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MEMORIAS SEMICONDUCTORAS

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Objetivo de la Sesión

Reconocer la arquitectura típica de los diferentes tipos de

memorias semiconductoras.

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Introducción

• Las computadoras y otros tipos de sistemas requieren el almacenamiento

permanente o semipermanente de un gran número de datos binarios.
• Los sistemas basados en microprocesador necesitan de los dispositivos de
almacenamiento y de las memorias para su funcionamiento, debido a la
necesidad de almacenar los programas y mantener los datos generados
durante el procesamiento.

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Tipos de memoria por su construcción

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Unidades de datos binarios

• Bit: Es la unidad menor de almacenamiento.

• Byte: conjunto de 8 bits.

• Nibble: Conjunto de 4 bits.

• Palabra: Unidad de información formada por 1 o mas

bytes. Normalmente la palabra es de 16 bits.

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Matriz de memoria básica

• Cada bit se almacena en un celda.
• Las memorias están formadas por matrices de celdas.

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Dirección y capacidad de la memoria

• La posición de 1 bit en un matriz de datos se denomina
dirección.
• La dirección depende de como se organice la memoria
de datos.

Para el caso de una

memoria tridimensional la
dirección del byte en color
rojo corresponde a la fila
5, columna 8.

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Operaciones básicas de las memorias

Escritura
Coloca datos en una posición específica de memoria.

Lectura
Extrae datos de una dirección específica de memoria.

Direccionamiento
Es la operación que permite seleccionar la posición de memoria de
la que se extraerá o colocará datos.

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Operaciones básicas de las memorias

• Las unidades de datos se introducen en la memoria durante la operación de escritura y se extraen de la memoria durante la
operación de lectura a través de un conjunto de líneas que se denominan bus de datos.
• El bus de datos es bidireccional.
• Para una memoria organizada en bytes es bus de datos será de 8 bits.
• El bus de direcciones lleva información de la posición de un dato en la memoria.
• En las computadoras personales un bus de direcciones de 32 bits puede seleccionar 4 294 967 296 posiciones o lo que es lo
mismo 4Gb.

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Operaciones básicas de las memorias

• Las unidades de datos se introducen en la memoria durante la operación
de escritura y se extraen de la memoria durante la operación de lectura
a través de un conjunto de líneas que se denominan bus de datos.
• El bus de datos es bidireccional.
• Para una memoria organizada en bytes es bus de datos será de 8 bits.
• El bus de direcciones lleva información de la posición de un dato en la
memoria.
• En las computadoras personales un bus de direcciones de 32 bits puede
seleccionar 4 294 967 296 posiciones o lo que es lo mismo 4Gb.

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Operación de escritura

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Operación de lectura

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Memoria RAM y ROM

• La memoria RAM (Random-Access Memory, memoria de acceso
aleatorio) es una memoria que posee la capacidad de lectura y
escritura.

• También reciben el nombre de memorias volátiles debido a que

pierden los datos almacenados cuando se desconecta la
alimentación.

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Memoria RAM y ROM

• La memoria ROM (Read-Only Memory, memoria de sólo lectura) es un
tipo de memoria en la que los datos se almacenan de forma permanente
o semipermanente. Los datos se pueden leer de una ROM, pero no existe
la operación de escritura como en las RAM.

• Debido a que las ROM mantienen los datos almacenados incluso si se

desconecta la alimentación, reciben el nombre de memorias no volátiles.

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Familia de Memorias RAM

Utiliza latches y FF. Utiliza condensadores.

Más veloces. Necesitan un refresco.
Más caras. Más simples y baratas.

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Matriz de una SRAM

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SRAM asíncrona de 32K x 8

• CS: Habilita el chip para el funcionamiento de la
memoria. Es como un interruptor de encendido.

• WE: Por esta entrada se envía un pulso de tensión

que realiza la operación de lectura o escritura. Si el
pulso es cero, se da una orden de escritura, si el
pulso es “uno” se da una orden de lectura.

• OE: Pasa los datos de la estructura interna de la

memoria hacia el bus de datos.

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Líneas de Bus
• Es una alternativa a dibujar múltiples líneas de datos o direcciones
por separado.
• Un conjunto de líneas paralelas puede expresarse mediante una sola
línea gruesa atravesada por una barra y con una indicación del
número de líneas distintas que forman el conjunto.

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Memoria Caché

• La memoria caché es una memoria de alta velocidad y

relativamente pequeña que almacena los datos o
instrucciones más recientemente utilizados de la memoria
principal, más grande pero más lenta.

• En conjunto, la memoria caché hace que el microprocesador

pueda acceder a la información almacenada mucho más
rápido que si sólo se empleara memoria DRAM de alta
capacidad. La memoria caché es, básicamente, un método
eficiente en términos de coste para mejorar el rendimiento
del sistema sin tener que incurrir en el gasto de hacer que
toda la memoria sea más rápida.

