Fase 5 - Desarrollar el componente práctico in situ del curso

Docente:

Steven Bedoya

Estudiante:

Germán Toro Sánchez

Grupo:

203039-27

Curso:

203039 – Electrónica de Potencia

Universidad Nacional Abierta y a Distancia UNAD

Ingeniería Electrónica

CEAD Palmira

Mayo 15 2022

1
 Contenido
Contenido..........................................................................................2

Introducción.......................................................................................3

Práctica No.1 Características del SCR..................................................4

CONCLUSIONES PRÁCTICA 1..............................................................10

Práctica No.2: Características del MOSFET..........................................11

Características de transferencia........................................................11

Características de drenaje:...............................................................15

Pregunta:......................................................................................16

CONCLUSIONES PRACTICA 2..............................................................16

Práctica No.3: Control de velocidad de un motor DC por PWM...............17

CONCLUSIONES PRÁCTICA 3..............................................................22

REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS..........................................................23

2
 Introducción
En este documento se presenta el desarrollo del componente práctico que

comprende los circuitos que evidencian las características de los

semiconductores de potencia, que comúnmente se usan para el control de

circuitos de potencia, es así como algunos dispositivos electrónicos se

pueden controlar con muy bajas corrientes, pero estos a su vez manejan

cargas con corrientes mucho más alta como los transistores de compuerta

aislada y un PWM para un motor DC.

Por lo tanto, se muestran uno a uno las diferentes topologías y su

respectiva evidencia gráfica desarrollando los registros de datos obtenidos

en las simulaciones, cálculos teóricos y comprobaciones en el laboratorio o

registro experimental.

3
Práctica No.1 Características del SCR

Figura 1. Circuito SCR.

1.1 Realice el montaje del circuito de la figura 1, anexando los voltímetros

y amperímetros que sean necesarios a fin de monitorear estos
parámetros en el análisis del circuito.

Figura 1. Circuito montado en Protoboard.

4
1.2 Ajuste el voltaje de la fuente “V2” de modo tal que el voltaje VAK del
SCR sea aproximadamente 15 voltios.

Figura 2. V2 ajustado.

1.3 Con el potenciómetro “RV1” de 2K, vaya aumentando lentamente la

corriente que ingresa por el pin de disparo del SCR (IG), justo hasta que
el SCR conduzca. Responda a las siguientes preguntas:

a. ¿Cuánto fue el valor de la corriente de puerta que hizo conducir al

SCR?
R// Aproximadamente 3 mA

b. ¿Qué sucede con el valor del VAK y por qué?

R// Se establece en 0.7 VDC, ya que el SCR empieza a conducir.

c. ¿Cuál era el voltaje VAK y la corriente IAK justo antes del cierre del
SCR y justo después del cierre del SCR?
R// Antes de conducir el VAK es 15 VDC y IAK 0 mA. Al conducir el SCR

el VAK se establece 0.7 V y la corriente IAK se incrementa.

1.4 Siga aumentando la corriente IG (la que ingresa por el pin de disparo)
y vaya observando lo que ocurre con el voltaje VAK y la corriente IAK,

5
1.5 responda la pregunta: ¿hay o no hay cambios? Explique esta situación,
desde lo que sabe del comportamiento de los diodos.

R// El voltaje entre compuerta y fuente se queda en 0.7 V mientras

conduce el SCR, la corriente IAK se incrementa >3 mA y a medida que
se modifica la resistencia en RV1 aumenta la corriente de compuerta.

1.6 Una vez haya analizado el SCR en estado de conducción, ahora

reduzca lentamente la corriente de disparo, observando en cada

momento tanto el voltaje VAK como la corriente IAK. Explique: ¿por qué

no se vuelve a abrir el SCR (es decir pasar a estado OFF), si la corriente

de excitación de la puerta se volvió a reducir?

Ahora realice una reconfiguración en el circuito de disparo (circuito del

lado izquierdo) de forma tal que el SCR pase a estado OFF, y explique la

forma en que se debe proceder.

R// El SCR queda enganchado, sin importar que se disminuya la

corriente de compuerta. Esto se debe a que, el SCR tiene una corriente
de mantenimiento, a pesar de que la IGT este por debajo de 3mA, el
dispositivo sigue conduciendo, y solo pasa a estado off, cuando dicha
corriente es menor a la corriente especificada por el semiconductor. Por
consiguiente, para volver el SCR a estado de corte, es necesario
desconectar la alimentación V2, se observa que el SCR deja de conducir.

