimentacin degenerativa de cd, puesto que, si se considera un incremento en le, la cada incrementada que resulta a travs de R tiende a dar un reducido potencial directo de polarizacin a la unin de emisor, lo que a su vez disminuye la corriente de colector. Con R = O en el circuito del ejemplo anterior, R2 debe hacerse de 740,000 Q para asegurar la misma corriente de colector, y los factores de estabilidad sern
Si se considera que R3 es pequea transforma en
comparada con R2, la ecuacin (3-11a) se (3-11b)
s = (R + R3)/[R + R3(l
- IX)]
para R, ~ R3)
La consideracin que se usa aqu de que R2 ~ R3, no es necesariamente vlida en todos los circuitos; por lo general R2 es de 2 a 10 veces mayor.
-VBB
-Vee
-Vee
Re
E------o
0-1 (
cr1(
1I
E----o
, 11
s = 83.4 pAj
M N
=
pA,
R3
= 111 .tA/V,
990 tlA/O.Ol unidad.
Figura 3-8
R2
-e-
T -=
5R +OVEE
Si R se hiciera en extremo grande, podra parecer que todos los problemas se resolveran, pero R es un trmino importante en la lnea de carga de ea y permite determinar la capacidad de operacin con seales, por lo que los valores de R y Re se someten a consideraciones de ea; ms adelante, en este captulo, se analizarn con detalle. En resumen, la polarizacin fija proporciona un medio sencillo y econmico de establecer el punto de operacin. La estabilidad de ste es muy baja en comparacin con la de otros circuitos. Una resistencia de emisor puede mejorar la estabilidad del punto de operacin. "
Polarizacin con batera nica.
Figura 39
Polarizacin por emisor.
La etapa que se utiliz como ejemplo en la seccin anterior estaba polarizada con el 'mismo mtodo del presente ejemplo. El punto de operacin se obtuvo con valores de R2 de 50,000 Q Y R3 de 8000 n, si bien hay un nmero enorme de posibles combinaciones de estas resistencias, que forman una especie de divisor de potencial. Usando la frmula completa de la ecuacin (3-11a),
s = 7.3 'I1A/.tA.
MEDIOS DE UBICAR EL PUNTO DE OPERACION
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tersticas estticas de colector, la corriente de base se modifica en cierta proporcin, puesto que Ve cambia al alterarse las caractersticas. Con este circuito no se fija una lB constante, porque se desplazar con las variaciones del circuito de salida. Los efectos de compensacin de la autopolarizacin son deseables pero, desde el punto de vista de ea, se pierde ganancia debido a la retroalimentacin de seal a travs de R2 La au.opolarizacin puede tomar varias formas: el circuito puede ser el que se muestra en la figura 3-11; se
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Figura 3-11
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puede llevar la base a tierra usando una resistencia adicional, o a veces se puede descomponer R2 en dos resistencias con un condensador a tierra del nodo entre ambas. La solucin de las ecuaciones de cd para le da lc de aqu que
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V)
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Estas ecuaciones son bastante parecidas a las obtenidas para polarizacin fija. Sin embargo, como ya se mencion, R2 es pequea en el circuito de autopolarizacin. La etapa que se considera como ejemplo est polarizada con 1 mA Con R2 = 240,000 n. Entonces, S = 28.6 pAjpA, M = 15 pA/V, N = 316 pAjO.01 unidad. En resumen, en este circuito slo es necesaria una fuente de potencial, y la resistencia que conecta la base a 'la terminal de colector hace ms estable el punto de operacin. 3-9 Otros medios de ubicar el punto de operacin. Otros circuitos de polarizacin que no se incluyen aqu se usan en diversas aplicaciones. Algunos aparecen en circuitos que se estudian en captulos posteriores por sus propios
88
DISEO DE LOS CIRCUITOS DE POLARIZACION
89
mritos. Est claro, sin embargo, que los circuitos analizados hasta aqu son los que se emplean en la gran mayora de las aplicaciones, que sus mritos relativos se han explorado adecuadamente y que cuando se consideren nuevos circuitos estos mtodos pueden servir como base de comparacin. Las necesidades ms especficas de polarizacin para amplificadores de cd y de potencia se tratarn en el texto bajo esos ttulos.
-"ce
Re
puesto en el factor S, que tiene un inters especial en los circuitos sometidos a variaciones de temperatura. De este anlisis puede concluirse, en general, que el circuito de polarizacin con batera nica, si est bien diseado, da resultados satisfactorios nara muchas aplicaciones.
4
RL
----le
-
E--o
o----j~
Rg
VBB
Vee
a)
Figura 3-13 Figura.3-12 Polarizacin de corte.
b)
a) Polarizacin por ctodo para tubo al vaco; b) circuito similar para una etapa con transistor.
En las etapas de seal de bajo nivel de algunos circuitos de transistores puede ser ventajoso mantener la impedancia de entrada tan alta como sea posible para lograr un diseo ms econmico. Si se desea, se puede lograr la operacin en Clase A haciendo ls igual a cero. El diagrama de la figura 3-12 muestra un circuito polarizado cerca del corte, con lB = O; como la corriente de colector es ICEO el punto de operacin es muy sensible a cambios de temperatura. Como se expres en el captulo 1, es posible tener variaciones en ICBo como el lmite inferior de la corriente de colector, pero prevalece la distorsin en esta regin de baja corriente. Sin embargo, considrese una etapa con ICBo = 10 IJ.A y (3 = 39; la capacidad de corriente de salida ser ICEO - ICBo = 390 IJ.A pico. La seal de entrada posible o deseable ser de 390/39 o 10 IJ.A pico. Una persona con experiencia en tubos al vaco que se inicie en las tcnicas de transistores, se preguntar por qu la tcnica de polarizacin por ctodo que se emplea en circuitos de tubos no es aplicable en transistores. La polarizacin por ctodo se ilustra ep. la figura 3-13a). La corriente de placa lb produce en R 1 una cada de potencial de la polaridad indicada, y puesto que en Rg hay una corriente insignificante, la polarizacin resultante reja-a-ctodo es simplemente IbRI. El condensador el se selecciona de manera que tenga una reactancia pequea comparada con la resistencia de RI a bajas frecuencias. El circuito anlogo para transistores es el de la figura 3-13b). Si se supone una corriente de emisor, entonces la cada IERI tendr la polaridad que se muestra, que tender a polarizar inversamente el diodo emisor-base en vez de suministrar la polarizacin directa requerida para la operacin normal en Oase A. 3-10 Diseo de los circuitos de polarizacin. El estudio de las secciones precedentes de este captulo ha servido fundamentalmente para realizar un anlisis comparativo de los distintos circuitos de polarizacin. El nfasis se ha
El material semiconductor que se usa en el transistor tiene un efecto en el factor S tolerable. En dispositivos de silicio la corriente de fuga es tan baja que en muchos circuitos polarizados con una batera y operando abajo de 70 C el elemento R3 se puede eliminar sin un deterioro grave del funcionamiento. Las expresiones para lc en los diferentes circuitos tienen valor slo cuando se conoce la beta de cd con cierta precisin. Para cualquier circuito que tiende a mantener la corriente de base a un nivel constante, la corriente de colector es igual a (3cd veces ese nivel. Debido a que en el caso de polarizacin por emisor no se fija el nivel de corriente de base, la ecuacin de lc da excelentes resultados, independientemente del parmetro de ganancia en corriente. Un mtodo muy til en el diseo de circuitos de polarizacin emplea la tcnica de anlisis extremal, que, se estudiar en la siguiente seccin. Este mtodo se basa en el peor caso o caso extremo en las caractersticas que se pudiera encontrar en la aplicacin de un tipo particular de transistor. Esto permite al diseador usar la polarizacin con una batera, con la certidumbre de que el circuito no se desviar de la zona dada de puntos Q cuando se presenten variaciones en (3cd, ICBo o VBE
I
Terminales de la fuente
lB
tJ
;u..Jlh
R
B
BE"='f-
Terminales de carga
j' -_VBB
RE
..
Figura 3-14 Etapa general amplificad ora.
90
ANALlSIS EXTREMO ratura, se tienen caractersticas extremas de entrada, como muestra gura 3-16. La relacin matemtica para la porcin lineal de TI es VBiT1) A una temperatura
91 la fi(3-19)
Para describir el anlisis extremal es conveniente considerar una red ms general para la polarizacin del transistor. Las variables estn definidas en la figura 3-14. Para relacionar este circuito, con los elementos VBB y RB, con el esquema de la figura 3-8 con una batera, que tiene R2 conectado a Vee, se emplea el teorema de Thevenin con el siguiente resultado:
R2
VBE1 + 'lIB'
ms elevada T2, la relacin es VBE(T2)
RBVee/VBB (3-17)
= VBEl + ~VBE + '21B'
(3-20)
y R3
RB/[l - (VBBJVedl.
Las resistencias incrementales Y'2 representan las pendientes en las caractersticas IB- VBE. Estas resistencias por lo comn se conectan con RB y RE Y tienen poca importancia. Restando (3-19) de (3-20), VBiT2)
18
-
'1
Po. lo comn Vee se conoce; R2 y R3 se pueden obtener de la ecuacin (3-17) despus de determinar VBB y R3' 3-11 Anlisis extremo. La figura 3-15 describe dos conjuntos de caractersticas superpuestos, que representan un transistor especfico a diferentes temperaturas ambiente o las variaciones que se esperan a causa de las variables de produccin y de temperatura en un solo tipo de transistor. Supngase que Ql y Q2 representan los lmites fuera de los cuales no se llevara a la corriente directa del colector le por ninguna consideracin, sea magnitud de la seal, distorsin, etc. Las excursiones correspondientes en le e lB se simbolizan por Ale Y AlB Cuando Ql se considera el punto normal o de referencia AlB ser una cantidad negativa.* La suma de las diferencias de potencial en la malla base-emisor de la etapa general de la figura 3-14 da VBB
VBE(T1) ~ ~VBE'
T2 TI
(3-21)
L/ .
L,
V8E
= leRE + IB(RB + RE) +
VBE.
(3-18)
Figura 3-16 Curvas caractersticas de entrada a temperaturas T1 y T2
La cada de potencial base-emisor VBE es una funcin de las tolerancias de temperatura y manufactura. Cuando se considera slo el efecto en la tempelc
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Ti
I
1,--I
rs---=~----=-t-----:~
~!
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Debe notarse que AVBE es una cantidad negativa, tal como se usa aqu. Se emplear para representar el cambio en VBE originado por cualquier causa . La variacin del punto de operacin de Ql a Q2 en la figura 3-15 puede resultar del reemplazo de una unidad y/o del cambio de temperatura. Si se consideran VBB y los valores de resistencia como invariables, la ecuacin aplicable a la malla base-emisor en Q2 es VBB = (le
+ MdRE
+ (lB + MB)(RB + RE) +

de la (3-22)
VBE
+ ~ VBE
(3-22)
It
00
50
La resta de la ecuacin incremen tos
(3-18)
da la siguiente relacin entre (3-23)
o
VCE
~leRE
+ MB(RB + RE) + ~ VBE = O.

RE,
Si se resuelve esta relacin para RE
se obtiene
Figura 3-15
Curvas caracteristicas de colector a extremos de temperatura.
= -
~VBE MB
"
Con el objeto de eliminar la confusin relacionada con las diferentes polaridades de las variables en los tipos p-n-p y n-pon, las ecuaciones que oe presentan aqu manejarn slo magnitudes, en tanto sea posible. As, NB es negativa porque la magnitud de lB decrece entre Ql y Q2'
+ Me
~IB MB
+ Ale
RB
(3-24)
En una forma ms compacta, la ecuacin (3-24) se hace Rf:. = A
+ BR
(3-25)
92
ANALISIS EXTREMO
93
Debido a la significacin de la ecuacin (3-25) se le denominar la relacin general de polarizacin. La ecuacin (3-25) no permte solucin para RB y RE simultneamente, pero permite una restriccin adicional para usar en la determinacin de elementos de polarizacin. La restriccin adicional puede ser impuesta por fluctuaciones de la fuente de potencial o por consideraciones de ea como resistencia de entrada o ganancia. Ejemplo. Las especificaciones para una etapa particular a transistores son: Carga de 1000 n resistiva. Resistencia de la fuente: 1000. La etapa debe suministrar 0.5 mA (Pico) de seal a la carga. Vcc = -15 V. Corriente mxima tomada de la fuente, 1.5 mA. Transistor tipo 2N2614. 6. Gama de temperatura: 25 a 50 C. 1. 2. 3. 4. 5. Para el anlisis extremo los datos se toman en una muestra representativa del tipo de transistor que se seleccione para los trazos de la figura 3-17. Las caractersticas de la unidad para mnima ganancia estn superpuestas a las de mxima ganancia al mximo especificado de temperatura. La lnea de cd se
-5.0
como se ve en la distancia vertical de Q1 al corte. Puesto que la especificacin es 0.5 mA, esta seleccin de Q1 parece razonable. Para Q2 se selecciona 1.5 mA, 7.5 V. As, se ve en la grfica que MB
y
= -7.5
J-lA (de 5 a 2.5 J.J.Aen direccin
opuesta)
Me
= 0.75 mA.
Hasta aqu sigue en pie el problema de encontrar VBE. Se ha demostrado que existe una correlacin entre el valor de VBE y la magnitud del coeficiente trmico de este potencial;"? pero no hay correlacin entre hFE y VBE. Para que la polarizacin de la etapa refleje algunos criterios de ingeniera, se deben aplicar las siguien tes reglas: 1. El valor de VBE que se use en la ser el mximo que pueda tener cualquier ratura de referencia. 2. El valor de .:l VBE que se use en entre el valor de VBE utilizado en (1) y el unidad a la mxima temperatura. ecuacin (3-18) para encontrar VBB unidad de baja ganancia a la tempela ecuacin (3-24) ser la diferencia valor ms bajo de VBE para cualquier
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-4.0
"
-5
De los datos de prueba, el mayor valor para cualquier unidad a 25 C es 0.160 V. El ms bajo valor de VBE a 50 C es 0.107 V. Entonces, L1VBE
1./
-0.053
V.
-3.0
E
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Con estos valores en la ecuacin (3-24), la relacin general de polarizacin ser RE

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--=15 -10 J5 5
= 71.4 + O.OIRB
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YcE EN VOLTS
Figura 3-17
Curvas caractersticas
de unidades extremas.
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V
~
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~ ~
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debe dibujar usando las restricciones conocidas: el valor de Vcc y los requerimientos de magnitud de la seal. Para manejar una seal de magnitud satisfactoria es necesario que los puntos de operacin extremos se localicen lejos de saturacin y corte. Si se escoge Q1 en lId = 0.75 mA y JVcEI = 11.25 Ven la lnea de 5000 n, la corriente disponible de seal de colector ser aproximadamente de 0.6 mA,
rO
O
--
~O -12.5
-2.5
5.0
-7.5
-10.0
-15.0
-:-17.5
VCE EN VOLTS
Figura 3-18
Curvas caractersticas
de unidades extremas -slo
variaciones de produccin.
94
POLARIZACION DEL TEC
95
Los valores de las constantes A y B son bastante menores que los usuales en este ejemplo porque los extremos de temperatura no estn muy separados y Me es bastante grande. Tambin es cierto que este transistor tiene una relacin de transferencia de corriente grande, que controla en buena medida a MB La figura 3-18 describe las caractersticas de unidades de alta y baja ganancia a la temperatura de referencia. La dispersin de caractersticas se debe exclusivamente a las tolerancias de manufactura. Una lnea de carga esttica de 5000 n y los puntos Ql y Q2 se han seleccionado, segn se muestra. Entre estos puntos Me = 1.25 mA y MB = +3 J.1.A. Si para mayor sencillez se considera que t.VBE es cero, entonces, segn la ecuacin (3-23) /'.lICRE
de potencial IsRs es de la polaridad correcta, de manera que se puede usar como Vas Considrese que el potencial compuerta-fuente se puede obtener de la cada a travs de Rs; el circuito ser el de la figura 3-19 con la fuente Vae omitida. Si le es muy pequea o casi cero, el elemento Ra se puede seleccionar arbitrariamente para completar la malla, y en esta misma malla se tiene VGS
= IsRs
(3-26)
= -/'.lIBRB
La solucin para RB requiere un valor negativo de resistencia. En este caso la Me es demasiado grande. Si Me se disminuyera a 0.5 mA de manera que MB = -1 J.1.A, como en Q3, se obtendra una relacin satisfactoria: RE
= 2(1O-3)RB.
Por medio de este ejemplo se ve que algunos requisitos no son realizables. 3-12 Polarizacin del TEC. Una etapa amplificadora con TEC se debe polarizar en un punto adecuado del plano lD- VDS' El punto de operacin que se seleccione debe satisfacer simultneamente las necesidades impuestas por la magnitud de la seal, la potencia de la fuente, el ancho de banda y otros requerimientos. Para que el anlisis sobre la polarizacin del TEC sea ms general, debe centrarse en el dispositivo de unin. Los principios de polarizacin para las unidades MOS son anlogos, con algunas excepciones. En el captulo 1 se hizo notar que el TEC de unin puede operar satisfactoriamente con un potencial cero entre compuerta y fuente, por lo que no es necesaria una red de polarizacin elaborada. Pero la polarizacin con Ves = O tiene varias desventajas: la magnitud de la seal permitida es limitada, la corriente que se tome de la fuente de potencia tendr que ser grande y la resistencia de carga deber ser de un valor bajo para no entrar en la regin de operacin del tipo de triodo. Adems, el punto Q ser de todas formas inestable debido a las variaciones de unidad a unidad. Por estas razones, la operacin en Ves = O por 10 general no se emplea.
Al localizar el punto Q en las curvas caractersticas de salida del dispositivo se tienen completamente especificados los valores de Vas e ID, y Rs resulta de la ecuacin (3-26). ID = ls para todos los fmes prcticos. Con esta forma de polarizacin el diseador no tiene libertad para escoger Rs, que est definida por la ecuacin (3-26), y puesto que una buena estabilidad del punto de operacin hace necesario un valor alto de Rs, la autopolarizacin descrita no garantiza un punto de operacin muy estable. Autopolarizacin modificada. Las variaciones entre unidades son especialmente graves en el caso del TEC. Los efectos de temperatura presentan tambin un fuerte problema, y, de nuevo, es preciso que despus de localizar el punto de operacin se tome en cuenta la estabilidad. El circuito de autopolarizacin modificada es el de la figura 3-19, incluyendo Vae. Para las mallas de compuerta-fuente y de salida-fuente se tienen las ecuaciones de Kirchhoff, incluyendo Rs por su influencia en la polarizacin y en la estabilidad. Considerando que ID = ls para la malla de entrada, VGG = -IGRG
+ InRs
VGs,
(3-27)
Como se hizo para el transistor convencional, es conveniente definir un factor de estabilidad esttico del TEC. Para describir las caractersticas de fuente comn, se usar una descripcin matemtica muy aproximada: ID ~ IDss - gmVGS' (3-28)
La ecuacin (3-28) contiene un parmetro de seal pequea gm que por facilidad se tratar en esta seccin como una constante, aunque en muchos dispositivos prcticos gm vara considerablemente en el plano lD- VDS. De la ecuacin (3-27) se obtiene una expresin para Ves que, substituida en (3-28), da ID
= [IDss +gm(lGRG + VGG)]/(l + gmRS)'

SF
(3-29)
Terminales de la fuente
R
G
IT
1;;'_ Rn
Terminales de carga
Ahora se puede definir y evaluar el factor de estabilidad esttico:
== iJID/iJlDss = 1/(1 + gmRS)'
(3-30)
Figura 3-19
Circuito general de polarizacin.
..
El factor de estabilidad esttico no es una funcin directa de Vee, pero en el circuito que emplea una fuente separada Vee, Rs puede tener un valor mucho mayor que en el circuito completamente autopolarizado. Para demostrar esta asercin considrese l eRe despreciable; transformando algebraicamente la ecuacin (3-27) se tiene VGS
Autopolarizacin. El circuito generalizado de polarizacin se muestra en la figura 3-19. Debido 'a que la unin de entrada debe estar inversamente polarizada y no directamente como en el caso del transistor convencional, la cada
IDRs - VGG.
(3-31 )
96
ANALISIS EXTREMO DEL TEC En Q2:
97
El trmino predominante es IDRs. Sin embargo, debido a la resta de V GG para valores dados de VGS e ID, la resistencia Rs debe ser mayor que en el circuito completamente autopolarizado. SF resulta de un valor menor. la
VGG = -(lG
+ !lfo)RG + (lD + MD)Rs

-!lIGRG
- (VGS
+ !lVos).
(3-36)
Restando la ecuacin (3-35) de (3-36) se tiene
+ !lloRs
- !lVGS
= O.
(3-37)
ID
~ 1{;s(A) 1{;s(B) 1{;s Q2 2
0\ 1 B
Ql
Figura 3-20
Curvas caractersticas de entrada a temperaturas TI Y T . ~
________ ~~-----2~
VDS
Curvas caractersticas de salida para unidades extremas.
0"
2)
1 A
3-13 desde el zadas de TI y T2
Anlisis extremo del TEC. Se estudiar la polarizacin del TEC punto de vista del anlisis extremo. Las curvas caractersticas idealiun TEC de unin se presentan en la figura 3-20 a dos temperaturas (T2 > T). Las curvas se representan por IG(TI) IG(T2)
Figura 3-21
IGI
+ Yl
VGS'
(3-32a) (3-32b) La relacin entre elemen tos de polarizacin cin para Rs: Rs = (!lVGsIMD) se obtiene resolviendo esta ecua(3-38)
= IGI + MG' + hVGs.
Las admitancias incrementals y 1 e Y2 estn dadas por las pendientes de las curvas. El cambio en IG debido a temperatura se obtiene restando (3-32a) de (3-32b): MG
+ (MGIMD)RG
MG'
+ (y
- h)VGs.
(3-33)
Se aprecia la similitud entre esta relacin y la relacin general de polarizacin para transistores convencionales. En forma ms compacta, Rs
Cuando un TEC se somete a extremos de temperatura, el circuito de polarizacin invariablemente causa un cambio en el potencial VGS. El cambio mayor en IG ocurre a la mxima polarizacin de compuerta-fuente, VGs(B) en la figura 3-20; de aqu que la ecuacin (3-33) se puede aproximar por MG ~ !lJG(B). (3-34)
A'
+ B'RG.
(3-39)
De nuevo conviene considerar las curvas caractersticas de salida del dispositivo en los dos extremos, los peores casos, posibles. En la figura 3-21 estos casos se representan como B y A. Si Ql Y Q2 representan los lmites dados para la localizacin del punto de operacin, tomando en cuenta distorsin, capacidad de la fuente de poder o consideraciones sobre la magnitud de seal y Ql se considera como referencia, entonces t:JD, el incremento permisible en ID, es una cantidad positiva, al igual que !lVGs. La ecuacin que describe el comportamiento en Ql es VGG =
- IGRG + IDRs - VGs
(3-35)
Para emplear adecuadamente la ecuacin (3-37), se analizar con ms detalle. Se examinar primero el efecto de las tolerancias de manufactura considerando que las unidades A y B de la figura 3-21 representan extremos. Es vlido considerar MGRG despreciable en comparacin con los otros trminos de la ecuacin 3-37; entonces slo A' tiene importancia en la ecuacin (3-38). Si las variaciones en ID son suficientemente limitadas, tanto AV GS como MD son nmeros positivos. El resultado son las condiciones para una Rs fmita positiva. Ahora, si se presta atencin al problema de la temperatura, se puede ver que la unidad A debe ser de baja ganancia a alta temperatura y la unidad B de alta ganancia a baja temperatura, porque en el TEC los efectos de la temperatura son opuestos a los del transistor convencional. Abajo de los valores de temperatura para los cuales MGRG es de importancia se obtiene Rs = I:lV GS/ M Se puede concluir que los problemas de tolerancias de manuD. factura y de temperatura se resuelven concurrentemente, por lo menos si se Considera la variacin permitida en ID.
98
PROBLEMAS
99
Cuando la temperatura es tan elevada que tllcRc se convierte en un trmino importante en la ecuacin (3-37), se reduce Vcs. Se llega a un lmite cuando la cada en Re se hace suficientemente grande y el punto de operacin cae en la vecindad de Ves = O. Este efecto se puede compensar, en cierta medida, si se usa una resistencia de polarizacin de compuerta de bajo valor, con 10 cual disminuye el producto M cRc. Sin embargo, tal compensacin puede ser inadecuada desde el punto de vista de las propiedades de amplificacin, ya que el incremento en le produce un incremento en gfs, el parmetro de transconductancia de seales pequeas, y este efecto se puede usar para compensar la disminucin en gfs que ocurre al aumentar la temperatura. Ejemplo. Se requiere que una etapa de TEC se polarice a
ID
Aqu concluye el anlisis de la parte de cd de una etapa de transistor; el captulo siguiente se dedicar a la operacin en ca. Sin embargo, al disear o analizar una etapa completa se deben considerar las interrelaciones entre la operacin en ea y las condiciones estticas. Se ver que el punto de operacin es una parte importante de cada circuito que debe estudiarse.
PROBLEMAS
3-1. Trace las lneas de carga de cd de 500 y 1000 n en las caractersticas de colector del 2N2614 (Apndice 1), a partir de VCE = -10 Y. Localice puntos de operacin en te = -50 JJ.Apara cada lnea. Qu ngulo en grados hace cada lnea de carga con la horizontal? 3-2. Qu clase de cargas representan una lnea horizontal y una vertical? 3-3. Establezca reglas para trazar la lnea de carga de cd en una etapa autopolarizada como la de la figura 3-11. 3-4. Encuentre una ecuacin para 8, el ngulo entre la lnea de carga de cd y la horizon tal, como funcin de R y los factores de escala de la grfica. 3-5. Dibuje los circuitos equivalentes con diodo similares a la figura 3-5 para un transistor conectado con base comn y con colector comn. 3-6. Un transistor tiene una corriente de fuga de 10 JJ.A a 25 C. Use la ecuaClOn (34) para calcular el aumento de temperatura necesario para que lcso doble su valor a 25 C. Este mismo incremento de temperatura elevar al doble la corriente Iceo" 3-7. Compruebe las ecuaciones (3-7) y (3-9) para polarizacin fija. 3-8. Compruebe las ecuaciones (3-10) y (3-110) para polarizacin con una batera. 3-9. Compruebe la ecuacin (3-12) para polarizacin por emisor. 3-10. Compruebe la ecuacin (3-15) para autopolarizacin. Al escribir las ecuaciones necesarias tome en cuenta que le se descompone en dos componentes: lB y la corriente a travs de Re. 3-11. Discuta cada esquema de polarizacin de este captulo desde el punto de vista de: o) la resistencia de entrada a seales alternas; b) la corriente de la fuente de poder de cd. 3-12. Una etapa autopolarizada con R2 = 110,000 n y 13=50 opera con una fuente de 10 Y Y debe tener un factor de estabilidad (8) de 10. Calcule la R necesaria. Es esta una respuesta razonable? 3-13. Incluya VBE en la ecuacin para le en polarizacin. fija. 3-14. Los clculos de laboratorio indican que, en una etapa particular con polarizacin fija usando transistores de silicio, R = 1000 n, R2 = 100,000 n,. a = 0.98 e leo = 0.1 p.A cuando la corriente de colector es de 3.27 mA. Para produccin en serie se usarn transistores con un 20 % de tolerancia. Calcule el desplazamiento del punto de operacin (J c) si cada resistor est en el lmite superior de su gama permisible y tambin si tiene el mnimo valor posible. 3-15. Se deber disear un paso con polarizacin con una batera. lE = 2 mA, lB 50 p.A, VBE = 0.2 Y, R = 1 k n, VBB = lb Y. Si R3 = 10 k n, qu valor debe tomar R2 para que el punto de operacin est en las coordenadas anteriores? 3-16. Para fijar el punto de operacin de una etapa de emisor comn polarizada con una batera en 1 mA, se obtuvieron los siguientes datos de posibles combinaciones de R2 y R3' El circuito alimenta una carga de 3600 y R es de 1000 n. El transistor tiene una 13de 80 e/eo=7-p.A. VBB = Vee=12.4 Y.
= 1 mA,
IG
= 10-9 A,
VGS
= 0.8 Y.
determinan
6
Las tolerancias de manufactura AlD
y los efectos de temperatura
= 1 mA, VGS = 0.2 Y, AlG = 10- A.
El potencial de la fuente VDD figura 3-22a). De la ecuacin (3-38) Rs Si Rs se escoge arbitrariamente
= =
25 Y. Determine Re, Voo Y R2 Y R3 de la
de 2700 RG
+ O.ooIRG n, entonces = 2.5 X 106 n.

200
De la ecuacin (3-35), VGG En la figura 3-22a) se observa que R3
= 1.9 Y.
= 2.7
106
R2
32.8
106
Con esta forma de polarizacin la resistencia de entrada de la etapa es esencialmente R3' Si los cambios en le no son problema, R3 puede tener un valor mucho mayor que el obtenido en este ejemplo. Para eliminar valores altos de resistencia, se pueden usar tres resistencias, como en la figura 3-22b). El elemento en serie con la compuerta puede ser igual a Re Y el divisor R2 -R3 puede usar elementos de bajo valor para suministrar VcoVDD VDD
R2
RD
R2
RD
R3
Rs a)
R3
Rs b)
Figura 3-22
Esquemas de polarizacin.
R2 R3 200 kO 115 kO 150 kO 60 kO 110 kO 3.5 kO 40 kO 10 kO 21 kO 5 kO Compare los distintos pares de resistencias para determinar dar al circuito la mnima sensibilidad a variaciones de l co-
cul es el ms adecuado para
100
PROBLEMAS
i ,
101
If--o
4k
3-17. Con el mismo circuito del problema anterior, pero con (3=22, determine si se logra una mayor estabilidad debido a que los valores reqeridos de las resistencias son menores. Por ejemplo R2 = 18 k n cuando R3 = 5 k n y R2 = 32 k n cuando R3 = 10 kn. 3-18. Disee un circuito polarizado por emisor en el cual la corriente de colector no cambie ms de 0.5 mA para un incremento de 200 }lA en ICO. Las fentes de que se dispone son +15 y -15 V, Y el punto de operacin debe estar a -10 V Y -1.5 mA. l CO es inicialmente insignificante, a:..= 0.98 y es prcticamente constante. a) Qu valores deben tener R 1 Y R2? Qu potencial existe entre la base y el ernisor?' El transistor es de germanio. b) Si a cambia a 0.96 debido a la misma variacin de temperatura que hace variar l CO' sern correctos los valores calculados en a) para limitar el cambio en l CO a 0.5 mA? Si no es as, .qu se puede hacer en el diseo original? 3-19. Derive la expresin de IC para un paso polarizado como el que se muestra en la figura. R2
0----41
30k
, I
70k
lOk
-100
200.tH
Problema 3-23 3-24. Examine el circuito de base comn de la figura. Se desea lE = 1 mA y VBC = 5 V. La carga es de 5000 n. a) Calcule los valores necesarios de V CC y VEE si R 1 es 1000 n. b) Deduzca una expresin para le en trminos de los parmetros del circuito. e) Deduzca una expresin para ale/alCO. d) Segn la respuesta a e), cmo se puede lograr una alta estabilidad en este circuito?
e)
R3~
QlR'
~Vc
Qu efectos tendr una resistencia de base en la operacin de este circuito?
R
VEE
RL
Vcc
Problema 319 Problema 3-24 3-20. Compruebe las ecuaciones (317). 3-21. Estudie el circuito de la figura. En qu condiciones, de las que a continuacin se citan, se podra daar el transistor? En cada caso en que probablemente ocurra un dao, explique brevemente la causa. a) Polaridad de 30 V, fuente invertida. b) Polaridad de 0.5 V, fuente inversa. e) Terminal de emisor abierta en el punto A. d) Al insertarse, las terminales de colector y emisor se intercambian. e) Al insertarse, las terminales de base y emisor se intercambian. f) Se substituye el transistor por un p-n-p.
f) Cmo sera posible operar un circuito de base comn con una fuente? Piense.
g) Analice el circuito desde el punto de vista de la potencia de ea perdida en R 1 si la resistencia de entrada a ca del transistor es de 50 n. 3-25. Para el circuito de colector comn de la figura, ts = 1 mA. IIBI = 100 }lA, VEC = 10 V Y la carga es de 1000 n. a) Encuentre R2 si VBB = VEE/2. b) Deduzca una expresin para lEen funcin de los parmetros del circuito. e) Deduzca la expresin para alE/alCO. d) Segn su respuesta a e), cmo se puede lograr una alta estabilidad en este circuito? e) Qu efectos tendr una resistencia de colector en este circuito?
RL 30 0.5 A
R2
VBB Problema 325 3-26. Los diferentes circuitos de polarizacin, excepto la autopolarizacin, pueden tratarse analticamente considerando la fuente de base del transistor desde el punto de vista del equivalente de Thevenin. El diagrama general de la figura se puede usar para el anlisis de las distintas tcnicas de polarizacin si se alteran o se suprimen algunos trminos en ella. Por ejemplo, para polarizacin fija con una sola fuente, V2 = O, Rb =R2 Y
V==Vce.
a)
VEE
-:=Problema 3-21
3-22. Una fuente de poder de 9 V, con tierra positiva, se usa para alimentar cd a una etapa amplificadora n-p-n. Las coordenadas del punto deseado de operacin son lC 0.2 mA, VCE=5 V, los elementos R y R2 no necesitan usarse. Si hFE=100 para el transistor que se emplee, encuentre R2 y RC. ICBO es despreciable. 3-23. Determine las coordenadas lEY VCE del punto de operacin del amplificador de video que aparece en la figura. Considere l CBO = O, VBE = O Y hFE = 50.
Deduzca una expresin para le en el circuito generalizado de polarizacin. ...-\t,!C<

I ::.[
1"
~PUP.LIC
BIBLIOTECA LJ!j-ANCEL ARANGO
102
BIBLIOGRAFIA
103
b) Para polarizacin fija, polarizacin con batera nica y polarizacin por emisor, elabore una lista de valores de V, V2 y Rb en trminos de VCC, VEE, R2 y R3' c) Compruebe las ecuaciones (3-7), (3-10) Y (3-12). Considere VBB = VCC= VEE.
RL
Rb
~
Problema 3-26
4. Riddle, R. L., y Ristenbatt, M. P., Transistor Physics and Circuits, Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, Nueva Jersey, 1958. 5. Mulligan, J. H. Jr., y Shamis, S. S., Transistor Amplifier Stages with Prescribed Gain and Static and Dynamic Sensitivity, Communication and Electronics, n.? 55, julio, 1961. 6. Murray, R. P., Design o[ Transistor RC Amplifiers, lRE Trans., AV-6, n.? 3, mayojunio, 1958. 7. Shea, R. F., Transistor Operation: Stabilization of Operating Point, Proc. lRE, 40, noviembre, 1952. 8. Shea, R. F., Transistor Circuit Engineering, John Wiley & Sons, Inc., Nueva York, 1957. 9. Staff, Texas Instruments, Inc., Transistor Circuit Design, McGraw-Hill Book Co., Inc., Nueva York, 1963. 10. Tuszynsky, A., Correlation Between the Base-Emitter Voltage and Its Temperature Coe[ficient, Solid State Design; 3, n.? 7, julio, 1962.
3-27. Determine la relacin general de polarizacin con coeficientes numricos usando , valores dados en el texto en la figura 3-17, pero con Q2 en 1 mA. Repita con Q2 en 2 mA. 3-28. Estudie el circuito de la figura y determine el potencial entre cada terminal del transistor y tierra. Los transistores son idnticos, hFE=49, VBE=0.28 e lCBO insignificante.
43k
3.6k
12
Problema 3-28
3-29. El TEC de canal p descrito en la figura 1-16 se polariza a V CS = 1.0 V, VDS = -8 V. Se cuenta con una sola fuente de -30 V Y la corriente de compuerta debe considerarse despreciable. Disee la etapa especificando los valores de R D, RS y las resistencias de compuerta para los siguientes casos: a) autopolarizacin; b) autopolarizacin modificada. Compare los factores SF de los dos circuitos. 3-30. Polarice el circuito del ejemplo de la seccin 3-13, considerando que IlIC =0 y que IlID = 10-4; utilice el circuito de la figura 3-22a). Repita para el circuito de la figura 3-22b).
BIBLIOGRAFIA
"t
1. De Witt, D., y Rossoff, A. L., Transistor Electronics, McGraw-Hill Book Co., Inc., Nueva York, 1957. 2. Lo, A. W., y otros, Transistor Electronics, Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, Nueva Jersey, 1955. 3. Hunter, L. P., Handbook of Semiconductor Electronics, McGraw-Hill Book Co., Ine., Nueva York, 1962, 2.a ed.
CAPITULO
Circuitos equivalentes y sus parmetros
Los niveles de impedancias que un circuito con transistores presenta a la fuente de seal y a la carga y la amplificacin de la seal que se obtiene, se pueden determinar tanto grfica como analticamente. Por lo general las tcnicas grficas se emplean para analizar las etapas que operan con niveles grandes de seal y para comprobar la conveniencia del punto de operacin seleccionado, en tanto que el procedimiento normal para analizar las etapas que debern manejar exclusivamente seales de bajo nivel consiste en el clculo del comportamiento del circuito usando ecuaciones matemticas que involucran los parmetros de seales pequeas proporcionados por el fabricante o determinados por pruebas directas. Cualquier dispositivo activo, sea transistor o TEC, puede representarse mediante un modelo o circuito equivalente elctrico, y aunque estos dispositivos son bsicamente no lineales, se puede considerar que en una cierta regin de sus caractersticas de operacin la relacin entre corrientes y potenciales es lineal. En este captulo se estudiarn circuitos equivalentes elaborados bajo esta suposicin. 4-1 Circuitos equivalentes. Como modelos del transistor se han propuesto gran nmero de circuitos equivalentes, y es de suponer que al entrar el transistor a operar en regiones de muy alta frecuencia o al elaborarse nuevos procedimientos de manufactura, se sugerirn muchos equivalentes ms. En cierto sentido la exactitud es la causante de la multiplicidad de modelos, puesto que un equivalente elctrico de cualquier dispositivo est sometido a muchos perfeccionamientos y no deja de ser una aproximacin al comportamiento real, ya que un equivalente exacto, si lo hubiera, sera inoperante. Debido a las no linealidades de las caractersticas y a la concentracin de los parmetros distribuidos no se garantiza una gran precisin en los clculos del funcionamiento de los circuitos con transistores; se usarn simplificaciones dondequiera que sea posible. Una vez que se ha seleccionado un modelo aceptable desde el punto de vista tcnico para representar un dispositivo, dicho modelo permanecer invariable, independientemente del circuito al cual se conecte, sea base comn, 105
106
.CIRCUITOS EQUIVALENTES y SUS PARAMETROS
PARAMETROS DE MATRIZ
107
emisor comn o colector comn; es decir que el circuito equivalente de un transistor, derivado de una configuracin de base comn, puede usarse cuando el dispositivo opera en alguna otra configuracin, para 10 cual slo se requiere conectar las tres terminales del circuito equivalente del transistor en los lugares adecuados de la red. En ciertas circunstancias conviene ms utilizar una nomenclatura alternada al tratar las diversas configuraciones. As (3, el factor de amplificacin de corriente que relaciona las variaciones de la corriente de colector con las de la base, se usa en el anlisis de la configuracin de emisor comn, y de colector 'comn tambin, mientras que o, la relacin entre variaciones en la corriente de colector y variaciones en la corriente de emisor, se emplea ms a menudo en las etapas de base comn. Con las herramientas normales de la teora de circuitos es posible obtener varias representaciones diferentes, debido a las interrelaciones entre parmetros. En un principio el trabajo con transistores se desarroll con la representacin equivalente T con generador de corriente. Posteriormente, por la facilidad de medicin de los parmetros, han ganado amplia aceptacin el circuito hbrido equivalente y los parmetros y; estos ltimos se han convertido en la representacin ms o menos normal para describir dispositivos de alta frecuencia y se usan asimismo para el TEC. El circuito equivalente hibrido-n es de gran utilidad en altas frecuencias y en el estudio de la sensibilidad de ganancia en las etapas de emisor comn. La atencin de ste y sucesivos captulos se centrar en el anlisis de circuitos y diseo empleando estas cuatro representaciones. 4-2 Parmetros de matriz. Una red con dos pares de terminales se puede considerar como una caja negra y describirse mediante las ecuaciones generales que relacionan las variables terminales VI, 11, V2, 12, La representacin correspondiente aparece en la figura 4-1. Dentro de la caja hay una red activa, lineal, bilateral; en este caso, un transistor. Las condiciones externas son rnen11
Las reglas elementales del lgebra matricial que aparecen en el Apndice II penniten expandir (~-?) para. ~btener (4-1). En ciertos casos es til la forma reducida de la expresion matricial: [V]
=
[z][J].
(4-3)
Los mtodos de matrices tienen valor para la resolucin de ciertos problemas de circuitos de transistores y se usan especficamente en las secciones 5-11 y 8-4. Volviendo a la figura 4-1, es posible ver que otros cinco pares de ecuaciones se podran escribir para relacionar las variables de las terminales:
11= Yll VI + Y12 V2; 12= 121 VI + Y22 V2

VI = h1l1l + hl2 V2; 12 = h2l11 + h22 V2 11= gil VI V2 = g21 VI
(4-4)
(4-5)
+ g1212; + g2212
(4-6)
VI = all V2 - a212; 11= a21 V2 - a22/2 V2
(4-7)
= bu VI - b12/ ; 12= b21V - b22/.
(4-8)
J:j
Figura 4-1
R~
rr
12
.
Circuito general con los sentidos de referencia para las variables externas.
surables y el dispositivo representado por la caja se puede caracterizar con cuatro parmetros que corresponden a los coeficientes de las ecuaciones simultneas que relacionan las variables externas. Por ejemplo, la caja de la figura 4-1 se describe mediante VI V2
Las relaciones anteriores tambin pueden expresarse en forma matricial (ver el problema 4-1). Las direcciones positivas de las corrientes y los potenciales se definen segn el diagrama de la figura 4-1. Es posible hacer que cada uno de los pares de ecuaciones corresponda a un circuito elctrico supuestamente contenido dentro de la caja negra de la figura 4-1; la ecuacin (4-1), por ejemplo, tiene por circuito equivalente el de la figura 4-2, denominado equivalente z. De manera similar se pueden esquematizar los circuitos equivalentes para las otras ecuaciones y hay una gran variedad de posibilidades, particularmente si se consideran los equivalentes de las fuentes. Es importante realizar un estudio ms detallado del equivalente z. Cada uno de los parmetros Z tiene dimensiones de impedancia, pero se debe tomar en cuenta que Z 1212 Y Z2111 son fuentes de potencial dependientes. Si 12 se hiciera igual a cero, abriendo la red del par terminal de salida, z it podra denominarse impedancia de entrada con la salida abierta. Matemticamente
zIl
11 + Z1212;
Zll
(4-1)
Vll 1. v ;o
2
(4-9) o
Z2111
+ z2212'
Z12] [11] Z22 12 (4-2)
Las ecuaciones (4-1), en forma matricial: [VI] V2

