Semiconductores

Índice
n Movilidad y conductibilidad
n Densidad de corriente
n Estructura cristalina de los semiconductores intrínsecos
n Impurezas donadoras
n Impurezas aceptadoras
n Unión p-n (diodo de unión)
n Polarización inversa del diodo
n Polarización directa del diodo
n Características tensión-corriente
Movilidad y conductibilidad
Movilidad y conductibilidad

n Movimiento al azar de electrones – corriente media cero

n Aplicando un campo eléctrico los electrones se aceleran
n Colisión con iones limita la velocidad
n Para un tiempo t la velocidad es = at donde

n La velocidad media viene dada por

n µ se denomina movilidad de los electrones (m2 / V seg)

Densidad de corriente

T = tiempo que tarda un electrón en

recorrer L metros
Conductividad

σ = conductividad del material (ohm-metro)-1

Estructura cristalina de los semiconductores
intrínsecos
Generación térmica de un par electrón - hueco
Corriente de huecos y electrones
Impurezas donadoras
Impurezas donadoras
Impurezas donadoras

n Impurezas donadoras (5 electrones): antimonio, fósforo y

arsénico
n Nivel permitido 0,01 eV Ge (0,05 eV Si) de la banda de
conducción
n Genera exceso de electrones (material tipo N)
n Disminuye el número de huecos
n Portadores :
¨ Mayoritarios: electrones
¨ Minoritarios: huecos
Impurezas aceptadoras
Impurezas aceptadoras
Impurezas aceptadoras

n Impurezas aceptadoras (3 electrones): boro, galio y indio

n Nivel permitido 0,01 eV Ge (0,05 eV Si) de la banda de
valencia
n Genera exceso de huecos (material tipo P)
n Disminuye el número de electrones
n Portadores :
¨ Mayoritarios: huecos
¨ Minoritarios: electrones
Recombinación y tiempo de vida

n Número de huecos = número de electrones

n Agitación térmica genera pares electrón – hueco

n Otros pares desaparecen por recombinación

n Tp (Tn) seg vida media de un hueco o electrón

Propiedades eléctricas del Ge y Si

n Corriente en un metal unipolar (electrones)

n Corriente en semiconductores bipolar (electrones-huecos)

n µn (µp) movilidad de los electrones (hueco)

n n (p) valor de concentración de electrones (huecos) libres
región prohibida Si (1,1eV ) 27ºC

región prohibida Ge (0,72eV )27ºC

Difusión

n Semiconductor con concentración no uniforme de partículas

n La concentración varia con X
n Gradiente de concentración
Difusión

n Los huecos se moverán en dirección X (agitación térmica)

positiva generando una corriente
n La densidad de la corriente de difusión de huecos es:

n Dp constante de difusión de los huecos (m2/seg)

n La densidad es negativa por ser el gradiente negativo
Relación de Einstein

n Tanto D (constante de difusión) como µ (movilidad de carga)

son fenómenos termodinámicos existe una relación entre
ellos (Ec. Einstein)

n VT .potencial equivalente de temperatura

Corriente total

n Puede existir sobre un semiconductor un gradiente de

potencial (campo eléctrico) y gradiente de concentración.
n La densidad corriente de huecos total sobre el semiconductor
es:

n La densidad de corriente de electrones es:

Índice
n Movilidad y conductibilidad
n Densidad de corriente
n Estructura cristalina de los semiconductores intrínsecos
n Impurezas donadoras
n Impurezas aceptadoras
n Unión p-n (diodo de unión)
n Polarización inversa del diodo
n Polarización directa del diodo
n Características tensión-corriente
Unión p-n (diodo de unión)
Unión p-n (diodo de unión)

n Inicialmente se genera un corriente de difusión

n Los huecos se combinan con los electrones difundidos en el
material P quedando iones negativos
n Los electrones se combinan con los huecos difundidos en el
material N quedando iones positivos
n Se origina la zona de desviación de carga espacial o agotamiento
n Esta zona no contiene portadores libres
n La anchura de esta zona es de 0,5 micras
n Se genera un campo eléctrico que se opone a la corriente de
difusión
n Finalmente la corriente se hace cero
Polarización inversa del diodo
Polarización inversa del diodo

n La polarización tiende a llevar a los huecos del tipo P y

electrones del tipo N lejos de la unión
n Aumento de la zona de agotamiento
n Para haber un afluencia de huecos en el material P debe
alimentarse de los electrones del material N
n Por tanto la corriente de mayoritarios es cero
n Fluye una pequeña corriente inversa de minoritarios
(Corriente inversa saturación del diodo)
n Io depende de la temperatura y no de la tensión aplicada
Polarización directa del diodo
Polarización directa del diodo

n Reduce la zona de agotamiento

n Los huecos atraviesan la unión desde el material P al N
n Los electrones atraviesan la unión desde el material N al P
n La corriente total es la suma de la corriente de huecos y
electrones
Características tensión-corriente

n η=1 Ge o 2 Si (I moderada)
Características tensión-corriente

n En polarización inversa |V| << VT y I ≅ -Io

n Io depende de la temperatura y el semiconductor
n Io Ge 1000 mayor al Si
n En polarización directa |V| >> VT la corriente aumenta en
forma exponencial
n Por encima de la tensión Vγ (umbral) la corriente sube muy
rapidamente
n Vγ es aprox. 0,2V Ge y de 0,6V Si
Características tensión-corriente Corrientes elevadas

n Para corrientes elevadas un aumento de la tensión no implica

un incremento muy grande en la intensidad de corriente

n Esto se debe a la resistencias ohmicas del material conductor

n En esta zona el aumento de corriente es lineal en lugar de

exponencial
Características tensión-corriente Región de ruptura
Características tensión-corriente Región de ruptura

n A esta tensión critica circula una alta corriente inversa

n Efecto avalancha
¨ Portadores térmicos chocan con los iones generando pares
hueco-electrón
¨ Estos nuevos portadores chocan nuevamente generando más
pares hueco-electrón (multiplicación por avalancha)
n Ruptura Zener
¨ El campo eléctrico externo rompiendo enlaces covalentes
¨ Los pares hueco-electrón aumentan la corriente inversa
¨ No existe colisiones
Características tensión-corriente Efecto de la
temperatura
Características tensión-corriente Efecto de la
temperatura

n La variación de Io con respecto a T es de 8%/ºC para el silicio

y de 11%/ºC para el GE
n Experimental mente se obtiene que la variación es de 7%/ºC
n Como 1,0710 ≅ 2 la corriente inversa se duplica
aproximademante por cada 10ºC