UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA

UNAD

TRABAJO COLABORATIVO DE LA FASE 3

DISEÑAR LA ETAPA DE POTENCIA Y FILTRADO
ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Tutor:
NOMBRE COMPLETO DEL TUTOR

Grupo:
203039-xx

LEIDER TORRES PADILLA. C.C. 12436989

VALLDUPAR
2020
 INTRODUCCIÓ
Los microcontroladores siendo un dispositivo muy importante en la mayoría de
equipos actuales, no pueden manejar tensiones e intensidades más allá de los 5V
y 50mA, aproximadamente. Es tan cierto como que, cuando el sistema que
controla dicho micro, requiere de una potencia mediana a gran potencia, a todos
nos recuerda la necesidad de disponer de un elemento, driver o manejador de
potencia para mover el sistema bajo control. Veremos distintos medios de
construir un driver o manejador de potencia.
En esta actividad se estudiarán aplica los diferentes tipos y técnicas de
accionamiento para el control de velocidad y posición motores de DC y AC
seleccionando el más adecuado según el requerimiento, además de diseñar y
simular la etapa de control de los MOSFET mediante el uso de circuito Driver, en
nuestro caso implementado con un IR2112.
 Actividades a desarrollar

Fase 3 - Diseñar la etapa de potencia y filtrado.

Generar onda senoidal con un circuito externo a 60Hz y 180 Hz, utilizando un
puente de wien.
Diseño para una frecuencia de 60 Hz
1
f=
2 πRC
Tomamos como consideración de diseño un capacitor de 1 uf
1
60=
2 πR1 u

1
R= =2652.5
2 π (60)(1u)
Diseño para una frecuencia de 180 Hz
1
f=
2 πRC
Tomamos como consideración de diseño un capacitor de 1 uf
1
180=
2 πR 1 u

1
R= =884.19
2 π (180)(1u)
Se hace un arreglo en el circuito para cambiar las resistencias por medio del
switch SW1
Modulación SPWM Unipolar: Mediante esta técnica se utilizan dos señales de
referencia senoidal Vsi n p y Vsi nn, y Una señal portadora triangular Vtri que fija la
frecuencia de conmutación, de modo que:
SiVsi n p> Vtri→ VA=+ VDC(Q1 ON ).
SiVsi n p< Vtri→ VA=0(Q 2ON ).
SiVsi n n< Vtri→ VB=0 (Q 4 ON ) .
SiVsi n n> Vtri→ VB=+VDC (Q 3 ON ).

SPWM unipolar Mediante esta técnica se utilizan dos señales de referencia

senoidal Vsi n p y Vsi nn, y una señal portadora triangular Vtri que fija la frecuencia
de conmutación, de modo que:
SiVsi n p> Vtri→ VA=+ VDC(Q1 ON ).
SiVsi n p< Vtri→ VA=0(Q 2ON ).
SiVsi n n< Vtri→ VB=0 (Q 4 ON ) .
SiVsi n n> Vtri→ VB=+VDC (Q 3 ON ).

 Cálculo del Índice de modulación de amplitud.

Se calcula la relación del valor de voltaje pico de la señal de referencia con la
señal triangular bajo la siguiente fórmula:
Ar
Ma=
Ap
Donde:
Ma=modulación de la amplitud
Ar= Amplitud de referencia
Ap= Amplitud de portadora
Para este caso, el voltaje pico de la señal de referencia será de 100mV, y el de la
portadora triangular será de1.10V: Ma

100 mv V
Ma= =0.090
1 .10 v

 Cálculo del índice de modulación en frecuencia.