= [ZI1
Z21
De manera similar, los otros parmetros Z sern impedancias de transferencia de salida con terminales abiertas. Con V2 en corto circuito la relacin de transferencia de corriente ser 12//1
=
-Z2t!Z22'
(4-10)
108
CIRCUITOS EQUIVALENTES y SUS PARAMETROS
EL CIRCUITO EQUIVALENTE
HIBRIDO
109
Para un transistor conectado con emisor comn esta relacin es (3 y para base comn es igual a-a. El hecho de que los parmetros z se determinen a partir de mediciones en circuito abierto, virtualmente imposibles de realizar en transistores mientras se aplican los potenciales necesarios para la polarizacin, hace inconveniente su uso para anlisis de circuitos. 4-3 El circuito equivalente hbrido. Los parmetros h o hbridos son los ms usuales en las descripciones de las caractersticas del transistor y representan los coeficientes de las ecuaciones (4-5). Se repiten aqu:
VI 12
negativo de a se debe a la direccin asignada a 12 en la figura 4-3; en la configuracin de base comn la corriente fluye hacia la terminal de emisor y produce una corriente de colector que fluye hacia afuera de la terminal del colector.
hn
hl1/1
+ h12 V2; + h22 V2
(4-11) (4-12)
Figura 4-3 Circuito equivalente con parmetros h.
= h21/1
El circuito equivalente de parmetros h adopta la forma de la figura 4-3, cuya representacin matemtica son las ecuaciones (4-11) y (4-12). Puesto que las ecuaciones deben satisfacer las leyes de Kirchhoff, h 11 debe ser una impedancia, h22 una admitancia, mientras que h12 y h21 son magnitudes adimensionales. Para el anlisis de baja frecuencia de los transistores de unin, h 11 Y h22 se consideran resistivos.
El circuito abierto y el corto circuito que se describen en el prrafo anterior para efectuar las mediciones de los parmetros del transistor se pueden realizar en el laboratorio con otros elementos convenientes, como condensadores e inductores. Un condensador de valor alto entre el par de terminales de salida proporciona el corto circuito a la seal alterna, sin alterar las condiciones de cd, y, de la misma manera, una bobina de alta inductancia en la entrada de la fuente de corriente de polarizacin abre el circuito para la ea. Con el objeto de normalizar la nomenclatura de transistores, el Instituto de Ingenieros Electricistas y Electrnicos (IEEE) recomienda los siguientes smbolos para los parmetros: h,
= =
hl1 (impedancia
de entrada), del potencial inverso), en sentido directo),
Figura 4-2
Circuito equivalente con parmetros z.
h,
h12 (relacin de retroalimentacin
hf = h21 (relacin de transferencia de corriente La facilidad con que es posible realizar las mediciones de los parmetros h ha contribuido a que su uso se generalice. Si las terminales de salida se ponen en corto circuito a ea, entonces V2 = O Y hl1 Igualmente h21 h
= h22
(admitancia
de salida).
= =
V11I1
1211~.
(4-13) (4-14)
Los valores de los parmetros dependern de la configuracin del circuito, de manera que se agrega un segundo subndice para designar la conexin. El funcionamiento en base comn se designar con hib, hrb, hfb, hob; para el
Abriendo el circuito de ea de entrada la I1 se hace cero y se tiene h12 = y h22 = 121V2 (4-16)
V11V2,
I
I
E
+
o_ +
h" B + o-----A./\I'v--
,.., --
.. t---O
e+
(4-15)
_1
~
B
+
h"c
b)
hll se denomina impedancia de entrada con la salida en corto circuito, y h22 es la admitancia de salida con la entrada en circuito abierto, mientras que h21 es la amplificacin de corriente con la salida en corto circuito, y h 12 la relacin de retroalimentacin de potencial con la salida en circuito abierto. Es interesante notar que h21 = (3 cuando se considera un transistor conectado con emisor comn y h21 = -a para un transistor en conexin de emisor comn, puesto que h21, a y (3 se definen para carga en corto circui to. El signo
Figura 44
Circuitos equivalentes e) colector comn.
con parmetros h: a) base comn; b) emisor comn;
~.
110
EQUIVALENTE T DE GENERADOR DE CORRIENTE

VeE = 20 Vele = 20 mA, los parmetros un transistor 2N697:
111
emisor comn se tendr he, hre, hfe, hoe Y he, hre, hfe, hoe se emplearn en el caso de colector comn. Los smbolos con sub ndices numricos no sealan el tipo de configuracin que se usa, de ah que en ocasiones se encuentre la nomenclatura h11b, etc., o bien h i i, etc., y h1le. En la figura 4-4 se presentan los circuitos con la nomenclatura que se recomienda. Los circuitos equivalentes de la figura 4-4 para las tres configuraciones no difieren entre s porque todos satisfacen las ecuaciones que los definen. Slo vara la nomenclatura de los parmetros para cada configuracin y es posible deducir las ecuaciones de comportamiento en trminos de parmetros generales h, h., hf' ho y, con estas frmulas, calcular la operacin del circuito substituyendo los valores especficos correspondientes a la configuracin que se emplee. Las ecuaciones de comportamiento se deducirn en el captulo 5. Antes de concluir el estudio del equivalente hbrido, se vern algunos valores tpicos de sus parmetros, para evaluar los efectos de ciertas aproximaciones que se usan en la deduccin de las relaciones matemticas. Para un transistor de unin, especficamente el 2N3242, los siguientes son valores tpicos de los parmetros para emisor comn, con VeE = 12 V, le = 10 mA, medidos a una frecuencia de 1 kc/seg: he
tendrn los siguientes valores para
Ye Yre
= (22.5 + j14.7)1O-3
=
mho, mho,
Yfe Yoe
(36.6 - j91.6)1O-3 j5.7)1O-3
mho, mho.
(-0.8
jO.38)1O-3
= (1.7 +
Figura 4-5
Circuito equivalente con parmetros y.
600
n,
X
hfe 10-4, hoe
=
=
175, 75
X
b-;= 1.25
10-6 mho.
Para base comn los valores son: hb h'b Los parmetros

=
3.6
n,
X 10-4,
hfb hob
-0.994,
X
= 1.45
h. h,e
= 0.45
10-6 mho.
del equivalente de colector comn son:
Los parmetros y se usan tambin para representar al TEC. En la seccin 4-11 se har un anlisis ms adecuado de esta ltima representacin. 4-5 Equivalente T de generador de corriente. Otro medio de representar las caractersticas de seales pequeas del transistor es con el uso del modelo T, consistente en una resistencia en cada una de las tres ramas asociadas con el transistor y, para simular la amplificacin del dispositivo cuando se polariza adecuadamente, un generador dependiente. As, el equivalente T con generador de corriente contiene elementos re, re Y rb en las ramas de emisor base y colector, respectivamente, y un generador de corriente al conectado a travs de re como se muestra en la figura 4-6 a). Las resistencias del modelo T representan la resistencia de conjunto, las resistencias de barrera, de semiconductor y la de retroalimentacin interna causada por la modulacin de ancho de base.
al.
= 600 n,
=
hfe hoc
= - 176,
=
1,
75
10-6 mho.
E
Los parmetros de base comn y colector comn no se encuentran en el Apndice I para este tipo de transistor; se obtuvieron mediante las relaciones de la tal.la 4-1. 4-4 Circuito equivalente de parmetros y. Las ecuaciones que definen este equivalente son las ecuaciones (4-4), que en fonna matricial sern:
le
re re lb~ rb
O
r.
t;
--.
l. lb+
re
+ ar. l 'Ve.
--+
le
r,
B
11] [ 12
[Yll Y21
al
Y12][V1] Y22 V2 (4-17)
B
(3lb
b)
..--...
{Jlb
~
rb let r. re'
Todos los parmetros y se obtienen de mediciones en corto circuito y son tiles sobre todo para altas frecuencias, donde la obtencin de un circuito abierto es particularmente difcil por los efectos de las capacitancias distribuidas sobre los valores medidos de los parmetros. El circuito equivalente y se muestra en la figura 4-5, con dos generadores dependientes de corriente. Si se desea un modelo con dos generadores de potencial, se intercambian las fuentes, y el resultado ser anlogo al de la figura 4-1 y al equivalente z. Los parmetros y se emplean en general para describir un. transistor a una frecuencia determinada. Por ejemplo, a 30 Mc,
--.
le
e .
- r.t
lb
O-
rb
re(l-a) r.
~
le
el
Figura 4-6
dI
a) Circuito equivalente en base comn con generador de corriente; b) circuito equivalente en base comn con generador de potencial; e) equivalente de a) para emisoi: comn; d) equivalente en emisor comn con todos los parmetros en trminos de a).
112
INTERRELACIONES
DE LOS PARAMETROS
h{bI.
113
El equivalente T se emple originalmente para dispositivos conectados con base comn. En la figura 4-6a) la corriente de emisor le que entra en la terminal de emisor fuerza a la corriente le a fluir hacia afuera del dispositivo y, puesto que no existe inversin de fase en la conexin de base comn, el factor de ganancia de corriente a debe ser positivo. En el anlisis de circuitos con frecuencia conviene reemplazar el generador de corriente con resistencia en paralelo por un generador de potencial con resistencia en serie usando los teoremas de Thevenin y Norton. El resultado de este intercambio es el circuito de la figura 4-6b). El intercambio de fuentes es de gran utilidad y se recomienda al lector revisar este tema. Al hacer el intercambio de fuentes el valor de la resistencia (o impedancia) de la fuente no vara, pero s cambia de lugar y el generador de corriente de l se convierte en un generador de potencial de magnitud IR. A la inversa, un generador de potencial de V se transforma en un generador de corriente de V/R. Para la conexin de emisor comn se utilizan los circuitos a) y b) de la figura 4-6, pero con un intercambio necesario de las ramas que contienen re y rb' Sin embargo, se acostumbra considerar al generador de corriente de colector dependiente de la corriente de entrada lb ms que de le, como en la figura 4-6c). Para cambiar de al en paralelo con re a (3Jb en paralelo con una nueva resistencia se tiene la suma de corrientes en el dispositivo:
Figura 47
Reubicacin de las terminales del circuito con base comn de la figura 44a) para a) anlisis del circuito con emisor comn; b) anlisis del circuito con colector comn.
r;
circuito de base comn de la figura 4-4a), como se muestra en la figura 4-7. En a) de esta figura se tiene el circuito equivalente de emisor comn en trminos de los parmetros de base comn. Para hallar hie Y hfe hay que recordar que h-e = VIII}
I
le = le
+ lb'
(4-18)
Haciendo una transformacin de We, el generador resultante de potencial se puede describir como a(Ie + lb)re, pero en serie con este generador queda re y, en consecuencia, hay una cada lere de potencial. Si se combina la cada le'e CQn la subida were, lere(I - a) ser la cada compuesta debida a la corriente de colector y Wbre la subida total. Transformando stas en el generador de corriente, se tiene, para el generador, VIR
hfe
= 1211
para salida en corto circuito.
El corto circuito de salida aparece en la red de la figura 4-8a). Se puede hacer una mayor simplificacin, como la de la figura 4-8b), si se conocen los v-alores de los parmetros tpicos: hrb es normalmente de 10-3 o 10-4 Y hob por lo general representa una resistencia de lOS o 106 n. Estos dos parmetros se pueden eliminar para simplificar, y entonces -I
= =
= (exlbre)/[r/1 - ex)] = f3Ib,

le
y para la resistencia en paralelo con esta fuente re'
+ hfble,
(4-20)
= reO - ex).
(4-19)
V Como he = VII entonces

=
-Iehb' -le(1
El circuito ms aceptado para este caso de emisor comn es el de la figura 4-6d). En la seccin 5-3 se presenta un equivalente de colector comn. Segn la figura 4-6, es evidente que el modelo T que aqu se presenta slo es aplicable al anlisis de baja frecuencia. Un equivalente T para altas frecuencias deber incluir una capacitancia de barrera de colector y un factor de amplificacin de corriente dependiente de la frecuencia. 4-6 Interrelaciones de los parmetros. Cuando se usan los parmetros hbrdos es difcil contar con el conjunto completo de 12 parmetros para cada tipo de transistor. Casi se ha hecho costumbre entre los fabricantes suministrar slo un conjunto de cuatro parmetros, El usuario puede encontrar matemticamente los otros conjuntos, o bien re arreglar el circuito equivalente por transferencia de terminales. En los prrafos siguientes se, emplearn ambos mtodos. El objetivo ser encontrar las relaciones entre los tres conjuntos de parmetros. Para estudiar las otras conexiones, se intercambiarn las terminales del
(-Iehb)/[
+ hfb)],
(4-21) (4-22)
he = hbl(1 Se sabe que hfe Entonces hfe

=
+ hfb)' + hfb)].
= 1e1I
(lehfb)/[ -le(1 -hfbl(1
(4-23) (4-24) as como En la talas matripuesta en dan en el
+ hfb)
De manera similar pueden deducirse las ecuaciones para hre y hoe, los parmetros de colector comn (ver los problemas 4-7 y 4-8). bla 4-1 se presenta un resumen de estas relaciones entre parmetros. Para deducir las relaciones entre los conjuntos de parrnetros de ces, se pueden emplear procedimientos que incluyen la apertura y Corto circuito de las terminales. Las interrelaciones de matrices se Apndice u.
114
B
CIRCUITOS EQUIVALENTES Y SUS PARAMETROS
INTERRELACIONES
DE LOS PARAMETROS
115
~rI. ! ~rh rb v"b E
-11 Vi hib
tle
bl
-..
t,
Las frmulas para los niveles de impedancia de entrada y salida y las propiedades de amplificacin de las redes de cuatro terminales se darn en el captulo 5. En el equivalente T de base comn se puede notar que la retroalimentacin de potencial con la entrada abierta se aproxima si se usa una divisin de potencial rb f(r e + rb) En consecuencia, hrb ~ rblrc Estas ecuaciones estn funcin de las h 's tabuladas en la tabla 4-2 con los parmetros (4-29) T en
al
Figura 4-8
Circuitos para la deduccin de las relaciones entre los parmetros de base comn y emisor comn: a) figura 4-7a) con la salida en corto circuito; b) con mayores simplificaciones.
TABLA 4-2
Relaciones aproximadas h y parmetros T
entre parmetros
TABLA 4-1
Relaciones aproximadas entre parmetros h Relaciones entre parmetros de base comn y de colector comn
h,c hrb
=
Relaciones entre parmetros de base comn y de emisor comn h.,

h
re
h'b = re
+ r (1
b
O()
re
= h'b
- ~rb (1 ob
+ h'b)
hrb = relr:
rb
= hrb/hob
= -h'b
= h,b/(1 + h'b)
= h'bhOb - hrbh'b -
h,b/(1
+ h'b)
h'b =
-O(
re = l/hob
O(
1 + h'b
h., = 1 h,c = -1/(1 h.;
hOb = l/re
h,e = -h'b/(1
+ h'b)
, = hob/(1 + h 'b)
= hob/(1
+ h'b) + h'b)
Parmetros T Y h. Los parmetros T y h deben estar relacionados, ya que se emplearon dos circuitos equivalentes para describir el mismo dispositivo: el transistor; las ecuaciones de ganancia y nivel de impedancia deben ser idnticas, ya sea que estn expresadas en r's o en h's. El objetivo de este punto ser encontrar las relaciones entre los dos grupos de parmetros. Para simplificar el problema se consideran slo los parmetros h de base comn; en la tabla 4-1 se proporcionan los parmetros h para las otras configuraciones. Se ha sealado ya que hJb = -a. (4-25) La resistencia de entrada para una etapa de base comn con la carga en corto circuito es hb. Si el circuito T se resuelve para su resistencia de entrada con la red colector a base en corto circuito, se obtiene
R
Curvas y parmetros. metros que se usan para interrelacionados. Para la lector y la corriente de cional entre variables es
Los conjuntos de curvas y los conjuntos de parespecificar un elemento activo de circuito deben estar conexin de emisor comn con el potencial de cobase como variable independientes, la relacin fun-
VBE
= fUB' ic = fUB'
VCE),
(4-30)
VCE)
Un cambio diferencial en el valor total de potencial

dVBE
de base es: (4-31)
= -;-:- dlB +
utB
OVBE.
OVBE
-;:l-
uVCE
dVcE
Y un cambio diferencial en ie: di

.
re
+ [rbr/l
- eJ.)l/(rb
+ rc).
(4-26)
Igualando hb a R de la ecuacin (4-26) se obtiene la siguiente relacin entre los conjuntos de parmetros: (4-27) hb ~ re + rb(l - a) cuando se supone re }>rb La resistencia de salida para una etapa de base comn con la entrada abierta es llhob en trminos hbridos y aproximadamente re en el circuito T; entonces, (4-28) l/hob ~ r-
= -:-
Otc. dtB OIB
oic
-;:l-
dVcE
(4-32)
uVCE
Los valores rcm de seales de ea pequeas pueden representar cambios diferenciales: di diB
le,
dVcE dVBE
= Vce'
= lb,
= Vbe
116
VARlACIONES DE LOS PARAMETROS

(1)
117
La regin de operacin sobre las caractersticas se puede considerar lineal si los cambios son pequeos, en cuyo caso las derivadas parciales son constantes y tienen ya smbolos asignados. Las ecuaciones (4-31) y (4-32) se convierten en
Vbe le
;;
1-
1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 O -60 -40 -20 O 20 40 60 80
~u ..J
o
helb
= h elb
+ b.; Ve., + hoe Vee.
(4-33) (4-34)
~~
(I)~
~cr::
t; c(
En el captulo 1 se dio una definicin grfica de beta y se demostr que es la relacin incremental de corriente de colector a corriente de base para un valor constante de vCE. De acuerdo con las caractersticas de colector, la pendiente de las lneas de corriente total constante de base resulta ser hoe; la validez de esta afirmacin es evidente segn las ecuaciones (4-32) y (4-34):
~..J
-o
0:>
u~
~ cr:: ~
u
TEMPERATURA
DE LA UNION (oC) de germanio con la tempera-
hoe
aVCE b;O
oic
Figura 4-9
(4-35)
Variacin de los parmetros T de un transistor tura de unin.
Para determinar los dos parmetros restantes del conjunto, se debe contar con las caractersticas de entrada de la corriente de base vs. el potencial base a emisor para varios potenciales de colector a emisor, como la curva de la figura 1-7b). hie es la pendiente de las lneas de vCE constante y, matemticamente
he
= avHEI -.-
y circuitos de compensacin. En la figura 4-10 se ve que en un transistor tpico puede haber variaciones hasta de 4: 1 en algunos de sus parmetros si se consideran variaciones de temperatura sobre una gama muy amplia. Variacin de los parmetros con el punto de operacin. Los parmetros del transistor son tambin sensibles a las condiciones de polarizacin. Las condiciones estables del potencial de colector a base y de corriente a emisor son factores que alteran los valores nominales de los parmetros. Los valores nomi-
alH
(4-36)
"<0;0
Segn las mismas caractersticas, h

re
= avHEI
aVCE b;O
(4-37)
(1)
5 4 3
o
o
N ..J
~ ~
Ic= 1 roA
VCE
4-7 Variaciones de los parmetros. Los parmetros del transistor dependen de las caractersticas fsicas de los materiales que se usen en la construccin del dispositivo, tales como las conductividades de las diferentes partes de su estructura, y de sus dimensiones importantes, como el ancho de la base. Debido a que la temperatura de unin afecta a las propiedades del material, el potencial del colector influye sobre el espesor efectivo de base y, adems, la corriente estable determina la densidad de portadores en la regin de base, es natural que se espere que los parmetros del transistor sean independientes de T, VCE e lc. Variacin de los parmetros con la temperatura. Hasta cierto punto, cada uno de los parmetros de cualquier circuito equivalen te del transistor es sensible a la temperatura. Cuando los cambios de temperatura interna o de unin alcanzan un valor considerable, es necesario tomar medidas para compensar los cambios en los valores de los parmetros en el circuito. En la figura 4-9 aparece una familia de curvas que muestra variaciones tpicas en los parmetros T La reduccin que ocurre en re puede ser extraordinariamente indeseable, as como las variaciones en los otros parmetros presentan problemas de estabilidad de ganancia y tienden a alterar las impedancias de salida y de entrada. Para corregir los efectos de las variaciones de temperatura en los parmetros con frecuencia se emplean redes de retroalimentacin
= -6V
/
:2
cr:: o 2:
(1)
cr:: o ..J
~
~ ~
hfe, hoe 1 0.9 0.8 .--::? 0.7 :-he hre 0.6
f---
~ ~ / .>
::::--- Y
hre he
>
:.--
--
i;
hfe
0.5 -60C -20C 20C 60C 100C 160C
TEMPERATURA Figura 4-10
DE LA UN ION (oC)
Variacin de los parmetros h de un transistor de silicio con la temperatura de unin.
nales de los parmetros para transistores de baja potencia por lo general se dan para operacin en 1C = 1 mA y VCE = 5 6 V; si en la prctica se requiere operar en un punto diferente, que es lo ms comn, los valores se debern
118
CIRCUITOS EQUlV ALENTES y SUS PARAMETROS
PARAMETROS DE ALTA FRECUENCIA

Parme tro
hb hob
119 Mximo 90 1.5 1500(10-6) -1.0
multiplicar por los factores de correccin proporcionados por el fabricante o determinarse en pruebas. En las figuras 4-11 y 4-12 se proporciona informacin sobre algunas correcciones tpicas. Ejemplo. Se desea operar un transistor particular a lc = 5 mA y VCE = 2 V. Se aplican las correcciones de las figuras 4-11 y 4-12; considrense los valores nominales de los parmetros como sigue: hie = 3000 n, hfe = 100, hre = 10-3, hoe = 10-5 rnho. Los parmetros corregidos tendrn los valores
he
en ohms en micrornhos
hrb
hb
Minimo 30 0.1 50(10-6) -0.97
Centro de Diseo 40 0.4 500(10-6) -0.98
he
= =
(3000)(0.6)(0.92) (10-3)(2.8)(1.7)
= (100)(1.2)(0.92) , =
1655 110,
n,
= hoe = (10-5)(4.0)(2.0)
h.,
= 4.75 x 10-3, = 8 x 10-5 mho.
7 6 5 4 3 en ~
N
VCE- 6V ~ = 25C
I hoe
1/
V ~
1/
n.;
o
2
....J
::; c::
<, r--.....
r---...
...........
I~
V
h,e
-<;
1/
Aunque es poco probable que en un transistor en particular todos los parmetros estn en un extremo, sea mnimo o mximo, de todos modos el diseador deber conocer las variaciones esperadas y compensar en sus circuitos los efectos que estas variaciones tengan en el funcionamiento. 4-8 Parmetros de alta frecuencia. Los parmetros de algunos tipos de transistor tienen forma compleja a partir del lmite superior del espectro de audiofrecuencia, Y para calcular correctamente el funcionamiento del circuito es necesario hacer correcciones a los circuitos equivalentes de baja frecuencia. Capacitanda de colector. Una de las consideraciones importantes que hay que hacer es la de la capacitancia de unin. La capacitancia colector a base en el equivalente de base comn, Cob est en paralelo con hob y tiene un valor nominal entre 1 y 50 pF. Para conservar la consistencia en los smbolos, se usar Coe para designar la capacitancia colector a emisor en la configuracin de emisor comn. C no es una constante; est sujeta a variaciones debidas a los mismos factores que afectan a los parmetros T y h, esto es, la temperatura, la corriente de emisor, el potencial de colector, la frecuencia y las tcnicas de
8 7 6 5 4
IC=l mA ~=25C
~ 0.8 en 0.7 ~ 0.6 o 0.5 ....J 0.4
L-./
3 4
r-.
3 ie
Cf.l
r-,
~~ ~ ~ ~
o
~ 2
N
>
/V
0.3 0.2
/
/
....J
c::
::;
o
Cf.l
1 _h'e, hu
.::r::::
~
h,. hu
1/
0.2 0.3 0.4 0.6 0.8 1 2 5 6 8 10
z 0.8
0.7 ~ 0.6 o 0.5 ....J
0.1 0.1
203040
; t-h t--
>
0.4 0.3 0.2
CORRIENTE
DE COLECTOR EN mA
Figura 4-11
Variacin tpica de los parmetros h con 1C.

0.1
Efecto de las tolerancias de manufactura. Las tolerancias de manufactura producen una de las variaciones ms molestas en los parmetros. En el ejemplo siguiente se muestra la distribucin de los valores posibles para los parmetros de un solo tipo de transistor. cuando ste sale de la fbrica.
456810
POTENCIAL Figura 4-12
DE COLECTORVOLTS
Variacin tpica de los parmetros h con V CEo
120
PARAMETROS DE ALTA FRECUENCIA
121
manufactura. Las variaciones tpicas de este parmetro se muestran en la figura 4-13a). Se acostumbra especificar C a altas frecuencias, por lo general distintas a las que se usan para especificar los otros parmetros. Para incluir los efectos de la capacitancia de colector en el circuito equivalente hbrido slo es necesario agregar la admitancia jwCob en paralelo con el elemento conductivo hob' Variacin de alfa. C no es el nico factor que da diferencias de operacin a altas frecuencias. Debido a la capacitancia de difusin, la magnitud de hfb vara con la frecuencia de acuerdo con la relacin aproximada hJb
El factor de amplificacin de corriente en corto circuito para emisor comn hfe vara de acuerdo con (4-39) hJe = hJeo/[l + )(f!fhje)], pero hfe es funcin de hfb hJe Entonces h Simplificando, h
e
-hJb/(l
+ hJb)'
(4-40)
= hJbo/[l + J(flfhJb)],
- -hJbo/[l + j(f!fhJb)] fe -:- 1 + hJbol[1 + j(f / fhJb)]
(4-41a)
(4--38)
donde hfbo indica la referencia o valor a baja frecuencia del parmetro y fhfb simboliza la frecuencia de corte alfa, la frecuencia a la cual la magnitud del factor de amplificacin de corriente ha disminuido al 0.707 de su valor a bajas frecuencias. Los smbolos fab y fa se usan tambin para este parmetro. Para representar la frecuencia de corte beta, se usar fhfe, as como fae o fp
Jbo 1 + hJbo + j(f !fhJb)
-h
(4-41b)
< .
11
10.0
hfe en la ecuacin (4-41b) caer 3 dB cuando las partes real e imaginaria de su denominador sean iguales: (4--42) 1 + hJbo = f!fhJb' a (4--43) f = (1 + hJbo)f'rJb' De ah que f"Je
. 5.0 '"
<{
(1)
(1
+ hJbo)fhJb'
(4-44a)
o>
:::
a:
(1)
>",
11
1.0
<{ ;:.." -J
..--
r-.
<,
CobVS lE
->
~vsvc
W>0.5
W
<,
a:
<{
o -J
>
0.1 0.1
0.5 5
1.0 10
5.0 50
10.0 100
CORRIENTE
1
DE EMISOR EN mA
El trmino (1 + hfbo) tiene un valor nominal menor de 0.1. Se puede concluir que la configuracin de emisor comn es inferior a la de base comn cuando se considera la operacin a altas frecuencias, ya que el primero presenta una disminucin en su parmetro de amplificacin de corriente a valores mucho ms bajos de frecuencia. Sin embargo, el emisor comn se usa en muchas aplicaciones de alta frecuencia debido a que es bsicamente una configuracin de alta ganancia. Los datos de prueba que se obtienen con transistores elaborados por varios mtodos no estn completamente de acuerdo con la ecuacin (4-44a), y se ha sugerido una modificacin: f'rfe
=
POTEN CIAL CO LECTO R A BASE a) a:

100 80 ~W 60 O~ 50 (..) 40 e,
(..) (1)
Ko(l
+ h Jb~)"Jb'
(4-44b)
1/
380 -.;:
r-....
t-
" <; --o

"'<;;::'"
s; <; ....,
~~
o (..)
a:
C:W
z:::E Wz
W-J t--
30 20 .J 10_
r". ~
5
<,
1--1
320 10 15 20 25 30 35 40 45 50
--""""
380
360
fT (Mcj-360
340
i-
-1----
El valor de K(} nunca es mayor que la unidad y llega hasta 0.6 en ciertos transistores. Un parmetro especialmente aplicable a la etapa de emisor comn es fT, el producto ancho de banda-ganancia en corriente o frecuencia de transicin. Este parmetro es la frecuencia a la cual Ihfe I es igual a la unidad. Desde luego que fT es mucho mayor en el espectro que fhfe. Si en la ecuacin (4-39) se hace Ihfe I = 1 a f = Ir, se obtiene la siguiente relacin, considerando que Ir ~ fhfe:
POTENCIAL
COLECTOR b)
A EMISOR
n~:Ej
Ir
hJeofhje'
(4--45)
FiguJ;a4-13
a) Variacin de la capacitancia de colector con el punto de operacin; b) contornos de Ir constante para un transistor planar de silicio.
Despus de incluir la ecuacin (445) para fhfe en la ecuacin (4-44a) se concluye que el valor de Ir es ligeramente menor que fhfe' La variacin de Ir con las coordenadas del punto de operacin para un transistor planar de silicio se muestran en la figura 4-13b). Segn la grfica es
122
CIRCUI1S
EQUIVALENTES y SUS PARAMETROS
PARAMETROS DEL CIRCUITO HIBRIDO-rr

rb,c
123
evidente que existe un punto de operacin ptimo, al menos en cuanto a lograr el mximo valor de fT' 4-9 El modelo hbrido-rr. Al estudiar la operacin de un circuito de transistores a altas frecuencias algunas veces no resulta conveniente usar los parmetros h, que son funciones complejas a altas frecuencias. Conviene representar al transistor con un modelo que separe los elementos dependientes de la fre. cuencia de los puramente resistivos. Adems, es importante contar con una representacin del dispositivo en trminos de un conjunto de parmetros que se relacionen directamente con los procesos fsicos presentes en la operacin normal, con las coordenadas del punto de operacin en forma explcita y con alguna variable conocida. El equivalente hibrido-n desarrollado por Giacoletto es una representacin de cierto tipo de transistores y sus parmetros se pueden considerar invariantes con la frecuencia hasta la vecindad de la frecuencia de corte de alfa." Para desarrollar el circuito hbrido-a en el caso de emisor comn a partir de consideraciones fsicas, se har la suposicin inicial de que le e lb estn linealmente relacionados. Si el tamao del signo est suficientemente limitado, le Y Vbe tambin estarn linealmente relacionados. La constante de proporcionalidad es gm' la transconductancia. Por lo tanto, le
rbb b
~c
',.>
cJt
al
e 1
(-
c.,
gm V)
<re
rbe rbO bo---J\N
11
V
L-j
Gbe
= gmVbe
(4-46) de transfe-
~L
e; V
'b'e
ct)
;>rc.
Para el diodo se tiene la siguiente expresin de las caractersticas rencia: ic ~ K(VBdkT - 1).
bl
Figura 4-14 Modelos h brdos-rr.
(4-47)
de transferencia, puede
Debido a que gm es la pendiente de las caractersticas obtenerse de (447) por diferenciacin:

gm
==
iJiC/iJVBE'
(4-48) (4-49)
de donde se infiere que

gm ~
(q/kT)lc =AIc
El circuito hbrido-a requiere de cinco parmetros de baja frecuencia, mientras que los circuitos T y h slo usan cuatro, por lo que en estos ltimos circuitoseg necesario definir un parmetro adicional que permita su conversin al sistema hfbrido-rr. Este parmetro es la resistencia distribuida de base. Las conversiones se pueden hacer con los elementos normales de la teora de circuitos; en la tabla 4-3 se presentan algunas igualdades posibles. TABLA 4-3 Relaciones aproximadas entre parmetros.
g.lb'.
/\. simbolizar en adelante a qfk'I'. La magnitud de la corriente de colector directa es evidente en (449), y se puede observar que gm es independiente del tipo de transistor que se est considerando. Entre la base y el emisor el transistor se puede representar por tres elementos: la resistencia de entrada a bajas frecuencias rb'e, la capacitancia de difusin Cd y la capacitancia de carga espacial Cej, como se analiz en la seccin 2-6. El colector y la base se pueden unir por la capacitancia de carga espacial Cej y por rb'e Y Cm, elementos que representan el mecanismo de modulacin del espesor de la base, en tanto que el ancho efectivo de la base depende 'del potencial de colector. Adems de los parmetros ya mencionados, el colector est unido al emisor por el parmetro ree, que tambin representa el efecto de modulacin del espesor de base. Todos estos elementos se muestran en la figura 4-14a). La resistencia del material ligeramente impurificado se conoce como resistencia distribuida de base rbb' Y une a la terminal de base interna o intrnseca b' con la terminal real accesible. Al reunir todas las capacitancias del circuito de la figura 4-14a) se obtiene la forma hbrda-rr completa de la figura 4-14b).
'b'.
= h,. -
'bb'
IX
1 + gmrb"
r-,
r-, =
h,. h, :
'w
r = rw
b
+ 1 + (rce/rb'C)(1 + gm'b") + 'ee (1 +

1
gm
h,.
gm = h'e - rw
1
h'e h,. h'e-rbb'
- = rb,c re
rb'e )
..!...
'ee
=h
ee
'. = 'b,./[(1
+ gmrb") + 'b,cf'ceJ
* Relaciones
de baja frecuencia.
4-10 Parmetros del circuito hfbrdo-n. Es importante investigar el comportamiento de los parmetros del hbrido-a con las coordenadas del punto de operacin y con la temperatura. N o se reproduce aqu la deduccin de algunas
124
PARAMETROS DEL CIRCUITO HIBRIDO-1T
125
ecuaciones que aparecen en esta seccin; se puede encontrar en diversas obras sobre este tema.4,15 En la figura 4-15 se muestran los datos obtenidos de pruebas de laboratorio para los parmetros de un t;ansistor de germano de unin de aleacin en relacin con le, VeE Y T.
51 I I I
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1 g:J
gb',
00
leEN mA a)
2.4 2.2 5 2.0
5 10 VeE EN VOLTS b)
15
Mediante esta informacin se puede predecir el comportamiento de 'bb' con las variaciones en las coordenadas del punto de operacin, la temperatura, la frecuencia Y la correlacin de los valores de 'bb' con el del factor de amplificacin de corriente en corto circuito. Se puede esperar que con un potencial de colector incrementado, que produce una ampliacin de la capa desrtica dentro de la regin de base, rbb' se incremente, mientras que un incremento en el nivel de corriente de emisor debe producir una reduccin en 'bb' debido a la recombinacin que ocurre despus de acortarse la distancia del recorrido de los portadores mayoritarios en la regin de base. Tambin se puede predecir que 'bb' disminuir un tanto con la frecuencia, aunque esta disminucin no sea evidente en la ecuacin (4-50), porque en ciertos tipos de transistores una parte de este parmetro es de naturaleza distribuida. Las mediciones de los parmetros del transistor de unin de aleacin, tal como fueron hechas por Giacoletto, con tcnicas de puente," confirman en general las predicciones del prrafo anterior. El comportamiento tpico de 'bb' con le, VeE, y T se grafica en la figura 4-15. El ValOIdel elernento rg., en el circuito hfbrido-zr completo es muy grande y con frecuencia se puede considerar como circuito abierto. Bajo esta consideracin, a bajas frecuencias, el parmetro hie de resistencia de entrada del circuito de la figura 4-14b) es hie = 'bb'
+ 'b'e'
(4-51)
Y, puesto que el modelo debe tener una ganancia en corriente de hfe, he = gm'b'e' (4-52)
en 4
~1.8
>
:::
w
>
~1.6
La ecuacin (4-51) se resuelve para 'bb' Y se elimina 'b'e usando la ecuacin (4-52), de donde resulta rw
:)3
a:::
en w 2
....J
W
hie - helgm'
(4-53)
a::: 1.4 en
o ....J
a:::
a::: 1.2
O ....J ~1. 0.8
>
<C 1
O
,
1
t
3
!
4
I
0.6 0.4 -60
le EN mA (CURVAS CONTINUAS)
O 5 10 15 -40 -20 O 20 40 60 60 Vr.~;EN VOLTS (CURVAS PUNTEADAS)
TEMPERATURA,oC
el
Figura 4-15
y T.2,4,5,15
dI
Cuando es vlido usar el valor terico de gm dado por la ecuacin (4-49), se pueden usar mediciones simples de hie Y hfe para determinar la 'bb' aparente. (La validez de estas tcnicas se discute ms adelante bajo el subttulo de transcond uc tancia.) Aunque el factor de amplificacin de corriente hfe no es un parmetro bsico del circuito hbrido-rr, se relaciona con 'b'e, como se nota en la ecuacin (4-52). Un valor grande de hfe se asocia a una base estrecha y a una conductividad baja de base, y ambas caractersticas fsicas confieren a 'bb' un valor elevado. Se puede esperar, entonces, que los dispositivos que tienen una hfe grande posean tambin una 'bb' grande. Resistencia base-emisor. La recproca de 'b'e est dada por la expresin con gb'e ~ AClE (4-54)
Comportamiento experimental tpico de los parmetros h bridos-zr con le, VeE
e == abAeWjaeAbLe'
Resistencia distribuida de base ('bb')' La expresin analtica de este parmetro para geometras simples del transistor muestra una dependencia inversamente lineal respecto a la conductividad de la base y a W, el espesor de la base." rw
ab Y ae son conductividades de las regiones de base y emisor, respectivamente, y Ab Y Ae, las reas efectivas de esas regiones; W es el espesor de la base y Le la longitud de difusin para los portadores mayoritarios en el emisor. De acuerdo con la ecuacin (4-54) se espera un incremento en gb'e con la corriente estable de emisor y una pequea disminucin con el potencial de colector
= K/ab W.
(4-50)
126
PARAMETROS DEL CIRCUITO HIBRIDO-n
127
incrementado. Las pruebas confirman estos resultados," pero la relacin del incremento con Is es siempre menor que el valor terico que predice la ecuacin (4-54). Para explicar esta discrepancia, un anlisis ms detallado de la inyeccin de portadores de alto nivel sobre' el transporte de portadores minoritarios demuestra que el transistor opera como si la constante de difusin se hubiera duplicado. Se reconoce que Le = (jJ.T /A)1/2, donde T es la vida media de los portadores en la regin de base; entonces la variacin de temperatura es gb'e Y se puede predecir. En forma ideal, gb'e puede variar con I/T3.2 debido a la T del denominador de A y debido a la dependencia de Le respecto a la movilidad, que puede considerarse que vara con 1/T1.6 y sobre la vida media de los portadores, que es funcin de T", Transconductancia (gm)' Este parmetro ya se ha expresado anteriormente: gm
El valor a bajas frecuencias de he es heo' La demostracin de la ecuacin (4-57) se da ms adelante en esta seccin. Capacitancia intrnseca base-colector. Este parmetro se describe tericamente por medio de una complicada funcin de variables fsicas y corrientes y potenciales de circuito. Es mucho ms conveniente considerar que Cb'e crece con incrementos de le y decrece con incrementos de VeE de acuerdo a una relacin de la raz cuadrada inversa, como se expresa en la ecuacin (2-13) para la capacitancia de barrera.
2.0
1.6 en
= Ale
(4-55)
Las pruebas prcticas demuestran una gm un poco menor que el valor terico, en ocasiones hasta 15 % por abajo del valor que predice la ecuacin (4-55) a 1 mA. De nuevo se considera que la causa de esta desviacin es la inyeccin de alto nivel. Se nota tambin una ligera dependencia con VeE Y Eschelman ha reportado que la dependencia con la temperatura concuerda con la funcin terica 1/T.2 La recproca de gm se designa simplemente como re', la resistencia de emisor de Shockley. En este texto se emplear solamente gm' Capacitancia intrnseca base a emisor. La expresin aproximada para Cb'e se da por
Cb'e ~
>
~ 1.2
-1 W
a:
en o
w a: 0.8
-1
>
0.4
AIcCW2/2D).
(4-56)
o
-50 -30 -10 +10 +30 +50 +70
+90
D es la constante de difusin para portadores minoritarios en la regin de base. La ecuacin (4-56) indica que la capacitancia de transicin es despreciable comparada con la capacitancia de difusin y considera que ls es pequea en comparacin con lE' Es idntica entonces a la expresin para la capacitancia de difusin dada en la ecuacin (2-8). Las pruebas efectuadas por Giacoletto muestran una gran desviacin de la dependencia terica respecto a le para valores de corriente por arriba de 1 mA. A corrientes mayores de 3 mA se encuentra un aumento en Cb'e con le de alrededor de un medio de lo predicho por la ecuacin (4-56). El campo elctrico que existe en la regin de base cuando la densidad de portadores minoritarios es comparable con la densidad de portadores mayoritarios parece ser la causa del comportamiento complejo de este parmetro. El valor de Cb'e muestra una ligera disminucin con el incremento de potencial por el estrechamiento del ancho de base y no presenta ningn cambio con la temperatura. La forma siguiente de la ecuacin (4-56) es ms til para el anlisis de circuitos
Cb'e ~
TEN C Figura 4-16

hFE Y he vs temperatura.
Parme tros reststtvos del colector (ree Y rb'e)' Tericamente metros de valor bajo deben comportarse de acuerdo a 9 ~ Kle(VCE)-t.
estos par(4-59)
gm/WT'
(4-57)
El producto la relacin
de Cb'e Y rb'e expresa la frecuencia fhfe de corte de acuerdo con