6
 Figura 3. V1 y V2 ajustado.

1.7 En la figura 5, se muestra un circuito de control con SCR partiendo del

diseño de la figura 1, en este caso la fuente de voltaje V2 se ha cambiado
por una fuente de corriente alterna de onda senoidal con 120 VRMS y
60Hz. Construya un circuito similar a este, según sus capacidades de
diseño; coloque a la salida del cátodo del SCR una carga para corriente
alterna (motor, bombillo, etc.). Instale un osciloscopio en los puntos A, B,
C, u otras posiciones que considere importantes analizar, para que
identifique el funcionamiento del SCR con corriente alterna. Analice los
valores de frecuencia, amplitud y forma de onda que presenta el
osciloscopio, y presente dos observaciones argumentativas sobre el
comportamiento del circuito (cada una de al menos cinco renglones),
puede guiarse con las preguntas que se le suministraron en los numerales
anteriores.

7
 Figura 4. SCR con carga en AC.

En el circuito de alterna, se observaron dos aspectos importantes. En

conducción el SCR corta la onda seno con que se alimenta el bombillo, y la
salida la desfasa por 180°, es decir, en el VAK se invierte en fase la señal de
alimentación.

Otra observación importante es al momento de disminuir la IGT, esta vez se

observa que el SCR deja inmediatamente de conducir y se establece en
estado de corte. Esto se debe a que, como se alimenta con AC, se tiene en
cuenta el cruce por cero de la onda, por lo cual la corriente de
mantenimiento es cero, y en este caso, el mismo se coloca en estado off
cuando se establece una IGT menor a la requerida de enganche <3mA.

8
Figura 5. SCR en estado de conducción.

Figura 6. SCR en estado de corte.

9
 CONCLUSIONES PRÁCTICA 1
 Se comprobó el funcionamiento del dispositivo SCR como interruptor
electrónico para el control de cargas de alta potencia con solo valores
bajos de corriente de compuerta (Gate).
 También se demostró que para cambiar de estado activo (ON) a
inactivo (OFF) se debe desactivar la alimentación del circuito.

10
Práctica No.2: Características del MOSFET

Figura 7.

El Mosfet

Características de transferencia

2.1 Realice el montaje del circuito de la figura 3, anexando los

voltímetros y amperímetros que sean necesarios a fin de monitorear estos
parámetros en el análisis del circuito.

Figura 8. Circuito en Protoboard vista frontal

11
 Figura 9. Circuito en Protoboard vista superior

2.2 Ajuste el divisor de voltaje de la fuente V4 de forma tal que el

voltaje del MOSFET sea VDS1 = 10 V, y teniendo el potenciómetro RV2
aproximadamente al 50% de su escala.

Figura 10. Voltaje del MOSFET sea VDS1 = 10 V

2.3 Ajuste el divisor de voltaje de la fuente de V3 de forma que VGS

inicie en cero voltios. Posteriormente, con el ajuste del potenciómetro RV3
(que hará las veces de ajuste grueso), vaya observando como disminuye el
valor de VDS y aumenta el valor de IDS en la medida que se va aumentando

12
el valor de alimentación de la puerta VGS, hasta llegar a 5 voltios. Al
acercarse al valor de voltaje VGS en el cual conmuta el Mosfet,

puede hacer uso del potenciómetro RV5 (ajuste fino), para que logre
identificar de mejor forma las condiciones eléctricas al momento del cierre.

2.4 Repita los pasos 2 y 3 anteriores para diferentes valores, de VDS

VDS2 = 12V
VDS1 = 15V

Diligencie las siguientes tablas con los datos tomados en su análisis:

  VDS inicial = 10 VDS inicial= 12 V VDS inicial = 15

V V
VGS(V. IDS(mA VDS(V IDS(mA VDS(V IDS(mA VDS(V
) ) ) ) ) ) )
0 0 10V 0 11,98V 0 15V

1 0 10V 0 11,98V 0,001mA 14,98V

2 4,498mA 14,1mV 4,797mA 13,5mV 5,860mA 16,2mV

3 4,507mA 0,1mV 4,815mA 0,1mV 5,883mA 0,2mV

4 4,51mA 0,1mV 4,817mA 0,1mV 5,884mA 0,1mV

5 4,512mA 0,1mV 4,818mA 0,1mV 5,885mA 0,1mV

Tabla 1. Comportamiento VGS versus IDS en el MOSFET

En todos los tres casos, seleccione un incremento gradual del voltaje VGS de
forma tal que pueda ir observando los cambios en IDS.

13
A partir del análisis de la anterior tabla concluya entonces ¿cuál es la mínima
tensión de disparo de puerta? que asegura la correcta conmutación del
Mosfet.

R/ La mínima tensión de disparo (voltaje Umbral) es 3 Volt. Ya que de

esta manera se puede garantizar confiabilidad en el funcionamiento del
MOSFET. El trabajar con 2 Voltios (voltaje en la frontera de activación),
puede ocasionar que el MOSFET se desactive o no cierre el circuito.