Relaciona la frecuencia de la onda portadora con la frecuencia de la onda
moduladora o de referencia:
fp
Mf =
fm
Donde:
Mf =Indice de modulación de la frecuencia
Fp=Frecuencia de portadora
Fm=Frecuencia de moduladora
Vale decir, que el índice de modulación de frecuencia no es fijo, es variable en
algunos casos.
De manera normal, en accionamientos eléctricos con velocidad variable, fm varía
en función de la velocidad deseada mientras fs se mantiene constante. Esto hace
que el índice de frecuencias sea variable.
En mi caso, para desarrollar este índice de modulación de frecuencia, he decidido
que mi frecuencia sea múltiplo de la frecuencia de la tensión de línea que usaré
(60Hz); La frecuencia será entonces de 660Hz:
6 60 Hz
Mf = =1 1
60 Hz
Para 180 Hz tenemos
1980 Hz
Mf = =11
180 Hz
Señal digital A

Señal digital B
 Diferenciador

Individuales:

3.1 Se debe construir y explicar la etapa de control de los Mosfet, mediante el uso
de circuitos Driver.

La mayoría de dispositivos eléctricos y electrónicos requieren tensiones y

corrientes que destruirán los circuitos digitales, por tanto, en términos generales,
debemos confiar dicha labor a los llamados circuitos controladores o drivers.

Normalmente una salida de un microcontrolador, puede tener tres estados (alto,

bajo y alta impedancia), naturalmente al proyectar un driver tenemos que tener en
cuenta este detalle. De modo que, en primer lugar, se debe proteger la patilla de
salida del microcontrolador, mediante una resistencia, limitando la corriente que
circulará por dicha patilla, para hacer muy general el dispositivo que vamos a
proyectar, consideraremos que la corriente máxima de la salida estará en torno a
los 20mA y la tensión no mayor de los 5V. Con estos datos, podemos asegurarnos
que el driver será útil para la mayoría de los microcontroladores que podamos
manejar.

Debemos entender de qué se trata, por lo que podríamos empezar diciendo que el
circuito driver es en el que recae la función de tomar la señal de control de
cualquier transistor y adaptarla o convertirla en una señal que cumpla las
condiciones que en la zona de saturación o corte se necesitan.
Las características principales que debe tener el Driver, son el suministrar una
entrada de alta impedancia respecto al circuito de control, regular los niveles
presentes en la tensión, así como crear espacios de tiempo “muertos” y las
adecuadas protecciones.
Para la selección del driver se debe tener en cuenta aspectos tales como la
tensión máxima de salida del driver sean mayor que la tensión mínima necesaria
en la puerta del MOSFET para que así se realice la conmutación a la frecuencia
seleccionada.
Existen diferentes opciones a la hora de seleccionar un driver. Se pueden emplear
componentes discretos para diseñar un driver, opto-acopladores o drivers
fabricados como circuitos integrados. Cada uno de ellos tiene unas ventajas e
inconvenientes.

Figura 1 circuito integrado driver de Mosfet

Figura 2. Etapa driver de mosfet de potencia

Etapa driver de mosfet de potencia
Señal de salida
DRIVERS “CONTROL DE LOS MOSFET EN EL PUENTE H”

En todo sistema electrónico de control de potencia se requieren circuitos

especializados para controlar la actuación de los dispositivos conmutadores de
potencia.
Estos circuitos de manejo de compuerta (drivers), deben cumplir las siguientes
funciones básicas:
1. Proporcionar aislamiento entre los circuitos de control y los altos niveles de
tensión y corriente manejados por los dispositivos electrónicos de control de
potencia.

2. Generar las formas de onda de voltaje y corriente necesarias para que los
dispositivos de potencia operen hasta en las condiciones máximas de
voltaje y corriente definidas por el fabricante.

3. Proporcionar protección local contra fallas especialmente en situaciones de

sobre cargas.
Adicionalmente, es imprescindible que estos circuitos estén incluidos en un circuito
impreso que contenga también todas las fuentes de alimentación y los
componentes de interfaz necesarios, para minimizar las inductancias y
capacidades parásitas y facilitar el armado del sistema de potencia.
3.2 Se debe calcular la frecuencia de corte del filtro pasa bajos y los respectivos
valores del circuito LC que filtrará la salida del puente inversor, luego construir en
el simulador el filtro LC y el transformador que se han calculado para verificar su
funcionamiento. Como evidencia de esta actividad se debe presentar y explicar,
apoyándose en pantallazos de la simulación, la configuración de cada elemento
dispuesto en el circuito y las señales obtenidas en los osciloscopios, en las
entradas y salidas de cada uno de los dispositivos construidos en las actividades
3.1 y 3.2.
Responder a la pregunta: ¿por qué es necesario filtrar la salida?