Cb-e'b"
= heo/2rrfT = heo/2rrfh.heO = 1/2rrfhe'
(4-58)
Los valores medidos de gee coinciden con los valores tericos de (4-59), mientras que el elemento mutuo gb'e no concuerda bien con el comportamiento predicho por esta ecuacin cuando est presente un parmetro adicional: la fuga de unin; este efecto no se incluye en la ecuacin (4-59). Factor de amplificacin de corriente en corto circuito. De acuerdo con el tratamiento terico precedente de rb'e Y gm se puede esperar que he se incremente con T2.2, sin que lo afecten le y VeE. En la figura 4-16 est graficada una variacin tpica de temperatura. Se ha encontrado tambin que hfe se incrementa con le, alcanza el mximo y decrece con densidades altas de corriente por la eficiencia reducida de emisor. La variacin de he con el incremento de VeE muestra, en general, un incremento estable que aparece en la figura 4-12, debido a la reduccin del ancho de base. Parmetros fundamentales y significativos. Varios de los parametros que antes se estudiaron se considerarn como fundamentales: son gm' he, rbb',
128
CIRCUITO EQUIVALENTE DEL TEC DE UNION
129 (4-63)
Cb 'e Y Cb I~. De estos cinco parmetros, hfe es sin duda el ms significativo y los efectos que tienen sobre l las tolerancias de manufactura, el punto de operacin y la temperatura son de gran importancia en la determinacin de las caractersticas de comportamiento aun en la ms simple etapa. Los valores tpicos de los parmetros hbridos-rr para un transistor tipo 2N2614 son
r., ~ l/(hoe - 9nAe)'
11
Es posible determinar Cble usando un puente normal de capacitancia. Con el emisor abierto se mide Cob, la capacitancia colector-base, que. es esencialmente Cb'e'
'w = 300 n,
'b'e 'b'c
gm
= 0.0385 mho,
l.
o..
11
= 4000 n, =3
X
c., = 750 pF,

n, n,
l.,
Cb,c =
(
V
106
9 pF.
Figura 4-17
rb'e
te" ':mV,~
gb'e
-lo
r., = 167,000
Circuito h brido-rr simplificado con la carga en corto circuito.
Estos valores se obtuvieron con lc = 1 mA y VCE = 6 V. Determinacin de los parmetros hibridos-n, El hecho de que los parmetros hbridos 1T representen procesos fsicos dentro del transistor que son fsicamente inseparables, dificulta la medicin precisa de los siete elementos del modelo. Las tcnicas especiales de puente sugeridas por Giacoletto han suministrado buenos datos sobre estos parmetros." Aqu se describirn las tcnicas ms sencillas que se usan para obtener valores aproximados de los parmetros, adecuados para ciertos problemas. Se debe recordar que estos parmetros son sumamente dependientes de las condiciones de polarizacin y de la temperatura; por lo que se deben conocer en su totalidad las condiciones estticas antes de hacer cualquier medicin. En vez de medir directamente gm por lo general conviene calcular este parmetro de la relacin dada en la ecuacin (4-55); gm ~ 0.04 X (le en mA). La medicin de hfe da 'b'e, ya que 'b'e = hfe/gm de acuerdo con la ecuacin (4-52). El valor para bajas frecuencias de rs I se obtiene al medir hie por substitucin en 'bb' = hie - 'b'e' A ms altas frecuencias 'bb I puede contener efectos distribuidos que producen una diferencia considerable respecto al valor que se obtenga con el mtodo antes citado. Por lo comn el valor a altas frecuencias de 'bb' se obtiene midiendo hie a la frecuencia en que Cb'e y CblC se pueden considerar como corto circuito y, por tanto, hie = 'bb" Con una fuente de seal de potencial aplicada a las terminales de salida y la entrada abierta a la ea, se determinan hyp y hoe. Se infiere del circuito equivalente hbrido-a a bajas frecuencias (despreciando las capacitancias) que b., Entonces 'b'c ~ 'b'e/hre' (4-61)
I
Con la salida en corto circuito y 'b'e eliminada, la admitancia del transistor en su base intrnseca est dada por IjVi
=
+ jw(Cb'e + Cb,c)'
(4-64)
referida a la figura 4-17. A cualquier frecuencia hJe
= lo/li ~ gm(VjI;) = gm/[gb'e + jw(Cb'e + Cb,c)]'
(4-65)
El factor de amplificacin de corriente en corto circuito disminuir 3 dB de su valor a bajas frecuencias cuando f
= fhJe = 1/[2n:'b'e(Cb'e + Cb,c)]'
(4-66)
Si se considera que Cb'e ~Cb'e obtiene
Y se resuelve la ecuacin (4-64) para Cb,e, se Cb'e ~ l/whJerb'e' (4-67)
Y, con la aproximacin como
hfeoWhfe ~
wr, la ecuacin (4-67) puede escribirse

(4-68)
Cb'e ~ gm/wp
= 'b'e/('b'e + 'b'c) ~ 'b'e/'b'c'
(4-60)
Para hallar el otro parmetro resistivo Tce hay que observar que la admitancia de salida est constituida por tres partes, hoe
=
ilr.:
+ s; h'e/('b'e
+ 'b,J] +
l/('b'e
+ 'b,J.
(4-62)
El tercer trmino es mucho ms pequeo que cualquiera de los otros dos, por lo que se omitir. De la ecuacin (4-61) y de la (4-62) transformada se obtiene
'
.....
Esta ecuacin aparece anteriormente como la (4-57). 4-11 Circuito equivalente del TEC de unin. Para desarrollar un circuito equivalente a seales pequeas para el TEC de unin, se har uso de la informacin proporcionada por las caractersticas que se analizaron en el captulo 1 y por el estudio de los principios fsicos del captulo 2. La figura 4-18 muestra un circuito equivalente. La entrada es una unin inversamente polarizada que se representa de modo correcto por medio de la resistencia de fuga y la capacitancia de la capa desrtica que unen a la compuerta con las otras dos terminales. El generador de corriente constante de transconductancia gm depende de Vl y est en paralelo con la resistencia incremental de la barra, TaLa resistencia del canal es de un valor mucho ms pequeo que los valores de los elementos de fuga " Y 'b y, por tanto, se puede omitir; 'd, que es esencialmente la resistencia de salida del dispositivo, tiene un valor intermedio. Es obvio que este equivalente es muy similar al hbrido-1T completo que antes se
130
CIRCUITOS EQUIVALENTES y SUS P ARAMETROS
CIRCUITO EQUIVALENTE
DEL TEC DE UNION
131
estudi. El elemento rbb' no est representado en la figura 4-18 porque no es un parmetro importante en la operacin del TEC.
Las relaciones entre parmetros sern A
eb
= Yll + Y12' B = -YI2'
e = Y21
D = Y12
- YI2'
+ Y22'
(4-7lli)
1
I
V;
:::: ~
11
I
J
rb ra
Estas relaciones son completas, pero se pueden simplificar si se conocen los valores tpicos de los parmetros. Por lo general y 21 ~ Y 12 en el espectro de frecuencias de operacin del dispositivo. Las relaciones simplificadas son A
rd
ea
~ s; V;
= Yll + YI2 = Ygs> =

-Y12
e ~ Y21
D
= 9m'
(4-70b)
= Ygd'
= Y22 = Yds'
En trminos de la conexin especfica que se analiza, la de fuente comn, los parmetros generales y se pueden simbolizar de esta otra manera:
Figura 4-18 Circuito equivalente de un TEC simple.
Yll Y12
= Yis' = Y's>
Y21
= Yls'
Y22 = Yos'
Con frecuencia se proporcionan los parmetros de la matriz y, y conviene relacionarlos con el circuito 1T de la figura 4-18. La forma normal del circuito y se muestra en la figura 4-19a); se puede convertir a la forma normal-u de la figura 4-19b) igualando trminos de la matriz y de cada circuito. Para el circuito de la figura 4-19b). 11= AV, 12= B(V2
En la figura 4-20a) se muestra un circuito equivalente para ciertos TEC de unin que incluye los elementos de ms importancia del dispositivo. Puede haber cierta dificultad en la interpretacin de los signos algebraicos. En las mediciones de Yrs se encuentra que /1 fluye hacia afuera del dispositivo, es decir, en sentido opuesto a la direccin positiva convencional que se usa en la
b .. G
+ B(V1
-
V2),
(4-69)
VI)
+ CV1 + DV2
1J
V;
YIl
Yl2
Yz
I
a)
r
I
-+-
12
1
V
" I
T
g"
go
g.
Y21"V
YYtt
::: ~
-gr. bi,
::: ~
-b"
gr. V
V,
-11
VI
12
l 1
" ...,--. c.;
Figura 4-20
a)
)~c~
go.
+ ev;-
+ )gm"
b) Figura 4-19 Modelo de los parmetros y y circuito normal1T.
b)
Circuitos equivalentes del TEC.
132
CIRCUITO EQUIVALENTE Y PARAMETROS DEL MOS
133
teora general de circuitos, por lo que la Yrs medida contiene conductancia y susceptancia negativas. El elemento mutuo B del circuito normal 1T de la figura 4-19b) es, de acuerdo con la ecuacin (4-70), igual al negativo de y rs o + grs + jbrs' El elemento A se obtiene restando las magnitudes de las conductancias y capacitancias. Si se desprecian los elementos mutuos por el momento, se ve que la conductancia de entrada es ms pequea que gis sola y la capacitancia de entrada mayor que bis aislada. Las restas antes mencionadas no darn por resultado parmetros negativos Cgs y ggs. La entrada es un diodo de silicio inversamente polarizado, lo que permite considerar como infinita la parte real de la impedancia de entrada del dispositivo. El efecto de grs es despreciable comparado con brs' Cuando se hacen estas modificaciones al circuito equivalente de la figura 4-20a) se obtiene la forma simplificada de la figura 4-20b). A bajas frecuencias el TEC se caracteriza en forma adecuada por medio del parmetro gm, mientras que a altas frecuencias los efectos de Cgs y Cgd en la operacin del circuito dependern fundamentalmente de la frecuencia de la seal y del valor de la resistencia de la fuente Re. Con un valor extremadamente bajo de Re el elemento ms significativo en la limitacin del ancho de banda de la etapa ser la capacitancia de salida, de un valor aproximadamente igual a Cgd. 4-12 Parmetros del modelo normal-a modificado. En seguida se har un breve anlisis de los parmetros del modelo del TEC de la figura 4-20b). Transconductancia (gm)' Richer y Middlebrook han reportado que las curvas caractersticas de transferencia del TEC en la regin de corte se pueden describir con bastante fidelidad por medio de la siguiente relacin 12 ID
Capacitancia compuerta-fuente (Cgs) y capacitancia compuerta-salida (Cgd). Para un incremento de la carga dQ que fluye hacia la terminal de compuerta del TEC en el circuito de la figura 4-20b), la relacin nodal ser dQ
=
e; dVGS
+ e; d(VGS
- VDS) (4-74) se tiene (4-75a) (4-75b)
= (Cgs +
que
Cgd)dVGS
- Cgd dVDS'
Y, puesto que dQ depende en el caso general de ambos potenciales,
c., =
y
-8Qj8VDS
e; + e; = 8Qj8VGs
En la regin de corte aQ/a VDS es muy pequea (abajo de 5 pF). Richer ha deducido una expresin analtica para la capacitancia de entrada incremental en corto circuito.P Su evaluacin de la ecuacin (4-75) es
C(v)
= 12kW(Lja){(l
+ vt)f[(l + 2Vt)2]}
(4--76)
con v k W Lla
= JVGsfVpl,
= =
IDSS(l -
Vas! Vpl)"
(4--71)
constante dielctrica del material del canal ancho geomtrico del canal relacin de la longitud geomtrica del canal a un medio del espesor del canal.
Sevin demostr que, cuando el exponente es igual a dos, la parbola resultante concuerda de manera aceptable con los resultados experimentales obtenidos en dispositivos de dfusn.!" La transconductancia puede obtenerse matemticamente tomando la derivada de la ecuacin (4-71); con n = 2 se obtiene gm
= 81vj8( - VGS) = (2IDss/Vp)[1
- /VGsjVplJ.
(4-72)
La ecuacin (4-72) da gm como funcin de los parmetros estticos del dispositivo; se puede esperar un incremento en Sm al incrementarse Ves de acuerdo con esta relacin. Por las curvas caractersticas se nota un decremento de gm al disminuir ID y un pequeo aumento en el valor de gm con incrementos de
VDS'
La capacitancia que predice la ecuacin (4-76) tiene valores por debajo de 30 pF, cuando se usan valores tpicos para las dimensiones fsicas. El decremento en la capacidad con el incremento de Ves se advierte experimentalmente y tambin el hecho de que las capacitancias se reducen con la operacin a altos potenciales de salida. 4-13 Circuito equivalente y parmetros del MOS. El modelo de la figura 4-21a) es una representacin precisa de un dispositivo MOS para un intervalo amplio de frecuencias cuando el dispositivo se opera abajo del corte." Se presenta en seguida un breve anlisis de los parmetros de esta representacin.
Cgd
rgd
El anlisis fsico de Bockemuehl demuestra que gm es directamente proporcional a 11, la movilidad de los portadores de la barra. 1 Prince demostr que J1 = J1o(T/To)-n con
110
I1 Dl
rd',
r;
oD
c.;
(4-73)
Cdsl D2
e:
s
= movilidad
a la temperatura de referencia.
s
Figura 4-21
En la ecuacin (4-73) la constante n tiene un valor de 2.3 para los huecos en el silicio y de 1.5 para los electrones en el silicio. 10 El comportamiento de gm no es factor significativo en el espectro que interesa aqu.
b) a) Circuitos equivalentes del MOS: a) completo; b) aproximado para uso en bajas frecuencias.
134 Dl fuente inversa salida.
CIRCUITOS EQUIVALENTES Y' SUS PARAMETROS
BIBLlOGRAFIA
135
Y D2 son diodos que representan las uniones pon entre el substrato y la y la salida. El diodo salida-substrato normalmente est polarizado a la y presenta Una conductancia pequea en paralelo a las terminales de Las capacitancias asociadas con D', y D2 pueden agruparse en Cds' Cgd, Cgs y CdS representan capacitancias entre terminales, de valores tpicos 0.1, 0.9 Y 2.0 pF, respectivamente. 'gs y 'gd simbolizan la resistencia de fuga a travs del xido aislante y alrededor de sus bordes. Por lo general presentan un valor mayor de lOS n. C y representan la red distribuida asociada con la compuerta metlica y el canal activo. El potencial a travs de C realiza el control de carga y representa la resistencia del canal entre C y fuente y puede tener varios miles de ohms. C tiene unos 5 pF. gfs gm, la transconductancia, relaciona la corriente de salida con el potencial de control de carga. Puesto que Ve es el potencial importante de control, el generador es gm Ve y, para anlisis en bajas frecuencias, gm Vgs ==gm Ve' 'd's 'd' la resistencia activa del canal, es la resistencia de salida del dispositivo y se puede determinar por la pendiente de las curvas caractersticas de salida. Los valores de este parmetro son altamente dependientes del punto de operacin. 'd 'd es la resistencia de la porcin del canal que no se modula con el potencial Ve' En una unidad diseada con una compuerta parcial de manera que el electrodo de compuerta no cubre totalmente el canal, 'd'd puede tener varios miles de ohms, mientras que en una unidad de compuerta completa es despreciable. Cgdl en las unidades de compuerta parcial tiene un valor de unos 0.1 pF, un orden de magnitud ms pequeo que Cgdl en los tipos de compuerta aislada completa. Para el anlisis en bajas frecuencias, el equivalente de la figura 4-21 b) es suficiente. 's = <-gs + Ce, Cid = Cgd + Cgd" y '(fS es el equivalente paralelo de 'd's Y la resistencia del diodo.
4-5. Determine los parmetros hbridos de la red de la figura que se muestra. El dispositivo de la caja est representado por parrnetros [h']; h 11', etc.
Y:
Problema 4-5 4-6_ Dibuje un modelo T para anlisis del circuito con colector comn. Use un generador dependiente de la corriente (3lb en la rama del colector. 4-7 _ Demuestre las relaciones entre hre y hoe y los parrnetros h de base comn. 4-8_ Demuestre las relaciones entre los parrnetros h de colector comn y los de base comn. 4-9. Demuestre las relaciones de la tabla 4-2 que incluye los parrnetros T expresados corno funciones de los parrnetros h de base comn. 4-10. Convierta el siguiente conjunto de parmetros h en parrnetros h de emisor comn y colector comn y en parrnetros T: hfb = -0.99, hib = 50, hrb = 10-4, hob = 10-6. 4_11. Determine, para el transistor cuyas variaciones de los parmetros se muestran en las figuras 4-11 y 4-12, todos los parmetros de emisor comn con IC = 7 mA y V CB = 20 V. Los valores nominales son hfb = -0.95, hib =40 n, hrb =5 X 10-4 y hob = 10-6 mho. 4-12. Un transistor presenta f"'b de 10 Mc y hfbo de -0.985. Determine los valores nominales de f",e, hfeo y tr y el valor de hfb a 2 Mc. 4-13. Si hfe a 2 Mc tiene el valor de 4 Y fhfe es de 100 kc, calcule hfbo y el valor de h[b a 2 Me. 4-14. Un transistor con fs = 0.5 Me, tiene los siguientes parrnetros de baja frecuencia: hib = 50 n, hrb = 10-4, hfbo = -0.98, hob = 2 X 10-6 mho. Exprese los parmetros h de emisor comn en forma compleja a 10 kc hfb =hfbo/(l + jflf"'t), siendo hfbo el valor de baja frecuencia o referencia de este parrnetro. 4-15. Deduzca las expresiones para los parrnetros h de emisor comn en trminos de los parrnetros h bridos-rr de baja frecuencia. 4-16. Las mediciones hechas en un transistor de unin establecieron los siguientes parrnetros de baja frecuencia: hfe = 200, hie = 4000, hre = 10-3, hoe = 10-4, Cob = 1 pF. El punto de operacin se halla en 1.5 mA y Ir = 50 Mc. Determine los valores aproximados de todos los siete parmetros del modelo h Ibrido-rt a temperatura ambiente. 4-17. Un TEC de unin que obedece a la relacin de la ley del cuadrado, ecuacin (4-71), se caracteriza por IDSS = 10 mA, Vp = 5 V. Encuentre ID y Sm a Ves = 0.1, 2, 3, 4, y 5 V. 4-18_ Convierta los parmetros y para 1 kc que se dan en seguida para el TEC 2N2498, en elementos del circuito de la figura 4-20. Considere Yis e Yrs corno admitancias capacitivas.
'e
'e
PROBLEMAS
4-1. Escriba las ecuaciones (44), (4-5), (4-6), (4-7) Y (4-8) en forma matricial. 4-2_ Dibuje el diagrama equivalente para: a) las ecuaciones (4-6); b) las ecuaciones (4-7); e) las ecuaciones (4-8). 4-3_ Dibuje un circuito prctico y especifique todos los equipos de prueba, conmutadores, bateras, etc., para realizar mediciones de laboratorio de los parrnetros h de base comn de un transistor de baja potencia a 400 Hz. Muestre la manera de computar los parrnetros a partir de las lecturas de los medidores. 4-4. Evale los parrnetros h bridos para seales pequeas del dispositivo cuyas caractersticas se muestran en las siguientes figuras.
1 (t-tA)
IY/sl = 0.2 IYrsl = 0.1
.trnho, .trnho,
Iy/.I = 4000 fLrnho, IYo.1 = 100 .trnho.
, 5V
lOV
12 " 15V
BIBLIOGRAFIA
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(mA)
1.3
5 1.2 1.0
I 1
VI
200 210
220
Vt(mV)
10
Problema 44
V2(volts)
136
CIRCUITOS EQUIVALENTES Y SUS PARAMETROS
6. Griswold, G. M., Y Olmstead, J. A. The MOS Transistor, Publieation n.? ST-2651, Radio Corporation of America, Sornerville, Nueva Jersey, 1964. 7. Hurley, R. B., Junction Transistor Electronics, John Wiley & Sons, Inc., Nueva York, 195B. B. Mattson, R. H., Basic Junction Devices and Circuits, John Wiley & Sons, Inc., Nueva York, 1963. 9. Phillips, A. B., Transistor Engineering, MeGraw-Hill Book Co., lnc., Nueva York, 1962. 10. Prince, M. B., Drift Mobilities in Semiconductors, 11. Silicon, Phys. Rev. 93, marzo 15, 1954. 11. Reddi, V. G. K., Applying Transistor "y" Parameters, Electronic Industries, enero, 1960. 12. Rcher, L, y Middlebrook, R. D., Power-Law Nature of Field Effect Transistor Experimental Characteristics, Proc. IEEE, 51, agosto, 1963. 13. Richer, l., Input Capacitance of Field Effect Transistors, Proc. IEEE, 51, septiembre, 1963. 14. Riddle, R. 1., y Ristenbatt, M. P., Transistor Physics and Circuits, Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, Nueva Jersey, 195B. 15. Searle, C. L., Boothroyd, A. R., Angelo, E. J., Gray, P. E. y Pederson, D. O., Elementary Circuit Properties of Transistors, John Wiley & Sons, lne. Nueva York, 1963. 16. Sevin, 1. J., A Simple Expression for the Transfer Characteristic of FET's, Electronic Equipment Engineering, 11, n.? B, agosto, 1963. 17. Shea, R. F., Principies of Transistor Circuits, John Wiley & Sons, Inc., Nueva York, 1953. lB. Shea, R. F., Transistor Audio Amplifiers, John Wiley & Sons, Inc., Nueva York, 1955. 19. Thornton, R. D., De Witt, D., Chenette, E. R., Lin, H. C., Characteristics and Limitations of Transistors, John Wiley & Sons, Inc., Nueva York, 1963.
CAPITULO
Anlisis
En este captulo se presentan al lector los mtodos normales de deduccin de las relaciones matemticas de comportamiento que se emplean en el anlisis de circuitos simples con transistores convencionales o de efecto de campo. En el captulo 4 se estudiaron los circuitos elctricos equivalentes que describen estos dispositivos con polarizacin para operacin en Clase A. Aqu se mantiene la suposicin de que los niveles de seal son suficientemente pequeos para que sean an vlidas las consideraciones de linealidad sobre las que se elaboraron los modelos. Se considerar ahora que al dispositivo activo lo alimenta una fuente de seal y l, a su vez, alimenta una carga. Se desea deducir las frmulas que permitan la prediccin de la amplificacin de potencial, corriente y potencia suministradas por el circuito y de los niveles de impedancia en las terminales, presentados a la fuente de seal y a la carga por las terminales de salida y entrada. En el anlisis de estos circuitos simples de transistor y de TEC se representan las terminaciones en trminos de los parmetros elctricos de .los equivalentes, aunque sea innecesario desde el punto de vista tcnico, conocer la apariencia fsica exacta de la fuente o de la carga. As, una carga resistiva de 500 n puede representar un pequeo motor o una lmpara, o la resistencia de entrada de otra etapa y, respecto al anlisis del circuito, todas estas cargas son idnticas. Se estudiarn las caractersticas en frecuencia de circuitos sencillos y se har una comparacin de las propiedades de las diferentes configuraciones; por l timo, se presentarn varios ejemplos de anlisis de circuitos completos. 5-1 El circuito de parmetros h terminado. El circuito de la figura 5-1 es el circuito general de parmetros h terminado en una carga resistiva y alimentado por una fuente de seal Vg de resistencia interna RG' Este es un caso particular del circuito ms general con impedancas terminales ZL y ZG. Se puede ver en esa figura que los parme tros del circuito h y ha se consideran tambin elementos resistivos, y que se supone que hf y h; son nmeros reales y no complej os. Las ecuaciones que se deducirn a partir de la figura 5-1 son para un transistor convencional sobre un espectro amplio de frecuencia. Para el caso complejo ms general, vase el Apndice ll.
137
138
h,11
ANALISIS
EL CIRCUITO DE PARAMETROS h TERMINADO
139
RG
~
+
11
h.
hrY.
f'\J
+12 Vo RL
fase que producen las etapas de emisor comn aparece algebraicamente en la ecuacin (5-2). Cuando h es positivo, como he, Av se mantiene negativa, 10 que indica que Vo positivo produce un V negativo. La ausencia de inversin de fase en las etapas de base comn y de colector comn se deduce de los signos de hfb y he, que son negativos. Es importante para el lector recordar que slo la conexin de emisor comn produce inversin de fase. Ganancia en corriente A. = /2 = ---,-_V.....:-,h f,-,-/_D 11 V(1 + hoRL)/ D Ganancia en potencia*
v. (f'\J
v.
hf
1 + hoRL
(5-3)
Figura 5-1
Circuito equivalente para la configuracin general con terminaciones de carga y fuente.
G = A Av = hf 2 RL!W + hoRL)(h + RLllh)].

Resistencia de entrada V V R = - = ---,--_'::-_ 11 -V(1+hoRL)/D h + RLllh 1 + hoRL
(5-4)
Para describir este circuito se usarn las ecuaciones metros h dadas en el captulo 4: V = hJ1 12 = hf/1 Ntese que substitucin
generales de los par-
(5-5)
+ h,Vo' + hoVo
(5-1)
Vo se puede eliminar de las ecuaciones Vo
(5-1) por medio de la
Resistencia de salida Para encontrar el valor de la resistencia de salida del circuito se pone Vg en corto circuito y se conecta una fuente de seal Vo, en lugar de RL, a las terminales de salida. Las ecuaciones para este circuito sern 0= (h,
+ RG)11 + h,Vo, + hoVo
= -/2RL
(5-6)
As, V
12 = hf/1
= hJ1 - h,RL/2, - (1 +hoRL)/2

de los
o = hA
Las direcciones de las corrientes y las polaridades del potencial son las que se muestran en la figura 5-1. La relacin VO//2 es la resistencia de salida del circuito. De las ecuaciones (5-6) se obtiene /2 y as
Se considera que las corrientes son las incgnitas, y el determinante coeficientes es D = -h(1 + hoRL) + h,hfRL Entonces
= hf[ -h,Vo/(h + RdJ + hsV,

Vo//2
=
s, =
(h,
+ RG)/(RGho + Ilh).
(5-7)
= O'
I
-(1 +' hoRL) _ - V(1
-h RL
+ hoRL)
D
12=
I h~
h.
VI
=--
Vhf
La ganancia de potencial de este circuito es A v donde Ilh = h.h - h,hf Ntese que la definicin de la ganancia de potencial que se usa aqu es VolV. Si Vo/Vg es la relacin que interesa, hay que sumar Rg a h. La inversin de
= Vo = -/2RL = (VhfRLID) = -hfRL

V V V
h + Rdj"h'
(5-2)
Aunque Vg est en corto circuito al obtener la expresin para Rg, se deben mantener los generadores dependientes, hr Vo y hl1. Con las ecuaciones anteriores es posible calcular el comportamiento de una etapa de base comn simplemente insertando hb' hrb, hb Y hob, mientras que para determinar el comportamiento de un emisor comn debern usarse hie, hre, he Y hoe La configuracin de colector comn se tratar de manera anloga. En la tabla 5-1 se proporciona un resumen de las frmulas deducidas. Las relaciones que se obtienen en esta seccin se pueden deducir por otros mtodos. Por ejemplo, se puede hacer un intercambio de fuentes y escribir las ecuacones de las mallas, resolvindolas para las corrientes incgnitas. Hay otra alternativa: las ecuaciones (5-1) se pueden resolver por mtodos matriciales (problemas 5-2). Los valores que se usan para RL y Re en las ecuaciones de este captulo deben incluir a cualesquiera elementos de polarizacin conectados entre las terminales de salida y entrada. Se dan ejemplos en la seccin 5-9.
* El producto de A por Aves parmetros son reales.
la ganancia en potencia de la red cuando todos los
140 TABLA 5-1 Frmulas para el circuito equivalente hbrido
ANALISIS
EL CIRCUITO DE PARAMETROS h TERMINADO
141
Ganancia de potencial, Av Ganancia de corriente, A Ganancia de potencia, G

(l
-s,,
h,
Las soluciones de estas ecuaciones son las expresiones que se presentan en la tabla 5-2. Un mtodo alternativo para deducir estas ecuaciones involucra las interrelaciones de parrnetros de la tabla 4-1. TABLA 5-2 Frmulas de emisor comn para el circuito equivalente Frmulas completas* hbrido
+ RL!l
hf
(5-2) (5-3) Frmulas aproximadast

hJbRL RLh.b)
1+ h.RL
h/RL h.RL)[h, h
RL!lj
(5-4) (5-5) (5-7) Ganancia de potencial, Av+

h'b(l RL(h'bh.b hfb) RLh.b) - h,bhfbRL
Resistencia de entrada, R Resistencia de salida, R

= hho - h-h
+ RL!l
h'b(l
1+ h.RL h,+RG !l. + RGh.
(5-9) Ganancia de corriente, A Ganancia de potencia, G

-(h'bh.b h.b(h'b RJ
(5-9A) -hJb
h.bRL
+ hfb) + (l + hfb)
(S-lO)
+ (l + hJb)
(S-lOA) hJb RL
2
~h
Elementos de retroalimentacin. Las ecuaciones (5-2) a (5-7) son vlidas para el anlisis de circuitos simples de emisor comn si se usan parrnetros de esta configuracin. Sin embargo, para la inclusin de retroalimentacin local en la etapa mediante la conexin de resistencias en serie con la terminal de emisor y/o del colector a la base, es ms conveniente estudiar la conexin de emisor comn con parmetros de base comn. Si la terminal de base del equivalente h de base comn se conecta a la fuente de seal y la terminal de emisor se inserta en la rama comn, se obtiene el circuito de la figura 5-2. Despus de hacer un intercambio de fuentes en la rama de colector la expresin para Vcb es Vcb = (lhfb/hob)
RL(h'bh.b + hfb)2 [h.b(h'b + RL) + (l + hfb)] } { x [h'b(l + RLh. ) - h,bhJbRd b
h'b(l
+ RLh.b) [RLh.b (l
+ + hJb)]
(5-11) Resistencia de entrada, R

h'b(l + RLh.b) - h,bhJbRL h.b(h'b + Re) + (1 +hJb) h'b(l RLh.b
(5-1 lA)
+ RLh.b) + (l + hJb)
(5-12A)
(5-12) Resistencia de salida Ro

h'b
+ Rdh'bh.b + (1 + hJb)] h.b(h'b RG) - h'bhJb
h'b
+ RG(l + hJb)
+
RG) - h'bh Jb
h.b(h'b
+ [12(1 + hfb)]/hob
hble
(5-13)
(5-I3A)
..
* (1
- h rb) factores omi tidos.

~hbhob' RL ~hib, hib ~hrbh~L'
t (1 +htp) e
-le +
RG
lb
+ Relacin
de Vo a V en la figura 5-2.
v,~
'0+t "r
h,b Y.b IV h le E
h.b
v.
<,RL
Las ecuaciones (5-9) a (5-13) permiten incluir un elemento Re conectado de emisor a tierra por la adicin de Re a ht en cada frmula. Tambin se puede incluir una conductancia G conectada entre colector y base mediante la adicin de Ge a hob' Estas ecuaciones son de particular importancia, debido a que
!J...
de fuente y
~ lo
Figura 5-2
Circuito equivalente para el emisor comn con terminaciones carga y parmetros de base comn.
Las ecuaciones de las mallas son V,

,
IgU
YG
v;
Y,
t I, v.
Y V
= 1 I [h. lb - hfbhrbJ + 1 2 h
ob
lh. _ (1 + hfb)hrb]
lb
tt
Y.
v.
YL
'
lob
fb O = 1 [ hib + (l - hh,b)h ]
d
+ 1 [ hib + RL + (1
2
h,b)
(1 +
(5-8)
.
h _-o _f_b)] hd
Figura 5-3
La red terminada de parmetros y.
142
ANALISIS
EL CIRCUITO EQUIVALENTE T TERMINADO en vez de
143
tales elementos de retroalimentacin se usan con frecuencia en las etapas a transistores. 5-2 El circuito de parmetros y terminado. El circuito de parmetros y est conectado a una carga YL y a una fuente de seal 19 en paralelo con Y G en la figura 5-3. Se usan admitancias como terminaciones debido a que en esta forma el circuito slo tendr dos nodos y ser posible analizarlo con ms facilidad. Las ecuaciones nodales del transistor son:
A = P = IX/(l - IX). La discrepancia que existe se puede aclarar al sealar que el generador debera tener otra nomenclatura, como ( lb' Se define entonces IX' =
P' /(P' +
1).
Y la ecuacin (5-21) se escribe correctamente A
como - IX')].
t, = yV + y,Vo,
lo = yV
(lX're - re),'[re
+ re(l
-IX')]
+ YoVo'
(5-14) las ecuaciones para las
Para encontrar
y as
el valor de a', se iguala esta expresin con (3: (lX're'- re)/[re
Si se hace la substitucin Vo = -loZL, se obtienen ganancias e impedancias presentadas en la tabla 5-3.
+ re(l
= IX/(l -IX),
(5-35)
IX' = (IXre + re)/re'
TABLA 5-3
Frmulas para el circuito equivalente y
et,
RG
B +
~I.~
Ganancia de potencial, Av Ganancia de corriente, At Impedancia de entrada, Z Impedancia de salida, Z
* 1
+ y.ZL
y,ZL
(5-15) (5-16) (5-17) (5-18)
rb
re (l-a)
y+tJ.ZL 1 + y.ZL y + tJ.'ZL 1 + yZG Y. + tJ.'ZG
---.!.L,
-r
b
11
r.
<>
2
V.
RL
al
al.
* Relacin
t Relacin
de Vo a V en la figura 5-3. de lo a I en la figura 5-3.
RG
T terminado. Los modelos T de baja frecuencia fueron presentados en la seccin 4-5 para emisor comn y base comn. En la figura 54 se muestran estos circuitos junto con la representacin de colector comn con carga resistiva y fuente. Emisor comn. Al reemplazar la fuente de corriente de la rama de colector se tienen las ecuaciones:
V =ll(rb
5-3 El circuito equivalente
r.
l. b)
re
+
lb
rb
Ya
<RL
+ re)
- 12(re),
RG IX)] + 12[re
0= - 11 - Prc(l[re
re(l-
IX) +
Rd.
(5-19)
-.
lb
rb
r.
re (I-a)
l.
+
V.
I
Las soluciones de estas ecuaciones para las propiedades de ganancia y niveles de resistencia aparecen en la tabla 5-4. Al estudiar la expresin de ganancia en corriente, ecuacin (5-21), podra parecer que se ha cado en un crculo vicioso. (3 se ha definido como el factor de amplificacin de corriente para corto circuito; no obstante, de la ecuacin (5-21) para RL = O, que es claramente un corto circuito. A = (IXre - re)/[re + re(1 - IX),
Id
.. e
~RL
el
Figura 5-4 Circuitos equivalentes para seales pequeas: a) emisor comn; b) base comn; e) colector comn. .
144 TABLA 5-4 Frmulas para el circuito equivalente T
ANALISIS
EL CIRCUITO EQUIVALENTE T TERMINADO
145
Frmulas completas Ganancia de potencial, Av
Frmulas aproximadas+
las frmulas ms aproximadas, muy tiles para obtener una rpida comprensin del circuito sin tener que realizar clculos ms laboriosos con las expresiones completas. TABLA 5-5 Frmulas de base comn para el circuito equivalente Frmulas completas Ganancia de potencial, Av* ,.[RL Ganancia de corrien te, A
(r. + are)RL - <x)] + re(r.
*t
r.[re
+ re(l
RL(are - re) - a) + RL] + r.(re
+ RL)
(5-20)
aRL re
r.(1 - <x)
(5-20A)
~. _<x_
Frmulas aproximadast
aRL
Ganancia de corriente, A*
are - re r.
+ reO
- <x)
+ RL
(5-21)
= f3
(5-21A)
l-a
+ re(l
+ re + RL)
(5-25)
re+r.O-a)
Ganancia de potencia, G
(
RL(<xre - re)2 [re - <x) + RL]{r.[re + rcC1 - <x) + RL] + re(re
+ reO
+ RJ}
a2 RL (1 - <x) [re + r.(l - <x)]
(5-25A)
<x
r, + r r.+re+'RL
(5-22) Resistencia de entrada, R r, +

re(re + RL) r. + re(1 - <x) + RL r.(1 - <x)
(5-22A)
(5-26) Ganancia de potencia, G

(r. ( r.
(5-26A)
<x
2
+ re
(5-23A)
+ <xre) RL
2
RL
- a)
1(5-23)
<x
+ re + RL){r.[RL + + re(r. + re + RL)}

re + r.[RL
reO - a)]}
re
+ r.(1
Resistencia de salida, s;
reO _ a)
+ r.(RG + r. + re) RG + r. + r,
(5-24)
RGreO - <x) + rere RG
(5-27) Resistencia de entrada, R Resistencia de salida, R
(5-27A)
r.
+ r, + r.
(5-24A)
+ reO r, + re + R
a)]
L
+ r.O -
a)
(5-28)
re
t'e t
* Inversin
(5-28A)
re[RG
de fase. ~'e,'e(1 - a) ~(RL +re), RG ~rb"e Agrguese RG r si se necesita Vo/Vg.
~ (RG +'b)'
r.(RG + re - are) RG + r. + re
+ r.O RG
a)
+ re]
(5-29A)
+ r. + r,
(5-29) Al substituir los valores normales de los parmetros, la ecuacin (5-35) da una diferencia entre a y a' no mayor del 0.01 %, de manera que resulta razonable emplear a o (3 en la denominacin del generador de corriente, en vez de otro smbolo, por cuanto la precisin del circuito equivalente y de las mediciones de los parmetros contienen errores de magnitud considerablemente mayores que la diferencia entre el factor de amplificacin de corriente en corto circuito y el factor denominado a'. Base comn. La deduccin de las frmulas para la configuracin de base comn parte del circuito con el transistor conectado a una fuente y a una carga de la figura 5-4b). Las expresiones que se obtienen se pueden ver en la tabla 5-5 y se invita al lector a comprobarlas (ver los problemas 5-9 y 5-10). Esta conexin no presenta inversin de fase entre las seales de entrada y salida. Colector comn. El circuito de la figura 5-4c) se puede usar para deducir las ecuaciones de comportamiento de la configuracin de colector comn. Las frmulas para predecir la operacin del transistor en esta configuracin aparecen en la tabla 5-6. La conexin de colector comn no presenta inversin de fase entre las seales de entrada y salida. Frmulas aproximadas. En las tablas 5-4, 5-5 Y 5-6 se enlistan las frmulas para las tres configuraciones. Las llamadas frmulas completas, que son por s mismas resultado de consideraciones y aproximaciones, se presentan junto con
* Agrguese RG a re si se necesita trc~rb' re(1 - a)~RL, 'e~(RG+re)'
v.ir;
Al calcular las frmulas aproximadas se han tomado en cuenta las siguientes consideraciones: re ~ rb, re ~ re, re ~ RL, reO - a) ~ RL, RL ~ re, que parten del conocimiento de los valores tpicos de los parrnetros; se encuentran en general valores tales como r, = 500
re
n,
= 30 n, re = 1.500,000 n,
ex
=
0.975.
Se pueden deducir muchas otras relaciones aproximadas, algunas de las cuales describen ms satisfactoriamente la operacin de un tipo o una unidad de transistor. Hay que tener en cuenta siempre que todas las ecuaciones que se presentan aqu corresponden slo a los circuitos para los cuales fueron deducidas. Si por ejemplo, se insertara una resistencia en serie en la terminal de emisor de la configuracin de emisor comn, entonces la re se ncrementara y ciertas frmu-
146 las aproximadas dejaran de ser vlidas o, ms concretamente, del uso de las frmulas aproximadas tendran un error adicional. TABLA 5-6
ANALISIS los resultados
EL CIRCUITO HIBRIDO-1T TERMINADO
147
Frmulas de colector comn para el circuito equivalente T