Consulte en las hojas de características de los fabricantes, ¿cuál es el valor

típico del voltaje VGS (llamado VGS (th) voltaje umbral) ¿qué asegura un
correcto funcionamiento del Mosfet sin riesgo de apertura?

R/

Figura 11. Datasheet MOSFET IRFZ44N

El voltaje de umbral según el fabricante está entre 2 y 4 voltios, es decir,

3 voltios.

14
Características de drenaje:

2.5 Ajustar el divisor de voltaje de V4 de forma tal que se tenga un

VDS = 10 V. Luego incrementar el VGS desde cero variando el divisor de
voltaje de V3 hasta encontrar el valor de corte a VTH – threshold voltaje
(Voltaje umbral). Registre este valor como

R/

VTH = 2 voltios

2.6 Con voltaje VTH entre puerta y surtidor (VGS1), varíe desde cero
el voltaje VDS y en cada paso registre el valor de la corriente IDS, hasta
encontrar que la IDS se mantiene constante, diligenciando estos valores en
la tabla 2 dada.

R/

Diligenciar la siguiente tabla

VGS1 = 3 VGS2 = 3,5 VGS3 = 4 VGS4 =4,5

VDS IDS VDS IDS VDS IDS VDS IDS

(mV) (mA) (mV) (mA) (mV) (mA) (mV) (mA)
0,1mV 4,071m 0,1mV 4,113m 0,1mV 4,105m 0,1mV 4,088m
A A A A
0,1mV 4,340m 0,1mV 4,294m 0,1mV 4,371m 0,2mV 4,404m
A A A A
0,1mV 4,520m 0,2mV 4,494m 0,1mV 4,541m 0,2mV 4,613m
A A A A
0,1mV 4,705m 0,2mV 4,728m 0,2mV 4,741m 0,2mV 4,781m
A A A A
0,1mV 4,99mA 0,2mV 5,151m 0,2mV 5,013m 0,2mV 5,075m
A A A
0,2mV 5,207m 0,2mV 5,339m 0,2mV 5,201m 0,2mV 5,149m
A A A A
0,2mV 5,45mA 0,2mV 5,60mA 0,2mV 5,473m 0,2mV 5,442m
A A

15
 Tabla 2. Comportamiento voltaje VDS vs IDS en el MOSFET
2.7 Repetir el paso anterior (6) en variaciones de (VGS2 = VTH +0.5
V), (VGS3 = VTH +1 V), (VGS4 = VTH +1,5 V). Ver tabla 2.

Pregunta:
d. ¿Por qué los MOSFET no son implementados en aplicaciones de
elevadas potencias?
R/ Los transistores MOSFET son dispositivos de gran utilidad y que

presentan un bajo consumo, sin embargo, el terminal gate es muy

sensible, la capa de óxido es muy delgada y se puede perforar y por

ende dañar con facilidad el dispositivo. Para evitar esto se han

implementado arreglos con transistores BJT. En la tabla 3 se muestra
una tabla donde detallan los diferentes dispositivos de conmutación, su
velocidad de conmutación y el nivel de capacidad de potencia eléctrica.

Tabla 3. Propiedades de potencia y conmutación de algunos

dispositivos de conmutación

CONCLUSIONES PRACTICA 2
Se pudo comprobar por medio de la practica el comportamiento del Mosfet
con las características de transferencia y de drenaje respectivamente

16
 Figura 12. Curva característica de un MOFET

Determinando su punto de VTH – threshold donde se comporta de manera

segura. Igualmente se determinó que después de determinar su punto de
umbral este no se pudo apagar hasta no desconectar el circuito.

Práctica No.3: Control de velocidad de un motor DC por PWM

Figura 13. Control de velocidad PWM

El circuito de la figura 5, presenta un sistema de modulación PWM para

controlar la velocidad de giro de un motor DC. La modulación se logra a
partir del 555 configurado como oscilador astable, a partir de las siguientes
ecuaciones dadas por el fabricante:

tON =ln(2)∗( R 1+ R 2)∗C 2

tOFF=ln ( 2)∗(R 2)∗C 2 T =(tON + tOFF)=ln(2)∗( R 1+2 R 2)∗C 2
f =1 T =1 ln(2) ⁄ (R 1+2 R 2)∗C 2

Otros aspectos especificados en el datasheet señalan que:

Vcc=5 – 16 V
Potencia de disipación máxima=600 mV
R 1≥ 1 KΩ
R 1+ R 2≤ 6.6 MΩ
C 2 ≥500 Pf

17
 Figura 14. Duty Cicle de una señal PWM

3.1. Describa en un párrafo y apoyándose en gráficas en qué consiste la

modulación PWM.
La modulación por ancho de pulso o PWM es el método por el cual se
modifica el ciclo de trabajo (Duty Cicle) de una señal periódica (sea
senoidal o cuadrada) con el propósito de controlar la cantidad de energía
que se transfiere a una carga.
“El ciclo de trabajo (duty cycle) de una señal periódica es el ancho de su
parte positiva, en relación con el período” el cual está expresado en
porcentaje (Por ejemplo, un duty cicle de 20% equivale a 20 veces de
nivel alto sobre 100.

