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HISTORIA DE LA MEMORIA RAM

Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de ncleo magntico, desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo de circuitos integrados a finales de los aos 60 y principios de los 70. Esa memoria requera que cada bit estuviera almacenado en un toroide de material ferromagntico de algunos milmetros de dimetro, lo que resultaba en dispositivos con una capacidad de memoria muy pequea. Antes que eso, las computadoras usaban rels y lneas de retardo de varios tipos construidas para implementar las funciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio.

En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente ao se present una memoria DRAM de 1 Kibibyte, referencia 1103 que se constituy en un hito, ya que fue la primera en ser comercializada con xito, lo que signific el principio del fin para las memorias de ncleo magntico. En comparacin con los integrados de memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tena un desempeo mayor que la memoria de ncleos.

En 1973 se present una innovacin que permiti otra miniaturizacin y se convirti en estndar para las memorias DRAM: la multiplexacin en tiempo de la direcciones de memoria. MOSTEK lanz la referencia MK4096 de 4 Kb en un empaque de 16 pines, mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIP de 22 pines.

El formato SIMM fue una mejora al anterior, eliminando los pines metlicos y dejando unas reas de cobre en uno de los bordes del impreso, muy similares a los de las tarjetas de expansin, de hecho los mdulos SIPP y los primeros SIMM tienen la misma distribucin de pines.

A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el aumento en el ancho de banda requerido, dejaron rezagadas a las memorias DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que se realizaron una serie de mejoras en el direccionamiento como las siguientes: FPM-RAM (Fast Page Mode RAM) Inspirado en tcnicas como el "Burst Mode" usado en procesadores como el Intel 486, se implant un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria enva una sola direccin y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas. Funciona como si deseramos visitar todas las casas en una calle: despus de la primera vez no sera necesario decir el nmero de la calle nicamente seguir la misma. EDO-RAM (Extended Data Output RAM) Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40 o 30 ns supona una mejora sobre su antecesora la FPM. La EDO, tambin es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la informacin de la columna anterior, dando como resultado una eliminacin de estados de espera, manteniendo activo el bffer de salida hasta que comienza el prximo ciclo de lectura. BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM) Fue la evolucin de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y acceda a ms de una posicin de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeo un 50% mejor que la EDO. Nunca sali al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrnicos que si bien tenan mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades distintas como seales de reloj.

Memoria de Acceso Aleatorio (RAM)

La RAM es la memoria desde donde el procesador recibe las instrucciones y guarda los resultados.

Nomenclatura
La expresin memoria RAM se utiliza frecuentemente para referirse a los mdulos de memoria utilizados en los computadores personales y servidores. En el sentido estricto, esta memoria es solo una variedad de la memoria de acceso aleatorio: las ROM, memorias Flash, cach (SRAM), los registros en procesadores y otras unidades de procesamiento tambin poseen la cualidad de presentar retardos de acceso iguales para cualquier posicin. Los mdulos de RAM son la presentacin comercial de este tipo de memoria, que se compone de circuitos integrados soldados sobre un circuito impreso independiente, en otros dispositivos como las consolas de videojuegos, la RAM va soldada directamente sobre la placa principal.

Mdulos de la Memoria RAM


Los mdulos de memoria RAM son tarjetas de circuito impreso que tienen soldados integrados de memoria DRAM por una o ambas caras. La implementacin DRAM se basa en una topologa de Circuito elctrico que permite alcanzar densidades altas de memoria por cantidad de transistores, logrando integrados de cientos o miles de Megabits. La conexin con los dems componentes se realiza por medio de un rea de pines en uno de los filos del circuito impreso, que permiten que el modulo al ser instalado en un zcalo apropiado de la placa base, tenga buen contacto elctrico con los controladores de memoria y las fuentes de alimentacin. La necesidad de hacer intercambiable los mdulos y de utilizar integrados de distintos fabricantes condujo al establecimiento de estndares de la industria como los JEDEC.

Mdulos SIMM: Formato usado en computadores antiguos. Tenan un bus de datos de 16 o 32 bits Mdulos DIMM: Usado en computadores de escritorio. Se caracterizan por tener un bus de datos de 64 bits. Mdulos SO-DIMM: Usado en computadores porttiles. Formato miniaturizado de DIMM.