Nota: el circuito construido en el simulador debe contener el nombre del

estudiante, su ID, nombre del curso y periodo académico.

Recordemos que un filtro es un circuito electrónico de entrada y salida que son

sensibles a la frecuencia y que permite eliminar o excluir las señales que no se
sitúen en un determinado rango, permitiendo así que las señales de otras
frecuencias pasen.

Generalmente los filtros se dividen en activos y pasivos, siendo los primeros

Los basados en circuitos electrónicos con elementos amplificadores activos.
Los segundos, están basados en elementos pasivos básicamente en la
inductancia y la capacidad.
Una parte muy importante de los filtros pasivos, la constituyen los filtros
designados como RC, RL, RLC y LC, si bien no son los únicos. Es importante
hacer notar que todo filtro eléctrico requiere, por lo menos, de un elemento
reactivo, bien sea explícito, como una bobina o un condensador, o bien sea
implícito en su estructura o comportamiento.
De esta clase de filtros y para nuestro caso, destacamos los de tipo LC, que sirven
para garantizar la calidad de los inversores.
Si lo que se requiere es obtener que la onda sinusoidal sea pura, nos vemos
obligados a la utilización de que reúnan ciertas condiciones, y para este caso, los
más apropiados son los filtros LC pasa bajos ya que éstos eliminan las
componentes armónicas que se presenten en bandas laterales a la frecuencia de
la onda portadora.
De lo anterior, podemos decir que, para diseñar nuestro circuito, éste en su salida
debe ser en paralelo para así reducir el contenido armónico, pero sin que sin
afecte en su salida la frecuencia fundamental.
En el desarrollo de este tipo de circuito, es preciso que la corriente que se recibe
en la entrada, deba ser mayor a la corriente de carga, obteniendo así mayor factor
de calidad en el resultado.

FILTROS LC.

El objetivo del filtro es conseguir aplicar a la carga únicamente el armónico

fundamental de todo el espectro que aparece a la salida del puente H. Se trata de
un filtro LC paso bajo de segundo orden que se muestra, presenta la función de
transferencia de este filtro sin considerar los efectos de carga ni parásitos. Donde
n es la frecuencia natural del filtro.

1
LC
H 1=
1
( )
s2 +
LC
1
W 2n =
√ LC
Dado que la atenuación crece a razón de 40 dB=dec, la frecuencia natural del filtro
debe encontrarse al menos una década antes de los primeros armónicos
producidos por la conmutación. Si estos armónicos, para el peor de los casos
(Modulación bipolar) aparecen alrededor de la frecuencia de la señal portadora
ftri=10 Khz, implicará que la frecuencia natural del filtro debe ser:
ftri
f n≤ =1 kHz
10
1
f n=
2 π √ LC
El filtro pasa bajo debe ser calculado con las siguientes exigencias:
  La frecuencia de corte debe ser 10 veces menor con relación a la señal
portadora.
 La frecuencia de corte debe ser 10 veces mayor que la frecuencia de la
señal fundamental.
9,3 KHz señal portadora< 10 veces=930 Hz
60 Hz señal fundamental>10 veces=600 Hz .

Sumadas las dos señales son da 1530 KHz, dividida entre dos es la frecuencia por
la cual calcularemos el filtro = 765 Hz
Tomando arbitraria mente la capacidad del condensador a 1 uf
1
f=
2 π∗l∗c
1
l=
2 π∗f ∗c
1
l= =208 mH
2 π∗765 Hz∗1 uf
 Se tiene que:
V 2 N2
=
V 1 N1
Se quiere un voltaje de salida de 120 voltios y se tiene un voltaje de entrada de
alrededor de 3.67v, con un N1 = 0.01.
120 N2
=
3.67 0.01
120
N 2= ∗0.01
3.67
N 2=0.326
Se tiene que:
V 2 N2
=
V 1 N1
Se quiere un voltaje de salida de 60 voltios y se tiene un voltaje de entrada de
alrededor de 3.67v, con un N1 = 0.01.
60 N2
=
3.67 0.01
60
N 2= ∗0.01
3.67
N 2=0. 163
 3.3 Proponer teóricamente un método de regulación de la tensión y corriente
de salida frente a la distorsión armónica inyectada por la conexión de
cargas no lineales.