Duty cycle = t / T
t = tiempo en parte positiva
T = Periodo, tiempo total

El proceso consiste en generar

ciclos positivos (disparos) de
manera repetitiva en una señal
(salida) digital durante un tiempo
determinado y mantenerla apagada
el resto del tiempo, haciendo variar
el ancho entre cada pulso. El valor

18
 análogo de la salida corresponderá
al promedio de la tensión de salida
a lo largo del tiempo.

Por ejemplo, si se tiene una tención de 5 V (Vcc) pero se requiere una señal
PWM de 2 V, finalmente se tendrá una señal cuyo 40% del tiempo será de
5V y el 60% será de 0V.

3.2. Varíe el valor de potenciómetro RV2, a fin de que observe en la salida

(pin 3) del 555, el ciclo de trabajo de la señal de control PWM. Identifique
el Duty cicle Máximo y mínimo del sistema de control del circuito dado, y
verifique estos valores con las ecuaciones dadas por el fabricante.

Requerimiento Ln(2) R1 RV2 C2

mínimo 0,693147 1000 0 0,000001
máximo     94000  
 
Resultados
Requerimiento Teórico Experimental
Mínimo t on (ms) 0,000693147 300 ms
Máximo t on (ms) 0,065848982 80 ms
  t off (ms) 0  
  T 0,693147181  
  f (Hz) 1,442695041  
Tabla 4. Datos experimentales y teóricos

a. b.

Figura 15. Mediciones a. y b. con osciloscopio de Duty Cycle en 0% y

100% respectivamente

19
3.3. Haga los cálculos correspondientes y de ser necesario modifique el
circuito dado inicialmente, de forma que, logre un control entre el 20% y
el 80% del Ducty cicle. Especifique cuáles serían los valores seleccionados
para R1, R2, C2, de forma que se cumpla lo solicitado, y este efecto se
vea en el control de la velocidad del motor.

Requerimiento Ln(2) R1 RV2 C2

t on (80%) 0,693147 800 75200 0,000001
t on (20%) 0,693147 200 32000 0,000001
 
Resultados
Requerimiento Teórico Experimental (ms)
(ms)
t on (80%) 52,6791857 50 
2
t on (20%) 22,3193392 28
1
Tabla 5. Resultados experimentales y teóricos

a. b.
Figura 16. Mediciones a. y b. con osciloscopio de Duty Cycle en 20% y
80% respectivamente

3.4. Revise los fundamentos teóricos de la configuración puente H, para

realizar el control de giro de un motor. Implemente el puente H con
cuatro Mosfet, como complemento al control de velocidad PWM dado, de

20
 forma que obtenga un circuito de control de velocidad y sentido de giro
de un motor monofásico.

R/

Figura 17. Puente H para control de velocidad y sentido de giro a motor.

3.5. Debe hacer los cálculos y la verificación que se cumplan los

suministros de corriente y voltaje que requiere el puente H para operar
de forma segura.

R/

A la salida del transistor Q2 se tiene un divisor de voltaje con las

resistencias R3, R4 y R5 conectadas en serie; el voltaje de alimentación
es 12 VDC y por ley de Ohm tenemos:
R 3=1 k

R 4=500

R 5=1 k

V 12
I= = =0,0048 Amp
R 2500

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 VR 5=1 k∗0,0048

VR 5=4,8VDC

De esta manera garantizamos el correcto funcionamiento de los Mosfet.

CONCLUSIONES PRÁCTICA 3
 Se pudo determinar el control mediante la técnica de PWM y la
importancia en el control de potencia mediante el ajuste de los ciclos
de trabajo (Duty Cycle).
 Se logro ajustar la frecuencia de la señal periódica y se pudo
determinar el periodo de tiempo tanto de apagado como activo y
conocer como ajustar los tiempos de cada periodo al igual que su valor
promedio.

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 REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS.
Floyd, T. (2008). Dispositivos Electrónicos. 8th edición. Editorial Pearson
educación. Recuperado de: https://docs.google.com/viewer?
a=v&pid=sites&srcid=ZGVmYXVsdGRvbWFpbnxpdmFucGVyc29uYWw5M3xn
eDo3OWY2MGVjN2YwYTY4NWNi

Iscsemi (2022). Datasheet IRFZ44N MOSFET Transistor. Recuperado de:

http://www.datasheet.es/PDF/912604/IRFZ44N-pdf.html

Solectro. (2022). ¿Qué es PWM y como usarlo? Recuperado de:

https://solectroshop.com/es/blog/que-es-pwm-y-como-usarlo--n38

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