Flash Memory
Este tipo de memoria se utiliza principalmente para almacenamiento, pero actualmente Windows Vista nos la opcin de utilizarla tambin como memoria RAM, a continuacin las caractersticas:
y

Fecha de introduccin

Fueron inventadas en 1984 (ambos tipos NOR y NAND) por Toshiba y presentadas tambin en ese ao en el IEEE-IEDM, pero fueron introducidas al mercado (las de tipo NOR) en 1988 por Intel. En 1988 Toshiba anunci el tipo NAND en el ISSCC.
y

Descripcin de la tecnologa

Memoria no voltil con usos de en pequeos dispositivos basados en el uso de bateras como telfonos mviles, PDA, pequeos electrodomsticos, cmaras de fotos digitales, reproductores porttiles de audio o simples dispositivos de almacenamiento porttiles. Con capacidades de almacenamiento de 64MB hasta 32GB, basadas en NOR y NAND.
y

Velocidad de transferencia

La velocidad de transferencia de estas tarjetas, al igual que la capacidad de las mismas, se ha ido incrementando progresivamente, generalmente la velocidad es mayor en lectura que en escritura. Las ms comunes actualmente tienen una velocidad de transferencia de ~20 MB/s, aunque la nueva generacin de tarjetas permitir velocidades de hasta 30 MB/s.

Tecnologas de Memoria
La tecnologa de memoria actual usa una seal de sincronizacin para realizar las funciones de lectura-escritura de manera que siempre esta sincronizada con un reloj del bus de memoria, a diferencia de las antiguas memorias FPM y EDO que eran asncronas. Hace ms de una dcada toda la industria se decant por las tecnologas sncronas, ya que permiten construir integrados que funcionen a una frecuencia superior a 66 MHz.

TIPOS DE MEMORIA RAM


N 1 Tipo de RAM VRAM Descripcin Siglas de Vdeo RAM, una memoria de propsito especial usada por los adaptadores de vdeo. A diferencia de la convencional memoria RAM, la VRAM puede ser accedida por dos diferentes dispositivos de forma simultnea. Esto permite que un monitor pueda acceder a la VRAM para las actualizaciones de la pantalla al mismo tiempo que un procesador grfico suministra nuevos datos. VRAM permite mejores rendimientos grficos aunque es ms cara que la una RAM normal. Siglas de Single In line Memory Module, un tipo de encapsulado consistente en una pequea placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un zcalo SIMM en la placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son ms fciles de instalar que los antiguos chips de memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar de bits. El primer formato que se hizo popular en los computadores personales tena 3.5" de largo y usaba un conector de 32 pins. Un formato ms largo de 4.25", que usa 72 contactos y puede almacenar hasta 64 megabytes de RAM es actualmente el ms frecuente. Un PC usa tanto memoria de nueve bits (ocho bits y un bit de paridad, en 9 chips de memoria RAM dinmica) como memoria de ocho bits sin paridad. En el primer caso los ocho primeros son para datos y el noveno es para el chequeo de paridad. Observacin

SIMM

DIMM

Siglas de Dual In line Memory Module, un tipo de encapsulado, consistente en una pequea placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un zcalo DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos. Siglas de Dual In line Package, un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexin en cada lado. Se refiere a la RAM que ha sido configurada para simular un disco duro. Se puede acceder a los ficheros de un RAM disk de la misma forma en la que se acceden a los de un disco duro. Sin embargo, los RAM disk son aproximadamente miles de veces ms rpidos que los discos duros, y son particularmente tiles para aplicaciones que precisan de frecuentes accesos a disco. Un cach es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tanto un rea reservada de la memoria principal como un dispositivo de almacenamiento de alta velocidad independiente. Hay dos tipos de cach frecuentemente usados en las computadoras personales: memoria cach y cach de disco. Una memoria cach, llamada tambien a veces almacenamiento cach RAM cach, es una parte de memoria RAM esttica de alta velocidad (SRAM) ms que la lenta y barata RAM dinmica (DRAM) usada como memoria principal. La memoria cach es efectiva dado que los programas acceden una y otra vez a los mismos datos o instrucciones. Guardando esta informacin en SRAM, la computadora evita acceder a la lenta DRAM. Siglas de Static Random Access Memory, es un tipo de memoria que es ms rpida y fiable que la ms comn DRAM (Dynamic RAM). El trmino esttica viene derivado del hecho que necesita ser refrescada menos veces que la RAM dinmica. Los chips de RAM esttica tienen tiempos de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos, mientras que las RAM dinmicas estn por encima de 30, y las memorias bipolares y ECL se encuentran por debajo de 10 nanosegundos.