En el diseño de un inversor SPWM diseñado análogamente, se toma una

muestra de la tensión que entrega, y es llevada a la tensión de referencia en el
oscilador Bubba. En ese circuito la tensión de referencia tiene una variación con la
amplitud de la señal fundamental y la cual varía con el índice de amplitud, en
tensión y corriente.
Lógicamente esta señal de muestra de la salida debe ser tratada con anterioridad.
En el diseño de un inversor SPWM con construcción digital (utilizando
microcontroladores para generar la señal spwm y la etapa driver de potencia), la
retroalimentación se toma y se procesa, llevándola a un nivel entre 2,5 Vdc y 3,1
Vdc, la cual es llevada a una entrada del microcontrolador y conformando un
algoritmo se manipula la amplitud del voltaje de salida. Esta variación de amplitud
ataca directamente a los índices de amplitud en el bloque de oscilación en el
microcontrolador.
Filtros Activos
Están compuestos por elementos pasivos y transistores controlados, son capaces
de eliminar prácticamente todos los armónicos de baja frecuencia y no tienen los
inconvenientes de los filtros pasivos.
Los filtros activos pueden ser conectados en serie o en paralelo. Los filtros serie
actúan como fuente de voltaje, proporcionan una alta impedancia para los
armónicos e impedancia reducida para la frecuencia de la red. Los filtros activos
en paralelo, actúan como fuente de corriente en paralelo con la carga, inyectando
o absorbiendo corriente según sea necesario.
Existe la posibilidad de combinar filtro activo y pasivo, formando un filtro híbrido.

Reductor de armónicos CC (Harmonic reducer DC)

Este convertidor se conecta en paralelo con la carga, como se muestra en la
siguiente figura.

En esta configuración el filtro actúa como fuente de corriente, la tensión del

condensador debe ser mayor a la tensión máxima de entrada.

Colaborativas:

Luego que cada integrante del grupo realice sus aportes se da inicio a la
consolidación del informe grupal. El documento debe contener los aportes
individuales de cada estudiante a los numerales 3.1, 3.2 y 3.3. La introducción y
las conclusiones (de 3 a 5) serán grupales.

Consideraciones

Estudiante que no presente al menos un aporte en el foro de la actividad antes de

los tres días del cierre, no debe ser incluido en el informe grupal.

CONCLUSIONES

Por medio de esta actividad podemos concluir que un MOSFET es un dispositivo

semiconductor utilizado para la conmutación y amplificación de señales, El
MOSFET no requiere de una corriente en la compuerta, sino que se trata de un
transistor conmutado por voltaje, Estos dispositivos se utilizan en la conmutación
de cargas de alta velocidad, dado su tiempo de respuesta mínimo.

Se utilizan para el control digital de cargas de mayor corriente y mayor voltaje que
los valores nominales que puede soportar un microcontrolador.

También podemos concluir que los drivers de potencia son los encargados de
rebajarla sin desperdiciar energía, manteniendo la corriente constante y atenuando
la generación de calor.

El uso más común para lo MOSFET de potencia está en la conmutación de cargas

de potencia mas elevadas, en los drivers, los inversores de frecuencia, los
controles de motor etc.

Otra aplicación importante para los MOSFET de potencia está en la amplificación

de las señales, por ejemplo, en los amplificadores de audio.
 BIBLIOGRAFIA

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Potencia: Teoría y Aplicaciones. 199 - 235 paginas.
 Rashid, M H., (1995). Electrónica de Potencia: Circuitos, dispositivos y
aplicaciones.(2 ed.) : Prentice Hall.
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(PP.136).Recuperado de:http://www.ceduvirt.com/resources/Control%20de
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 C. Pérez Fuster, M. IRANGO PONTES. Electrónica Analógica Integrada
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 Sos Bravo. CEAC - 2006. Electrónica analógica - 152 páginas.