Formutas completas Formutas aproximadasi
Ganancia de potencial, Av
reRL.
* rsr, +
RL)
+ re[re + RL + rb(l -
0:)]
(5-30) Ganancia de corriente, A re reO-o:)+re+RL (5-31) Ganancia de potencia, G r/RL [reO - 0:) + re + RL]{rb(re + RL)} ( + re[r. + R + rbO - o:)]} L (5-32) , rb 1
1-0:
1
(5-30A)
1-0:
pueden omitir 'ee Y 'b'e, puesto que son elementos que representan valores extremadamente altos de resistencia; su eliminacin hace al modelo unilateral a bajas frecuencias. El circuito final de bajas frecuencias modificado hbrido-a es el de la figura 5-5 conectado a una fuente, cargado y con un elemento de retroalimen tacin local Re' Para justificar numricamente el uso del circuito equivalente modificado se presenta el siguiente ejemplo. Las modificaciones que se recomiendan en el prrafo anterior permiten la eliminacin de los parmetros hbridos hre y hoe a bajas frecuencias. Por lo tanto, el determinante de la matriz Ilhe se hace cero en la expresin de ganancia de potencial para una etapa alimentada por una fuente ideal de potencial, ecuacin (5-2). Entonces la expresin aplicable ser Av
= heRL/he.
(5-36)
(5-31A)
Considrese que los parmetros del transistor tipo 2N2614 de germanio con unin de aleacin para 1 kc y con VCE = 12 V e 1C = 1 mA, son los suministrados por el fabricante:
(5-32A)
n.; = 4300 n,
hre
=
he hoe
= 160,
Resistencia de entrada, R
rsr. + R
+ reO 0:)
L)
RL
1-0:
0.0014,
60
10-6 mho.
+ re + RL
(5-33)
(5-33A) r. + (1 - o:)(RG
Resistencia de salida, Ro
r.
rcC1 - oc)(RG + rb) RG + rb + re (5-34)
+r
b)
(5-34A)
Agrguese Re a rb si se necesita Vo/Vg. tre(l - a)~RL, RL ~[re +rb(l - a)], re ~(RC +rb)'
5-4 El circuito hbrido-1T terminado. El circuito hfbrdo-rr completo es un modelo para toda frecuencia; sin embargo, resulta muy complejo si se usa en su forma completa. Si el inters se restringe a bajas frecuencias se pueden eliminar las capacitancias del circuito completo y obtener una versin modificada que contiene cinco elementos resistivos. Es deseable una mayor reduccin an porque las ecuaciones para una etapa completa con fuente, carga y retroalimentacin local son todava inoperantes. Para muchos propsitos se Ro
B
Los clculos establecen tlhe = 0.034. Con RL igual a 1000 n, Av de la ecuacin (5-36) difiere en menos del 1 % del valor obtenido mediante la ecuacin (5-2) y, cuando el transistor alimenta una carga de 10,000 n, el error aumenta slo a 7.3%. Las frmulas de ganancia e impedancia se pueden obtener con facilidad del circuito de la figura 5-5. Para proporcionar estabilidad de ganancia al circuito se incluye retroalimentacin local a travs de Re, conectada entre la terminal de emisor y .tierra. Existen otros medios de lograr retroalimentacin local degenerativa, de los cuales el ms significativo es la conexin de una resistencia de colector a base, que reduce la resistencia de entrada y opera bien con fuentes de seal de corriente constante. El uso del elemento conectado a la terminal de emisor ser el nico mtodo para retroalimentar que se considere aqu. Otros mtodos se discutirn en el captulo 10. La amplificacin de potencial del circuito de la figura 5-5 es Av
= lVo/Vd = heRL/['w
+ rb'e + Re(l + he)]'
(5-37a)
rbb'
V,
I
v;
\...
frb'e
.
E
s; Vi'
v.
Si se desea incluir la resistencia de la fuente en el anlisis basta con sumar Re a 'b'b' Haciendo RL igual a la combinacin paralela de la carga externa y 'ee, se incluye el efecto de este parmetro. Si se toma en cuenta que 'b'e = hfe/gm, como se mencion en la seccin 4-10, se tendr una forma distinta de la ecuacin (5-37a)
RL
Re
Av
= gmheRL/[he + gmrw + gmRe(l + he)]'
(5-37b)
Figura 5-5
Circuito hfbrido-rr modificado, resistencia de fuente Re.
con carga RL, retroalimentacin
local Re Y
La consideracin de la unilateralizacin mencionada anteriormente est evidente en la ecuacin (5-37), ya que la ecuacin predice un crecimiento montono de Av con RL. Se debe tomar en cuenta que los resultados de cualquier
~
148
ANALISIS COMP ARACION DE CONFIGURACIONES
149
I I
estudio que se realice a partir de la ecuacin (5-37) tendrn un error que se incrementa cuando RL se aproxima al valor de la resistencia de salida del dispositivo activo. La ecuacin (5-37) es vlida a bajas frecuencias y puede servir como referencia para anlisis de amplificadores. Es simplemente una forma de la expresin general
104 I
I
..;
....J
103
Base comn
1
I
~
U '2
Av La amplificacin
cin vlida en el intervalo de valores
ARLIR. es hfe,
(5-38)
una aproximade entrada es
10
de corriente del modelo modificado
o e,
de carga. La resistencia
w
CJ
10
= V;/I =
rw
+ rb'e + Re(l + hJe).
(5-39)
~
2
Colector comn
1.0
La suposicin de unilateralizacin evidente en la ecuacin (5-39) tambin es vlida para un amplio conjunto de valores de cargas. Es interesante notar el efecto de la retroalimentacin local sobre la ganancia de potencial, efecto que no aumenta aun cuando el circuito est conectado a una fuente de alta resistencia in terna. De la ecuacin (5-37), transformada adecuadamen te, se puede sacar esta conclusin:
(!)
0.1 10~ 10
io
105
10
RESISTENCIA Figura 5-6
DE CARGA EN OHMS
Variacin tpica de ganancia de potencial con resistencia de carga.
Av(sin retroalimentacin)
Av(con retroalimentacin)
~~------------~= +
ReChJe
rb'e
+ 1) . + rw
(5-40)
De esta ecuacin se desprende que no es posible lograr un aumento en la ganancia de potencial, por adicin de Re, a un valor por arriba de la ganancia de la etapa sin retroalimentacin. 5-5 Comparacin de configuraciones. Con anterioridad se indic que la configuracin de emisor comn es la ms ampliamente aceptada y que se pondra mayor nfasis en este tipo de conexin, como ocurri en el captulo dedicado a la polarizacin. Es natural preguntarse las razones de la popularidad del circuito de emisor comn, de manera que se impone hacer la comparacin en tre las configuraciones. Se han comparado las tres configuraciones y los resultados forma de grfica en las figuras 5-6 a 5-10. Los valores tpicos metros de aparecen en de los par-
Ganancia de potencial. Las configuraciones de emisor comn y base comn tienen esencialmen te la misma ganancia de potencial, como se ve de la figura 5-6. Una etapa de colector comn nunca tendr una ganancia de potencial mayor que la unidad y tiende a conservar este valor para resistencias de carga muy altas. Ganancia de corriente. Las configuraciones de emisor comn y de colector comn muestran curvas similares de ganancia en corriente; por lo general la ganancia decae para valores altos de resistencia de carga. Estas variaciones se grafican en la figura 5-7. La configuracin de base comn es incapaz de amplificar corriente por arriba del valor de hfb( - a).
104
~
w 103
12
hb h hJb hob
= = =
50 5
!::!
o
c:: c:: 102 I u
X 10-4,
:::::::t- eom n
Em;",~ I comn
~
Colector
-0.98,
w o 10 I
-c
~
= 1 mho
U 2
se usaron en las ecuaciones deducidas previamente para Av, A, G, R Y R Y se calcul su comportamiento. La resistencia de carga se consider como una variable independiente, excepto para los clculos de la resistencia de salida del transistor. La resistencia de salida depende de la fuente y no es funcin de la carga.
(!)
1.0
Bas!l.../1 cornun
0.1 10
2
~ .
106
10
104
105
DE CARGA EN OHMS
Variacin tpica de la ganancia de cornente con resistencia de carga.
150
ANALISIS
CONSIDERACIONES
SOBRE ALTA FRECUENCIA
151
Ganancia en potencia. El producto de la ganancia en corriente por la ganancia en potencial para cada configuracin da las curvas de ganancia en potencia de la figura 5-8. Dado que la configuracin de emisor comn muestra la mayor ganancia en potencia de las tres para todos los valores de resistencia de carga, ste es el circuito que con ms frecuencia se usa.
106
i-'-----'--,
Emisor
1041
1 comn~
I
I ~
j
terminal de emisor y tierra puede presentar resistencias de entrada mayores que las de la figura. Se debe recordar que las curvas se aplican slo al transistor considerado, Y que cualquier alteracin en el circuito por retroalimentacin o por otra causa, cambiar los valores de ganancia y resistencia representados por las curvas. . Resistencia de salida. La resistencia de salida no es funcin de RL sino que depende de RG, de manera que la figura 5-10 presenta R vs RG. La conexin de emisor comn presenta valores intermedios de resistencia de salida, y en muchas aplicaciones sus variaciones no son muy extensas.
en 10
6
(3 103
o
<t.
ffi
W
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1Q..
ffi
~
<t.-
10
Base comn Emisor comn Colector comn
e
<t. 1.0
(3 10
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10
z <t.
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I
I
Cc~~cJ~r
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(.J
z
0.1 ' 102 103 104
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10
10
10
w o:: 10
L-.__
---..l.
DE CARGA EN OHMS
~
RESISTENCIA
Variacin tpica de ganancia en potencia con resistencia de carga. Figura 5-10
DE LA FUENTE, Ra EN OHMS
Resistencia de entrada. Las curvas de la figura 5-9 describen la resistencia de entrada para las diversas configuraciones. La mayor resistencia la presenta el circuito de colector comn, si bien el emisor comn con resistencia entre la
!:@ 106 :%:
Variacin tpica de la resistencia de salida con resistencia de fuente.
~
/~
ffi 10 ~.
<t.
1Z
W
-Dolector
,,-
,,-
,,-
,,-
-:
-:
/ / / /
/'"
,,,,1 ..,,-"-~Ri=RL ,,-
comn ,,-
~ io' : o::
w
,,-'
o
<t.
Z
W
103
'" <,
<,
.,...
(3
102
:1 . /
-, Emisor comn
'<,
--- Base comn
'"-
>
10
6
5-6 Consideraciones sobre alta frecuencia. Si los parmetros apropiados son accesibles en forma compleja, se pueden usar los circuitos equivalentes h o y para analizar el comportamiento de una etapa a transistores en una frecuencia particular, usando las ecuaciones presentadas anteriormente en este captulo. Con la ayuda del modelo hfbrdo-n se har un anlisis adicional de la conexin de emisor comn en esta seccin. En el captulo anterior se defini la frecuencia de corte de alfa fhfe como la frecuencia a la cual el factor de amplificacin de corriente en corto circuito tiene el 0.707 de su valor a bajas frecuencias. Para muchos valores prcticos de resistencia de carga Al y (3 son sinnimos, y en muchos tipos de transistor se encuentra que la ganancia en corriente decae a frecuencias relativamente bajas. Sin embargo, la frecuencia superior de corte para la ganancia en potencial puede extenderse ms all de fh/e. Se aprecia mejor esta afirmacin si se examina la expresin general de ganancia de potencial: Av = ARL/Z.
~
~ 10
o::
102
10
10
10
DE CARGA EN OHMS
Variacin tpica de la resistencia de entrada con resistencia de carga.
Si Z y A se comportaran en forma similar con relacin a la frecuencia, habra poco cambio de Av. Esto sucede precisamente en los transistores de unin; Z y Al decrecen con la frecuencia debido a la capacitancia de entrada.
BANCO IIDLIOTECA
e: ,. ;',
uns
l.' ~:(..A Ai-lGEL AR,\NCi
152
ANALISIS
CONSIDERACIONES
SOBRE ALTA FRECUENCIA
153
Como auxiliar para el anlisis del comportamiento respecto a la frecuencia de Av, considrese el circuito de la figura 5-11 con las variables importantes en la red de salida de una etapa de transistor de unin. El elemento Ro'
RG'
--
-....
r-,
"-
v.~\
~~
Figura 5-11 Circuito de entrada de un transistor de unin. en w ...J
W
-2
" r\
\
-4
al
representa la suma de la resistencia de la fuente Ro Y la resistencia distnbuida de base rbb'. Los elementos C y R son las variables de entrada restantes. La funcin de transferencia del potencial de esta red simple puede expresarse como Vb/Vg
C3 -6 w e
w
z :::!; -8 z z
I
= R;/(R + RG' + jwCRG' R).
C!)
10
(5-41)
1\
-12 -14
El potencial que se tiene en la base Vb ha decado en 3 dB cuando son iguales las partes real e imaginaria del denominador de esta expresin. La frecuencia a la cual ocurre esta reduccin es la frecuencia superior de corte, h dB' Para este circuito
f3dB
\
0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 2 4
\
6 8 10
1/2nCRT,
(5-42)
Ilfhf o flfad8
Figura 5-12
donde RT es el equivalente paralelo de todos los elementos resistivos. Aqu RT =R 11 Ro' La ecuacin (542) tambin describe la frecuencia a la cual la corriente a travs de R caer en 3 dB de su valor de referencia a bajas frecuencias. De la ecuacin (542) se obtiene una conclusin importante, que la frecuencia superior de corte est determinada en gran medida por la resistencia de la fuente y la resistencia distribuida de base. La ecuacin (541), as como la ecuacin (4-38) que describe las variaciones de alfa con la frecuencia y la ecuacin (441) para las variaciones de beta con la frecuencia, son de la misma forma y cuando se grafican se' pueden representar por la misma curva. La figura 5-12 describe el cambio de la magnitud de la amplificacin expresada como una relacin y medida en decibeles contr el trmino del denominador, flfh! o flhdB, comn a las tres ecuaciones que se mencionan. Cuando la abscisa tiene un valor unitario la ordenada correspondiente vale -3 dB. Una prdida de 3 dB indica que la ganancia en corriente o en potencial ha disminuido al 0.707 de su valor de referencia. Efecto Miller. El elemento R de la figura 5-11 es rb'e para un transistor de unin, pero C no es solamente Cb'e de la representacin hbrida-1T. En los circuitos que usan transistores convencionales TEC's o tubos al vaco aparece una capacitancia de entrada adicional conocida como efecto Miller. El efecto Miller es un incremento significativo en la capacitancia de entrada causado por el elemento de capacitancia mutua que conecta las partes de entrada y salida
de un circuito amplificador. Para mostrar el efecto, se encontrar de entrada de la porcin encajonada, de la figura 5-13. Se tiene I = L; Ahora
y
la adrnitancia
+ t;
-
I, =jwCb'eV 1m = -jwCb,cCVo Vi)'
ZL es en general una impedancia pequea comparada con las otras trayectorias en paralelo. En consecuencia, Vo
~
-g",VZL'
Se tendr una combinacin de las ecuaciones anteriores I;lV
Y =jw[Cb'e
+ Cb'cO + gmZL)]'
(5-43)
Es evidente que Cb,c se ha multiplicado efectivamente por un factor (I +gmZL) considerablemente mayor que la unidad; ste es el efecto Miller, una capacitancia total mucho mayor que Cb'e' Los valores tpicos de los parmetros se dan en el eiemplo siguiente.
154
ANALISIS
EL TEC TERMINADO
155
~---------------I
rbb'
'1
r: S
V.
I I
I
I
Figura 5-13
I
I L
rmY;
r
~I
-.
Yo
Extensin del ancho de banda. El elemento Re de retroalimentacin local se incluye en la representacin modificada hbrida-7T del transistor de la figura 5-14. Su efecto en la extensin del ancho de banda se nota en el siguiente anlisis:
Av(w) == V
7)
7
Vol
g
R = A(w) Z{w)
L
gmV;
=
RL
V;/Z RG
+ rw + Z + R.(l + A(w'
(5-44a)
Circuito hbrido-7T analizado para capacitancia de entrada. 'b'c ha sido omitida del diagrama.
Si la impedancia de carga Z L fuera inductiva, sera fcil demostrar que Y tiene una parte real negativa; una resistencia negativa significa fsicamente que la potencia se alimenta hacia atrs de la salida del circuito a travs de Cb,c y, bajo ciertas condiciones, puede ocurrir una oscilacin. La neutralizacin, que se discutir ms adelante, se puede usar para reducir a un mnimo esta retroalimentacin interna. Ejemplo. Es necesario presentar un ejemplo numrico. Se desea encontrar la frecuencia superior de corte de la ganancia en potencial para una etapa que acopla una fuente de 500 n a una carga de 1000 n. Considrese que los parmetros del transistor son fT = 6 Mc, 9m = 0.04 mho,
rM'
reoresenta la combinacin paralelo de rb'e Y CT. La suma de Cb'e Y de la Jtancia reflejada Cb,c, incluyendo el efecto Miller, es CT. Para mayor facilidad se hace Rx =Ro + rbb'. Con las transformaciones adecuadas la ecuacin (5-44a) se convierte en AJw)
=
he
+ gmRx + g';'R.(l + he) + jwheCT(Re
gmheRL
+ RJ
. (5-44b)
La ganancia en potencial caer 3 dB cuando las partes real e imaginaria del denominador sean de la misma magnitud. As
W~B=
h e(Re
+ gmRx + gmR.(l + he) .... + Rx){ Cb'e + Cb'c[l + gm(Re + RL)]}

he
(5-45)
= 50, Cb,c = 10 pF,

he Los clculos establecen rb'e Cb'e C
= 100 ohms,
El anlisis de esta expresin para el ancho de banda indica que, en muchos circuitos, el ancho de banda se puede incrementar si se agrega Re' Para 9mRx
< 1,
= heI9". = 1250 n,
= gmlwT =
=
1060 pF,
c.; +
Cb'c(l
+ 9mZ L) = 1460 pF.
La frecuencia superior de corte, como se dio en la ecuacin (542), es de 300,000 cps. Un valor ms bajo de la resistencia de carga reducira C y elevara la frecuencia de corte, y de igual modo una resistencia de fuente ms pequea permitira operar a mayores frecuencias. Son evidentes los efectos limitadores de la resistencia de la fuente y de la resistencia distribuida de base.
Cb'c
el ancho de banda no se incrementa con Re; por el contrario, decrece con la retroalimentacin local. Esta condicin no se encuentra con frecuencia; por lo tanto, se puede considerar que el ancho de banda generalmente aumenta con la retroalimentacin negativa. 5-7 El TEC terminado. Una etapa de TEC, alimentada por una fuente de resistencia interna Ro Y con una carga RL tiene relaciones relativamente simples para la ganancia de potencial y el ancho de banda. Fuente comn. La suposicin que antes se hizo de que la impedancia de entrada es infinita a bajas frecuencias permite obtener la expresin simplificada para la ganancia en potencial del circuito de fuente comn que ya se mencion en el captulo 1:
RG
rbb'
v.
V"'-~ <.
Figura 5-14
IAvl
Yo
RL
=9mZL'
c.,v,
R.
En una forma ideal ZL incluye cualquier impedancia interna salida a fuente, as como la carga externa. La orientacin de fuente comn produce inversin de fase, lo que no ocurre en otras conexiones del TEC. Algunas veces resulta ventajoso retroalimentar negativamente por medio de una resistencia entre la terminal de fuente y tierra, como ocurre en la figura 5-15a). En este caso la amplificacin de potencial es Av
Hbrido-7Tterminado, til para anlisis de ancho de banda.
= I Vol Vg I = 9mRL/(I + gmRe)'
(5-46)
156
Re
ANALlSIS
G
D
CONSIDERACIONES impedancia xin es
SOBRE LA GANANCIA La ganancia de potencial
157 de esta cone-
de salida se ve disminuida.
'.
V/'"
'~?
S
~gmVi
Av
= g",'oRL/["o
+ RL(l + g",,,o)]'
(S-sOa)
v:
RL
R.
I
1
El producto gm ro se conoce frecuentemente como 11, el parmetro de ganancia de potencial en circuito abierto. Para 11 ~ 1, la ecuacin (S-SCkz) se convierte en Av
= g",RL/(1
+ g",RL).
(S-SOb )
11111111
V.:""
Figura 5-15
r~
Re G
a)
c.:
11
1\
, V.
En las ecuaciones (5-50) RL es la resistencia de carga conectada entre la fuente y tierra. Compuerta comn. Se puede usar esta conexin cuando se requieren una baja impedancia de entrada y una alta impedancia de salida. No existe inversin ( - 'o en los circuitos de compuerta comn y la ganancia de potencial I esta, d al. r RL
1111I11
Cg
f)gmVi
v:
I
b)
Av
RL(l
+ g",,.o)/[RL
+"0 + RG(l + g",ro)]'
(5-51)
I,
Circuitos de TEC: a) equivalente simple de bajas frecuencias con elemento de retroalimentacin Re; b) equivalente til para anlisis de ancho de banda.
~I
'1
La resistencia interna de la fuente de seal es Re y RL la carga del circuito conectada entre la terminal de salida y tierra. Respuesta en frecuencia. El anlisis de la respuesta en frecuencia se simplifica notablemente si el problema se divide en dos partes. Para el conjunto de valores de Re en la que se produce una atenuacin significativa de la seal de compuerta, el ancho de banda es
J3dB
La influencia rable con la resistencia de con Re en el
de Re sobre Av no es importante en tanto unidad. La resistencia de la terminal de salida de la etapa. Sea ro la resistencia de circuito, es fcil demostrar que la resistencia
gmRL
no sea compafuente incrementa la salida del TEC solo; total de salida es (5-47)
l/{Rdegs
+ Cgil
+ g",RL)J}.
(5-52)
Si la resistencia de la fuente de seal es pequea, el corte a frecuencias altas se produce debido a la capacitancia de salida que desva una corriente Sm Vi de RL. Entonces
J3dB
'o + (1
+ grnrJRe'
= 1
CoRL.
(5-53)
Se incluyen las capacitancias entre elementos en la figura S-ISb). Se puede presentar un efecto Miller debido a Cgd y, en consecuencia, Cin con Cgs Cuando resulta conveniente el valor de este parmetro:
Cgs
+ Cgil
y
+ g",ZL),
Cgd
(5-48)
rS
eis - ers
ggs
=
=C
\
se tiene
analizar la conductancia gis - grs'
compuerta-fuente,
La conductancia total de entrada de una etapa amplificadora del efecto Miller: gi"
tambin depende (5-49)
= ggs + ggil
+ g",ZL)'
Salida comn. Cuando el TEC se conecta en la configuracin de salida comn, la ganancia de potencial es menor que la unidad, no hay inversin de fase entre entrada y salida, la capacitancia efectiva de entrada se reduce y la
C es la capacitancia efectiva de salida del dispositivo. En C est incluida cualquier capacitancia Cds en paralelo con una capacitancia de valor aproximado Cgd. Los datos de pruebas tomados en UT' TEC del tipo de unin, de baja frecuencia con RL = 8.2 kn; con ID = 1 mA, VDS = 12 V, se muestran en la curva de la figura 5-16. El efecto de C sobre la curva se hace evidente en frecuencias superiores a 1 Mc. Al considerar unidades MOS que se comportan de acuerdo con el modelo de la figura 4-21 a), es obvio que a la cada de ganancia la afecta un factor adicional: la reduccin en Ve que produce la reactancia reducida de Ce. La reduccin de la ganancia depende en ltimo extremo de los valores de las resistencias de la fuente de seal y de la carga del circuito. 5-8 Consideraciones sobre la ganancia. Hasta aqu se ha definido la ganancia de potencial de una etapa simple de transistor como la relacin del potencial en la terminal de colector y el potencial en la terminal de base. Esta definicin da una descripcin vlida de la contribucin del transistor a la ganancia total de potencial; empero, el diseador de circuitos necesita a veces la relacin de potencial de carga en tre el potencial de fuente. De la misma
158
108 107 en 106 :r:
O Z
W
ANALISIS
CONSIDERACIONES
SOBRE LA GANANCIA
159
l.
lb R2=2kSl R=lkSl
:lE
-=
R=lkSl
---
-e-
:V
b)
BB-
a) Figura 5-17
-=
105 Diagramas para clculos de ganancia. 104

la'!
~~
102
102 Figura 5-16
103
104 105 ANCHO DE BANDA EN CPS
106
107
Ancho de banda vs. RG para una etapa sencilla de TEC.
Se defini antes la ganancia de potencia como el producto de Av por Aj. Existen otras expresiones de ganancia de potencia que se usan para medir la eficiencia con que una etapa de transistor se acopla a un circuito que tiene una fuente especfica de seal y una carga tambin especfica. La relacin de la potencia real que se entrega a una carga entre la potencia disponible en el generador de seal .se conoce como ganancia del transductor. La potencia disponible, o mxima potencia que la fuente es capaz de suministrar, depende del acoplamiento. En ciertas condiciones la fuente (Vg) ve la carga igual a su resistencia interna (RG): P disp.= V//4RG (5-54)
manera, el inters se corriente de la fuente, anteriores expresiones corriente de base. Si un transistor se da con su resistencia ra 5-17a), el potencial
puede centrar en la relacin entre corriente de carga y en lugar de en la ganancia, como se ha descrito en las de ganancia, que involucran la corriente de colector y la alimenta de una fuente con una resistencia alta comparade entrada, como sucede en el circuito de la figudisponible en la base es [RJ(RG
y la ganancia del transductor
(GT) es
(5-55)
GI = Po/Pwsp.= Po/(V//4Rd Con las substituciones Vg
= Ig(RG + Rj), Y
GI
Po
= lo 2 RL Y + R)2] + R)2].
(5-56) (5-57)
4I/RLRaf[I/(RG
+ R}]Vg =
Vg/l1.
G = 4A/ RLRG/[(RG
I
Es evidente una atenuacin considerable. En la figura todas las corrientes que dejan la fuente entran en la base del transistor, la resistencia de polarizacin de base se considera grande respecto a Rj Si el mtodo de polarizacin de base es el de la figura 5-17b), es evidente que hay una gran prdida de seal. El potencial de la seal en la base es _R_R_2_/(_R-:-:- +=--R_2)_ V RG + RR2/(R + R2) 9 y la corriente de base [R2/(R
La ecuacin (5-57) es til para comparar varios amplificadores en un circuito con resistencia fija del generador. Ganancia disponible de potencia (Ga). Se define como la relacin de la potencia disponible del transistor a la potencia disponible de la fuente de seal. La potencia disponible depende del acoplamiento y
= Vg
16
o, = (Vc//4Ro)/(V//4RG)
= Vc/RG/V/Ro,
(5-58)
+ R2)]Is = -Fs'
donde Veo es el potencial con circuito abierto o sin carga y R es la resistencia de salida. Si tanto la entrada como la salida del transistor estn acopladas, se tendr la mxima ganancia disponible (MGD). En estas condiciones, para un transistor especfico, no puede haber mayor amplificacin de potencia. MGD
De manera parecida puede ocurrir una prdida de seal en el circuito con carga de colector; en la siguiente seccin se darn varios ejemplos. Por este breve anlisis se puede ver que la amplificacin que se requiere en un circuito se puede definir con claridad y que merece ser tomada en consideracin la prdida de ganancia debida a elementos pasivos del circuito.
= 1/
Ro/I/ R
A/(Ro/R)
= A/(RL/RG)
(5-59)
para RL = R Y RG = Rj. Con el objeto de lograr esta operacin ptima, se emplean dispositivos de acoplamiento, aunque en audiofrecuencias, en general,
160
ANALISIS
EJEMPLOS DE ANALISIS DE CIRCUITOS
161
esto no es conveniente debido al costo de tales dispositivos (transformadores) que, en comparacin con el costo de los transistores, hace ms adecuado el empleo de una etapa adicional. Cada tipo de transistor tiene su MGD y es independiente de la carga o la fuente a que se conecte. ya que se presupone el acoplamiento. En los problemas 5-34, 5-35 Y 5-36 se dan otras expresiones para las ganancias de potencia que aqu se analizan. Ejemplo. Una fuente con un potencial de circuito abierto de 1 mV y una resistencia interna de 1000 n alimenta un transistor con resistencia de entrada de 500 n y G = 10,000. Encontrar
Un buen punto de partida es la investigacin del punto de operacin, es decir, la solucin del circuito en cd. La terminal de base est esencialmente al potencial de tierra porque IBRc debe ser pequea. La cada de potencial emisor a base se puede considerar despreciable, de manera que la terminal de emisor est tambin cerca de la tierra cd y
lE ~
VEE/R1
2/(2 k)
1 mA.
le ===IE, ntonces le e Entonces
1 mA y la cada a travs de Re es
X
e;
leRe = (l x 10-3)(10
103)
10 V. -10 V.
V/R P,
= (RG + R)2 =
(10-3)2(500) -9 (1000 -l- 500)2 = 0.222 x 10 W,

X
Va = - Vee + le Re
-20
+ 10 =
Po
= pG = (0.222 x 10-9)(104) = 2.22

Pdisp
10-6 W"
v2
4~G
(10-3)2 9 4(1000) = 0.250 x 10- W. 1010 ~ =8880.

6
Con esto queda completamente determinado el punto de operacin. Para obtener los parmetros de ea, se puede hacer uso de los valores centrales de diseo proporcionados por el fabricante de este tipo de transistor. Considrense los valores de parmetros, corregidos para 1 mA, 10 V del punto Q como los siguientes: hb hrb
Entonces Gt=~_2.22
X
diSP
.-0.25
= 29 n,
= 3.75
X
hfe 10-4,
= 46,
hob = 0.6 Jlmho,
La ganancia del transductor y la ganancia de potencia son prcticamente iguales, 10 que indica un circuito de entrada de gran eficiencia. Si R =Rc, entonces G = Gt 5-9 Ejemplos de anlisis de circuitos. Ejemplo 1. Se desea analizar el circuito de la figura 5-18 para determinar Av Y A.
-Vee Re
hfb = -0.979. La carga en ea de esta etapa es RL en paralelo con R carga; cuando C es muy grande, su reactancia es despreciable. As RL = 5 kn. La operacin del circuito se calcula con las frmulas aproximadas de la tabla 5-2: Av A
= hfbRL/[hib(l
= hfb/[hobRL G = AvA; = 6900,
+ hobRL)] = 169, + (1 + hfb)] = 40.8,
38.4 dB. indicar el circuito del colector fluye a esta resistencia, R carga; por tanto,
R carga
Ro
Re
~Rearga
Los clculos de ganancia son slo para completo hay que observar que no toda hacia Rearga, puesto que nicamente un mientras que todo el potencial de colector los valores actuales sern Av= 169 20.4
el transistor; para la corriente alterna medio de le llega est aplicado a la
Va{'"
-e-e-
+VEE
b)
-=
-=
(e)
-=
al
Ro=600n Rc=10kn Rearga=lOkU
G = 3450, 35.4 dB. Puede obtenerse ms informacin sobre el circuito, si se desea. La relacin de potencial de carga a potencial de la fuente Vg se encuentra de la manera siguiente:
completo;
CE =10 ,F
f =800 Hz
Cc=10 .F
Temp.=25
VEE=+2Y Vce=-20V
R=2kn
Figura 5-18
e
1: a) circuito
Anlisis de un amplificador de una etapa, b) parte de cd; e) parte de ea.
ejemplo
[hb(l
+ RLhob)]/[RLhob + (l + hfb)]
= 1208
n.
162 El potencial de seal en la terminal de base es [R/(R

y entonces
ANALISIS
ANALISIS INSTANTANEO El parmetro gm se da en la ecuacin (4-72):
163
+ RG)JVg = 0.67
Vg. de fuente o ganancia en
gm
= 21 DSS ( 1 -
-v;-
1 Ves
la relacin potencial de carga a potencial potencial es (0.67X169) = 113.

+VDD
1) = 0.003 mho.
La carga de la etapa es de 20 kQ 1110 kQ Y por tanto la ganancia de potencial que entrega el TEC es Av = 20. Para todo propsito prctico, la resistencia de entrada de la etapa a bajas frecuencias es 875 n. Si se considera que Cgs = 2 pF Y Cgd = 1 pF, entonces
R2
RD
C2
c.;
1(21)
23 pF.
La frecuencia superior de corte de este circuito estar en la vecindad de

Ra
R3
f3dB
= lj[2n:(50 kn)(23 pF)] = 138 kc
R carga
R
\.,)~
Cs
=
Cl = l,uF C2=5,uF Cs=lO,uF
e, =5kl
R2 =7 x l06l
RD=20kl Ra=50kl Rcarga =lOkl
VDD=30V
R3 =l06l Figura 5-19
Circuito para el ejemplo 2.
Ejemplo 2. Encontrar la ganancia de potencial suministrada por el circuito de la figura S-19. Considrese que se conoce lo siguiente sobre el TEC de canal n de la figura:
/DSS
En el captulo 6, al tratar lneas de carga dinmicas, se estudiar con ms detalle la informacin adicional relativa a capacidades de manejo de seales de los circuitos considerados en estos ejemplos. 5-10 Anlisis instantneo. Con frecuencia es deseable analizar la operacin del circuito considerando que se aplican seales instantneas de ciertas polaridades a la entrada del circuito, con el objeto de determinar los cambios resultantes en potenciales y corrientes en otros puntos de una red compuesta. Considrese el transistor p-n-p de la figura S-20a). Los sentidos de corrientes y potenciales cd normales se indica en el diagrama. Las curvas caractersticas de colector para el transistor, figura 5-20b), incluyen la lnea de carga y el punto de operacin. La lnea de carga est determinada por R y RL en serie y se aplica tanto para anlisis cd como ea. R 1 se incluye en el diagrama. Considrese ahora que se introduce una fuente de ea en las terminales de entrada del circuito y que la terminal A de esta fuente es, al momento en que se mide, ms positiva que la terminal B -figura 5-20c-). La fuente producir
10 mA,
Vp =
4 v.
El dispositivo se comporta ecuacin (4-71),
de acuerdo con la relacin de segunda potencia, ID

=
~ /r:'
R2~
le
le
~~L
+
a)
loss(l
- IVGsjVpl/.
Tanto / D como Ves son incgnitas, de manera que ser necesaria una segunda ecuacin conteniendo a ambas. Si. se considera que la corriente de compuerta es despreciable, se aplica la siguiente relacin: (30) ( Mediante estas ecuaciones tonces 106
10
6
+ 1 VBB
t!
r!ec
! .
...
"'
1T
"'VeE
)
x 10
6
+7
= 10(5 k) + Ves
que ID ~ 1 mA, Ves ~ -lA
V. En~.
e)
se determina Vos
'D
d)
30 - Irl25 k)
= 5V.
Figura 5-20
Anlisis instantneo.
164
ANALISIS
ANALISIS MATRICIAL DE REDES INTERCONECTADAS
165
una corriente is que fluye hacia la base del transistor; en otras palabras, la fuente disminuir el valor instantneo de la corriente de base. Volviendo a b) de la figura, se nota que una reduccin en la corriente de base produce una reduccin correspondiente en la magnitud de la corriente de colector y un incremento correspondiente en la magnitud del potencial colector-emisor, mientras que la corriente de emisor se reduce. Se examinarn ahora los potenciales alterados. El potencial en e de la figura 5-20c) era, en ausencia de seal igual a (-Vcc + JCRL) La seal de base ha reducido la corriente de colector, como arriba se anot, y entonces el potencial del punto e es ahora ms negativo y es fcil advertir que ha ocurrido una inversin de fase, ya que la seal de entrada de sentido positivo ha generado una seal de salida de sentido ms negativo. Se producir una reduccin en la corriente de emisor cuando las condiciones sean las descritas anteriormente y esta reduccin, en un circuito con resistencia en la terminal de emisor, causar una disminucin en la cada a travs de R 1, de modo que la terminal de emisor se har ms positiva. Se supondr ahora que se adopta una notacin adecuada para especificar la operacin que se estudia. Se usar una flecha dirigida hacia arriba para designar un potencial que instantneamente se hace ms positivo, como en la figura 5-20d), que muestra que, cuando la bas est sometida a una seal de sentido positivo, el potencial de colector se hace ms negativo. El potencial de emisor ser ahora ms positivo si se incluye una resistencia de emisor, como R 1 en el circuito. Los efectos de una resistencia de emisor, como R 1 en el diagrama, se entienden con facilidad. La seal de entrada que se consider ha incrementado el potencial de emisor, permitiendo una seal reducida de base a emisor, lo que constituye una indicacin de retroalimentacin negativa. Es posible que se prefiera analizar el transistor por corrientes. La corriente de base instantnea que fluye hacia la base, reduciendo la corriente normal de polarizacin, produce una corriente de colector reducida o una corriente que fluye instantneamente hacia el colector y una corriente de emisor hacia afuera de la terminal de emisor. Por supuesto, en todos los casos estas variaciones de ea se superponen a las corrientes normalmente orientadas de cd. Se puede extender este tipo de razonamiento a otras configuraciones y desde luego a unidades n-pon. Se sugiere que el lector elabore un mtodo de anlisis que l encuentre ms satisfactorio para explicar la operacin del circuito. 5-11 Anlisis matricial de redes interconectadas. Las relaciones de comportamiento que se han obtenido en este captulo por 10 general se dedujeron mediante la resolucin simultnea de ecuaciones de mallas y nodos por las leyes de Kirchhoff. Es posible y algunas veces incluso conveniente, deducir relaciones para pares de redes interconectadas de dos terminales, mediante el lgebra de matrices. Considrese la figura 5-21 que muestra varias redes. Para interpretar el diagrama de a) de .esta figura ntese que la matriz z equivalente de dos redes en serie, se obtiene sumando las matrices z; as [z]
=
[zl= [z.l + [zbl
[yl=[y.l +lYbl
a) Series
b) Paralelas
~
[al=[a.lx
[abl [hl=[h.l+[hbl
e) Cascada
Figura 5-21
[gl = [g.l + [gbl
d] Series Paralelas
Conexiones de redes de dos puertos.
e) Series Paralelas
Tmese como ejemplo el caso de un transistor conectado con emisor comn con una resistencia R conectada entre emisor y tierra (figura 5-22). Se describe el transistor. por [zaJ
:--~ I~
L
[Zl1a Z21a
ZI2U]. Z22.
I I
~[zal
J
R
L
I :"'--[zbl
J
Figura 5-22
Resistencia de la terminal de emisor aadida a una etapa de emisor comn.
Los parmetros z del transistor se obtienen de las interrelaciones que se dan en el Apndice lI. La resistencia R tambin se puede representar como una matriz z: [ZbJ =R R [R R]
,' .
[z.]
+ [ZbJ.
Debido a que el transistor y la resistencia se conectan como ra 5-21a), la matriz del circuito completo, transistor ms R, es [zJ = [za]
en la figu-
Las otras equivalencias se muestran tambin en cada figura y pueden demostrarse fcilmente (ver el problema 5-40).
+ [Zb] =
[Z11a + Z21.+R
Z12a + Z22u+R
R].
166
Para encontrar ganancias y niveles de impedancia utilizar las frmulas del Apndice II para el [z] usar estas frmulas z 11
ANALISIS
de este circuito se pueden terminado. Por supuesto, al
PROBLEMAS
167
= Z 11 a + R,
etc.
PROBLEMAS
5-1. Demuestre que la ganancia de potencia de una etapa de transistor puede expresarse corno G = A2RL/RI, o corno G = Av2Ri/RL 5-2. Resuelva las ecuaciones (5-1) para [~] usando transformaciones matriciales. 5-3. Demuestre las ecuaciones (5-8). o 5-4. Demuestre las ecuaciones (5-9), (5-10), (5-11) Y (5-12) de la tabla 5-2. S-S. Demuestre la ecuacin (5-13) de la tabla 5-2. 5-6. Demuestre las ecuaciones (5-15), (5-16), (5-17) y (5-18) de la tabla 5-3. 5-7. Demuestre las ecuaciones (5-20), (5-21), (5-22) y (5-23) de la tabla 54. 5-8. Demuestre la ecuacin (5-24) de la tabla 54. 5-9. Demuestre las ecuaciones (5-25), (5-26), (5-27) Y (5-28) de la tabla 5-5. 5-10. Demuestre la ecuacin (5-29) de la tabla 5-5. 5-11. Una etapa de base comn acopla una fuente de baja resistencia a una carga 50,000 n. Si hib = 32 n, hrb = 2 X 10-4, hfb = -0.96, hob = 10-6 mho, encuentre resistencia de entrada y salida y la ganancia de potencial del circuito. 5-12. Analice el circuito de colector comn con parmetros de base comn de figura para comprobar las ecuaciones de ganancia y resistencia que se presentan en tabla.
RG B _lb
de la la la
+ +
~('"
],;'
e
de colector de potencial, de corriente, de potencia, comn Av A G
'\
ho.
Vo
RL
Ve
Problema 512
Frmulas Ganancia Ganancia Ganancia
para el circuito
equivalente
L)
h*
s.k; + R
[hOb(h'b + RL)
+ (1 + h'b))-l
RL
RJ
(h'b
+ RL)[hob(h'b +
hob(h'b h'b(l
(1 + h'b))
5-13. Compruebe las frmulas dadas en el problema 5-12 usando las frmulas de la tabla 5-1 Y las relaciones de los parmetros de la tabla 4-1. 5-14. Se desea investigar la configuracin de colector comn con retroalimentacin local de la salida (emisor) a la entrada (base). Use el circuito equivalente de la matriz h de la figura 4-7b) y deduzca una expresin para ganancia en corriente en trminos de los parmetros h Y de la resistencia de retroalimentacin Rx' 5-15. Cul es la ganancia en potencia de un 2N3242 con parmetros tpicos y RL = 2000 n? Calcule las ganancias de potencial y corriente de este circuito de emisor comn. 5-16. Considere un 2N2614 que opera como emisor comn en el punto recomendado. Convierta los parmetros hbridos-1T en parmetros h y calcule la ganancia de potencial del circuito cuando ste alimenta una carga de 5000 n. 5-17. Use los valores tpicos de los parmetros T de la seccin 5-3 para calcular la ganancia de potencial, ganancia en corriente, resistencia de entrada de una etapa de emisor comn con carga de 2000 n. Compare las respuestas que obtenga con las ecuaciones completas con las que resultan de la aplicacin de las ecuaciones aproximadas de la tabla 54. 5-18. Un transistor que opera como emisor comn y con carga de 5000 n tiene a = 0.99, rb = 100 n, re = 2 X 106 n, y re = 40 n. Cul es la resistencia de entrada y la amplificacin de potencial a bajas frecuencias? 5-19. Calcule la amplificacin de corriente y las resistencias de entrada y salida de un transistor simple con carga de 1000 n y con una fuente de 1000 n. ~ = 50, rb = 500 n, re = 30 n, re = 106 n. Considere las tres configuraciones prcticas. 5-20. Cada una de las curvas que representan ganancia de potencia contra resistencia de carga alcanza un mximo en un cierto valor de resistencia de carga. Este valor de la resistencia de carga se puede determinar por diferenciacin de las frmulas apropiadas de ganancia respecto a RL' El acoplamiento de impedancia puede describir este efecto. Derive una expresin de R L para mxima ganancia de potencia para la configuracin de emisor comn en trminos de los parmetros h. 5-21. Resuelva el problema 5-20 para la configuracin de base comn. 5-22. Resuelva el problema 520 para la configuracin de colector comn. 5-23. Cierto transistor tiene los siguientes parmetros de baja frecuencia: hie = 2500 !l, hre = 2 X 10-3, hfe = 50, hoe = 5 X 10-s mho, rbb' = 60 n. a) Dibuje un circuito h Ibrido-zr y calcule los parmetros. b) Dibuje un equivalente T con generador de corriente y calcule los valores de los parmetros. 5-24. Considere un transistor con los parmetros que se dan en el problema 5-23 y adems e, = 10 pF, fab = 10 Mc, RL = 2000 n, y Re = 100 n. a) Calcule la capacitancia de entrada, incluyendo el efecto Miller. b) A qu frecuencia IVo/Vgl ser 1 y'2 de su valor en frecuencias medias? . 5-25. Las medidas de la impedancia de entrada de una etapa particular de emisor comn indican que el valor a 1000 ciclos es 800 n y a 90,000 ciclos la magnitud ha disminuido a 566 n. Con estos datos determine la resistencia efectiva de entrada y la capacitancia de entrada. 5-26. Si se sabe que el transistor del problema 5-25 est excitando una carga de 1000 n de una fuente de 1000 n y que Cb'e = 20 pF y gm = 30 mA/V, calcule: a) La capacitancia de difusin del emisor. b) La frecuencia de corte de alfa. e) La frecuencia superior de corte de la ganancia de potencial. 5-27. Compruebe las siguientes frmulas que se han derivado para cl h brido-n de la figura ~.----,,---, e
O
Resistencia
de entrada,
Resistencia
de salida,
+ h'b) + RGhOb) + RG(l + h'b) 1 + RGhOb

+
Problema 5-27
h'b + RL RL) + (1
,. Se omiten los factores (1 - hrb)
1,1
168
Al _
ANALISIS ZIZo[l - gmZ,l - Zo[ZI + Z,l + ZdZI + Z, + Z + gmZIZol'