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La RAM dinámica DRAM

• Las celdas de las memorias dinámicas almacenan un bit de

datos en un condensador en lugar de en un latch.

• Ventaja: la celda es muy sencilla, lo que permite construir

matrices de memoria muy grandes en un chip, a un coste
por bit más bajo que el de las memorias estáticas.

• Desventaja: el condensador de almacenamiento se mantiene

cargado un periodo de tiempo, el dato almacenado se pierde
a no ser que su carga se refresque periódicamente. La
operación de refresco requiere circuitería de memoria
adicional y complica el funcionamiento de la DRAM.

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La RAM dinámica DRAM

Escritura de un 1

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Memoria de solo lectura ROM

• Una ROM mantiene de forma permanente o

semipermanente los datos almacenados.

• Los datos solo se pueden leer.

• Para escribir datos se requiere un equipo especial.

• Las ROM mantienen los datos almacenados cuando se

desconecta la alimentación, memorias no volátiles.

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Familias de memorias ROM

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Memorias PROM

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Memorias PROM
• Las PROM vienen en blanco para ser programadas por el
usuario por una única vez, tienen algún tipo de mecanismo de
fundición para almacenar bits.
• El proceso de grabado es irreversible; una vez que una PROM ha
sido programada no puede cambiarse.
• Durante el proceso de programación, se introduce una corriente
adecuada a través del hilo fusible para fundirlo y que
permanezca abierto, almacenando de esta manera un 0.
• El fusible se deja intacto para almacenar un 1.
• Los tres tipos básicos de tecnologías de fusibles utilizados en las
PROM son las conexiones de metal, las conexiones de silicio y
las uniones pn.

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Memorias EPROM

• Una EPROM es una PROM borrable.

• Una EPROM puede ser reprogramada si antes se borra el
programa existente en la matriz de memoria.
• Los bits de datos en este tipo de matriz se representan mediante la
presencia o ausencia de una carga almacenada en las celdas.
• El borrado de un bit de datos es un proceso que elimina la carga
de la celda.
• Los dos tipos de memorias PROM borrables son:

• UV EPROM y las EEPROM.

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Memorias UVPROM

• Esta memoria debe estar

borrada previamente para ser
programada.
• El borrado se realiza mediante
la exposición a rayos UV por
varios minutos.
• Existe un procedimiento de
programación.

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Memorias EEPROM
• Las EEPROM se pueden borrar y programar mediante impulsos
eléctricos.
• Este proceso se realiza rápidamente pudiendo repetirse varias
veces.

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Memorias EEPROM
MEMORIA EEPROM - 28C256
Esta memoria tiene una
capacidad de 32K X 8

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Memorias FLASH
¿Cómo debería ser la memoria ideal?
• Alta capacidad de almacenamiento.
• No volátil.
• Disponer de capacidad de lectura y escritura en el propio
sistema.
• Velocidad de operación rápida.
• Que sea barata.

• La única memoria que cumple estas características es la

memoria flash.

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Memorias FLASH
MEMORIA Flash - 28F020
Esta memoria tiene una
capacidad de 256K X 8

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Memorias FLASH

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Memorias FLASH

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Disco Duro VS SSD

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Programadores de memoria
Son dispositivos que permiten programar gran variedad de
memorias, incluso micro controladores.

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Expansión de Memorias
• Las memorias disponibles se pueden ampliar para
incrementar la longitud de palabra (número de bits en
cada dirección) o la capacidad de palabra (número de
direcciones diferentes), o ambas.

• La expansión de memoria se consigue añadiendo el

número apropiado de chips de memoria a los buses
de dirección, datos y control.

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Expansión de Longitud de palabra

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Expansión de Longitud de palabra

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Expansión de Longitud de palabra

• Para aumentar la longitud de palabra de una memoria, el
número de bits del bus de datos debe aumentarse.

• Por ejemplo, se puede conseguir una longitud de palabra de 8

bits utilizando dos memorias.

• Los buses de datos de 4 bits de las dos memorias se combinan

para formar un bus de datos de 8 bits. De este modo, cuando
se selecciona una dirección, se producen ocho bits en el bus
de datos, cuatro para cada memoria.

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Expansión de la capacidad de palabra

Cada memoria almacena

1 048 576 palabras de 8
bits o bytes.

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Expansión de la capacidad de palabra

Las memorias se expanden para
formar una RAM de 2M × 8 que
requiere un bus de direcciones
de 21 bits.

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Expansión de la capacidad de palabra

• Cuando las memorias se amplían para incrementar la capacidad

de palabra, el número de direcciones se aumenta.

• Cada memoria individual tiene 20 bits de dirección para

seleccionar 1.048.576 direcciones.

• La memoria expandida tiene 2.097.152 direcciones y, por tanto,

requiere 21 bits de dirección.

• El bit de dirección número 21 se utiliza para activar el chip de

memoria adecuado.

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Trabajo 6 - Familia de Memorias RAM

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