(Z. + ZL][rw(ZI Zo[rw(ZI
::-::::--=-:-:---:-:::------=:-:---=-:=--=-~'=__==_
PROBLEMAS
5-35.
169
Demuestre que, para cualquier configuracin, la ganancia disponible se da por:
Av
ZIZoZL[1 - gmZ,]
+ Z,) + ZIZ,] + Z.ZL(rw
+ ZI + gmrWZI) ,
Ga
= -:-:-:-:----:-c:-:-'--::_
h,2Re
[(hlho - hrh,)
+ RehoJ(Re + hd
la ganancia mxima disponible
RI Ro
---~--~~~:--~~~~'=-:--~~~-~~~7--~~-~
+ Z,) +ZIZ,l + Zdrw(ZI + Z,+ Zo + gmZoZI) + ZI(Z, + Zo)] Zo(ZI + Z,) + ZL(ZI+ Z, + Z + gmZoZI) ,
5-36. Demuestre que, para cualquier puede expresarse como MGD
configuracin,
Zo[(Zt + Z,)(ZG + rw) + ZIZ,l . [ZG + rwJ[Zt + Z, + Zo + gmZIZo] + ZI[Z, + Zo]
h,2 [(htho _ hrh,)1/2
+ (hlho
)1/2]2'
5-28. Se desea estudiar el equivalente completo hbrido-rr, con la omisin de las capacitancias y "ce- Se desprecia tambin el efecto de carga de gb'c sobre los nodos b' y e pero se conserva el efecto mutuo de este parmetro. Demuestre que, en estas condiciones, Av ~ - (1 y, si gb'c o:; gbb' +gb'e/gmRL'
+ rw/rb") + gmRaW/rb'c
,1
gmRL
5-37. En cunto cambiar la ganancia del circuito si se usa una resistencia de emisor de 100 n para el transistor del problema 5-15? 5-38. En el clculo de la ganancia del circuito de la figura 5-18 se usaron frmulas aproximadas. Empleando las ecuaciones ms completas determine el error que resulta del uso de relaciones aproximadas. 5-39. Cuando un transistor alimenta una carga consistente en CL' y GL' en paralelo, el circuito de entrada del dispositivo puede representarse por medio de los elementos que se muestran en la figura. Demuestre que Cl Cb'e +Cb'c, C =Cb'&m/GL',R =CL'/Cb'&m'
esta expresin se reduce a la siguiente: A., =gmRab'e/(rbb'
+ rb'e).
rbb' v--v
5-29. Encuentre la impedancia de salida del modelo hbrido-1T modificado de la figura S-S, incluyendo Re. "ce. Cb'e Y Cb'c cuando w~O y w~oo. 5-30. Muy rara vez se emplea un transistor en la configuracin de base comn inversa. Esta conexin no es til para amplificacin, porque la ganancia de potencia es menor que la unidad. Aunque no se tratan aqu aplicaciones como ejercicio, encuentre las expresiones para Av. A. R y Re del circuito equivalente T.
<, rb/~
J-
c -r-
R
I
J-
c -r-
Problema 5-39 5 -40. Demuestre las ecuaciones matriciales para los cinco circuitos interconectados que aparecen en la figura 5-2l. 5-41. Usando el lgebra de matrices, determine los parmetros y para un circuito que consta de un transistor con emisor comn y una resistencia de retroalimentacin conectada entre colector y base.
Entrada
V
+ bRL)/(C +
Salida
Problema 5-3U
5-31. Las curvas de las figuras 5-6 a 5-10 pueden aproximarse por lneas rectas que las intercepten en valores de ruptura. de RL. Cada una de las ecuaciones completas Av. A. G Y R se pueden poner en la forma (a
BIBLIOGRAFIA
1. Early,
dRL).
Las rupturas en las aproximaciones rectas ocurrirn a R L = a/b y RL = c/d. a) Mediante la tabla 5-2 determine las frmulas que predigan las rupturas en las curvas de comportamiento de emisor comn vs RL' b) Resuelva la parte a) para las curvas de base comn. 5 -32. Compare la respuesta de frecuencia de la ganancia en corriente de un transistor particular que opere con emisor comn con la respuesta del mismo transistor operando en base comn. Suponga que la reduccin de alfa es la nica fuente de cada de la ganancia y considere una carga de baja resistencia. Cul orientacin da mayor ganancia a f~e y fab? 5-33. Un amplificador de alta fidelidad con un ancho de banda de la ganancia en corriente de 12 cps a 40,000 cps se incorpora a un circuito de medicin. Encuentre el intervalo de frecuencias en la que el amplificador puede operar sin alterar en ms de 1 dB la ganancia en corriente. Se reducir este intervalo si en lugar de 1 dB se especifica 10 %? 5-34. Demuestre que, para cualquier configuracin, la ganancia de transductor puede expresarse como 4RLReh," Gt=--~---------~ [ReRd10 + Re +'(hlho - hrh,)RL + hd2
2. 3. 4. 5. 6. 7. 8.
t"
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i"
-...
CAPITULO
Diseo
El diseador de un circuito de transistores debe tener un conocimiento activo de la informacin presentada en los captulos 1 aS: las definiciones bsicas, la teora de la operacin de los transistores, tcnicas de polarizacin, variacin de los parmetros y los mtodos para calcular ganancias y niveles de impedancia de un circuito. Adems, debe conocer las especificaciones para el circuito particular que se vaya a disear, especificaciones que pueden tener varias formas, Para diseos prcticos se requiere informacin sobre los siguientes aspectos: 1. Ganancia deseada, de potencial, corriente o potencia 2. Niveles de seal de entrada y salida 3. Frecuencia de la portadora y corrimiento de fase, o respuesta en frecuencia, o respuesta a transitorios 4. Niveles de impedancia de entrada y salida 5. Caractersticas de la carga y la fuente de seal 6. Fuentes de potencial disponibles 7. Corriente permitida en las fuentes de potencial 8. Ruido y distorsin 9. Sensibilidad a las variaciones de los parmetros y potenciales de la fuente 10. Valores extremo de temperatura de operacin y almacenamiento 11. Otras condiciones ambientales, como golpes, humedad, etc. 12. Condiciones de costo, peso y medidas 13. Esperanza de vida Una vez reunidos los datos necesarios, se puede iniciar el diseo. En este captulo el nfasis se pondr esencialmente en el diseo de amplificadores de baja potencia y de una sola etapa, adecuados para circuitos de audio, control y medicin. En captulos posteriores se incluyen temas complementarios sobre el diseo de circuitos amplificadores lineales. Aun para disear el circuito a transistores ms simple se necesita que el diseador utilice toda la informacin disponible, incluyendo los datos de prue-: bas tomados especialmente para ese propsito, a fin de elaborar un circuito 171
172
DISEO
ACOPLAMIENTO POR TRANSFORMADOR
173
que satisfaga las especificaciones dadas. Para muchos problemas de diseo es posible encontrar un nmero infinito de soluciones; para otros, no hay soluciones accesibles. Por ejemplo, si se requiere que una sola etapa de transistor entregue una ganancia de potencial de 10 cuando alimenta una carga de 10,000 n desde una fuente de seal de 1000 n. Si no se proporcionan otras especificaciones, hay un nmero infinito de circuitos que podran realizar esta labor. Las soluciones diferirn en el punto de operacin, el tipo de transistor, etc. Si los requerimientos de ganancia de potencial se cambiaran a 106 y se especificara slo una etapa, el problema no tendra solucin. En este caso se dice que las especificaciones son irrealizables. En el proceso de diseo del circuito se hace uso repetido del anlisis. Aunque en ciertos casos de diseo especializado se cuenta con procedimientos paso a paso, la gran mayora de los problemas por resolver son nicos y exigen del diseador un buen manejo del anlisis de circuitos, por lo que es de gran valor el estudio de ejemplos de diseo de circuitos. Tales ejemplos estn liberalmente diseminados a lo largo del texto. 6-1 Seleccin del tipo de transistor, Qu tipo de transistor se debe usar para un preamplificador de alta fidelidad, una etapa de control de un motor, una instalacin de avin, una computadora, un amplificador de radiofrecuencia, etc.? Preguntas como stas surgen a diario; las respuestas las dan los folletos y dems textos de los fabricantes o las pruebas que realicen los diseadores interesados. Todos los tipos de transistor estn clasificados por el fabricante segn sus aplicaciones, es decir, si son para audio, alta frecuencia, conmutacin, alta potencia, uso general, etc. Primero se puede escoger la clase de transistores que pertenezcan al campo de aplicacin del diseo; posteriormente, el estudio de las especificaciones del circuito permitir hacer la seleccin del material semiconductor, y por ltimo se elige el transistor particular adecuado al trabajo del circuito. Silicio vs germanio. El diseador de circuitos a transistores debe escoger entre unidades de germanio y de silicio para la mayora de los diseos. El estudio de las peculiaridades de cada uno de estos tipos permite conocer las ventajas de un material respecto al otro y, en general, la seleccin es obvia para una aplicacin dada. La diferencia ms importante entre los dos materiales es el ancho de sus bandas prohibidas. La banda ms ancha del silicio produce una corriente de fuga (feo) mucho ms pequea y una sensibilidad menor a los extremos de temperatura. Se da en seguida una breve comparacin operacional: 1. Temperatura. Las unidades de silicio operan satisfactoriamente a temperaturas de 175 C o mayores, mientras que la operacin con germanio es imposible a una temperatura superior a los 90 100 C. Ambos tipos pueden ser operados a bajas temperaturas, -55 C, por ejemplo. 2. Corrientes de corte. Los transistores de silicio tienen corrientes de fuga 100 o ms veces ms bajas que la leo de unidades similares de germanio. 3. Potencial de colector. Los mayores potenciales mximos se obtienen en las actuales unidades de silicio. 4. Resistencia de saturacin (Res). Los dispositivos de silicio pueden tener una resistencia de varios miles de ohms entre colector y emisor cuando estn en la condicin de saturacin. Res, en general, es menor para el germanio.
El transistor particular. Varios cientos de tipos de transistor estn a disposicin del diseador, as como cientos de tubos al vaco, y entre todos ellos es necesario hacer la seleccin; esta seleccin se efecta por lo general al principio del diseo. Para lograr una correcta seleccin hace falta estar familiarizado con los productos disponibles; el conocimiento de las ventajas relativas del silicio y del germanio permite escoger el material. Despus que se ha seleccionado el material, se deben considerar los puntos siguientes: 1. Factor de amplificacin de corriente. Existen tipos de alta, media y baja beta. 2. Potencial mximo de operacin del colector. Los valores de este potencial van de 3 a 400 V. Este potencial se denomina algunas veces BVeE, potencial mnimo de ruptura colector a emisor para una corriente especfica de colector. 3. Disipacin mxima de potencia de colector. Esta limitacin se especifica usualmente a 25 C (77 F). 4. Mxima temperatura de unin. Cuando se opera el transistor con la temperatura de unin al mximo especificado, la disipacin permitida de potencia es cero. Entre la temperatura lmite de unin y 25 C, existe una relacin lineal entre la disipacin mxima de potencia y la temperatura de operacin. 5. Corriente mxima de colector. 6. Producto ganancia ancho de banda (fT)' 7. Dimensiones fsicas, dimensiones de montaje. 8. Costo. 9. Factor de ruido. Existen transistores de bajo ruido para amplificadores especiales. 10. Corriente de fuga. Durante la fabricacin se pueden seleccionar unidades de baja fuga. 11. Variacin de los parmetros. Pueden compararse tipos de acuerdo a la extensin de las variaciones de los parmetros debido a tolerancias de manufactura y a cambios de la temperatura ambiente. 6-2 Acoplamiento por transformador. Como se ha expresado, el transistor es un dispositivo capaz de amplificar corriente y potencial. Si una aplicacin concreta requiere amplificacin de potencial, o amplificacin de potencia, entonces, de acuerdo con el estudio de las ecuaciones de ganancia y las grficas del captulo anterior, la etapa debe estar terminada en una carga de alta resistencia, y si se desea amplificacin de' corriente, es obligatoria una carga de baja resistencia. En la mayora de los circuitos es preciso elevar el nivel de potencia de la seal. En general es deseable operar con cargas de alta resistencia, para lograr la mxima transferencia de potencia; pero con frecuencia esto no es posible debido a otras consideraciones que aparecern en el estudio de circuitos de acoplamiento. El acoplamiento de una etapa de baja frecuencia a la fuente de seal o a la carga se puede realizar, tanto para tubos al vaco como para transistores, mediante transformadores o redes de resistencia-capacidad. Las ventajas y desventajas de cada mtodo se vern en el prrafo que sigue. Ya se vio en el captulo 3 que un alto nivel de estabilidad en el punto de operacin se consigue con acoplamiento por transformador, aunque sta no es
174
DISEO
ACOPLAMIENTO POR TRANSFORMADOR
175
la nica ventaja del transformador; su capacidad para transformar impedancias es de particular importancia. Si se considera un transformador ideal, los niveles de potencia del primario y el secundario son iguales; por tanto,
r, = P2
o V2/R
= V22/R2.
(6-la) (6-lb)
La carga en el secundario es R2, Y R es la carga efectiva en el primario, no la resistencia del embobinado del transformador, ya que esta resistencia se considera despreciable cuando el estado del dispositivo es ideal. Si N y N2 son los nmeros de vueltas del primario y del secundario, respectivamente. Entonces V2 = (N2/N)V. Substituyendo la ecuacin (6-2) en (6-lb) se tiene R (6-2)
1. Las resistencias R 1 Y R2 en general pueden mantenerse bajas para minimizar prdidas. La pendiente de la lnea de carga cd est directamente determinada por R 1 porque el potencial del colector del transistor por lo general se alimenta a travs de ese devanado del transformador. Las resistencias tpicas de transformadores entre pasos son de valores entre 200 y 1000 S1 por devanado. 2. Lp puede tener un valor grande. Si 2rrfLp es ms de dos veces la resistencia de carga reflejada (NjN2)2 RL, la lnea de carga de ea se aproximar a la recta deseada. Si Lp es pequea o se elimina RL, el transistor trabajar con carga reactiva y resultar una lnea de carga elptica que con frecuencia daa al transistor y provoca excesos en los valores de corrientes y potenciales. La respuesta en baja frecuencia se reduce debido al decremento de wLp; en el lmite superior del espectro de frecuencia til, las resonancias dentro del transformador pueden causar una joroba, en la respuesta; despus de la joroba, aparece un decaimiento en la respuesta debido a la disminucin de las reactancias capacitivas y al incremento de la reactancia de dispersin. Para especificar un transformador de acoplamiento entre etapas es comn suministrar los siguientes tipos de informacin: 1. Relacin de impedancias, o relacin de vueltas. 2. Mxima potencia de ea entregada al primario. 3. Mxima corriente directa no balanceada en los devanados. 4. Inductancia mnima del primario (a un nivel especificado frecuencia y desbalance de cd). 5. Mxima prdida de potencia permisible (o eficiencia). 6. Respuesta en frecuencia.
(N/N2)2R2.
(6-3)
Como R es el valor reflejado de R2 en las terminales del primario, se infiere que el diseador del circuito puede lograr cualquier carga que desee en una etapa dada si selecciona la relacin apropiada de vueltas del transformador que use para acoplar una carga dada al transistor. Cm
R L
de potencial,
Rz
\/VI
Lz
Rz
L~L",
Figura 6-1
-,
I
-,
C2
Lp
La prdida de potencia se puede describir mediante un porcentaje de eficiencia; tambin se puede suministrar un factor de prdida insertada en dE o bien usar la regulacin de potencial como figura de mrito. Regulacin
-I
_~J
I I
= (Vso - VSF)/ VSF.
(6-4)
Vso y VSF representan los potenciales secundarios para ausencia de carga y con carga total, respectivamente, Vso tambin se puede usar para simbolizar el potencial secundario si no hay prdidas. Como
Circuitos equivalentes del transformador: a) circuito completo para transformadores con ncleo de hierro; b) aproximacin til a bajas frecuencias.
v = (PR)I/2,
Entonces Regulacin
(6-5) - (PsFR)I/2]/(PSFR)I/2 -(6-6)
Sin embargo, los transformadores de acoplamiento desde luego no son ideales. La figura 6-la) ilustra el transformador como un circuito complejo que consta de resistencia, inductancia y capacitancia. C y C2 representan las capacitancias distribuidas de devanado. L Y L2 son inductancias de dispersin; R y R2 son resistencias de devanados. La capacitancia Cm est entre los devanados primario y secundario. Lp es una medida de la inductancia del primario y es de inters al estudiar corrientes de magnetizacin. La nica parte ideal del transformador real es la de los devanados N y N2 Para bajas frecuencias, el circuito equivalente de la figura 6-la) puede aproximarse por el de la figura 6-1b). Considerando las componentes por separado se pueden hacer las siguientes observaciones:
= [(PSOR)1/2
= [(PSO)I/2 - (PSF)I/2]/(PSF)I/2
Pso es la potencia del secundario sin prdidas y con carga total, y PSF es la potencia real del secundario a carga total. Si se considera una prdida de 3 dE, entonces Pso = 2PSF, para una prdida de un medio de la potencia de en trada y Regulacin (3 dE de prdida) = [(2PSF)I/2 - (PSF)I/2]/(PSF)I/2 (6--7)
=
0.414,
41.4%.
176 De manera similar, Regulacin (2 dB de prdida) Regulacin (1 dB de prdida)
DISEO
ACOPLAMIENTO POR CAPACITANCIA y DERIVACION es un ngulo positivo o, en adelanto de fase a su potencial ms baja de corte es aquella 3 dB respecto a su frecuencia e = 45. As,
f3dB
177
= 26 %.
12 %.
otras palabras, la red de acoplamiento da un de salida respecto al de fuente. La frecuencia en la que la transferencia de potencial decae media o valor de referencia y ocurre cuando (6-10)
Los transformadores de acoplamiento son muy tiles para acoplar circuitos con transistores, ya que con ellos se logra un alto nivel de eficiencia del circuito y el bajo nmero de componentes simplifica el diseo del circuito, si bien las desventajas del transformador, tales como el peso, las dimensiones fsicas, el costo y la disponibilidad pueden obligar a no empleado en un diseo dado. En los transformadores de acoplamiento miniaturizados se puede esperar una prdida de 2 a 3 dB. 6-3 Acoplamiento por capacitancia y derivacin. La resistencia de entrada de las etapas de emisor comn es baja (en general menor de 5000 D) y obliga a usar condensadores de acoplamiento de valor alto para lograr una buena respuesta en frecuencia y un corrimiento de fase no excesivo a bajas frecuencias. Mediante los avances en la fabricacin de condensadores se han logrado producir condensadores electrolticos de alta capacitancia y bajo potencial, que tienen amplia aceptacin entre los diseadores. Es frecuente encontrar condensadores de 5 J.1.F uniendo etapas de un amplificador de transistores.
-VBB
(R3
+ R)![2nCc(R3R + RGR3 + RGR;)].
Cuando el transistor se alimenta desde otra etapa de emisor comn, como en la figura 6-3, RG puede representarse por Ro, la resistencia de salida de la primera etapa. Este elemento est en paralelo con Re Y con un generador de seal de corriente lo, Considrese que R es mucho mayor que Re (o que est incluida en el valor que se use para Re); se concluye que las ecuaciones (6-8), (6-9) Y (6-10) se aplican a este caso haciendo la substitucin Re =RG'
-Vcc -VBB
R2
Cc
-e-
Re Re RiVj('\,
R2 VI( '\,
R3
Ri
Figura 6-3
Circuito tpico con acoplamiento R-e.
-=
Figura 6-2
-e-
-e-
-e-
-e-
a)
b)
Circuito tpico de entrada: cuencias para a).
a) esquema real; b) equivalente ca de bajas fre-
El circuito de la figura 6-2a) y su equivalente pueden formar la base para varios clculos de muestreo. Si la fuente de potencial VI de resistencia interna RG excita la etapa que se muestra, se puede calcular el corrimiento de fase entre la seal de VI y la de base mediante mtodos convencionales de la teora de circuitos. Si se considera que R2 ~ R3, se tiene la relacin de transferencia de potencial: V2fVI = R3Rj[R3R El corrimiento
Para mayor precisin en los clculos se debe tener cuidado al hacer cualquier consideracin. En el caso precedente R Y R2 no afectan a las ecuaciones resultantes; sin embargo, hay circuitos prcticos en donde estos parmetros son importantes y deben ser investigados con todo cuidado. Aqu, la impedancia de entrada se consider puramente resistiva (R), pero si se usa una resistencia de emisor con derivacin, la impedancia de entrada ser sensible a la frecuencia y se limitar Su respuesta a bajas frecuencias. Esta condicin amerita un anlisis especial. Considrese que el emisor del segundo transistor en el circuito de la figura 6-3 est conectado a tierra a travs de R en paralelo con C 1, como se muestra en la figura 6-4a). La carga del circuito acoplado no es ya R solamente, deben incluirse tambin R y C . Z es la impedancia neta de la conexin paralelo de R y C r- Debido a que la corriente de emisor fluye a travs de esta impedancia, su efecto es aproximadamente (1 + (3) veces el de cualquier elemento del circuito de base. Entonces la impedancia del transistor y Z en serie es Z ~ R
+ (/3 + I)ZI = R + [(/3 + I)Rl!(l + jwCR).
(6-11 )
+ RCR3 + RcR
- jXc(R3
+ R)].
complejo y es
(6-8)
Interesa la transferencia de seal a R de la fuente de seal. Por conveniencia, considrese C como corto circuito a la seal. La cada de potencial a travs de R es la siguiente fraccin del potencial de fuente de seal:
R R;(I (Rr Rr
en fase est determinado
por el denominador
(}=
tan
-1
[Xc(R3
+ R)]!(R3R + RCR3 + RcR).
(6-9)
+ Z =
R)(1
+ jwCR) + jwCR + (/3 + l)R .

j)
(6-12)
178
DISEO
LlNEA DE CARGA DINAMICA
179
RT es la resistencia equivalente de la combinacin paralelo de Re, R R2 Y R3' Depus de igualar las partes real e imaginaria del denominador de la
ecuacin (6-12), se obtiene la frecuencia de corte inferior:

f3dB
(f3
+ R + RT . 2rrCR(R + RT)
l)R
Si es necesario obtener la respuesta a bajas frecuencias del circuito de la figura 6-3 con un condensador de 5 J.1F de acoplamiento, entonces la frecuencia a la cual la respuesta est 3 dB abajo del valor a frecuencias medias est dada por la ecuacin (6-10):
f3dB
(6-13)
=
2.8 cps.
v;
Z-
Rl
el
=
--/
Supngase que un condensador de 20 J.1F est en paralelo con una resistencia de 1000 n en la rama de emisor del transistor de carga y que su factor de amplificacin de corriente es 50. La frecuencia inferior para la mitad de la potencia de este circuito es 70 MHz, de acuerdo con la ecuacin (6-13). Segn los clculos numricos, mostrados, es evidente que el sobrepaso en la impedancia de emisor es un factor lmite en muchos estudios de baja frecuencia. 6-4 Lnea de carga dinmica. En el captulo 3 se presentaron las reglas para el trazo de la lnea de carga esttica o de cd en las caractersticas de salida del dispositivo activo. La suma de todas las resistencias en la trayectoria emisor colector determina la pendiente de la lnea, que se origina en Vee + VEE y termina en (Vee + VEE)f'f,R. El punto de operacin se establece mediante una red que proporcione la corriente de base o de colector deseada. La trayectoria dinmica de operacin o lnea dinmica de carga es el lugar geomtrico de todos los valores correspondientes de corriente y potencial instan tneos de colector durante un ciclo de la seal. Se puede establecer la carga en ea en una etapa si se suma la impedancia de todos los elementos de circuito de la trayectoria emisor-colector. Por lo general esta tarea se simplifica al considerar que todos los condensadores de derivacin o sobrepaso y de acoplamien to son cortocircui tos a ea.
2-R1Cl
f3dB b)
a) Figura 6-4
Efecto del condensador de derivacin sobre la respuesta en frecuencia.
Para que la ecuacin (6-13) describa adecuadamente 13 dB es necesario que las frecuencias de cambio, del numerador y del denominador de la ecuacin (6-12) difieran en dos octavas o ms. Una octava corresponde al doble de frecuencia. El cambio en el numerador se efecta a 1= 1f(21TR C ) y el del denominador a 13 dB, de la ecuacin (6-13). En la figura 6-4b) est trazado el potencial a travs de R vs f. Ejemplo. Considrese una etapa tpica que tiene las siguientes caractersticas:
R
= Re = R3 =
n, 10,000 n, 10,000 n,
1500
RG
= 600 n,
I= 400 cps.
,
o-jr
f I
Se desea hallar el valor de C que producir un corrimiento de fase de 5 o menos cuando el transistor se emplea en los circuitos de las figuras 6-2 y 6-3. Para el circuito de la figura 6-2, la ecuacin (6-9) se puede transformar en
X;
de donde Para el circuito Re = RG' Entonces
[tan 8(R3R
+ RGR3 + RGR)1/(R3 + R),
e, =
2.4 J.lF.
Figura 6-5 Circuito para el ejemplo del texto.
de la figura 6-3, se puede usar la misma ecuacin, C, = 0.4 J.lF.
con Para ilustrar el manejo de cargas y el trazado de lneas de carga considrese el circuito de la figura 6-5. La carga cd consta de la combinacin serie de R 1, Re Y Re. La carga en ea es Re ms la combinacin en paralelo de Re, R2 Y R de la segunda etapa.
Cualquier valor de capacitancia que exceda de estos valores dar por resultado un corrimiento menor de 5.
180 Si los parmetros Re del circuito de la figura 6-5 son
DISEO
LlNEA DE CARGA DINAMICA
181
220
n,
kn,
Re
R
= 10 kn,
R2
120 kn,
le
n, = 2.2
10 kn,
la lnea de carga cd tiene una pendiente que es la recproca negativa de 220 + 2.2 k + 10 k o 12,420 n y la pendiente de la lnea de ea es la recproca de 220
R;-~IIIC::}
+Vce Vcc
Lneade carga cd en
+ [1/(1/10
1/120 k
l/lO k)] Figura 6-7
VcE
o 4800 n. Las lineas de carga de ea deben pasar a travs del punto Q y no se establecen por las intersecciones con los ejes. En la figura 6-6 las lneas de carga de cd y ea estn trazadas sobre las caractersticas de salida. Despus de que la lnea de cd entre Vee y Vee/Rcd se ha localizado y ubicado el punto Q, se puede trazar la lnea de ea a travs de Q con la pendiente adecuada. La lnea de carga dinmica presenta mayor pendiente debido a la capacitancia de acoplamiento que la hace dependiente de la combinacin paralelo de dos o ms elementos.
Acoplamiento por transformador.
a: o
1t.) W -1
o
t.) W
-1
a:
1-
o t.)
-1
----=------------dc
directa es idealmente cero si el primario del transformador tiene poca resistencia. La lnea dinmica, a travs de Q, tendr una pendiente determinada por la reflexin de RL en el primario del transformador. Al examinar la figura 6-7 se ve que la lnea de carga de ea se ex tiende ms all de Vee, lo que parece una violacin de la ley de potenciales de Kirchhoff, ya que el valor instantneo total del potencial colector-emisor es considerablemente mayor que la fuente de potencial del circuito Vee. Se debe notar, sin embargo, que cuando ves es grande, el valor total de la corriente de colector ic es pequea y que la cada instantnea variable en el tiempo icRL'. se opone al potencial ves- La ecuacin sera Vee
y no hay violacin de los principios le
_o
t.)
-1 W
= icRL' + VeE
bsicos.
(6-14)
~ ve...
1z
w R D-..:;;4Y~"-~"""",,:::---~~
o t.)
w a: a:
_--.-~~-....."".,--- ---1m
--- -
--w
-'1Z
I~--~~~----~----~~~~
LTeaiie carga
encd
Vee
o t.)
1B=0
a: a:
o
POTENCIAL Figura 6-6
VI
T--'
o
1m lB' IB6 IB8
lcm
COLECTOR
A EMISOR
CORRIENTE de salida
y
DE BASE
T--'~
t.;
r
I
<,
<,
1\
-, -,
\~
Lneas de carga de cd y ea en las caractersticas las caractersticas dinmicas de transferencia.
construccin de
..l--t--~"':::::
1--v.""!-
'~
~YcE
Para ciertos propsitos se puede obtener la caracterstica dinmica de transferencia. Es posible lograr con facilidad la proyeccin de los puntos de interseccin de la lnea de carga de ea y las lneas de corriente de base constante sobre la curva le-lB, como se observa en la figura 6-6. Es fcil estudiar la Imealidad de operacin en las caractersticas de transferencia, y de all se puede establecer claramente lo adecuado del punto de operacin. Se dice que la caracterstica es dinmica porque se deduce de la lnea de carga y no se considera potencial de colector constante. Se presenta en la misma figura una cara.cterstica esttica al potencial V 1. Si se emplea transformador de acoplamiento, como en la figura 6-7, la lnea de carga esttica tendr mayor pendiente. La suma de la resistencia a corriente
Y.rl
Figura 6-8
Lnea de carga dinmica elptica,
Cuando la carga dinmica no es una resistencia pura, la forma de la carga dinmica es elptica (ver la figura 6-8). Para demostrar esto, considrese que la corriente instantnea del colector es senoidal; entonces ic = lcm sen iot
y
Vce
(6-15) (6-16)
-lcmlZ
LI sen (wt + 8).
182 La impedancia de carga ZL

= RL
DISEO
ESTABILIDAD DE GANANCIA
183
+ XL Y
1 L L).
e = tan- (X /R
Sen (wt da
resistencia. El potencial de la fuente del colector vara en cada punto de operacin investigado de acuerdo a
(6-17)
+ IJ) puede
expandirse y la ecuacin (6-15) substituirse en (6-16). Esto iclZLI cos 8
Vcc y as
Vcc
= VCE + IcRv = 5 + IE(lOOO).
-Uce =
+ IZLI (sen8)(lcn/
- i/)1/2.
Los trminos seno y coseno se pueden eliminar median te el uso de (6-17). El resultad ser 2 Uc/ + 2uce i.R + i/IZL21 = Icn/ XL (6-18) La ecuacin (6-18), la lnea dinmica de carga, es una elipse con centro en el punto Q. La pendiente de la lnea a travs de Q que une los puntos de tangencia en los extremos horizontales superior e inferior es igual a la recproca de la resistencia de carga. 6-5 Efectos del punto de operacin en la ganancia. Los parmetros del transistor son sensibles al punto de operacin y, como se desprende de las curvas y el anlisis del captulo 4, se deben hacer correcciones a los parmetros nominales cuando operan con potencial de colector y corriente de emisor diferentes de los valores recomendados por el manufacturero. Una seleccin inteligente del punto de operacin, cuando es posible, permite para ciertos transistores obtener mxima ganancia o da un medio de ajustarla y, en ciertas condiciones, se puede utilizar para encontrar las especificaciones de ganancia de un diseo particular. Se investigar numricamente la variacin del comportamiento debida a la seleccin de la corriente a cero seal de emisor. De los parmetros de referencia que proporciona el fabricante y su correccin de la informacin se obtuvo una lista para el transistor 2N43. Es evidente que hay una gran variacin en hib y puede esperarse que produzca un cambio substancial en la impedancia de entrada y la ganancia de potencial. La amplificacin de corriente de emisor comn se afectar por el cambio del factor (1 + hfb). Corriente de emisor en miliamperes 0.1
h,. h rb
El diseador del circuito controla la ganancia y los niveles de resistencia de un transistor. Si usa una corriente directa grande puede lograr un circuito de alta ganancia, al precio de corriente estable grande y disminuir la resistencia de entrada, y posiblemente la necesidad de una fuente de potencial directo de valor grande. Los sistemas de control automtico de ganancia que se usan en receptores de comunicaciones y se analizan en el captulo 10 constituyen una aplicacin prctica del material de esta seccin. 6-6 Estabilidad de ganancia. Una variacin ms problemtica de los parmetros ocurre debido a las tolerancias de manufactura. La distribucin de los
50
A. Y A,
8000
jl:l -e
40
6000230
s->
)~
--
V f-
...
f.l Expev rimen-
200
en
:::E
:J:
04000
C!l
V~
.-
A. Calc.~
Jk
I
tal A
150
z
w
O~ 20
~2000 10 O
r-.r-,
R
r-,
~
./
~EN mA
.L V
100
...-50
0.2 120 4.2 -0.968 0.36
0.5 55 4.6 -0.974 0.55
1.0 29 5 -0.977 0.80
4.0 9 6.5 -0.986 2.4
7.0 5.8 7.5 -0.988 3.6
10.0 4.6 8.0 -0.988 5.0
O O . 0.1
-=1="-
!=P'
O
1.0 10
(lE)
he.
h,.
x 10X
10-6
230 3.8 -0.966 0.32
CORRIENTE
DE EMISOR
..
Figura 6-9
Comportamiento
VS.
corriente de emisor de un transistor tpico.
posibles valores de los parmetros de un solo tipo de transistor medio de los valores anotados en seguida Parmetro h,. en ohms he. en micrornhos
h
se ilustra por
Considerando una carga de 1000 n, los clculos basados en los parmetros que antes se tabularon permiten predecir el comportamiento de una etapa de emisor comn. Los resultados de tales clculos y de las pruebas efectuadas en un circuito prctico se muestran en la figura 6-9. Av se usa aqu para representar la relacin del potencial de carga al potencial de base. En este anlisis es necesario mantener VCE constante, 5 V permanentemente, ya que este potencial tiene tambin una fuerte influencia sobre las ganancias y los niveles de
h,.
Mnimo 30 0.1 50(10-6) -0.97
Referencia 40 0.4 500(10-6) -0.98
Mximo! 90 1.5 1500(10-6) -0.99
184
DISEO
CONSIDERACIONES SOBRE LA RESISTENCIA DE ENTRADA
185 (6-20)
Si este tipo de transistor se usara en la conexin de emisor comn y alimentara una carga RL de varios cientos de ohms, la ganancia en corriente, aproximada por hfe, podra variar de 32 a 99, una variacin de ms de 3: 1 entre el mnimo y el mximo de los valores de los parmetros. Por otro lado, la amplificacin de potencial de la etapa puede caer con los parmetros mximos a aproximadamente 1/3 de su valor para los parmetros mnimos y la resistencia de en trada con los valores mximos sera alrededor de 9 veces mayor que la del transistor que tuviera los parmetros mnimos. Este problema se complica cuando adems se debe tomar en cuenta la variacin de la temperatura. Los clculos de ganancia para un amplificador de varias etapas tendern a mostrar un grado an mayor de indeterminacin. El problema es hacer que la ganancia de los amplificadores construidos sea similar a la calculada por el diseador usando los valores nominales de los parmetros. El uso de retroalimentacin degenerativa proporciona una solucin parcial al problema de repetibilidad. La ganancia de un paso se reduce al usar retroalimen tacin, pero se reduce tambin la dispersin de la ganancia. Para la configuracin de emisor comn, la retroalimentacin local puede tomar dos formas: una resistencia sin derivacin, en serie con la terminal de emisor, o una resistencia entre las terminales de colector y base. Ocasionalmente se emplean ambos en el mismo circuito. Considrese el circuito y su equivalente de la figura 6-10. Se puede estimar que la resistencia de emisor Re amortigua las variaciones en hib; la admitancia de colector a base Cc tiene una derivacin hob que da una trayectoria de menor resistencia. El condensador Cb bloquea la cd para prevenir alteraciones de la polarizacin original de la etapa.
-VBB
A=------~~----, (hOb+GJRL+(I+hJh)'
hJb
G R
, R o
= ----------------~--'-
hJh2RL
+ R,)[I + RL(hub + Gc)][RL(hob (hb + Re)[1 + RL(hob + Gc)] = --'-"-----------'------'(hb RL(hob+Gc)+(I+hJb)'

=_
+ Gc) + (1 + hJb)]'
(6-21) (6-22) (6-23)
(hab
hh + Re + RcC I + h Jb) + GJ(hb + Re + RG) - hrbh Jb
En los captulos 9 y 10 se ofrece un tratamien to ms completo de la teora de la retroalimentacin. 6-7 Consideraciones sobre la resistencia de entrada. Con frecuencia se requiere que un circuito particular de transistores suministre un nivel alto de resistencia de entrada para que no se produzca una cada en la carga de la fuente de seal, ya sea sta un transductor o simplemente un circuito. Existen cuatro mtodos para lograr niveles de resistencia de entrada superiores a varios miles de ohms para transistores convencionales, los que se vern en los prrafos siguien teso Operacin a bajo nivel. Si el nivel de seal es pequeo, de manera que se pueda operar a bajo nivel de corriente esttica de colector, la resistencia de entrada de una etapa de emisor comn es suficientemente grande, como se ve en la figura 6-9. El transistor que se use debe tener una hfe grande, ya que la resistencia de entrada es
R ::;::;IIJe
R2~
o-J I
T *e,~
G,
Ge
hfblc
e; = hJe
A/c
(6-24)
.t---o
-e le
Con este mtodo se logran valores de 50,000 n. Emisor comn degenerado. La conexin de una resistencia sin derivacin entre emisor y tierra, que ya se estudi en la seccin anterior, incrementa la resistencia de entrada de la etapa de acuerdo a
R ::;::;rw
'1
y
Jb
IJ
E
+
<;hib
+ rb,. + R.(hJe +
1),
(6-25)
iR'
local para estabilizacin de ganancia: a) localizacin de Ro
Figura 6-10
Retroalimentacin
y G en un circuito tpico; b) equivalente de a) de la figura 4-7.
hob,
Puesto que Re y G estn respectivamente en serie y paralelo con hib y estos elementos se pueden incorporar con facilidad a las frmulas para operacin; las frmulas de la tabla 5-2 se modifican: A
=
(hi/)
h R
Esta aplicacin de la retroalimen tacin negativa reduce la ganancia de potencial de la etapa, pero es el precio que se debe pagar por el incremento de la resistencia de entrada. Una resistencia colector a base reduce la impedancia de entrada y, por tanto, no se aplica en este caso. Seguidor de emisor. Si bien el seguidor de emisor o colector comn no puede dar una ganancia de potencial mayor que la unidad, tiene una gran aplicacin cuando se necesita un alto nivel de impedancia de entrada o un bajo nivel de impedancia de salida. Como se puede ver en la tabla 5-1, es posible una ganancia de corrien te de valor considerable. La etapa de seguidor de emisor se puede analizar como una simple extensin de! circuito de emisor comn de la figura 6-10 con G igual a cero y la seal de salida tomada del emisor en vez del colector. Para la ganancia de potencial de una etapa de seguidor de emisor se da una expresin en la tabla del problema 5-12:
Au
+ R,,)[I + RL(h"h + Ge)]
L,
(6-19)
Ve! Vb == Re/(I? b
+ Re)'
(6-26)
186
DISEO
CONSIDERACIONES SOBRE LA RESISTENCIA DE ENTRADA
187
La carga de la etapa es Re, Y Ve Y Vb representan potenciales en las terminales de base y emisor, respectivamente. La ecuacin aplicable para la etapa de emisor comn en la ecuacin (5-9), que, modificada para incluir Re, se transforma en Ve A v =Vb -RL(hib (hib
+ Re)(l
+ Re)hob + hfb) + RLhob) - hrbhfbRL
(6-27)
Para convertir esta ecuacin en el caso en que la salida se tome a travs de Re,' debe multiplicarse por Re/hfbRL' La ecuacin (6-27) ser, para RL = O Y (hib + Re)hob 'hfb, idntica a la ecuacin (6-26). De la tabla del problema 5-12 se tiene R.
---:.:.....,-----='-----,--..,.
hib + Re hob(hib + Re) + (1 + hfb)
(6-28)
Se ve por esta ecuacin que la resistencia de entrada de un seguidor de emisor es aproximadamente igual a (hfe + l)Re hasta que Rehob adquiere la misma importancia que (1 + hfb)' Para valores muy grandes de Re la resistencia de entrada es simplemente l/hob' Puesto que hfe y hob tienden a variar en forma considerable de unidad a unidad y son sensibles a los cambios de temperatura, se infiere que la resistencia de entrada no ser un parmetro muy estable.
+Vcc +Vcc ~Rx ~RC
emisor pare evitar que se retroalimente hacia la red de base; sin embargo, la seal se retroalimenta y puede obtenerse del nodo que une a las tres resistencias. Como el potencial de la seal a travs de Re es aproximadamente de la misma amplitud y fase que la seal de entrada (Av ~ 1), a travs de R hay una diferencia de potencial prcticamente nula y, .por consiguiente, los elementos de polarizacin de base aparecen como un circuito abierto a la seal y la impedancia de entrada est dada esencialmente por la ecuacin (6-28), con una ligera modificacin para que aparezcan R; Y Ry en paralelo con Re' Esto puede reducir levemente la resistencia de entrada de la etapa. La resistencia Re protege el diodo de colector base en la figura 6-1 lb). Cuando se aplica una seal extremadamente grande a la base, el transistor se satura y esta unin puede llegar a polarizarse inversamente; con el objeto de limitar la corriente inversa del diodo, se hace Re de unos 100 n. Etapas TEC. Es natural que el TEC d una resistencia de entrada mayor que la de cualquiera de los esquemas analizados anteriormente. Sin embargo, en algunas aplicaciones crticas es necesario cancelar el efecto de los elementos en paralelo de la polarizacin de compuerta. La retroalimentacin de emisor a base en este caso de fuente a compuerta-, como se analiz en relacin con el seguidor de emisor, ayuda en este problema. El circuito de la figura 6-12a) incluye retroalimentacin de la fuente a la compuerta a travs de un condensador de 1 I1F. Si la seal a travs de la resistencia de 100 n sin derivacin de la terminal de fuente tiene un potencial igual al de la seal en la compuerta, no habr corriente de seal a travs de la resistencia de 1 Mn de polarizacin.
I
~
-30Y
!
I
~2.7M
~20k
ltB
1
~R.
VBB
"*,
al
I
~~
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<>---1H
r.1P'\
,H
G
v;
b]
2.7k
Figura 6-11
Polarizacin del seguidor de emisor.
Para polarizar una etapa de seguidor de emisor es necesario suministrar una corriente de base constante, como en la figura 6-11a); sin embargo, se debe notar que la terminal de base est por arriba del potencial de tierra en VBE + IERe y, entonces, si VBB no es mucho mayor que la diferencia de potencial base a tierra, RB no puede tomar valores tan grandes como sera deseable para un alto nivel de resistencia de entrada. Con el objeto de eliminar el efecto de RB en paralelo sobre la seal se propone el circuito de la figura 6-11 b). El punto de operacin est determinado por los elementos Rx, Ry y Rz. El elemento C bloquea la cd en el
r
bl
v.
,;
al
Figura 6-12
Circuitos TEC: a) circuito de fuente comn con retroalimentacin; b) conexin de salida comn.
A costa de un sacrificio en la ganancia es posible obtener una muy alta resistencia de entrada con el seguidor de fuente o salida comn. Si se considera que el circuito de la figura 6- J 2b) se puede aproximar mediante un
188
DISEO
EJEMPLOS DE DISEO Objeto. Disear una etapa de amplificacin siguientes resultados:
189 con transistor para lograr los
modelo que consta de una resistencia compuerta a fuente 'gs, un generador de corriente gm Vgs y una carga Re, es fcil demostrar que R
= r gs + Re(l + gm' gs)'
(6-29)
El trmino (1 + gmrgs) representa la ganancia en corriente de la conexin. La ganancia en potencial es menor que la unidad:
Av = Vo/V = 1/[1
+ (l/gmRe)].
se tratarn
(6-30)
No existe inversin de fase en esta conexin. Otros mtodos para lograr altas impedancias de entrada captulo 10 y se pueden obtener en obras especializadas.
en el
1. Respuesta en frecuencia: 40 a 20,000 cps. 2. Resistencia de carga: 1000 n. 3. Impedancia de entrada: no hay datos. 4. Ganancia de potencial: 10 mnimo, potencial fuente. 5. Caractersticas de la fuente: impedancia 1000 10 mV. 6. Temperatura: 30 5 C. 7. Potencial cd disponible: -12 V.
de carga a potencial
de
n,
resistiva; salida mxima
6-8 Ejemplos de diseo. Ejemplo de diseo de un circuito de alta impedancia. Objeto. Disear una etapa de transistor de baja potencia con una resistencia de entrada de 100,000 n. El transistor tiene los siguientes valores de los parmetros: hb
Solucin. Puesto que es primordial una buena respuesta en frecuencia se usar acoplamiento R-e y el transistor 2N2614, que se desempea bien en audiofrecuencia. Es innecesaria una unidad de silicio, ya que no se esperan variaciones muy amplias de temperatura.'
= son,
X
hob 10-4,
=2
10-6 mho,
-'fe
Re
Rz
hrb = 10
hb = - 0.99. Cb
e,
~
La carga es de 10,000 n. Considrese que se han hecho ya las correcciones a los parmetros por efectos de temperatura y punto de operacin. Se usar una etapa de emisor comn con polarizacin de emisor. La corriente de base puede fluir a travs de la fuente, que tiene una resistencia muy baja a cd. Considrense niveles de seal extremadamente pequeos. Solucin. Este problema se ha simplificado hasta el punto en que slo es necesario calcular el valor requerido de Re y determinar la ganancia resultante. Segn la expresin de resistencia de entrada, ecuacin (512), modificada para incluir Re,
Rsr
Yg~
'::' -e-
Rl
lR"'"
Cc Re Yo
a)
hb
+ Re = =
R(hobRL
+ 1 + hfb) + hrbhbRL 1 + h (R - R-)

ob L
I
Cb
rbb'
3300
n.
Re
Rs
Rz Vg{'\...
As,
R3
= 3250 n.
con la frmula
< R carga
La ganancia de potencia ,aproximada
que se puede esperar se comprueba
b)
= =
h/RL --------.!..::~=--::------: (hb 97,
+ Re)(l + RLhob)(RLhob + ~+ h lb)

del
Figura 613
Ejemplo de diseo de circuito: a) esquemtico; b) equivalente.
que es muy pequea, pero se debe recordar que el inters primordial diseo era lograr una impedancia de entrada alta. Ejemplo de diseo de un amplificador R-e.
La polarizacin se efecta con una batera y el circuito seleccionado es el de la figura 6-13. Se escoge tentativamente el punto de operacin en VCE = -6 V e lc = -1 roA, para el cual no son necesarias correcciones en el punto de operacin.
190 De acuerdo con el fabricante,

rw
rb'e gm rb'e
DISEO
EJEMPLOS DE DISEO Entonces,
191
300
n,
r.,
167,000 750 pF,
n,
fJdB
= 1/(2nCTRT)
= 150 kc.
= 4000 n,
=
Cb'e =
A frecuencias medias la corriente que entra a la base puede aproximarse mediante la siguiente fraccin de la que entrega la fuente de seal: R3/(R
0.0385 mho,
c-, = 9 pF,
fhfb
+ R3),
= 2.85 x 106 n,
10 Me.
Si se escoge Re = 5000 n, se perder muy poca potencia de ea en esta resistencia y R puede tener 1000 n para satisfacer la ecuacin del circuito en cd. Vee
=
En este ejemplo el 92 % de la salida de la fuente alcanza la base. La corriente de carga es la siguiente fraccin de la corriente de ea de colector: Re/(Rc
+ Rcarga).
leRe
+ IER + VCE'
Puede hacerse tambin R3 = 50,000 n y, corno le debe tener 1 mA, R2 tendr que ser grande para no afectar los clculos en una proporcin importante. Hay que comprobar brevemente R2; el potencial de base a tierra ser Is R + VBE, aproximadamente -1.2 V. La corriente a travs de R3 es de 1.2/(50)103 o 24 J.1A. Si se considera que hpEvale 100, la corriente de base es 10 J.1A y, entonces, R2 se ob tiene de R2
As, el 83.3 % de la corriente de colector pasa por la carga. Todo el potencial de colector se tiene a travs de la carga; sin embargo, la salida de la fuente est dividida entre Rs y la combinacin paralelo de R y R3 de acuerdo a R3RJ(R3 + R) + [R3RJ(R3 + R)] .
R,
Para este ejemplo, 80 % est a travs de las terminales de entrada de transistor. Usando los valores anteriores, el comportamiento total a frecuencias medias es es
AjJ'
= (12 - 1.2)/(34
x 10-6)
= 320,000 n.
nece-
= (0.92)(0.833)(154) = 118.0, = (0.80)(35.1)
Se requieren algunos clculos preliminares para obtener los parmetros sarios para el uso de varias frmulas: R
L
AVT
= 28.1, =
3320.
= ReRcarga = (5 k)(1 k) = 833 o, Re + Rcarga 5 k + 1 k

~ RsR3 R, + RJ
=
(118.0)(28.1)
G -
(1 k)(50 k) 1 k + 50 k
980
n,
fhfe
= (1 + hfb)fhfb
= (0.01)(106) = 100 kc.
Estos valores permiten calcular la operacin del transitfor solo: A ~ hfe R ~ Av

G
rbb' = gmrb'e
= 154,
rb'e
= 4300 n,
Avr se define aqu con la relacin de potencial de colector a potencial de la fuente Vg, y Ar es la relacin de corriente de carga a corriente de la fuente. La reduccin de la ganancia en corriente debida a la variacin de beta a 20,000 ciclos se lee en la figura 5-12 y es menor de 0.1 dB. Se podra predecir un comportamiento aceptable en alta frecuencia si se conociese la fhfb y C de transistor y del hecho de que la carga y la resistencia de fuente fuesen bajas, Cuando la porcin real del denominador de la ecuacin (6-8) se hace igual a la imaginaria, se tiene el punto de 3 dB de cada a baja frecuencia (40 cps) del espectro:
...
= =
A RLIR = 35,1, AAv

=
5400, Entonces,
R3R
RsRJ Xc
+ RsR =
XC<R3
+ R).
La capacitancia
de entrada total est dada por CT
= 4960 n.
= Cb,. + Cb'e(l + gIllRL)

RT
= 1100 pF. = 970 n,
Si Cb acta solo, su valor es C, = 1/[2n40(4960)]
Para determinar
la frecuencia alta de corte de la ganancia de potencial,
rb,.II(RG
rbb')
= 0.8
J.1F.
192 Un condensador de 5 .JF' podra ser aceptable en indican que 5 .;.F puede ser un valor aceptable carga y 100 .;.F para la derivacin de la resistencia que los tres condensadores son importantes a bajas la reduccin de la ganancia.
DISEO este caso. Clculos similares para el acoplamiento de la de emisor; se debe recordar frecuencias y contribuirn a
PROBLEMAS
193
6-4. Para el circuito que aparece aqu trace las lneas de carga de cd y ea en un esquema de las caractersticas de colector del 2N2614 y localice el punto Q. Con un excitador senoidal de corriente de base, cul es la mxima cantidad de potencia que se puede entregar a la carga antes que se recorte la seal?
<t:
u
2
1.4 ~
-,
\z11
~ ~ ~ ~
" vg A=!2..
, Ig
A = Vo
nn
1.2
w<t: u.._
WCJ
a:w <t::2: 1.0 ...J<t: <t:e:;

(1)2 CJw
>::> -u
0.8I
IJ ~"
f~
~w ...Ja: wu.. 0.6I a:w

(l)CJ
a: ~ <t:
1/
J.
20 100 1000
-,1\
-....
~
5x10
4
IZI=I~I
g
Problema 6-4 6-5. Dibuje las lneas de carga de cd y ea para el circuito de la figura en un esquema de las caractersticas de colector del transistor 2N3242. Localice el punto Q. Qu tanto puede variar la corriente de base antes de que ocurra el corte de la corriente de colector?
"\ A
1\"
1\ \A
Iz.r , ~
0.4
"
~\ 10
>
0.2:
10
FRECUENCIA Figura 6-14
EN CPS
-=
Problema 6-5 6-6. Para la etapa que se muestra en la figura, calcule el valor de Ce requerido para una frecuencia de corte inferior de 50 cps, si se considera que es la nica causa de la reduccin de la ganancia. Considere R de 3000 n y hfe 40.
Datos de prueba en un amplificador similar al ejemplo del texto.
La respuesta en frecuencia medida para un amplificador muy semejante al de este diseo est graficada en la figura 6-14.
N1:N2=4:1
PROBLEMAS
4kfl
6- J. Demuestre que el uso de un transformador para acoplamiento entre un transistor conectado con emisor comn y su carga suministra una amplificacin incrementada de potencial aun cuando el transformador est conectado de manera que haya una reduccin de potencial de primario a secundario. 6-2. Una fuente de seal tiene una resistencia interna de lO,OOO n y alimenta una etapa de transistor que presenta una resistencia de entrada de 2000 n, incluyendo las resistencias de polarizacin. Determine la magnitud necesaria del condensador de acoplamiento de manera que la frecuencia inferior para la mitad de la potencia sea. 25 cps. 6-3. Un condensador de acoplamiento de 1.0 .;.F une dos etapas de transistor. El excitador se puede representar por un generador de corriente lo en paralelo con R =. 25,000 n y una capacitancia del transistor y del alambrado de 400 pro La carga es R = 2000 n; Re = 10,000 n. Determine a) La relacin de transferencia de corriente entre 10 y R a frecuencias medias. b) La frecuencia inferior de media potencia. e) La frecuencia superior de media potencia.
11
-Ycc
C
bI
=
5kfl lOkfl
C.
1kfl
-Vcc
Problema 6-6
194
DISEO
PROBLEMAS
195
6-7. A la resistencia de entrada de una etapa de emisor comn debe agregarse un trmino aproximado (J3 + l)Ze para incluir los efectos de la impedancia en la rama del emisor. Si Ze es el equivalente de Rl en paralelo con Cl, deduzca la ecuacin (6-13) para la frecuencia inferior de media potencia del circuito de la figura (6-4 )a). Para una mayor facilidad se pueden despreciar los efectos del condensador de acoplamiento. El transistor tiene una impedancia resistiva de entrada R. 6-8. Los parmetros h de dos elementos de circuito pueden sumarse si los elementos se consideran conectados en serie. Para derivar una expresin para la impedancia de entrada de una etapa de colector comn en trminos de los parmetros de emisor comn, use la representacin de la figura. Demuestre que la matriz h compuesta es hit [ -(h,. y compruebe que
RI
Problemas de diseo. En los problemas que siguen, realice las operaciones necesarias para obtener una etapa que cumpla con las especificaciones que se sealan. Seleccione una red de polarizacin apropiada y, para cada solucin, escoja un transistor entre los del Apndice 1, corrigiendo los parmetros nominales para el punto de operacin. Seale las consideraciones que haga e indique claramente los pasos que guen la seleccin de cada componente. Una especificacin general aplicable a los problemas que siguen es que no se permite cd en la fuente de seal y en la carga de la etapa. No se consideren las variaciones de produccin en los parmetros a menos que se indique lo contrario. 6-12. Especificaciones:
1. Respuesta en frecuencia: 30 a 20,000 cps, mnimo. 2. Resistencia de carga: SOOO D.. 3. Impedancia de en trada: no se especifica. 4. Ganancia en potencial: SO, mnima relacin de potencial de carga a potencial de fuente. S. Caractersticas de la fuente: impedancia-100, resistva, en serie con un generador de O a 20 mV 6. Temperatura: 20u So C. 7. Fuente de poder disponible: -8 V.
+ 1)
(l - h")] (hae Ge)
= he, + (h,e + 1)(1

ho.
+ e,
/
- hre)
,-------------------1
o
-+-
lb
I
i
El -12
6-13.
lf.
Especificaciones:
h"lf. E Vl
I
el
Va
I L___
_______________ J hfel
l
Frecuencia portadora: 400 cps. Resistencia de carga: 10,000 n. Impedancia de entrada: SO,OOO 10 % D.. Ganancia en potencia: 10, mnimo. S. Caractersticas de la fuente: impedancia-50,000 con circuito abierto. 6. Temperatura: 2So SO C. 7. Fuente de potencia disponible: -12 V. 6 -14. Especificaciones:
1. 2. 3. 4.
D., resistiva; 1 mV potencial mximo
G,
Problema 6-8 6-9. Es imposible que la ganancia en potencial de una etapa de emisor comn sea igual a la unidad. Si se requiere una ganancia idntica a la unidad, se puede usar una etapa de emisor comn con retroalimentacin local en la terminal de emisor. Cul debe ser el valor de Re para que !Avl = 1? 6-10. Compruebe las ecuaciones (6-29) y (6-30). 6-11. Se requiere que el dispositivo activo de la figura se seleccione de manera de que se logre la mxima amplificacin de seal de potencial, relacin de Vo a Vg' Los dispositivos activos son un transistor convencional representado por hfe y he, y un tubo triodo al vaco con parmetros de seal pequea rp y 11. Los valores de los parmetros son hfe=Il=30 y rp =b =2000. RC=SOOD. y Vg=lmV, 1000 cps. Para cules valores de RL es superior el transistor al tubo? Re
1. Respuesta en frecuencia: SO a SO,OOO cps, mnimo. 2. Resistencia de carga: 1000 D.. 3. Impedancia de entrada: no se especifica. 4. Ganancia en corriente: 100, mnimo. S. Caractersticas de la fuente: mpedanca-TOe H resistiva; potencial en circuito abierto = 100 V. 6. Fuente de poder disponible: +9 V. 7. Tipo de transistor: use 2N2614. Polarizacin para 100 <hFE 300.
<
BIBLlOGRAFIA
Jersey, 2. Ryder, Cliffs, 3. Shea, J9S7.
1. Lo, A. W., y otros, Transistor Etectronics,
Prentice-Hall Inc., Englewood Cliffs, Nueva 19S5. _ J. M., Electronic Fundamentals and Applications, Prentice-Hall, Inc., Englewood Nueva Jersey, 1964, 3.8 ed. R. F., Transistor Circuit Engineering, John Wiley & Sons, Inc., Nueva York,
Dispositivo activo
Va
RL
Problema 6-11
CAPITULO
Dixido de silicio
Amplificadores de seales grandes

Los dispositivos que cumplen la funcin de amplificar seales grandes se llaman comnmente amplificadores de potencia. Como ya se demostr antes que todos los transistores son amplificadores de potencia, este captulo estar dedicado a aquellas aplicaciones en las que no es vlida la suposicin de operacin lineal y donde las variaciones del potencial y de la corriente de colector constituyen una fraccin importante del intervalo total de operacin. La etapa de potencia es la unidad final de un amplificador en sucesin y sirve para excitar el dispositivo de conversin de energa que transforma energa elctrica en alguna otra forma de energa, como sonido o energa mecnica. A su vez, la etapa de potencia es dependiente de la etapa de excitacin, para obtener su seal. Las ecuaciones desarrolladas en el captulo 5 para ganancias de circuito e impedancias no pueden aplicarse directamente a las etapas de potencia, porque aquellas relaciones se dedujeron de circuitos equivalentes para variaciones pequeas de seal e incluyen parmetros de seal pequea. Cuando la operacin del transistor ocurre en una regin grande de sus curvas caractersticas, es ms preciso el anlisis usando mtodos grficos y de los parmetros de cd. Las ecuaciones del captulo 5 son tiles para lograr una aproximacin del comportamiento real, cuando se tienen los parmetros (que por lo general no se proporcionan para transistores de potencia) y las seales de entrada y salida por lo comn son senoidales (no hay corte en las formas de onda). Previamente se ha estudiado el trazo de las lneas tanto de ea como de cd. Cuando se aplican a amplificadores de seal pequea, las tcnicas grficas ayudan a seleccionar el punto de operacin ms adecuado, determinar las variaciones mximas permitidas de corriente y potencial y calcular la capacidad de sobrecarga. Este captulo se basar en los mtodos grficos para determinar niveles de impedancia y ganancias, potencia de salida y capacidad de sobrecarga, as como el grado de distorsin de la forma de onda. Con frecuencia el anlisis de seal grande se necesita para la etapa de excitacin de un amplificador de varias etapas. 7-1 Limitaciones. Uno de los problemas relacionados con el diseo de amplificadores de potencia es el de obtener la mxima potencia posible de 197
Disipador trmico de molibdeno recubierto de nquel
Base de cobre
Vista del transistor de potencia tipo 2N1936 de silicio, con la cubierta removida. Este transistor es capaz de disipar 150 watts a 100ce. (Foto cortesa de Texas Instruments Incorporated.)
1"""'"
198
AMPLIFICADORES DE SEALES GRANDES
LIMITACIONES
199
salida. La potencia de salida para una etapa de emisor comn est limitada por lo siguien te: 1. 2. 3. 4. 5. La mxima disipacin de potencia permitida. La mxima corriente de colector permitida. Saturacin. Corte. El potencial colector a emisor mximo permitido de operacin.
La figura 7-1 muestra las condiciones lmite. La mxima disipacin de potencia es una curva hiperblica que corresponde a la ecuacin VclC
(7-1)
le
co~,;~"l~
t
,
Saturacin ~ Contorno de mxima disipacin
caractersticas de entrada, se puede tener alguna distorsin poco antes del corte total. La ruptura de la unin de colector se muestra en la figura 7-1 por la curvatura hacia arriba de las lneas de corriente de base constante. La teora Zener explica que bajo la influencia de un campo elctrico fuerte los electrones son sacados de su banda de valencia para convertirse en portadores mviles; sa puede ser la causa de este incremento de corriente; es ms adecuada la explicacin a partir de la ruptura de avalancha; un efecto de emisin secundaria. Un alto potencial tambin puede ensanchar la capa desrtica del emisor y se produce una forma de corto circuito. Como se recordar, la capa desrtica es la regin cercana a la unin del semiconductor donde hay un nmero reducido de portadores mviles. El lmite de potencial de colector se puede fijar tambin por las caractersticas de desbocamiento trmico que se estudian en la siguiente seccin. Cuando se conecta un transistor con base comn, la ruptura de base-colector la causa la multiplicacin de avalancha. La avalancha ocurre en la regin desrtica y resulta de las colisiones entre los portadores minoritarios acelerados y los tomos de la estructura cristalina. El factor de multiplicacin de avalancha M se considera generalmente como: M
\",
d,m::,::::" ~
'-,
"'--r--"
VCE
= 1/[1 - (VcHlvAtJ
(7-2) de
ot
21122fz;JgeZZ22~
Potencial mximo de colector
Lmites de operacin.
donde VA es el potencial de ruptura de avalancha y n es la relacin ruptura. Entonces la ecuacin de corriente de colector ser:
I = aMIE
+ MIcHo,
(7-3)
Figura 7-1
para una temperatura dada de unin. Si en la operacin real el producto potencial-corriente excede la constante de diseo K, se puede ocasionar un dao al transistor. Los parmetros resistivos del dispositivo causarn conversin de potencia interna y, si el calor generado no puede escapar completamente, elevar la temperatura interna de operacin y con ello vendr una ruptura de enlaces covalentes que, a su vez, provocan el cese de la operacin del transistor cuando alcanzan un nmero suficiente. El lmite de corriente de colector est fijado en parte por el decremento de (3 a altas densidades de corriente; la cantidad que disminuye la amplificacin de corriente se puede usar como criterio para fijar el lmite de la mxima corriente permitida. La saturacin tiene pocas consecuencias en las unidades de germanio, pero por la alta Rcs se debe tomar en cuenta cuando se usan unidades de silicio. Rcs es la inversa de la pendiente de la lnea U-X en la figura 7-1 y puede interpretarse como la resistencia colector a emisor en un transistor en la condicin de conduccin total. La regin de corte =que a menudo se considera errneamente como la region interior a la lnea le = 0- en realidad est debajo de la linea 1CO porque es posible operar a valores pequeos positivos de la corriente de base (p-n-p). Debido a las no linealidades en tales niveles, particularmente en las
2
Ambas componentes de lc se multiplican por M en la ecuacin t 7-3) debido a que ambos atraviesan la unin de colector. A VCB = VA, M -HO y, de acuerdo con la ecuacin (7-3), las lneas de corriente de emisor constante se curvarn hacia arriba y se ensanchan cuando se aproximan a este potencial. A un potencial en el que a M = 1, {3 ~ oo. Este fenmeno ocurre a un valor de V CE considerablemente ms bajo que VA, como se muestra en la figura 7-2. Para valores de corriente de base por debajo de la lnea VCEO, la operacin es posible para valores del potencial de colector' mayores que VtXM=l' En ciertos casos se puede encontrar una pendiente negativa de las curvas caractersticas en la regin de baja corriente. Antes de estudiar este fenmeno, se analizar el sistema de notacin que se usa. El tercer sub ndice de un potencial indica el estado de la tercera terminal del dispositivo. As VCE S seala que la base est en corto, VCEO que la base est abierta y VCEX, cuando se usa, indica que la base est inversamente polarizada. Considrese la lnea VcEs;sta no es una lnea de lB constante. Si se toma en cuenta que al transistor se le excita desde una fuente de corriente de colector siempre creciente y se mide VCE, finalmente se alcanzar BVCES' En este punto, la cada entre base y emisor, es decir, IB'bb" es suficientemente grande, de manera que la unin de emisor comienza a pasar al estado de no conduccin. Los portadores inyectados desde el emisor precipitan la multiplicacin de avalancha en la regin desrtica del colector, lB aumenta y la unin de emisor se vuelve ms fuertemenete polarizada a la inversa; adems, se reduce el VCE necesario para mantener un nivel dado de corriente de colector. L.......
200
CONSIDERACIONES TERMICAS
201
La ruptura con resistencia adicional en la terminal de base, BV CER, ocurre a un potencial de colector ms bajo. Otra forma de ruptura, llamada ruptura secundaria, al parecer causada por la fundicin localizada de la estructura cristalina, ocurre en algunos transistores cuando se operan cerca de etM = 1. Esta ruptura es completamente destructiva. En la figura se muestra una zona de ruptura secundaria tpica de puntos de disparo.
La resistencia trmica se mide en grados centgrados por watt (OCjW). La disipacin interna de potencia ocurre casi enteramente en la unin de colector, as que Pr La disipacin trmica es Prmx= (Veldmx= (1/()r)(Tjmx- T.), (7-6)
Vele
(7-5)
que es la hiprbola de la ecuacin (7-1). La resistencia trmica total 8T se determina resolviendo un circuito trmico anlogo a un circuito elctrico. El circuito para un transistor de potencia es el de la figura 7-4, donde una fuente de corriente simboliza las propiedades generadoras de potencia trmica del transistor y est en serie con las tres resistenle
Figura 7-3 Figura 72 Ruptura de potencial.
Montaje tpico de un transistor de potencia.
7-2 Consideraciones trmicas. La extraccin de calor de la unin colector base se debe considerar cuando se emplea cualquier tipo de transistor, pero exige atencin en los tipos de alta potencia. El enfriamiento de un transistor de baja potencia, menos de 200 mW, generalmente se realiza por radiacin hacia el medio circundante, mientras que para transistores de potencia, 500 mW y ms, se emplean algunas veces aletas de enfriamiento pero, en la mayora de los casos las unidades se sujetan firmemente a placas metlicas disipadoras, chasis o placa separada. En la figura 7-3 se muestra el montaje de un 2N539A. Cuando sea posible, la cubierta del transistor debe estar en contacto directo con la placa disipadora; es ms frecuente que se emplee una arandela de mica para aislamiento elctrico, como se muestra en el diagrama, ya que en muchos transistores el colector est directamente conectado a la cubierta. En todos los transistores se especifica el mximo de temperatura permitido de la unin de colector. Para unidades de germanio este mximo est entre 85 y 100 C, en tanto que para el silicio son 175 C. La temperatura a la cual opera la unin (T) depende de la temperatura ambiente (Ta), la resistencia trmica de la trayectoria del calor hacia los alrededores (8 T) Y la potencia elctrica convertida en calor (PT) de acuerdo a la relacin T, = T;
cias elctricas, que representan las resistencias trmicas de diferentes porciones del circuito trmico. 8e es la resistencia de la unin a la cubierta del transistor, 8cs representa la resistencia de la cubierta al disipador trmico y 8sa es la resistencia entre el disipador y el medio ambiente.
I ,
Temperatura
tJjc
de unin de la cubierta del disipador ambiente
Temperatura
p(
t
I ,
(J
Temperatura
8so
Temperatura
Figura 7-4
Circuito trmico de un transistor.
La solucin del circuito trmico por medio de las ecuaciones para el anlogo elctrico da
()r
()je
()es
()sa
()j.'
(7-7)
+ ()rPr
C.
(7-4)
Para transistores de baja potencia se especifica en general una sola resistencia de la unin al medio ambiente (8a), ya que por lo general no se emplean
tlA
e
WI~
Po.
. 'l;jL!CA
.cn
ARANGO
BIBLIOTECA
202
CONSIDERACIONES
TERMICAS
203
disipadores trmicos; (}ja tiene un valor tpico de 2500 CjW. Para los transistores de grandes potencias, las resistencias son pequeas y la conduccin es el mtodo bsico de transferencia de calor, de tal modo que los valores de (}je 0 estn entre 0.5 y 2S C/W. Cuando la cubierta del transistor y el disipador estn separados por un aislador elctrico como la arandela de mica, (}es toma valores de 0.20 a 0.50 C/W. La extraccin de calor de un transistor de potencia se efecta por conduccin hacia el disipador trmico y conveccin del disipador al aire ms fro del ambiente. El enfriamiento por aire reduce los requisitos de tamao del disipador, pero muchas aplicaciones slo dependen de la conveccin natural de ambos lados de una placa de aluminio o cobre.
9 8 7 6 ~5
Se puede conectar un termopar a la cubierta del transistor para medir la temperatura en este punto, aunque debe recordarse que la temperatura que importa es la de la unin.
9 8 7 6
Espesor de la placa ~/3~ plg. Espesor de la placa 11 plg.
.-
~
~ 5
0-4 o
I -1-I '
~ ~
Horizontal
f--Espesor ~Espesor
de la placa ~/3~ plg. de la placa 11 plg.
3 2
\~
<
V Vertical ~
<;
Horizontal,x
I
""'':: t-. _ f--
1--_
r--t--t--_ r= +--60 70 80
\\
I
1/ Horizontal
I
Vertical I I
10 20 30 40 50
0-4
o
/ Vertical
3 2 1
V
r
Horizontal
"
20
~
';;:;.;
r-- r-~ ~
Vertical
AREA DE UN LADO DEL DISIPADOR TERMICO (PLG.2)

Figura 7-6 Caractersticas de transferencia trmica (Cortesa de Delco Divs., G. M. Corp.) de disipadores de cobre cuadrados.
r-:::::: t::::::: 1'--.: ~
.":::::::::::
I
10 30 40 50 00 70 80
AREA DE UN LADO DEL DISIPADOR TERMICO (PLG.2)

Figura 7-5 Caractersticas de transferencia trmica de disipadores de aluminio, cuadrados. (Cortesa de uelco Divs., G. M. Corp.)
Para estimar el rea total de la superficie del disipador necesaria para extraer adecuadamente el calor generado en un transistor de potencia, se pueden usar las figuras 7-5 y 7-6, que dan la resistencia trmica de placas planas de aluminio y cobre para varias reas y espesores de placas. Con un ejemplo numrico se puede entender mejor el problema de enfriamiento. Considreseque 10 W se convierten en calor en la resistencia trmica de la unin de colector y en la de unin a cubierta de 2.00 CjW, con una resistencia adicional de montaje de 0.50 C/W. El problema consiste en determinar las dimensiones de una placa de montaje de manera que la temperatura de unin no exceda de 800 C en un ambiente de 400 C. La ecuacin (7-4) limita (}T a 4.00 C/W, y puesto que el transistor y el aislador representan 2.50 C/W, restan 1.50 C/W para la placa. En la figura 7-6 este dato corresponde a una placa de cobre de .476 cm de espesor, de aproximadamente 322.58 cm>, montada horizontalmente; las dimensiones debern ser 17.96 cm por 17.96 cm si se utilizan ambos lados. Un disipador de aluminio realiza la misma tarea con .476 cm de espesor y unos 25 X 25 cm". Es normal incluir un factor de seguridad.
Puesto que el disipador representa una resistencia en la trayectoria trmica, se podra pensar que eliminando el disipador se quitara una limitacin en la capacidad de manejo de potencia permitida. Pero despus de quitar el disipador del diagrama del circuito trmico, se tendra que poner en este lugar otra resistencia: la de conveccin y radiacin de la cubierta hacia el medio circundante. Esta resistencia es considerablemente mayor que la de una placa metlica plana. Asociada con cada resistencia trmica de la figura 7-4, aunque no aparece en el diagrama, hay una capacitancia trmica necesaria para explicar el comportamiento transitorio. El tiempo trmico caracterstico -es decir, el producto de la resistencia y la capacitancia trmicas- es muy grande para los elementos externos del diagrama (capacitancia muy grande), pero relativamente pequeo para el transistor mismo, 30 mseg para el 2N539A. Con un tiempo caracterstico pequeo, la temperatura de unin estar controlada por el pico de disipacin instantnea de potencia ms que por el promedio de dsipacn de colector. El diseador del circuito debe considerar los tiempos caractersticos cuando el transistor se opere a travs de la hiprbola de mxima disipacin. . Cuando la razn de incremento en la disipacin de potencia del colector con la temperatura de unin excede la capacidad del circuito trmico de extraer calor, se produce un fenmeno conocido como desbocamiento trmico . La red puede transferir energa trmica de acuerdo con la relacin
l/er = 8Pr/8Tj'
(7-8)
204
MODOS Y CONFIGURACIONES
205 (7-14)
~:lvcE=const.
La ecuacin (7-8) se obtiene por diferenciacin de la ecuacin (7-4) respecto a T. Para asegurar la estabilidad trmica, es necesario que aCVcld/aTj
FE
==
< ljeT
(7-9a)
Para una Ve constante, la condicin de estabilidad es Vc(alcjaT)
<
ite;
Al operar con las variables directas, la corriente de fuga puede alcanzar un valor igual a una fraccin considerable del total y, por tanto, la ecuacin (7-14) se modifica de acuerdo con lc - ICEO lB VcE=const.
(7-9b) h
FE
El cambio en la corriente de colector con la temperatura lo causan variaciones en el factor de amplificacin de corriente y en la corriente de fuga del transistor y depende del circuito de polarizacin que se emplee. Si la corriente de fuga se considera la causa principal de las variaciones de corriente de colector, entonces la ecuacin (7-9b) se puede escribir en la siguiente forma: Vc(alcjalcBo)(alcBojaT)mx<
* ==
(7-15)
El valor de la resistencia de entrada a cd es V --;; BE (7-16)
uo;
(7-9c)
hIE
VCE=const.
El factor de estabilidad esttico se defini en el captulo 3 por S ==' ale/alcBo. Para un circuito como trmicamente estable, (7-10)
la ecuacin (7-9c) se puede escribir ljeTVCS. (7-11)
Es evidente que los valores de estos parmetros dependen mucho del punto de operacin que se escoja. Otros sistemas de parmetros de seales 'grandes se emplean con cierta frecuencia. La transconductancia GM y la conductancia de potencia GR se usan ocasionalmente
= =
(alcBojaT)mx<
IcjVBE
(7-17) (7-18)
Para evaluar el valor mximo de aIcBo/aT se puede usar una grfica como la de la figura 3-6 o emplear un procedimiento analtico. En un transistor de germanio puede suceder que ICBO se incremente al doble cada 9 C; matemticamente esto se expresa as: lCBO
Ic2jVBEIB
(Apndice I).
= lCBO'(1.08)t.T
(7-12) de referen(7-13)
son T = T - Tref. ICBO' es la corriente de fuga a la temperatura cia, usualmente 25u C. La derivada que interesa es alcBojaTj
= ICBo'(O.077)(1.08)t.T.
Conociendo el comportamiento de la corriente de fuga y de la resistencia trmica se puede predecir el potencial mximo tolerado de colector o el lmite superior en S, que debe ser considerado para el diseo de etapas de transistores de potencia. 7-3 Parmetros para seales grandes. La informacin que suministra el fa-: bricante de transistores de potencia difiere de la informacin relativa a transistores de baja potencia. En muchas aplicaciones, la resistencia de carga de una etapa de potencia es pequea, para hacer uso de las variaciones permitidas en la corriente de colector, y por tanto hl2 y h22 tendrn poca importancia. Los parmetros de inters son h 11 Y h21. A veces se cuenta con los valores de estos parmetros para seales pequeas, pero con ms frecuencia se suministran los valores para seales grandes o cd. Es comn que se proporcionen las variaciones en los valores de seales grandes de h 11 Y h21 La beta de cd -el valor esttico de la relacin de transferencia de la corriente en sentido directo con emisor comn, en corto circuito- se define como la relacin de corrientes directas de acuerdo con
7-4 Modos y configuraciones. Los modos operacionales originalmente definidos para circuitos de tubos al vaco tambin se aplican al caso de transistores. Bsicamente, en la operacin Clase A, el dispositivo conduce sobre un ciclo entero y la forma de onda de la salida reproduce con bastante fidelidad la forma de onda de entrada. Este es el modo de operacin considerado en los estudios precedentes y sucesivos, excepto cuando se indique 10 contrario. Para satisfacer la definicin, no se permite un recorte apreciable de la forma de onda, pero se tolera la distorsin en la forma de onda de salida debida a no linealidades de las caractersticas. En operacin Clase B el dispositivo conduce sobre una mitad del ciclo completo de la seal de entrada, de manera que para obtener una amplificacin adecuada de la seal de entrada son necesarios dos transistores que operen altemadamente. La operacin en Clase B se logra polarizando los transistores cerca del corte y es comn el uso de una resistencia de magnitud relativamente pequea de polarizacin en sentido directo para el diodo base emisor, que adems elimina la distorsin de intermodulacin (que se describir ms adelan te). Este tipo de operacin se conoce como Clase AB, pero por lo general se usa la nomenclatura ms sencilla Clase B. La operacin en Clase C se obtiene cuando el dispositivo conduce menos de la mitad de un ciclo. Puesto que hay relativamente pocas aplicaciones para los circuitos a transistores Clase C, no se presenta un estudio detallado de este modo. El lector que desee ms informacin puede consultar las obras disponibles.9
206
DISTORSION
207
Como la configuracin de emisor comn da la mayor ganancia en potencia, el uso de las otras configuraciones se limita a aplicaciones en las que haya una ventaja importante sobre la de emisor comn. En ciertos casos tal ventaja se presenta, como cuando hay la necesidad de una resistencia de entrada muy baja o el requerimiento de una mejor respuesta en frecuencia; en ambos casos la solucin es un circuito de base comn. Cuando el problema se refiere a la distorsin en amplificadores de seal grande, la linealidad extrema de las caractersticas de salida de base comn justifica el uso de este circuito para ciertas aplicaciones. El circuito de entrada contribuye de manera importante a la distorsin, por lo tanto, la siguiente regla general puede ser til en la determinacin de la configuracin apropiada para un trabajo dado: Para reducir a un mnimo la distorsin, una etapa de emisor comn debe alimentarse con una fuente de resistencia baja comparada con su resistencia de entrada, mientras que una etapa de base comn debe alimentarse desde una resistencia de fuente alta comparada con la resistencia de entrada. A partir de esta proposicin es posible concluir que las no linealidades del circuito de entrada de emisor comn son tiles para compensar las de salida; para etapas de base comn, como el circuito de salida es muy lineal, se desea disminuir la resistencia del circuito de entrada con una resistencia de fuente ms alta. Existen excepciones a es tas reglas. El objetivo de este captulo es analizar el amplificador de emisor comn de seal grande. El estudio, el anlisis y el diseo de circuitos en otras configuraciones se dejar al lector, que puede obtener informacin adecuada en diversas obras. 1,4,5 7-5 Distorsin. Cuando el transistor se opera en un intervalo importante de sus curvas caractersticas, las no linealidades inherentes a los dispositivos semiconductores se convierten en fuentes de distorsin de las formas de onda de la seal. Las curvas caractersticas de entrada que relacionan el potencial de base a emisor con la corriente de base son exponenciales y la resistencia de entrada del dispositivo no es constante, pues vara con la amplitud de la seal. Aunque se puede disminuir el efecto de esta variacin excitando el transistor con una fuente de corriente, hay que recordar que las fuentes de corriente son ineficaces y no siempre es posible disearlas para un circuito en particular. La figura 7-7 muestra una variacin tpica posible en la resistencia de entrada.
-e
La ganancia de corrien te de un transistor depende de la corriente de colector, como muestra la figura 7-8. Si imaginamos una etapa polarizada a 1 A Y se opera la seal con oscilaciones positivas y negativas a partir de este punto, la ~~ 120r' ---1'----',..--1Z
W
'
8
z
W
BOI---..... TI---~- . I
U
z
40 1
1".......: 1
,
-2
z t!:l
O,
O
,
-1
,
-3
CORRIENTE DE COLECTOR EN AMPERES Figura 7-8 Variacin de la ganancia de corriente con la corriente de colector para un transistor de potencia tpico.
figura muestra que la variacin positiva deber alcanzar una amplificacin considerablemente mayor que la negativa.
Jl-3' c
~ -21 z
W W
'i
I /
~ -11
u
1/
z
W
1-
ea
150..-
,
1
Q.
O, O
, -1
-2
1-3
~ 1c
en 100 1
CORRIENTE DE COLECTOR EN AMPERES Figura 7-9 Caracterstica de transferencia para un transistor de potencia tpico.
z:E:
w:J: Wc cz
u
'1
1 lh=1-2V
~w
50
z
W W
en ;
a::
1-
O. O
-1
-2
-3
Figura 7-7
CORRIENTE DE COLECTOR EN AMPERES Variacin de la resistencia de entrada con la corriente de colector para un transistor de potencia tpico.
En cierta medida, las dos fuentes de distorsin descritas arriba tienden a cancelarse mutuamente y al combinarse darn un resultado total como el de la figura 7-9. Ntese que si bien esta curva es una grfica del potencial de base vs la corriente resultante de colector, se puede considerar tambin como una curva caracterstica de transferencia de este dispositivo. Considrese que, para una situacin particular, la corriente de colector contendr armnicas, que se pueden representar por una serie de Fourier. ic
= IQ + Ao + Al
cos cot
+ Az
cos 2w!
+ A3
cos 3w! ... ,
(7-19)
208
AMPLIFICACION CLASE A
209
donde la armnica cuarta y las superiores a sta pueden omitirse con un error insignificante. Ms an, se considerar que el potencial de seal aplicado a la entrada del transistor es una cosenoide pura y se muestrean las formas de onda de salida y entrada en varios intervalos de tiempo para obtener los coeficientes de los trminos de la ecuacin (7-19). Se tomarn muestras a wt = 0, 60, 120 Y 180 con las corrientes de colector correspondientes designadas como J mx. Ix, Iy e J mn- Esta operacin se muestra grficamente en la figura 7-10.
VnE
Normalmente, la relacin de la amplitud armnica a la amplitud de la fundamental es importante D2

y
= =
(A2/A1) (A3/Al)
x 100%,
x 100%.
(7-23) (7-24)
D3
7-6 Amplificacin Clase A. Un transistor polarizado por los mtodos presentados en el captulo 3 y con posibilidades de manejar la potencia requerida de carga se puede usar como la etapa de salida de un amplificador. El transistor se puede acoplar por R-C o por transformador a la carga y a su excitador.
le
o:~~1j~~~
-1- ---I
le
lQ,----
,Q
Lnea de carga
\'cE
Figura 711 Figura 7-10 Determinacin grfica del contenido de distorsin en la corriente de salida.
Punto de operacin tpico para una etapa de potencia Clase A, con una alta corriente de reposo.
La substitucin tot
en la ecuacin (7-19) da:

0
=0 cot = 60
on on
Imx= la + Ao + Al + A2 + A3'
0
Ix
o
IQ
= 120 = 180
0
Iy = IQ Imn=
la
+ Ao + Al/2 - A2/2 - A3' + Ao - Al/2 - A2/2 + A3' + Ao - Al + A2 - A3'
(7-20)
La solucin (le estas cuatro ecuaciones simultneas da las expresiones amplitudes de las armnicas:
Ao Al A2
para las
= (i)(Imx+ = (t)(Imx_ (1 4)(Imx+
Imn)+ Imn)+ lmln)Imn),1
(t)(Ix + Iy) - la' (t)(Ix - Iy),

(2")Ia,
) (7-21)
A3 = m(Imx-
(t)(Ix - Iy).
El contenido total armnico en una onda se puede expresar como la relacin del valor rcm de todas las armnicas al valor efectivo de la fundamental.
D
(A22
+ A32 + ..y/2/Al
x 100%.
(7-22)
La figura 7-11 simboliza las caractersticas de salida de un transistor. Es deseable fijar un punto de operacin, como Q, equidistante de ambos ejes. Con frecuencia el punto Q y la carga se seleccionan de manera que la hiprbola de mxima disipacin de colector sea tangente o casi tangente a la lnea de carga en Q; estas condiciones se logran fcilmente con una carga acoplada por transformador, porque la relacin de vueltas se puede escoger de modo que refleje casi todo el valor de la carga hacia el circuito de colector. Para lograr un punto de operacin como Q' de la figura 7-11 se puede suministrar una corriente grande de colector mediante una etapa de alta potencia. Esta corriente estable para una etapa de amplificador de potencia Clase A debe ser de uno a 6 u 8 amperes. Es fcil entender entonces por qu se utilizan tanto los amplificadores Clase B que requieren corriente estable casi nula. Dos transistores se pueden conectar en Clase A simtrica si se requiere ms salida en potencia que la que suministra uno solo. En la figura 7-12a) los transistores son p-n-p y se requieren dos seales de entrada, que deben diferir 0 en 180 entre s. La inversin de fase que se requiere la puede dar un transformador o un circuito activo inversor. de fase como los que se describen en una seccin posterior . . En la operacin Clase A simtrica los dos dispositivos operan en todos los tiempos y cada uno suministra la mitad de la potencia total a la carga. Si los transistores estn acoplados, la adicin de las dos seales en la carga produce
210
AMPLIFICADO RES DE SEALES GRANDES
AMPLIFICACION CLASE A
y la eficiencia del circuito
211
la eliminacin de toda distorsin armnica impar y la disminucin de fuerza magnetomotriz cd en el transformador de salida." Una etapa Clase A simtrica, que utiliza una simetra complementaria, aparece en la figura 7-12b). N o se requiere inversin de fase y cada transistor recibe la misma seal de entrada. El uso de tipos opuestos de conductividad, aunque simplifica algunos diseos de circuito, produce problemas adicionales al diseador. En el diagrama se usan dos fuentes de potencia, lo que es indeseable para muchas aplicaciones. Tambin hay problemas de acoplamiento difciles de manejar. Por lo comn la eficiencia de un circuito electrnico se define como la razn entre la potencia entregada a la carga y la potencia que suministra la fuente de potencia. Se determinar tericamente la eficiencia de una etapa Clase A acoplada por transformador, considerando inicialmente la potencia disipada en la unin de colector: Pdis = 2n con Ve = Vee - kVee senwt, (7-26)
ie = (Vee/RL)
Po/Pdc
k2/2
x 100%.
(7-30)
Para el valor mximo de k, la unidad, la eficiencia mxima es 50 %. Puesto que saturacin y corte no estn localizados exactamente en los ejes, la eficiencia real ser ligeramente menor del 50 %. El caso sin transformador de acoplamiento se analiza en el problema 7-11. Ejemplo de diseo de un amplificador de potencia Clase A. El diseo de una etapa de salida Clase A por mtodos grficos se examinar en este ejemplo. Objeto. Disear una etapa amplificadora a transistor para lograr los siguientes datos de diseo: 1. 2. 3. 4. 5. Resistencia de carga: 2000 n. Potencia de salida: 1 W (rnxrna, senoidal) Temperatura: 40 C. Potencial de la fuente disponible: 12 V. Frecuencia: 400 cps.
f21t
o
veie d(wt)
(7-25)
+ k(Vee/RL) senwt.
Solucin. De acuerdo con las especificaciones de la potencia de salida, se puede considerar que la etapa de salida deber operar en las regiones de corte y saturacin de las caractersticas para cualquier potencia en exceso de 1 W de la potencia a carga completa (PFL). Se encuentra una especificacin de este
a::
0-1, -11
o-j E----t-ff
O,
I'-~
RL
-3
-VBB
-Vcc
~~
W -le/) ow-2 u a:: wW 00.. w::iE ~<t zz-1 WW

a::-.--
~ U
......-t nea de crga en cd
<>-1 f---+-H
RL= 2000n
al
Figura 7-12
b) Circuitos Clase A simtricos.
~Mc u ...L
<s
I
lnea de carga en ea de 48.J.0hms ...... "'lB

3mA -40 -60
I--t.V
-12 -20.1
La constante k es la relacin del valor pico de la senoide de potencial a Vcc. y puede tomar valores de O a 1. La carga efectiva en la etapa es RL. Realizando la integracin notada en la ecuacin (7-25) se tendr Pdis = (Ve//RL)[1 La potencia entregada a la carga es Po - (k2j2)]. (7-27)
POTENCIAL DE COLECTOR
Figura 7-13
Lneas de carga para el ejemplo de diseo de una etapa Clase A.
tipo cuando se trata de alimentar una carga susceptible de daarse por una seal excesiva. Puesto que se acoplar por transformador a la carga, considrese una eficiencia del transformador de salida de 67 %. La etapa debe suministrar Pmx= PFLfr
= CIcm/J2)(Vcm/J2)
= k2 Vee2/2RL'
(7-28)
= 1.0/0.67 = 1.5 W.
As la potencia de la fuente se expresa como Pdc = Po
+ Pdis =
Ve//RL
(7-29)
Se usar el transistor tipo 2N239A, que es capaz de manejar la potencia requerida. Si se considera que no hay resistencia cd en el primario del transformador, la lnea de carga ser vertical, como puede verse en la figura 7-13. Puesto que
..---,
212 AMPLIFICADORES DE SEALES GRANDES las variaciones del potencial de las oscilaciones correspondientes AMPLIFICACION CLASE B 213 existirn saturacin y corte simultneamente, colector sern 2(12) o 24 V. Se encontrarn de corriente de colector: P mx= 1.5
=
[~Ve/(2J2)][Me/(2J2)].
Un corrimiento pronunciado en Q podra ocurrir cuando la etapa se excita en una sola de las regiones, de corte o de saturacin, como se ilustra en la figura 7-14. La etapa tiene polarizacin sin seal, que determina la posicin del punto Q. Cuando la variacin de la corriente de base es de tal magnitud que causa la saturacin de la etapa, ocurre un recorte y el punto Q se corre le
(~Ve y Me son valores pico a pico y la divisin por 2-/2 da el valor rcm.) ~le
= 12/24 = 0.5 A.
lQ
La carga vista desde el transistor es RL

=
~Ve/Me
24/0.5
48
n.
VcE
Figura 7-14 El recorte ocurre cuando gama de valores permitida el punto de operacion no est en el centro y la seal de entrada es grande. de la
La relacin de impectancias del transformador punto Q es VeE = 12 V, le
de salida deber ser 48:2000. El
0.25 A, debido a la aparicin de un nuevo valor promedio o de la onda distorsionada. En este caso, el punto se corre hacia la regin de saturacin, IQ se reduce y, debido a esto, se suaviza el recorte. Se debe recordar que cuando el punto de operacin se recorre, se mueve sobre la lnea de earga de ed; la lnea de carga ea siempre pasa por Q. Si las variaciones de entrada producen oscilaciones de la corriente de colector que tienden a exceder la excitacin permitida y si la etapa est originalmente polarizada en un punto cercano al corte, ocurrir una forma ms severa de. corte. Sin embargo, ste tambin se suavizar por el corrimiento del punto Q debido a la distorsin en la forma de onda de la corriente. Este caso est caracterizado por un incremento en Je. 7-8 Amplificacin Clase B. La operacin en Clase B produce conduccin sobre slo la mitad de un ciclo de la seal de entrada y por tanto hace necesario emplear dos transistores en un arreglo simtrico para amplificar la forma de onda senoidal completa. Las dos mitades de la forma de onda se suman en la carga y se restablece la onda completa. Los circuitos Clase B tienen una amplia aceptacin por su baja corriente de reposo. Ya se ha sealado que los circuitos de Clase A necesitan operar en un punto caracterizado por su alto valor de corriente de colector; para la etapa Clase B o el circuito simtrico no es necesaria prcticamente ninguna corriente cd, ya que est polarizado cerca del corte. Rara vez se usa una etapa unilateral por su incapacidad para reproducir la forma de la seal de entrada. Al analizar un arreglo simtrico se acostumbra tratar slo uno de los transistores, puesto que ambos operan al mismo nivel y con carga idntica. Se usa mucho el acoplamiento de carga por transformador, como en la figura 7-15a), con la fuente de colector conectada a la derivacin central del transformador de salida. La carga cd por etapa consta de la mitad de la resistencia directa del primario del transformador y puede considerarse despreciable en transformadores de alta calidad. Cada circuito de colector tiene slo la mitad de las vueltas; en consecuencia, la resistencia total primaria (Ree) a seales alternas ser Ree = 4Ru (7-31)
y resulta en una disipacin en reposo de 3 W. La curva caracterstica del circuito de base se define por el trazo de hIE vs le en el Apndice 1. Si se considera que la curva se usa a VeE = 12 V, entonces a le = 0.25 A, . R ~ hlE = 135 n.
hPE,
de las curvas del fabricante, es: hFE

=
le/lB ~ le/lb
85.
La ganancia en potencia es
G
= -P ~
Po
-z;- ~ b lE
l/RL
(hFElb)2RL
12h
b
= 2570.
lE
Un clculo aproximado puede ayudar a determinar la resistencia de polarizacin de la base R2 ; el punto Q se localiza en lB == 3 mA. R2
~
Vee/IB
= 12/0.003 = 4000 n.
o retroalimentacin.
El diseo que se analiza aqu no contiene estabilizacin Una investigacin posterior se dirigir en estas direcciones.
7-7 Corrimiento del punto de operacin. El trmino Ao en el anlisis de . distorsin es necesario en el caso en que el comportamiento del transistor sea diferente para las partes negativa y positiva del ciclo de la seal de entrada y que la onda de salida resultante contenga un trmino constante o cd, adems de la corriente de reposo IQ' Debido a las no linealidades caractersticas, el punto de operacin en muchos amplificadores Clase A se correr ligeramente con la seal. De nuevo hay que consultar la figura 7-11. El punto Q se considera equidistante de las dos regiones lmite. En presencia de una seal de corriente de base senoidal que excita la etapa en ambos extremos, la corriente de colector resultante ser cuadrada (los picos se recortan). El punto de operacin permanecer en Q y no cambiar de su valor sin seal, puesto que Q es equidistante.
J.........
214
AMPLIFICACION CLASE B Entonces la eficiencia mxima de cada transistor es is
215
Iet
Po/Pdc
= (VQI mx
Po
14)(VQI mx
In) = 78 %.
14)
J~
-Vccl a)
Figura 7-15 Par Clase B simtrico:
Imx
~I"" d.arqa c
Lnea de carga en ca Punto de operacin
O
Es importante
conocer la potencia disipada en la unin de colector
Pdis
= Pde
= (VQImx
(n) - (VQImx
= 0.068VQImx = 0.27Po'
Si la etapa posible, Clase B est excitada a una fraccin (k) de la variacin ~VC = kVQ, (7-36) total
~
b)
VE
de salida.
a) diagrama del circuito; b) caractersticas
st; = kImx
Entonces, Po = k2VQImx (4 (7-37) por transistor. No se presenta aqu ejemplo alguno del diseo de una etapa de salida Clase B. En el siguiente captulo se ilustra tal diseo junto con un amplificador completo de 10 W. Distorsin en etapas Clase B. Los dos transistores que se empleen en cualquier arreglo simtrico se debern acoplar operacionalmente, de manera que con este acoplamiento la distorsin sea reducida a un mnimo. Adems de las fuentes de distorsin que se analizan en la amplificacin Clase A, los circuitos Clase B estn sometidos a distorsin de intermodulacin. La distorsin de intermodulacin se entender mejor al estudiar el diagrama de la figura 7-16. La figura 7-16a) muestra la no linealidad de las caractersticas de entrada de un transistor conectado de emisor comn. La naturaleza exponencial de la curva significa una resistencia alta de entrada a niveles de bajo potencial. As una corriente de base pequea fluir hasta que el potencial de entrada exceda cierto valor como M. Debido a que la corriente de colector es casi directamente proporcional a la corriente de base, la corriente resultante de colector ser pequea hasta que el potencial de entrada sea suficientemente
VaE
donde RL es la carga por transistor, es decir, la resistencia de carga secundaria referida a una mitad del primario. El diagrama de la figura 7-l5b) seala un punto de operacin fijo en le
= O,
VCE = VQ'
La lnea de carga une este punto Q con le VeE
lmx,
= O.
\
En este diagrama se toma en cuenta que el corte se realiza a corriente cero en lugar de leo Y saturacin a potencial cero de colector. Entonces
RL
= VQ(lmx'
La potencia que entrega una etapa excitada a travs de su intervalo total (de corte a saturacin) est dada por Po
= t(VQ(j2)(lmx
(J2)
= VQImx (4.
(7-32)
El factor 1/2 se usa porque se est operando con pulsos de media onda. Para un par simtrico, (7-33) Po = VQImx (2. La cd cin en presente, pulso; en extrada de la fuente de colector es insignificante durante la operareposo. Cuando una seal senoidal de amplitud mxima 1mx est la fuente cd debe suministrar el nivel promedio de corriente del cada mitad del ciclo esta corriente es Ide La potencia de la fuente de cd es Pdc
=
'-
Seal grande
VCE =const
I mx
In. In.
(7-34)
a)
lB
b)
VQI mx
(7-35)
Figura 7-16
Distorsin de intermodulacin: a) caractersticas onda de la corriente de colector.
de entrada;
b) formas de
216
AMPLlFICADORES DE SEALES GRANDES
INVERSORES DE FASE
217
alto. La corriente de colector para un par simtrico est esquematizada en la figura 7-16b) Y muestra la distorsin de intermodulacin. Para eliminar este tipo de distorsin, pueden suministrarse corrientes de polarizacin o un potencial de base adecuados a fin de permitir la operacin en un punto ms apropiado de las caractersticas de entrada, como N. Si se suman las seales alternadas de medio ciclo en la carga, estarn libres de una contribucin mayor de distorsin y las formas de onda a la salida sern aproximadamente las de una senoide pura. La red de polarizacin de entrada, compuesta por R2, R3 Y VBB en el circuito de la figura 7-15a), compensa este tipo de distorsin, suministrando la polarizacin directa que se requiere. R3 debe mantenerse pequea, puesto que en ella se pierde potencia de seal. Con frecuencia, debido a los efectos de temperatura sobre las caractersticas emisor-base del transistor, la red de polarizacin contiene elementos de compensacin de temperatura, tales como termistores o diodos de unin. N o se recomienda la adicin de un condensador de sobrepaso a travs de R3, porque la descarga a travs de la resistencia puede desarrollar un potencial que tiende a polarizar inversamente ambas uniones de entrada del transistor y contribuira a la distorsin. La resistencia sin derivacin de emisor se usa con frecuencia en los pares simtricos Clase B para lograr estabilidad de la polarizacin y reducir la distorsin mediante degeneracin de la seal. 7-9 Inversores de fase. Para excitar una etapa de salida simtrica cuando no se emplea simetra complementaria, se deben emplear dos seales con una fase entre s de 180. Al par de alta potencia un transformador, con derivacin central del secundario conectada a tierra, produce una diferencia de fase del potencial entre la derivacin y cada extremo del alambrado de 180. Cuando el costo, el peso o los requisitos en frecuencia lo ameriten, se puede usar un inversor de fase para alimentar las seales deseadas. El inversor de fase a transistores debe tener capacidad para entregar dos salidas idnticas de polaridades opuestas y las impedancias de carga debern ser iguales para satisfacer las necesidades de cada uno de los transistores de potencia. El inversor de fase dividido, se muestra en la figura 7-17a). La impedancia de entrada de esta etapa ser alta, por la resistencia sin derivacin de emisor RE' El circuito tiene dos fuentes de desbalance: si RE se hace igual a Re como puede parecer natural, la carga # 2 recibe una seal ligeramente mayor, porque ie si~mpre es mayor que ie, (ie:= (e); adems la carga # 2 est ali-Vee Re -Vee Re
mentada por un generador de tipo colector comn, mientras que la carga # 1 lo est desde un tipo emisor comn de resistencia de salida. El circuito que se muestra en la figura 7-17b) emplea Rs para igualar las resistencias de salida. En el inversor de fase de la figura 7-18, la seal de salida se entrega slo a un transistor; la corriente de emisor de TRl fluye a travs de la RE comn y establece un potencial variable de emisor a base para TR2. En consecuencia, la salida de TR2 difiere de la del transistor directamente alimentado, en 180. Este circuito se denomina inversor acoplado por emisor. El anlisis matemtico de la operacin es similar al que se hace del amplificador diferencial estudiado en el captulo lO, y se inicia con el trazado del circuito equivalente, seguido por los clculos de los potenciales de colector Ve2 Y Ve l. Para una inversin perfecta, Ve 1 := Ve2 Y las resistencias de salida son idnticas. El inversor acoplado por emisor no cumple totalmente estos requisitos.
-Vee
-vce
1 1 E--o Carga 1
'IE-o
Carga 2
Figura 7-18
RE
Inversor de fase acoplado por emisor. No se muestra la polarizacin.
Otro circuito inversor de fase de dos transistores es el de la figura 7-19. La resistencia Rs permite igualar la ganancia de TR2 haciendo la seal de salida equivalente a la de TRl. La inversin de fase debida a TR2 se usa para la carga # 2: como se expres anteriormente, las especificaciones son una diferencia de 180 entre las corrientes a las cargas. Las resistencias de salida tendern a ser distintas para este circuito.
!lA -'1\',
E--oCarga
E---o
Carga 1
-Vee
-Vce
f--oCarga
RE
2
RE
E---o Carga 2
E-o Carga 2
= b)
i
~
Figura 7-17
a)
E---o
Carga 1
Inversor de fase dividido: a) circuito bsico; b) circuito modificado para ajustar las impedancias de salida. No se muestra la polarizacin.
Figura 7-19
Otro tipo de inversor de fase. No se muestra la polarizacin.
218
PROBLEMAS
219
7-10 Resumen. En el diseo de etapas de seales grandes es de gran importancia la consideracin de la temperatura de unin y sus efectos en la operacin del circuito. Los cambios en los parmetros del transistor con la temperatura producen variaciones en los niveles de ganancia y resistencia. pero de importancia an mayor es la posibilidad de desbocamiento trmico. Tal desbocamiento no siempre es destructivo, porque hay resistencia externa en el circuito colector emisor que limita la corriente estable a un valor fmito y algunas veces, satisfactorio; la investigacin del potencial de reposo colector a emisor, as como de la corriente, es til para determinar si ha ocurrido el desbocamiento. Debido a la alta corriente de reposo, las etapas Clase A de potencia no tienen mucha aceptacin. Los circuitos Clase B simtricos se usan con ms frecuencia y se han perfeccionado en un alto grado mediante la adicin de termistores y otros dispositivos compensadores de temperatura.
PROBLEMAS
7-1. Muestre en un esquema de las curvas caractersticas de salida del 2N3242 el contorno de mxima disipacin (500 mW a 20 C). 7-2. Un transistor particular disipa 25 mW en la unin de colector. La resistencia trmica se considera de 0.60 C/mW para operacin al aire libre. A qu temperatura estar la unin colector base cuando el ambiente est a 40u C! 7-3. Si el transistor del problema 7-2 se montara en un disipador con superficie de radiacin de 6.45 cm2, con un valor de 8T de 0.45 C/mW, a qu temperatura estar la unin para las condiciones dadas del ambiente y la disipacin? 7-4. La mxima temperatura permitida de operacin para el transistor de los problemas 7-2 y 7-3 es de 90 C. En un ambiente de 40 C, cul es la disipacin permitida de colector con y sin el disipador? 7-5. Considrese un transistor de alta potencia, montado verticalmente y enfriado por conveccin natural de una hoja de cobre de 0.317 cm de espesor. Se disipan 8 watts en el transistor, la resistencia unin a cubierta es de 1.0 C/W y del montaje de 1.0 C/W. El ambiente est a 30 C y la mxima temperatura tolerada de unin es de 90 C. Encontrar las dimensiones mnimas del disipador. 7-6. En el amplificador Clase A de la figura, {3={3cd =99, 8T=4C/Wy(aIeBOI a1)')mx = 10-4 A/o C. Las resistencias cd del transformador son despreciables. a) Cuando se conecta como en el diagrama, sin seal, habr desbocamiento trmico del circuito? b) Habr desbocamiento trmico si se conecta una resistencia de 5 n entre emisor y tierra?
a) Desarrolle la serie de Fourier para esta onda con coeficientes numricos a travs de la tercera armnica. b) Obtenga el porcentaje para cada armnica respecto a la fundamental. 7-9. Un transistor de potencia operado en Clase A debe entregar un mximo de 4 W de potencia de audio a una carga de 4 n. Se usar una fuente de poder de 12 V. Considere caractersticas ideales, acoplamiento ideal por transformador y un punto Q ajustado para recorte simtrico. Determine lo siguiente: a) Qu relacin de impedancias del transformador se necesita? b) Cul es el punto de operacin de la etapa? e) Cul es la potencia de reposo requerida? d) Cul es el pico de la corriente de colector? 7-10. Trace cada uno de los siguientes circuitos y exprese cul de ellos requiere inversin de fase. a) Clase B simtrico con un par de transistores ip-n-p y p-n-p), b) Clase A simtrico con un par de transistores tp-n-p y n-pon). e) Clase A simtrico con un par de transistores (n-p-n y n-pon). d) Clase B simtrico con un par de transistores tn-p-n y p-n-pv. 7-11. Demuestre que la mxima eficiencia de colector de una etapa Clase A con resistencia de carga de colector Re es 25 %. Cuando se usa Re y el transistor se acopla a RL' a travs de un condensador, la relacin de potencia en RL a la potencia cd es de
6.25 %? RV =Re 7-12. Compruebe la ecuacin (7-28). 7-13. Para una etapa Clase B simtrica, acoplada por transformador, encontrar el potencial de colector del transistor sin conduccin en trminos del potencial directo Vee cuando el par est operando a seal completa. 7-14. Un medidor de cd en la rama de Vee de un amplificador ideal Clase B [vea la figura 7-15a)] da una lectura de 0.75 A. Si la carga del circuito es de 40 n y se usa un transformador ideal con una razn de vueltas 1: 1, cul ser la potencia entregada a la carga? 7-15. Especifique el rea, espesor, material y posicin de montaje de una placa metlica. que pueda servir adecuadamente como disipador de calor para un transistor de potencia polarizado en corte y alimentando una carga acoplada por transformador. El potencial de la fuente es de 30 V Y el transistor es la mitad de un par Clase B que entrega 30 W a la carga, al variar de corte a saturacin. Considrese 1.5 C/W para el transistor, 0.5 C/W para la arandela de montaje. El transformador tiene una eficiencia de 75 % y resistencias de alambrado despreciables. Encuentre un disipador de calor que mantenga la unin a 75 C en un ambiente de 35 C; no incluya factor de seguridad. 7-16. Un par Clase B simtrico se alambra como muestra la figura. Es evidente la distorsin de intermodulacin y se desea corregirla con una red de compensacin. Trabajando con la curva de transferencia y con fuentes de + 20 Y - 20 V disee un circuito resistivo para reducir a un mnimo la distorsin de intermodulacin e incluya esta red en el diagrama del circuito.
l-'BE
Problema 7.fJ
(V)
J~~O
-<l.6 -0.4
-0.1 O
-0.4 -<l.6 le (A)
Problema 7-16 7-17 Un circuito puente de dos transistores con una bocina como carga se muestra en el diagrama anexo. El puente se ajusta para tener un potencial directo cero entre A y
7-7. Compruebe la ecuacin (7-13). 7-8. Para una forma de onda de salida: IQ = 1 A, Ix = 1.6 A, Iy = 0.5 A, Imx = 2 A, Imn =0.3 A.
220
AMPLIFICADORES DE SEALES GRANDES BIBLIOG RAFIA 221
B, de manera que se pueda emplear una bocina convencional. Estudie la operacin de este circuito y conteste las siguientes preguntas: a) En qu configuraciones estn operando TRl y TR2? b) Qu potenciales directos colector-emisor hay entre TRl y TR2? e) Si cada transistor opera en Clase B, explique cmo va a reproducir el circuito la seal completa en la bocina. d) Si cada transistor opera en Clase A, explique cmo reproduce el circuito la seal completa en la bocina. e) Agregue polarizacin al diagrama para operacin en Clase A.
1. 2. 3. 4. 5.
Resistencia de carga: 4 en cada lado. Potencia de salida: 5 W. Temperatura: 25 C. Potenciales disponibles: -20 y + 20 V. Respuesta a la frecuencia: 60 a 6000 Hz.
Puntualice cualquier consideracin que haga con respecto al diseo.
Vcc
B
BIBLIOGRAFIA
1. DeWitt, D., y Rossoff, A. L., Transistor Electronics, McGraw-Hill Book Co., Inc., Nueva York, 1957. 2. Hunter, L. P., Handbook o/ Semiconductor Electronics, MacGraw-Hill Book Co., Inc., Nueva York, 1963, 2.a ed. 3. Hurley, R. B., Junction Transistor Electronics. John Wiley & Sons, Inc., Nueva York, 19SR. 4. Lo., A. W., y otros, Transistor Electronics, Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, Nueva Jersey, 1955. 5. Riddle, R. L., y Ristenbatt, M. P., Transistor Physics and Circuits, Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, Nueva Jersey, 1958. 6. Ryder, J. D., Electronic Fundamentals and Applications, Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, Nueva Jersey, 1964, 3.a ed. 7. Staff, Motorola Power Transistor Handbook, Motorola, Inc., Phoenix, Arizona, 1960. 8. Thornton, i{. D., DeWitt, D., Chenette, E. R., y Lin, H. C., Cnaracteristics and Limitations o/ Transistors, John Wiley & Sons, Inc., Nueva York, 1963. 9. Wolfendale, E., The Junction Transistor and Its Applications, The McMillan Co., Nueva York, 1958.
VEE
Problema 7-17 7-18. Pulsos repetitivo s de potencia de valor pico Pp y duracin en tiempo TI se aplican a un circuito trmico que consta de resistencia trmica 8je en paralelo con una capacitancia trmica Cje' A t = T2 el ciclo se repite. En condiciones de estado estable muestre que la mxima elevacin de temperatura de unin, que ocurre en t = TI, est dada por I:lTit = TI) = Pp8 [(l donde
T
,c
- e- T/T)/(l
- e- T,/T)]
= 1/8jeC/e.
P
P.p --
TI
Problema 7-18
7-19. Disee una etapa de potencia siguien tes especificaciones: 1. 2. 3. 4. 5.
Clase A usando un 2N539A para cumplir con las
Resistencia de carga: 50 n. Potencia de salida: 2 W (mximo, senoidal). Temperatura: 25 C. Potencial disponible de fuente: -16 V. Frecuencia: 800 cps.
Considrese una eficiencia del transformador de salida de 75 % y una eficiencia del transformador de entrada de 50 % con resistencias despreciables. Esboce los diagramas y determine todos los valores de las componentes, relaciones de impedancias de ambos transformadores, ganancias del circuito y la resistencia de entrada de la etapa completa. 7-20. Disee una etapa simtrica Clase B para alimentar directamente una bocina con derivacin central.
CAPITULO
Amplificadores de varias etapas
Cuando se requiere ms amplificacin de la que puede suministrar una sola etapa, se acoplan etapas adicionales para formar un amplificador compuesto, o en sucesin, o de varias etapas. Las etapas de tubos al vaco y las etapas de TEC son fcilmente interconectables en sucesin por sus propiedades de aislamiento, pero los transistores, debido a la resistencia finita que presentan a la entrada, constituyen una carga considerable para el circuito precedente y, por tanto, ameritan una atencin especial. El comportamiento de una etapa se puede calcular mediante las ecuaciones deducidas en el captulo 5; las redes de acoplamiento y sus efectos sobre la ganancia, respuesta a la frecuencia, y niveles de impedancia se estudiaron en el captulo 6; y en el captulo 7 se analiz una etapa de alta potencia. El problema actual es combinar esta informacin para analizar y sintetizar el amplificador de varias etapas. Desde el punto de vista de las necesidades generales, el amplificador de varias etapas debe unir una fuente particular con una carga particular y suministrar la amplificacin deseada sobre un espectro de frecuencias dado; debe tener capacidad para entregar la potencia apropiada a la carga, presentar la resistencia necesaria de entrada y trabajar en las condiciones ambientales esperadas, con las fuentes de potencia de que se disponga 8-1 Anlisis de bloques. El diseador de amplificadores puede hacer uso de los conceptos de sistemas, puesto que un circuito de varias etapas es un sistema de circuitos diferentes, algunos capaces de entregar ganancia, como los elementos activos, y otros que dan atenuacin, como los circuitos de acoplamiento y las redes de retroalimentacin. En la figura 8-1 se ilustra un amplifi-
---J0 Carga LF
Va Figura 8-1 Diagrama de bloque de un circuito de varias etapas.
cador en sucesin con una serie de bloques que representan circuitos importantes. Cada bloque puede proporcionar ganancia de potencial y corriente,
223
224
AMPLIFICADORES DE VARIAS E1'APAS
ANALISIS DE BLOQUES
225
aunque la ganancia puede ser menor que la unidad en algunos de los bloques, que actuarn ms bien como atenuadores. En la prctica, el bloque designado "A", puede ser el circuito de acoplamiento entre la fuente y la primera etapa amplificadora sealada como "B". El bloque "C" puede representar una red de acoplamiento, un circuito igualador o algn otro grupo de elementos activos o pasivos. Puesto que la operacin global es la que debe considerarse, la potencia de la carga ser Po y la potencia de entrada P, La ganancia en potencia es G Pero lo = I(AAAB'" Entonces, G = (RL/RA)(AAAB'" AN)2, (8-5) AN)' (8-4)
= l/RL'
(8-1) (8-2) (8-3)
= l/RA'
= Po/p = l/RL/I/RA'
Para determinar la resistencia de salida de un circuito en sucesin debe hacerse una excepcin a la regla anterior. La resistencia de salida depende de las propiedades de la fuente excitadora y no es posible calcularla mientras no se conozcan todos los elementos precedentes. La respuesta a la frecuencia de circuitos compuestos puede ser considerablemente ms pobre que la de una etapa individual. As como una cadena no es ms fuerte que su eslabn ms dbil, un amplificador en sucesin no es de banda ms ancha que su etapa de banda ms estrecha, en ausencia de retroalimentacin externa. Si las etapas son ms o menos idnticas, el comportamiento total puede ser completamente insatisfactorio, aun cuando la respuesta de cada etapa individual contenga un factor de seguridad. La frecuencia para la mitad superior de la potencia para n etapas idnticas se investigar en seguida. Se defme por la reduccin de la ganancia de potencial, o corriente, a I/V2 del valor en la banda media. La ganancia de cada etapa decrece idealmente con el incremento de frecuencia de acuerdo con la relacin A
= Amed 1[(1 + (flfh)2)P/2.
(8-12)
fh
La operacin de un amplificador compuesto se puede especificar en trminos de las ganancias individuales de potencial, puesto que, en la carga, la potencia puede expresarse por Po = V//RL'
y a la entrada por
representa la frecuencia de corte superior de una sola etapa. Ahora bien, si el comportamiento total del amplificador en sucesin (AT) se iguala al de las etapas, a la frecuencia que interesa, se tendr
ATIJ"i = An =
{Amed
/r1 + (Jlfh)2]1/21n.
a la referencia de fre-
(8-6) (8-7) (8-8)
P, Entonces la ganancia ser; Pero
V//RA.L
Ntese que son idnticas las ganancias AT y (A medr cuencia media. Mediante algunas transformaciones se tiene 21/n de donde
= Po/p = (V//R )/(V2/RA)'

VD = V(AvAAvB'" AvN); AvN)2.
= 1 + (flfh)2,
= ih(21/n
-
(8-9) (8-10)
1) 1/2.
(8-13)
Entonces, G = (RA/RL)(AvAAvB'" Otro mtodo consiste en usar la ganancia de potencia de cada etapa
G=GAGB .. GN
(8-11)
La ecuacin (8-13) es una expresin de la frecuencia superior de corte, respuesta 3 dB abajo, para un circuito de n etapas iguales. En el lmite de baja frecuencia del espectro, la ganancia del circuito puede aproximarse por A = Amed [1 + (ftlf?P/2. (8-14)
La ecuacin (8-11) requiere que todos los factores de ganancia sean razones numricas. Si las ganancias estn dadas en decibeles, la amplificacin total ser la suma de las ganancias individuales. Para analizar el comportamiento global de un amplificador de varias etapas, es necesario determinar los nmeros que se usan en una ecuacin como la (8-5). Desde luego, se debe conocer RL, pero la determinacin de RA no es tan sencilla como sera de desear. R1A depende de la carga en el bloque A la que a su vez es la resistencia de entrada del bloque B, etc. De igual manera, para calcular cualquiera de los trminos A se deber conocer la resistencia de entrada del siguiente bloque. Entonces, puede concluirse que para predecir la operacin de un amplificador de transistores de varias etapas es necesario proceder a partir del ltimo elemento (o bloque) y trabajar hacia adelante hasta el bloque inicial.
fi
representa la frecuencia de la mitad inferior de la potencia etapa. Por tanto, el corte de baja frecuencia est en f
de una sola (8-15)
= f,/(21/n
1)1/2.
Un ejemplo numrico aclarar los conceptos anteriores. Considere tres etapas en sucesin, cada una con fi = 20 Hz y fh = 20,000 Hz. Segn las ecuaciones (8-13) y (8-15), el ancho de banda total ser de 39 Hz a 10,200 Hz. Es obvio que la reduccin resultante de la composicin de etapas es un factor importante de diseo, que se puede mejorar si se disea cada etapa con un espectro ms amplio o por medio de la retroalimentacin (la cual se trata en el captulo 10).
226
AMPLlFICADORES
DE VARIAS ETAPAS
ANALISIS CON COMPUTADORA
227
8-2 Anlisis con computadora. Un mtodo alternativo para obtener informacin sobre el comportamiento de un amplificador de varias etapas es la solucin del circuito equivalente compuesto. Cuando se incluyen varias etapas, o cuando hay mallas de retroalimentacin, la solucin de las ecuaciones simultneas del circuito se convierte en una operacin muy laboriosa y los resultados de este estudio no compensan el tiempo dedicado a l. El procedimiento es idntico al usado en el captulo 5 para analizar circuitos de una etapa; debe trazarse el circuito equivalente, establecer las ecuaciones de mallas o nodos, resolver las ecuaciones para determinar las corrientes y los potenciales incgnitas y, fnalmente, las relaciones de las variables importantes. En diversas obras se encuentran ejemplos de ecuaciones para ganancias y niveles de impedancia de circuitos de varias etapas.'
1 ho2
elementos del circuito. Significa una ventaja no tener que resolver las ecuadones. Considrese que cada elemento tiene un valor conocido. (Si Vg no se conoce, se puede estimar de 1 mV o algn otro nmero simple.) As, en la correspondiente ecuacin de matrices [V]
= [R][I],
(8-17)
todos los elementos de [V] y [R] son conocidos. Estos arreglos sern los datos que se entreguen a la mquina, programada para resolver ecuaciones lineales simultneas. Tal programa es siempre una subrutina sencilla y de fcil procesamiento en cualquier mquina. La computadora resuelve la ecuacin por inversin de matrices; los elementos de la matriz [l] dados por: [l] = [Rr1[V]. La ganancia de potencial es simplemente (8-18) (8-19)
hi2
Ro
Yg
"n>. 4, .
~h02
v ~ Ahf2
1
3
~RL
Av
= /4RL/Vg,
13
+~ R.2
Considrese un amplificador que tiene los siguientes valores nominales de los parmetros y los elementos: RG
104, Re1
Re
104, Re2
RL
500,
Figura 8-2
Circuito para estudio en computadora.
h=4ooo,
hf= 100,
h,= 10-3,
ho= 10-5,
= 50,
= 100.
Un mtodo muy efectivo para analizar circuitos de varias etapas, aplicable en particular al diseo de circuitos, emplea la computadora digital para ejecutar los clculos y no requiere la solucin de ecuaciones simultneas que siempre resultan de las redes de mallas o nodos mltiples. Como ejemplo del uso de la computadora, considrese el amplificador de dos etapas que se muestra en la figura 8-2. Se estudiar su ganancia de potencial. Es de especial inters analizar el efecto de las variaciones de los parrnetros del transistor en la ganancia y la influencia de las tolerancias de produccin en los elementos de retroalimentacin Re 1 Y Re2. Se escribirn las cuatro ecuaciones de mallas. Ntese que las transformaciones de las fuentes se han empleado para eliminar los generadores de corriente en las ramas de colector. Vg
La solucin de las ecuaciones (8-16) con estos valores da el valor de referencia de Av, 107.5. El programa se puede correr ahora, usando diferentes valores de los parmetros para evaluar los efectos de estos cambios. De las muchas posibilidades que hay se seleccionaron las 10 siguientes: Cambios Cada hf = 50 Cadahf= 150 Cada b, = 3 X 10-4 Re = 8000 Re! = 40, Re2 = 80 6. Re1 = 60, Re2 = 120 7. Cambios 1 y 3 8. Cambios 1, 3, 4 y 6 9. RG = 9000 10. s = 11,000 1. 2. 3. 4. 5. Av 38.4 179.9 44.6 93.9 123.8 94.1 16.2 14.0 113.7 101.9
= 11 ( RG +
h + Re1 -
hr!hf1) h::;-
+ 11 Re1 + h
h'1) O O o1 + + ,
(8-16)
0=11(Re1-
;.:)
+11(Re+
h: + Re1) + 13(Rc} +0, 1
O = O + 1z(Rc} + 13 ( Re + h2 + Re1 - ~ O = O + 0+ 13(Re1 - ;.:)
h'lh f2) + 14 ( Re2 + h ' h'2) o2
+ 14(RL + h: + Re1)'
Los mtodos regulares, para la determinacin de la ganancia de potencial, requieren que estas ecuaciones se resuelvan para /4 en trminos de Vg y de los
Los valores de Av dados en esta lista se obtienen rpidamente; adems, se puede obtener otra informacin del procesamiento de datos, por ejemplo, todas las corrientes del circuito, y el mtodo se puede extender para determinar la respuesta a la frecuencia si la computadora se programa para manipular nmeros complejos. Esta rapidez para anlisis repetidos significa un ahorro de varias horas. Sin embargo, para el diseador se mantiene en pie el problema de mostrar un buen criterio en la seleccin de los cambios de las variables y habilidad para analizar los datos que se obtengan.
228
AMPLIFICADO RES DE VARIAS ETAPAS
ANALISIS CON PARAMETROS a

h, h
229
[h"h;h'/(h"ho'
8-3 Anlisis con parmetros h. La matriz de parmetros h ofrece un medio, para determinar el comportamiento de un circuito, en cierto modo ms general que otros mtodos analizados en las secciones anteriores. Considrese el circuito equivalente de dos etapas de la figura 8-3. Los parmetros son simplemente h, hr, hr y ha, sin especificacin de la configuracin que se emplea, y la prima representa la primera etapa, mientras que la biprima a la segunda.
= V1/11 = = 13/11 =
h;' -
+ 1)],
(8-20) (8-21) (8-22)
-h'h"/(h"ho'
-l:' 1),
= V1fV3 = h;h:/(h"h: + 1), ho = 13fV3 = ho" -[h"h:h:/(h"h:

h,
+ 1)].
(8-23)
h/ +
Despus de la determinacin de los parmetros compuestos, stos se pueden usar en las ecuaciones generales de la tabla 5-1, que se enlistan aqu por conveniencia h
Av A R
-hRL/(h
+ RL'1. ),
+
(~-24)
=
=
h/(l
(h
+ RLho),
RLf."h)/{l RLho)'
(8-25) (8-26) (8-27)
Figura 8-3
Equivalente general de parmetros h para dos etapas.
s, = (h + RG)/(f."h + RGho)
Si se acopla una carga a las terminales de salida y una fuente a las de entrada, pueden escribirse las ecuaciones para A, Av, G, R Y R en trminos de los parmetros generales. Si la etapa uno es una base comn y la dos un emisor comn, entonces h' = hb, etc., y h" = he, etc. As, un conjunto de ecuaciones de comportamien to es suficiente para las nueve combinaciones posibles de las tres configuraciones conectadas como un par. Tales ecuaciones no se presentan aqu. Un medio ms fcil para analizar la operacin del par en sucesin es encontrar los parmetros h del circuito completo, no slo para transistores individuales. Hay que recordar que un circuito completo, como el de la figura 8-3, puede tener una h, que se define como la impedancia de entrada con la salida de ea en corto circuito, y de la misma manera, una hr, hr, ha A fin de determinar estos parmetros h para el circuito compuesto, se puede estudiar la figura 8-4a) para calcular h y h, que requieren que la salida de ea est en
h'
Ntese que las resistencias de polarizacin se consideran sin influencia en las deducciones anteriores. 8-4 Anlisis con parmetros a. Los parmetros ABCD o a sealados antes en las ecuaciones (4-7) tienen un uso particular en el anlisis de los circuitos en sucesin. Considrense los bloques que aparecen en la figura 8-5. Las variables terminales se expresan por
[VI] /1
= [QAJ[
-/2
V2
[~~] = [QBJ[
~;J.
(8-28)
Debido a los sentidos asignados a 12 e 13 en el diagrama, todos los elementos [aA 1 y [aB 1 son cantidades positivas. Para describir la estructura compuesta, se multiplican las matrices de acuerdo con la seccin 5-11 para obtener
[~J= [QJ[~:]
con
Qll a12 a21
(8-29)
.
al
ht
+ - 2 1
h'12
= a11AallB + a12Aa21B' = al1Aa12B + a12Aa22B' = a21AallB + a22Aa21B'

=
a21Aa12B
(8-30)
a22
a22Aa22B
b) Figura 8-4 Simplificaciones de la figura 8-3: a) Circuito para la determinacin b) circuito para la determinacin de h12 y hzz. de hll y
:t I
p~
Figura 8-5
Anlisis con parmetros a.
h21;
corto circuito. La figura 8-4b) se puede usar para calcular h; Y ha, ya que ambos requieren que la entrada de ea est abierta. Los resultados de tal anlisis son los siguientes:
Las transformaciones descritas en las ecuaciones U~-30) se pueden realizar con facilidad. El resultado es que dos redes se han reducido a una representada por [a l. Pueden usarse las frmulas del Apndice II para analizar el circuito.
AMPLIFICADORES DE VARIAS ETAPAS 8-5 Diseo de un amplificador de varios pasos. A continuacin se presenta un ejemplo del diseo de un amplificador de varios pasos. El propsito de esta seccin es familiarizar al lector con las complejidades del diseo de un amplificador en sucesin. Este ejemplo es incompleto en el sentido de que se necesitarn ms investigaciones para simplificar el circuito, mejorar la eficiencia, dar una retroalimentacin adecuada, disear las fuentes de potencia y estudiar los efectos de la temperatura. Diseo de un servoamplificador de 10 W O bjeto. Disear un amplificador para cumplir las siguientes especificaciones: 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. Potencia de la carga: 10 W. Carga: 500 n (resistiva), un pequeo motor de instrumento. Capacidad de sobrecarga: 10 %. Seal de entrada para dar salida especificada: 0.1 V. Resistencia de entrada: 50,000 n (mnimo). Frecuencia de la portadora: 400 Hz. Temperatura ambiente: 25 5 C. Potenciales de fuente disponibles: 12 y 28 V.
DISEO DE UN AMPLIFICADOR DE VARIOS PASOS
231
JIII~
-Vee
o
t
Carga
Figura 86
Etapa de salida convencional Clase B simtrica con red de polarizacin compensar la distorsin de intermodulacin.
para
Solucin. General La mnima ganancia en potencia requerida es
'" e c.. '" !ij 3
-2.0
11
r
71\
I
-40
~
-30
Mxima~ disipaci~ a 50 e
I I
-1.5
20 __
... u
Lmite de la variacin para

-1.0
I
I
PFL
G = Pi[P = 10/[(0.1)2/50 k] = 50
106
77 dB.
Una etapa Clase B simtrica puede manejar la potencia de carga requerida y suministrar una ganancia de 25-30 dB. Una etapa, no estabilizada, de excitacin da 30 dB, de manera que tambin es necesaria una etapa amplificadora de baja potencia. Se tienen los transistores 2N2614 y 2N539A. Se puede usar acoplamiento por transformador donde sea aplicable. El diseo se har de acuerdo con el mtodo de bloques, comenzando con las etapas finales y trabajando hacia las etapas de bajo nivel. Etapa simtrica Clase B Para alimentar 10 W (Ppd a la carga en la figura 8-6 Potencia del primario del transformador
---
I ~
Me
-1.0
-10 mA Lnea de carga de 28 ohms
1-0.5
U
...
I
V
BE
=0.5
I-10 8V
1',
"1
.<
T
VeE en volts
= PFL/r = 10/0.80 = 12.5 W,

de salida, considerada de
Figura 8-7
donde TI representa la eficiencia del transformador 80 %. La etapa debe tener capacidad para manejar (110%)(12.5)
Curvas caractersticas de salida y entrada para el 2N539A, mostradas en un conjunto de ejes. (Estas curvas no se incluyen en la seccin del Apndice 1 dedicada al 2N539A.)
= 13.7 W.
Como es Clase B, Ve' ~ Vec As que le'
28 V,
Cada transistor de potencia debe entregar un mximo de 6.85 W. Los smbolos le' Y Ve' se explican en la figura 8-7 y representan las variaciones mximas de las variables de salida. Para cada transistor, en condiciones de sobrecarga, Pm&x= Ve'le'4.
= 4(6.85)/28 ~ 1.0 A.
Ve'/le' = 28/1.0
Entonces la carga de cada transistor es RL
28
n.
232
AMPLIFICADO RES DE VARIAS ETAPAS
233
Para el primario completo, la resistencia reflejada de carga es Rcc
= 4(28) = 1.12 n.
Si el factor de 4 no se entiende claramente, conviene hacer una prueba basada en la relacin de vueltas. La carga completa para cada transistor es PFL = 12.5/2
La impedancia de carga total del secundario en el transformador de entrada = 4(R) = 480 n. El circuito de polarizacin producir una pequefa prdida en la amplificacin. Puesto que la resistencia de 1 n duplica la resistencia de entrada, causar una prdida de 50 % en la ganancia de la etapa (3 dB). Se
-2.0
= 6.25
W.
-1.5
Hay que volver a la figura 8-7. Para encontrar las variaciones reales para una carga completa, Me Y Ve, se hace uso de las leyes de tringulos semejantes. PFL As k = 0.89. Entonces,
= [(Mc)(LlVC)J/4 = [(kle')(kVe')]/4.
:3 o >
i
-;..l
"l
-1.0
= kle' = 0.9 A, LlVe = kVe' = 25 V.

Llle Para excitar un 2N539A a 0.9 A Y con un potencial se requiere, de acuerdo con la figura 8-7 de 25 V de oscilacin,
Figura 8-8
-05
I
10 0
-10 -20 -30
-40
-50
IBen mA
Curvas caractersticas de entrada para el 2N539A (obtenidas de la figura 8-7).
MB
LlVBE
= 15 mA, = 0.85 V.
Por tanto, la potencia de entrada necesaria es
P = [(MB)(Ll VBE)]/4 = [(15 x 10- 3)(0.85)]/4 = 3.2 m W.

La ganancia nominal de potencia por etapa es
espera que la etapa entregue una ganancia nominal de potencia de 780, excluyendo el transformador de excitacin, y que la potencia necesaria que entregue la etapa excitadora sea 12.8 mW. Etapa de excitacin Para suministrar 12.8 mW a la etapa de salida con una eficiencia del transfonnador de acoplamiento de 75 %, el excitador deber ser cap~ de manejar PFL
G=
PFL/p
= 6.25/0.0032 = 1950 32.9 dB.

de salida, es
La ganancia, incluyendo prdidas del transformador G
= (0.80)(1950) = 1560 31.9 dB.
= 12.8/0.75 = 17 mW.
La potencia total que debe entregar la etapa anterior = (2X3.2) = 6.4 mW. Es necesario un circuito de polarizacin para prevenir la distorsin de intermodulacin. La figura 8-8 muestra las caractersticas del circuito de entrada, trazadas a partir de la informacin de la figura 8-7. Cuando lB = O se requieren aproximadamente 0.2 V de base a emisor. Para eliminar este tipo de distorsin se disefar un circuito compuesto de Vee, R2 Y R3 para poner 0.2 V en el emisor. Considrense R3 = 10 n; entonces, por divisin de potencial de la fuente de 28 V, R2 = 1400 n. Una resistencia de 1 n sin derivacin en la terminal de emisor sirve para lograr estabilidad de la ganancia. La resistencia de entrada se determinar en seguida. h[E (publicada) ~ 60 Q (en el pico de la seal de entrada). La resistencia de 1 n afecta la resistencia de entrada de acuerdo con R
e, incluida la capacidad de sobrecarga,
P mx= 17(110%)
18.7 mW.
Un 2N2614 acepta esta carga y se usar para TR1 y TR2. Se examinar el diagrama de la figura 8-9. Se emplea polarizacin con una batera, y R 12 asegura la estabilidad del punto de operacin. Puesto que Vee es fijo, la lnea de carga cd tendr una pendiente de -1/450 a partir de -12 V, como puede verse en las caractersticas de la figura 8-10, 200 n para la resistencia del transformador y 250 n para R12 Una lnea de ea de 2220 n trazada a travs del punto Q permite en general una potencia de salida sin distorsin de P = [(Mc)(LlVeE)l/8 = [(9 x 1O-~)(20)l/8 = 22.5 mW. El punto de operacin seleccionado es le ~ lE
=
= PdcRE + hIE = (0.9/0.015) (1) + 60 = 120
Q.
-4.5
mA
VeE ~ -10 V,
234
AMPLlFICADORES
-Vee T
R21
RLl
DE VARIAS ETAPAS

y los elementos
R32
235
R22
E
TR2
A la etapa de salida
del circuito son los que se muestran en la figura 8-9. Si se escoge de 50 kn y se usa el valor nominal de 150 para hFE, R2 = 220 kn. Los valores nominales de los parmetros de pequeas seales almA, 6 V, 1000 Hz, se determinaron en pruebas de laboratorio:
hfe he
= 150,
hre
= 10
60
X X
10-4, 10-6 mho.
= 4550
o,
hoe =
Entrada
R31
Re!
R32
Estos valores deben ser corregidos para el punto de operacin seleccionado. Las . informaciones de correcciones se dan en la figura 8-11. Los parmetros para esta etapa son:
hfe
=
R12
= (150)(0.75)(1.25) = 140, = (4550)(0.25)(1.25)

=
hre hoe
= (10 x 10-4)(1.3)(0.8) = 10.4 x 10-\ = (60 x 10-6)(3.9)(0.9) = 210 x 10-6
Ce2
he
1420,
Las caractersticas
RL1
de la etapa se obtienen de las ecuaciones de la tabla 5-1. Av

A
5500 n
R21 = l.lMn R22 = 220kn R31 = 220kil
R, = 500n R12 = 250n
C.2= lO.uF T =2000:480 n TRl= TR2 = 2N2614 Vee = -12V
R32= 50kn Cel = Cc2 = 5.uF
= 175,
= 16,800 42.2 dB,
96,
R = 1200 n.
La potencia
de base requerida es: PFLjG
Figura 8-9
Diagrama del circuito para etapas de baja potencia del ejemplo de diseo.
17 mWj16,800
1 J-tW.
La prdida de corriente de seal en R32 se espera que sea de

-10 RJ(R32
+ R) = 2.3 %.
1.8 Etapa amplificadora

-8
Llnea de carga en cd de 450 ohms Para lograr los 50,000 n de la especificacin de la resistencia de entrada se usar una etapa de emisor comn con retroalimentacin degenerativa en la terminal de emisor. El valor nominal de hfe es de 150; si se usa una resistencia de 500 n, la resistencia de entrada del transistor solo tendr unos 75,000 n. Esto parece satisfactorio si se observa que R21 y R31 estarn en paralelo con la entrada de esta etapa. El punto de operacin se escoge en le Llnea de carga en ea de 2220 ohms
-c
E c:
-6
"'{,) ..... Ale ,
-4
= -1 mA,
VCE
= -6 V.
-2
nmde~" Q ~ en"al de'-' 1

O
I ,
ohll)S
-4
-8
L\~E
-12
-16
-20
-24
1...
Figura 8-10
~I
Puesto que la fuente de colector es de -12 V, la resistencia de carga del colector deber ser 5500 n. Si R31 se escoge de 220,000 n, se infiere que R21 debe ser 1.1 Mn. Los clculos basados en parmetros nominales y una carga de 5500111200 dan, para la primera etapa, Av = 1.8, G = 270 24.3 dB,
A = 150, R
VeEen volts Lneas de carga en las curvas caractersticas de colector del 2N2614.
= 72,000 n.
a un valor
La red de polarizacin nominal de 51,500 n.
de base reduce esta resistencia de entrada
236
AMPLIFICADORES
DE VARIAS ETAPAS
SINTESIS DE LAS FUNCIONES DE TRANSFERENCIA RESUMEN DEL COMPORTAMIENTO
237
"
11
5.0 .L"hOt -
Potencia de Salida Transfonnador de salida 10 W Etapa de salida 12.5 W Transfonnador del 12.8 mW excitador 17 mW Etapa de excitacin 111W Acoplamiento 1.211W La etapa 0.00511W Acoplamiento Ganancia total de potencia
Ganancia 0.8 975 0.75 16,800 0.8 270 0.72
Potencia de Entrada 12.5 W 12.8 mW 17 mW lJ1W 1.2 J1W 0.005 J1W 0.007 J1W
9
:3 3.0
> ...J >
1-
z w a:
....4.0 ~
~
\ hit
V
../'
2.0
w a:
O
::5
hre~ 1.0
r--
----1
h't
f-
hre
hat 1.0 2.0 lc EN mA 3.0 4.0
hit 5.0
= Pa/p = 10/(7 x 10-9) = 1.4
10
= 91.4 dB
a)
~
11
2.0
~~
r5
o ...J
...J
1.5
1'\
~
a:
>
1.0I
.......~
>
W
--~
6
l..--- ~
--12
v-k-: --hit' h't h hre

1---
r--
~ 0.5 ...J
a:
10
14
16
18
20
Resultados y conclusiones. El amplificador diseado aqu se construy y prob, y los siguientes datos describen su comportamiento: a) Ganancia total 85 dB contra los 91.4 dB calculados. b) Resistencia de entrada medida 60,000 r2. c) Para lograr la especificacin de los 10 W entregados a la carga, se debe regular la fuente de 28 V, porque el amplificador requiere aproximadamente un ampere de la fuente. La ganancia y la resistencia de entrada de este amplificador dependen en mucho de los parmetros hfe de los transistores que se usen en particular. Para dar un nivel adecuado de estabilidad de ganancia se deber emplear retroalimentacin negativa. La retroalimentacin se analiza en los captulos 9 Y 10. En el problema 8-10 se realiza un estudio adicional de este diseo. 8-6 Sntesis de las funciones de transferencia de potencial. Para regular la respuesta a la frecuencia de un amplificador, con propsitos de filtro o igualacin, son tiles, en especial, los circuitos con TEC que, por otra parte, son fcilmente sintetizables. Ya se vio que la ganancia de potencial de una etapa de TEC alimentando una carga resistiva es gmRL. Para una carga compleja Z(s), la funcin de transferencia del potencial A(s), defmida por la relacin compleja de potenciales de salida y entrada, es
VCE EN VOLTS
b)
A(s) = gmZ(s).
(8-31)
Figura 8-11
Variacin de parmetros del 2N2614.
ESPECIFICACIONES DEL TRANSFORMADOR Salida Potencia Relacin Relacin Corriente Potencial mxima del primario de impedancias de vueltas NI: N2 sin balancear del primario del primario a 400 '" 13.7 W 1I2CT: 500 0.472 ninguna 20 (rms) Excitador 25mW 2000 : 480CT 2.0 5 mA 7 (rms)
s representa el operador de Laplace y, en general, s = a + jca. Para un anlisis senoidal de estado estable, s = jco. El problema que se plantea aqu es la relacin de un circuito que da la A(s) exigida. Con una A(s) dada y gm como constante conocida, el problema es encontrar Z(s). De acuerdo con la ecuacin (8-31),
Z(s)
= A(s)/gm.
(8-32)
El problema inicial es puede realizarse Z(s)? Expresado de otra manera, hay alguna combinacin de elementos pasivos que presente una impedancia igual a A(s)/gm? Esta cantidad puede representarse por la razn de polinomios en s: A(s) a.s" + asn-L + an p(s) (8 33) Z(s) = -- = m m I gm bas + biS + ... b; = - . q(s)
238 En otra forma, la ecuacin (8-33):
AMPLIFICADORES DE VARIAS ETAPAS
SINTESIS DE LAS' FUNCIONES DE TRANSFERENCIA Eje imaginario

i. +jw
239
p_(_8) = H -'.-(8_---=81:'-:)('--8 _-_82::.:...)_"_' (:,-S_-_S...:::...n) q(S) (s - Sa)(S - Sb) ... (s - Sm) .
(8-34)
H es aa/ha; SI' S2 se denominan ceros de la funcin; sa' sb, etc., son los polos. Los valores de los ceros y los polos se conocen como las frecuencias crticas de la red. Si se restringe inicialmente la consideracin a una sola etapa TEC, es posible realizar Z(s) si Z(s) es real cuando s es real, Re Z(s) O para Re 8 O. Estos son los requisitos para que una impedancia sea una funcin real positiva. Una funcin real positiva (r.p.) se puede realizar usando elementos pasivos. No se reproducir aqu la descripcin de las pruebas matemticas para determinar cundo una Z(s) es realizable; el lector la podr encontrar en diversas obras sobre la matera," Sin embargo, de acuerdo con el resumen de las propiedades de las funciones reales positivas que se da a continuacin es posible probar una funcin con cierta rapidez y desechar aquellas funciones que no sean realizables. Las propiedades de las funciones r.p. son: 1. Los coeficientes de todos los positivos. 2. El grado de los polinomios cuando ms en l. 3. Los trminos de menor grado que 1. 4. Los polos y ceros deben tener 5. Los polos en el eje imaginario Para aclarar ra 8-12, que plejo s. Los cin descrita Ejemplo. trminos de la ecuacin (8-33) son reales y del numerador y del denominador difiere
-11
+11
Eje real
x -jw Figura 8-12 Plano complejo s mostrando una distribucin tpica de polos y ceros. La funcin es de la forma A(s) = (s +a)(s2 + b2 )f(s +c)(s +d)(S2 +e2).
3. La frecuencia crtica de menor magnitud debe ser un polo. Para que sea una admitancia RC, se deben substituir ceros por polos en la expresin 3. Para sintetizar una admitancia RL, las tres reglas anteriores se aplican directamente. Una funcin de impedancia RL se trata como adrnitancia Re. No se considerarn aqu reglas para redes RLe. Si la funcin corresponde a una red L-e. 1. Los polos y ceros son simples y caen en el eje imaginario como pares conjugados. 2. Los polos y ceros se alternan. Los mtodos de Foster se sintetizan 1. 2. 3. 4. 5. 6. Impedancia Adrnitancia Impedancia Admitancia Impedancia Admitancia Re. Re. RL. RL. Le. Le. Expandir Expandir Expandir Expandir Expandir Expandir aqu:
en p(s) y q(s) difieren en grado no mayor' partes reales negativas o cero. del plano complejo s deben ser simples.
la referencia al plano complejo del punto 5, considrese la figumuestra polos y ceros de una funcin trazada en un plano compolos se designan como x y los ceros como o. Cualquier funpor la ecuacin (8-34) puede trazarse as. Considrese la funcin
3 S3
Z(s) en fracciones parciales.

Y(s)/s en fracciones parciales.
Z(s)/s en fracciones parciales.

Y(s) en fracciones parciales.
Z(s) - 10
-
+ 4s + 4 + 2s2 + 2s + 40
S2
103 (s
(s + 2? 4)(S2 - 2s
+ 10)'
Z(s) en fracciones parciales.

Y(s) en fracciones parciales.
Esta funcin es real no positiva porque tiene dos polos con partes reales positivas y viola la regla 4. Los polos se localizan en s = - 4 Y s = 1 3j. Si la funcin requerida es real no positiva, simplemente significa que la funcin no se puede realizar mediante una sola etapa del tipo de la figura 8-13. Para realizar una funcin real positiva se analizar aqu nicamente el mtodo de F oster. Para que una funcin dada de impedancia sea realizada por una red RC, es necesario que 1. Todos los ceros y polos sean simples y tengan partes reales negativas o cero (sin partes imaginarias). 2. Los polos y ceros se alternen.
Figura 8-13
Etapa de TEC con carga
Z(s).
240
AMPLIFICADORES
DE VARIAS ETAPAS
PROBLEMAS 3.
241
~1
S2
+1 + 4s + 16
S2
S2 + 1 --
s s2+4s+16
4.
Z(s) _ 1
106 s(s
+ l)(s + 2)
10 s
i -s+1
-s+2
En la figura 8-15 se muestra una red que da la A(s) necesaria para el ejemplo 4. Es posible hacer otras redes, puesto que la funcin real no positiva puede descomponerse en un nmero infinito de trminos.
Figura 8-14 Realizacin de Z(s) como se da en el ejemplo.
Ejemplo.
Considrese
la sntesis de la funcin real positiva de impedancia Z(s)
+ 3s + 1 = s(s + 1) .
S2
~f5,~!tL
Figura 8-15 Realizacin del ejemplo 4.
Dividiendo el numerador
entre el denominador,
se obtiene
Z(s)
= 1+
2s s(s
+ 1 = 1 + 2(s + t) + 1) s(s + 1) .
El primer trmino, 1, es una resistencia en serie de 1 n. Es obvio que los polos y los ceros alternan y la frecuencia crtica menor es un polo en s = o. Entonces puede realizarse un circuito RC La expansin en fracciones parciales da Z(s)
Para sintetizar prcticamente una A(s) dada, se considera que las etapas de TEC, incluyendo la polarizacin de la compuerta, no deben disminuir la carga del circuito precedente y, adems, se requiere que se suministre la fuente VDD para cada etapa. En la figura 8-15, VDD puede ser suministrada a las etapas 2 y 3 a travs de la resistencia de 1 n; para la etapa 1 se pone una resistencia alta en paralelo con el condensador, con el mismo propsito.
PROBLEMAS
8-1. Compruebe las ecuaciones (8-16). 8-2. Usando las ecuaciones (8-16) compruebe Que la ganancia de potencial es igual a 123.8 cuando se efecta el cambio n.? 5 a los valores nominales de los elementos en el ejemplo de la seccin 8-2. 8-3. Dos transistores se conectan en sucesin para alimentar una carga de 2000 n. Cada uno tiene los siguientes parmetros: hib = 50 n, hrb = 10-4, hfe = 60, hob 10-6 omh. a) Calcule la ganancia de potencia del par si el primero se conecta con base comn y el segundo con emisor comn. b) Calcule la ganancia de corriente del par si ambos transistores se operan en emisor comn. Para resolver a) y b) utilice el mtodo compuesto de parmetros h. 8-4. Considere el circuito de la figura. Las resistencias de polarizacin de la base son muy grandes, de modo que pueden despreciarse. Las resistencias sobrepasadas se consi-
= 1 + l/s + l/(s + 1).
El trmino l/s se reconoce como un condensador de 1 F en serie y 1/(s + 1) como la resultan te paralelo de 1 n y 1 F. * El circuito resultan te se muestra en la figura 8-14. Ntese que si se da una Y(s) igual a Z(s), la expansin dar trminos negativos. Para sintetizar una fUncin real no positiva se puede hacer uso de etapas TtC en sucesin, ya que cualquier p(s)/q(s) con polos y ceros en la parte izquierda del plano o en el eje imaginario se puede expresar como el producto de funciones reales positivas.i Una vez que la funcin se ha descompuesto en partes reales positivas, cada parte puede considerarse la carga de una etapa de TEC. Ejemplos.
funciones reales no positivas
descomposicin s s+2 s
en s
1. 2.
S2
s+2 s(s
+ 1)
--
-s+1
~RL1= 25kf!
~RL2= 25kn
* Se usan aqu valores ridculos como capacidades de 1 F para simplificar la presentacin. Si se desea, se puede expresar en trminos similares un problema real por medio de tcnicas de normalizacin.
Problema 8-4
242
AMPLIFICADORES DE VARIAS ETAPAS

sin efecto
'b
PROBLEMAS
243
'e = 25 n,
deran
= 130 n, 'e = 106 n,
sobre
las ganancias
del circuito y las impedancias. y O! 0.975. Se pide calcular
Cada transistor tiene 10 siguiente usando
cualquier mtodo conveniente: a) La ganancia de corriente del amplificador compuesto. b) La resistencia de entrada del amplificador compuesto. ~-5. Para el circuito de dos etapas del problema 8-4, calcule 10 siguiente: a) La ganancia de potencial total. b) La resistencia de salida del amplificador cuando la primera etapa se conecta a una fuente de 4000 de resistencia interna. 8-6. Tres etapas distintas se conectan en sucesin. Con los datos que se dan a continuacin determine el ancho de banda total.
8-14. Se debe analizar la sucesin unpolar-bipolar que se muestra. El TEC se caracteriza por 1DSS = 5 mA, Vp = 5 V y est operando a V GS = i V. El dispositivo se comporta de acuerdo con la relacin de la segunda potencia, to =IDSS(1 -IVGs/vpl)2. El transistor convencional opera a 1C = 1.5 mA, con hfe = 50, "bb' ~ O. Considrese despreciable la corriente de compuerta. Encuentre: a) El potencial directo compuerta a tierra ID, gm Y VDS b) La carga dinmica en el TEC en su terminal de salida. e) El potencial de seal en el punto X con Vg = 1 mV. d) La ganancia total de potencial, IVo/Vgl. El TEC est conectado con fuente comn. -40
f(Hz) Etapa uno Etapa dos Etapa tres
fh(Hz)
30 44
60
42,000 50,000 80,000
1.72 (108)
8- 7. Demuestre que un arreglo iterativo, repetido, de etapas de base comn con acoplamiento directo o capacitivo no da amplificacin til de potencia. 8-8. Compruebe las ecuaciones (8-20) a (8-23). 8-9. Un transformador de acoplamiento particular se designa como 4000CT : 1000CT; el nmero representa la relacin nominal de impedancias y CT indica que hay una derivacin central. Para este transformador calcule 10 siguiente. a) La resistencia reflejada en el primario completo si el secundario completo se conecta a 400 b) La resistencia reflejada si cada mitad del secundario est conectada a 400 e) La resistencia reflejada a una mitad del primario si el secundario completo se conect a 900 n. 8-10. Para el ejemplo de diseo del servoamplificador, calcule 10 siguiente, usando la informacin sobre el 2N539A del Apndice 1: a) La potencia disipada en la unin de colector para cada transistor Clase B a sobrecarga mxima. b) La medida mnima de un disipador vertical, cuadrado, de aluminio de 3/32 de plg., necesario para mantener la temperatura de unin por abajo de 60 C en un ambiente de 40 C. Suponga 1.0 C/W para la arandela. 8-11. Por 10 comn es necesario el desacoplamiento, en circuitos de varias etapas de alta ganancia. a) Qu es el desacoplamiento? b) 'Cmo puede incorporarse el desacoplamiento al segundo ejemplo de diseo? Haga un esquema. 8-12. Se tienen dos etapas en cascada de etapas de emisor comn, con resistencia de emisor Re2 en la segunda etapa y resistencia de carga de colector RC! a la salida de la primera. Hay un valor de Re2 que haga mxima la ganancia de potencial total? 8-13. La conexin compuesta de dos transistores, como se muestra en la figura, es til algunas veces para amplificacin de seal. Considrese cada transistor caracterizado por slo dos parmetros, hte y hfe' Encuentre las expresiones para los parmetros h y hf del par. Los transistores no se consideran idnticos.
5kn
n.
n.
Problema
8-14
8-15. siguientes K(s
Use el nmero mnimo de etapas en sucesin TEC necesario para sintetizar las funciones de transferencia de potencial. K representa la constante de ganancia.
a)
l)(s
+
s
2)(s
3)
e) Ks(s
+ +
105)(s
104)2
(s d) K(s
S2
+ 106)
5)
K(S2
b)
S4(S
+ 4)(s + 1) + 2)
+S+1
Problemas de diseo. En los problemas que siguen, efecte las operaciones necesarias para obtener un circuito que cumpla con las estipulaciones que se dan. Para cada solucin, seleccione tipos de transistor del Apndice 1 y encuentre el arreglo de polarizacin. Corrija los parmetros de centro de diseo para el punto de operacin y la temperatura, y en cada solucin puntualice cualquier consideracin que 'haga e indique claramente los pasos que orientan la seleccin de cada componente.
8-16. 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. Especificaciones
Frecuencia de portadora: 800 Hz. Resistencia de carga: 100 U Resistencia de entrada: 2000 200 Potencia en la carga: ms de 5 W. Ganancia de potencia: 45 dB (mnimo). Temperatura: 0 a 50 C. Fuentes disponibles: a eleccin del diseador.
n.
8-17.
Especificaciones: en frecuencia: 10,000 de carga: 1000
Problema
8-13
1. Respuesta 2. Resistencia
n.
a 30,000
Hz.
244
3. Resistencia de entrada:
4. Ganancia de potencial:
AMPLlFICADORES
DE VARIAS ETAPAS
'
10,000 1000 n. 100 mnimo, relacin de potencial en la carga a potencial en
la entrada del amplificador. 5. Caractersticas de la fuente: resistencia de 10,000 a 10 mV. 6. Temperatura: 25 C. 7. Fuente de poder: + 10 V.
n en
serie con un generador de O
CAPITULO
BIBLlOGRAFIA
1. Coblenz, A., y Owens, H. L., Transistors: Theory and Applications, McGraw-Hill Book Co., lnc., Nueva York, 1955. 2. Shea, R. F., Transistor Circuit Engineering, John Wiley & Sons, Inc., Nueva York, 1957. 3. Van Valkenburg, M. E., /ntroduction to Modern Network Synthesis, John Wiley & Sons, Inc., Nueva York, 1961.
Estabilidad de ganancia
El problema de amplificar linealmente seales elctricas, variables en el tiempo, con dispositivos electrnicos y con un grado satisfactorio de predecibilidad, ha demandado la atencin del ingeniero desde que DeForest invent el tubo al vaco en 1906. Segn sus palabras ... cualquiera que tenga una experiencia considerable en bulbos audin debe admitir que el comportamiento de los diferentes bulbos vara en muchos sentidos y en un grado asombroso. 2 Las mejoras en las tcnicas de produccin resolvieron el problema de las amplias variaciones observadas por DeForest, pero ha subsistido el del envejecimiento. Con el advenimiento del transistor "eterno" en 1948, se agudiz el problema bsico de las variaciones de parmetros. Un amplificador transistorizado debe proveer una amplificacin estable tomando en cuenta las variaciones de unidad a unidad en las caractersticas ms significativas, que pueden ser hasta de 4: l. Adems de las variaciones en las caractersticas estticas y en los parmetros causados por las amplias tolerancias de manufactura, tambin se deben eliminar los efectos de los cambios de temperatura ambiente sobre el dispositivo activo. La aparicin en el mercado de los transistores de efecto de campo, con la variedad de sus caractersticas, ha hecho an ms evidente que las variaciones de unidad a unidad y los efectos de temperatura representan problemas importantes que se deben superar a fin de obtener' un rendimiento adecuado de los dispositivos modernos. El mtodo comn que se emplea para compensar las variaciones en los parmetros es el uso de retroalimentacin degenerativa. En este captulo se examinar el efecto de la retroalimentacin local sobre la operacin de circuitos de una sola etapa. La discusin se limitar a la estabilidad de la ganancia de potencial en tales circuitos. La estabilidad de la ganancia de corriente y de los niveles de impedancia son temas cuyo anlisis es importante, pero estn fuera del alcance de esta obra. 9-1 Estabilidad dinmica del transistor. La ganancia en potencial Vo/Vg de una sola etapa, descrita en la figura 9-1, se dio en el captulo 5 como Av ~ gmheRL/[he
+ gmRx + gmRe(1 + he)]'

245
(9-1)
418
APENDICE 1
CARACTERISTICAS
120
~ -3.-------.i-------.i------~. ...J
> ~
e a:: 1z
...J
(..)
TIPICAS TMB=25C
~
~100 w
1Z
..-....,
a:: a:: 860

w
80
<,
HFE'
Lc=lcso
,;
r-,
"'"
lB (PMx.
-21
/
,
APENDICE
II
e
::; 40
(..)
<,
r-Mn.
-2 -3
~I e
-1
1./
I
~Mn.
I
I
z
~
(!l
VCE=-2V
20
Anlisis matricial
-1
CI..
01 O
-1
-2
-3
CORRIENTE
DE COLECTOR le' AMPER ES

__
CORRIENTE
~ 150
I I
DE COLECTOR
le' AMPERES
I I
-3
en -2 w
i
-40
:J: o
::x::""
'ro
A. Reglas del lgebra de matrices 1. Igualdad de matrices. Dos matrices [a] y [b] son iguales cuando cada elemento de [a] es igual al elemento correspondiente de [b]. Si [a] entonces a11
a:: w CI.. :;
e 100 I -c
a::
1-
I
H
-c
w w
501
(..)
rr;-
'VaE
Mx.2N539
= [b],
Mx.2N539A
bl1, a12
bl2, etc.
~ ~u-lr-~~~t_--~~~------~
1............ T
z
O
2. Adicin y substraccin de matrices. La suma, o diferencia, de dos matrices es una matriz en la cual cada trmino es la suma, o diferencia de los trminos correspondientes en las dos matrices. As si [a] entonces
e11
Ir-"
O
_uo
3=
-40
ti;
~ OI
1 _
w. T -2
[b]
Cl2
= =
[e], al2
-20
-60 a::
-1
-3
VeE VOLTS
CORRIENTE
DE COLECTOR le' AMPER ES
= a11 + bll'
+ b12,
etc.
3. Multiplicacin de matrices. El producto de [a] y [b] tiene sentido slo si el nmero de columnas de [a] es igual al nmero de hileras de [b]. Entonces
MONTAJE Es muy importante que un transistor de potencia cuente con un buen disipador de calor. La superficie a la cual se va a sujetar el transistor debe ser plana y libre de rebabas, La tuerca debe estar bien apretada (lmite del torque de 1.0668 m-kg, cuando se usa contra una base de metal o con una arandela, cuidando que todas las partes estn limpias y secas.
DIMENSIONES Y CONEXIONES
.152
[e]
= [a] x [b]
k=n
y
E
8aSe~;l,I.
.054~
Emisor Se dan dos ejemplos:
cij
.107--'-f
--
'
-, Co~~ctor I tDlam.
k; I
aikbkj'
~~ m.ontajeit dirn. t~Superfl.cle lisa d.e if-T rT177:mil>m,--'I"'1::::-J""1 _""''7T!:J';.fJ..7TTT ll,1on~~Jep~ra .dl __ -t~ D.L.l.i.=J...t.'io/i sipacron trmica -1Gua aislante ....L .&. Las flechas indican ~ Lmite de apriete de el flujo trmico la tuerca lato nada 8-32NC-28 150 plg./oz. i~perforacin ~
.L ~,~
XII [ X21 y
X12] [Yl1 X22 Y21 YII [ Y21
Y12] Y22
[(Xl1Yl1 (X2IYII
+ X12Y2I) + X22Y21)
(Y21VI
(XllYI2 (X21Y12
+ XI2Y22)] + X22Y22)
j
-1
.542
Yl2][VI] Y22 V2
= [(YIIVI
+ Yl2V2)] + Y22V2)
, ., dim.
En general no es vlida la ley conmutativa. [a][b] # [b][a].
420
APENDICE 11 APENDICE 11 de matrices obedece las leyes asociativa y distributiva B. Propiedades de la red de cuatro terminales terminada Para e ncontrar Dado
,
421
Pero la multiplicacin ([a]
+ [bJ)
x [e]
[a] x [e]
+ [b]
=
x [e],
[a] x [b] x [e]
= ([a]
x [b]) x [e]
[a] x ([b] x [ej).
Al multiplicar una matriz por una constante K, cada elemento de la matriz se multiplica por K. Entonces K[a]
z
/1%
I
012
I
b12 b11
[a'],
Z,
+ Z11ZL + znZG + ZG + Z11ZL

+ ZL
I I
I
1 -rY22ZL
Y11
h11
+ /1hZL
g22
con al1' = Kal1, an' = Kan, etc. 4. Inversin de matrices. No es posible dividir por una matriz. Sin embargo, para lograr este resultado se usa la inversin de matrices. Para hallar [i] de la ecuacin de matrices [v] se multiplica por
[Z]-l
Z22 +ZL
+ /1'ZL + /1'ZG
1 + h22ZL
h11 +ZG /1h
/1"
g22
+ ZL + g11ZL
a22 a12 a11
+ 021ZL + a21ZL + a22ZG + a21ZG

ZL
+ bnZL + b21ZL + b11ZG + b21ZG

/1b ZL
Z.
/1%
I 1 + Y11ZG
Z11
Y22
+ hnZG + /1hZL
+ /1'ZG + g11ZG
g21ZL
b12 bn
[z][i],
-A.
Z21ZL -Y21ZL -h21ZL h11
/1%
[zr1[V] [i] entonces, es el producto de
[zr1[z][i]
1 + Y22ZL
Y21 Yll
g22 +ZL
au
+ a11ZL
-1
bu
+ b22ZL
_/1b
[i].
= [1] = [~
[Z]-l
y [v], porque [zr1[z]
~l
A,
-Z21 Z22
h21
-g21
+ /1'ZL
1 + h22ZL
/1"
+ gl1ZL
a22
+ 021ZL
b11
+ bUZL
La inversa de una matriz se simboliza por [a]-l. triz inversa se obtienen de [aijr1
Los elementos de la ma-
[L\ijYlD
tl es el determinante de parmetros. Por ejemplo, si deben definir se los parmetros x, /1% = X11X22 - XUx21.
D" es el determinante de la] y tl es el cofactor de la columna z-sma, hilera j-sima. [tl)f representa la matriz cofactor, transpuesta. La transposicin es el
intercambio de hileras con columnas. As
[ar1 =
[a11 a21
a12] a22
-1
=~ [
D
Q
a22 -a21
-a12]
al1
422 C. Conversin de matrices Para mcontrar

I
APENDICE II
Dado
Z
y /:;.h h22
h
-Y12
U h12
h22
~ U11 -U12 U11
b
/:;.a
a21
Y22
a11
a21
bn
b21 /:;.b b21
1
b21
/:;..
[z] -Y21
/:;..
Y11
/:;.. /:;.. ;; ;;; h

1 h11
-
-h21
U21 U11
u:;. ~
UJ2
U22
/:;."
an a21
b11
b21
Respuestas a algunos problemas seleccionados

1-2. R = 100 n 1 = 10 mA 1-9. 199,200 1-13. 40, 100, 2 1-16. 1004.95 .LA, 4.95 .LA, 0.99, 505 .LA 2-2. 38.6 V 2-6. 1.12 X 1013 pares 2-7. 0.52 ncm, 33 n, 0.204 n 2-9. 3.65 x 106 A/m2 3-14. -0.55 mA, +0.81 mA 3-15. 28.9 kn 3-22. 4.5 Mn, 20 kn 3-27. 212 + 0.038RB, 42.3 + O.OO4RB 3-28. VC2 = 5.09, VCl = VE2 = 0.04, VB2 = 0.32, VEl = -2, VBl = -1.72 6 4-4. h i: = 2000, h12 = 2 X 10-3, h21 = 30, h22 = 20 X 106 4-11. hi, = 528, h-, = 7.67 x 10-4, hn = 29.6, hoe = 69.4 X 104-12. fOle = 150kHz,h,<o = 65.7, fT = 9.85 MHz.h,e (lMHz) = 9.74 6 4-16. Um = 0.06, rs = 3333, rs = 667, ree = 2.5 x 10 , rs = 3.33 X 106, Cs-, = 191 pF, Cb'C = 1 pF 5-11. Ri = 41.2, Ro = 143kn, Av = 1110 5-15. Av = 542, Ai = 152, G = 82,300 5-24. 747 pF, 1.42 MHz 5-25. 800, 2200 pF 6-2. 0.53 .LF 6-6. 19.5 .LF 6-9. Re = [hfbRL/(l + RLhob] - hs 6-11. Para RL > 500, la etapa de transistor es superior 7-4. 83.3 mW, 111 mW 7-9. 18: 4; 12 V, 0.67A; 8 W; 1.33 A 7-14. 6.95 W 7-15. 8 p1g2 sobreverticalde 0.476 cm 8-4. 722, 1105 8-9. 1600, 3200, 900 8-13. h, = hr: + h/2(l + h'l)
Z22
-Z12
-h12
h11 /:;.h hll
/:;." Un
an a12
_/:;.a
aJ2
b11
bJ2
-1
b12 bn b12 1 b11 b21 b11
/:;..
[y]
-Z21
/:;..
Zl1
i;
hll
-Y12 Y11
-U21
/:;..
/:;.. 1
Y11
g;;
Un
1
0:2
-1
;;;
a11 a12
_/:;.b
bJ2
/:;..
Z22
Z12
Zn
-U12
a12 a22
/:;.a
a22
b12 b11 _/:;.b b11
/:;.0
/:;."
U11
~]
-Z21 -;;; ~
Y21 Y11
y;:
Y12 Y22
/:;..
-U21
/:;."
-
-1
~
a21 a 22
/:;.0
1
~11
-ZJ2 Z11
/:;..
Yn
h22
-h12
21
_/:;.a
~
b21
b22 /:;.b b22
-1
b22
t;!i
-h21
-;;t
h11
/:;.h
a11
~]
Z21 Z11 /:;..
Zll -Y21 Y22
1
Yn
1
a11
aJ2
a11
b12
b22
bJ2
-;;;r
_/:;.h
Z11
Z21
/:;..
Z21
-Y22
-1
Y21
ht
-/:;.' Y21
h21
-h22
-;;;-1
-h11
1
U21
Un U21
b22
-;;f -;;f
b21 b11
~] 1
Z21
Z22 -Yll Y21 U11 U21 /:;." U21
Z21
h21
1 h12 h22 h12
h21
-;;f -;;f
a22
Zn
/:;.. Z12
-Y.11 Y12
-1
yJ2
n.,
hJ2
-/:;."
U12 -U
-Un U12
aJ2
ZJ2
/:;.a
a21
/:;.a
a11
[b] -
Z11 Zl2
ZI2
-YI2
-/:;.'
-Y22 Y12
/:;.h hl2
11
-UI2
-1
U12
/:;.a
/:;.a
8-14. (a) -2.2,3.2 mA, 0.0016, -11.2; (b) 3.22 kn; (e) 5.15 mV; (d) 174
LI.')'~
hi
he:
+ hi2(1 + hfl)
424 9-6. 9-9. 10-1. 10-4. 10-7. 10-13. 11-1. 11-11. 11-12. 12-11.
RESPUESTAS A ALGUNOS PROBLEMAS SELECCIONADOS
40, 0.33, 126, 10.8 y 11.3 (a) 0.7,0.6, 1.25, 1.95; (b) 2460; (e) alrededor de 2500; (d) 1.15 13.04, 1.1 % ZI, = ZI/(1 - BA), Zo, = Zo(l - EA) 48.5,38.9. 13.9, 1.87,0.19 107, 500 ,143 p.V 30.8 dB (a) 2.73, (b) 1.14MHz,(c) 1.29 dB, (d) 5220 n (a) 252,000 Hz, (b) 3,170, (e) 253,000 Hz, (d) alrededor de 0.4 % 12-16. ma2/2 X 100%, 225 W 12-18. m = 0.4 13-1. 65.3 mA 13-2. (a) 0.22 mW, (b) 22 mW, (e) 8.45 mW 13-15. T = T4 = 0.0018 seg
ndice alfabtico
"A"
Aceptador, 42 Acoplamento, capacidad de, 176 directo, 279 entonado, 316 por transformador, 173 Acoplamiento directo, circuitos de, 279 Acoplamiento entre etapas (vea Acoplamiento) Adicin binaria, 392 Admitancia colector- base (vea Parmetros) lgebra booleana, 392 Ala, definicin de, 25 aparente, 143 variacin en frecuencia de, 119 Alfa, frecuencia de corte, 72, 120 Alfa mayor que la unidad, 68 Alta frecuencia, compensacin de, 315 Alta frecuencia, consideraciones sobre, 151,314 Alta impedancia, diseo de circuitos de, 188 A1\I, receptor de, 276, 360 Amplificacin de corriente, 24 de potencia, 24 de potencial, 32, 36 Amplificador alternador, 284 Amplificador entonado, diseo del, 326 Amplificador, de AM, 351 acoplado con transformador, 173 con acoplamiento Re, 175 con retroalimentacin, 257 de acoplamiento directo, 279 de banda estrecha, 321 de F.I., 322 de grandes seales, 197 de potencia, 197 de RF, 322 de una sola etapa, 171 de varias etapas, 207 de video, 315 diferencial, 283 especi ficaciones, 156 estreo, 312 entonado, 326 operacional, 287 servo-. 230 Amplificador de suma, 287 Amplificador integrador, 288 Arnplificadorcs de potencial, 32, 36 Amplificadores de seal grande, 197 Arnplificadores de video, 313, 384 Amplificadores en cascada, 223, 266 Amplitud, modulacin de, 346 An.itisis en extremos del 'f'EC, 95 del transistor. !lO An lixis de cuadros. 223 An.ilisi del parrnetro a, 229 An lisis instantneo. 163 Anlixis matricial. 16.~ Analo~a tubo-transistor, 17 Ancho de banda. 320 de cascada, 22.~ r-xtcnsin de, 150, 261 Anodo, RSC, 61 Antimoniuro de aluminio. 39 Armnicos. osciladores (vea Osciladores) Arsnico, 41 Avala ncha , ruptura por, 48, I[/,J Aumento. 35, 61 .\utopolarizacin modificada. 95 Autopolarizacin del TEC, 95 del transistor. 86 Autopolarizacin modificada. 9;;
"BU !laja frecuencia, compensacin en, 314
"125

Analisis y Diseño de Circuitos Con Transistore - Fitchen - F

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7.

Anlisis y diseo de circuitos

con transistores \.J

OEPTO. DE: AOQUI51CION

INTRODUCCION A LOS TRANSISTORES

Polarizacin para 10s transistores: a) unidad p-n-p;

notar tambin que (J

CORRIENTE DE BASE EN MICROAMPERES Figura 1-10

Curvas caractersticas de transferencia para un transistor tpico p-n-p.

con los valores anteriores.

SATURACION y CORTE 28 INTRODUCCION A LOS TRANSISTORES

(1-15) Entonces (1-16)

resultante de colector es Iceo

y la ecuacin (1-15) puede escribirse como

'" -150 I '" :;;

Regin de saturacin de un transistor p-n-p de potencia media, en conexin de emisor comn.

Polarizacin para un TEC de unin de canal p.

INTRODUCCION A LOS TRANSISTORES

PARAMETROS DEL TEC

Definiciones grficas de IDSS e IGSS.

Caractersticas de fuente comn para un TEC tpico de unin de canal p.

34 rriente de fuga l oss-

INTRODUCCION A LOS TRANSISTORES Este parmetro se comporta de la misma manera que

Modo por ",,,,",,ro;,,to

INTRODUCCION A LOS TRANSISTORES

Fsica de semiconductores y dispositivos semiconductores

,..40 \ FISICA DE SEMICONDUCTORES IMPUREZAS 41

Grupo 3 Borolo.8 . . 13 AlummlO27 Galio~~. 7 lndio~~4.8

Grupo 5 Ntrgenoj , Fsforo~l Arsnico~~ An tm 01110 2 1.8 1

Porcin de la estructura cristalina de germanio perfecto.

La adicin de un donador resultado un electrn libre.

al cristal de germanio de la figura 2-1 da por

FISICA DE SEMI CONDUCTORES

DIAGRAMA DE NIVELES DE ENERGIA

La adicin de un aceptor al cristal de gennanio de la figura 2-1 da por resultado un hueco.

Ubicacin original del hueco

Movimiento / del electrn \

fir.al del hueco

Ubicacin de los niveles de donadores Ubicacin de los niveles de acepto res

Ubicacin de los niveles de mpurifcado.

a:: w z w Banda de valencia

a:: w z w Banda de valencia

Represen tacin de slidos por medio de diagramas a) aislador; b) semiconductor; e) conductor.

Diagrama de niveles de energa de la unin pon.

La unin pon: a) despus de la difusin y la recombinacin; b) distribucin de cargas; e) barrera de potencial.

Unin pon con potencial aplicado: a) polarizacin inversa; b) polarizacin directa.

OPERACION DEL TRANSISTOR

Curva caracterstica tpica para una unin (diodo) pon.

= alE + ICBO = lE' = (/3 + 1)lcBo = ICEO'

Corrientes en un transistor n-pon.

CAPACITANCIAS DEL TRANSISTOR DE UNION

Unin del emisor Borde de la regin desrtica I

minoritarios en la regin de base de un transistor

del transistor, gm' se define como

(2-M) como C == dQjdV.

debida a los electrones, A/m2

FABRICACION DEL TRANSISTOR

Variables definidas para el estudio de la capacitancia de barrera.

se substituye en la expresin para V2, se obtiene X2

FABRICACION DEL TRANSISTOR

Indio Terminal del emisor

Terminal de la base Terminal del emisor Capa protectora de Si02

Fabricacin del transistor: a) unin de aleacin; b) mesa; e) planar; d) epitaxial,

Grupo 3 Borolo.8 . . 13 AlummlO27 Galio. 7 lndio4.8