DIP

RAW DISK

RAW Cache

SRAM

SDRAM

Siglas de Synchronous DRAM, DRAM sncrona, un tipo de memoria RAM dinmica

que es casi un 20% ms rpida que la RAM EDO. SDRAM entrelaza dos o ms matrices de memoria interna de tal forma que mientras que se est accediendo a una matriz, la siguiente se est preparando para el acceso. SDRAM-II es tecnologa SDRAM ms rpida esperada para 1998. Tambin conocido como DDR DRAM o DDR SDRAM (Double Data Rate DRAM o SDRAM), permite leer y escribir datos a dos veces la velocidad bs.

FPM

Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseo ms comun de chips de RAM dinmica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era leido pulsando la fila y la columna de las lneas seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rpido acceso. La memoria en modo paginado tambien es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El trmino "fast" fu aadido cuando los ms nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds e incluso ms. Siglas de Extended Data Output, un tipo de chip de RAM dinmica que mejora el rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto de Fast Page, puede ser substituida por chips de modo Fast Page. Sin embargo, si el controlador de memoria no est diseado para los ms rpidos chips EDO, el rendimiento ser el mismo que en el modo Fast Page. EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el prximo ciclo. BEDO (Burst EDO) es un tipo ms rpido de EDO que mejora la velocidad usando un contador de direccin para las siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que solapa las operaciones.

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EDO

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PB SRAM

Siglas de Pipeline Burst SRAM. Se llama 'pipeline' a una categora de tcnicas que proporcionan un proceso simultneo, o en paralelo dentro de la computadora, y se refiere a las operaciones de solapamiento moviendo datos o instrucciones en una 'tuberia' conceptual con todas las fases del 'pipe' procesando simultneamente. Por ejemplo, mientras una instruccin se est ejecutndo, la computadora est decodificando la

siguiente instruccin. En procesadores vectoriales, pueden procesarse simultneamente varios pasos de operaciones de coma flotante

TIPOS DE MEMORIA RAM (DIM)


N Tipo DIMMs de 168 contactos 1 PC066 Mxima capacidad de transferencia [DIMM] SDR SDRAM 66Mhz Velocidad (Min-Max) Descripcin Observacin
primera en salir de los mdulos actuales Pentium II hasta 350 (sin incluir) y los Celeron hasta los ltimos que son bus a 100 esta memoria es superior a la anterior ya que permite mayor frecuencia de trabajo esta memoria es la ms rpida utilizada de tipo Dimm, su velocidad mxima terica son 133Mhz, y puede ser utilizada en cualquier tipo de procesador a no ser que la placa utilice memoria DDR o RIMM.

2 3

PC100 100Mhz PC133 33Mhz

DIMMs de 184 contactos 4 PC4300(DDR-466) 5 6 PC4000(DDR-500) PC3700(DDR-533)

DDR SDRAM 133-266 MHz 3700 MB/s 100-200 MHz 266-266 MHz 4000 MB/s 4264 MB/s

Tiempo entre seales es de: 4,2 ns Tiempo entre seales es de: 4 ns Tiempo entre seales es de: 3,7 ns

Datos transferidos por Segundos: 466 millones Datos transferidos por Segundos: 500 millones Datos transferidos por Segundos: 533 millones Datos transferidos por Segundos: 1066 millones

DIMMs de 240 contactos 7 PC2-9.600 (DDR2-1.200)

DDR2 SDRAM 300-600 MHz 9600 MB/s

Tiempo entre seales es de: 3,3 ns.

8 9

PC2-9.200 (DDR2-1.150) PC2-8.500 (DDR2-1.066)

286-575 MHz 266-533 MHz

9200 MB/s 8530 MB/s

Tiempo entre seales es de: 3,5 ns Tiempo entre seales es de: 3,75 ns

Datos transferidos por Segundos: 1150 millones Datos transferidos por Segundos: 1200 millones Datos transferidos por Segundos: 1600 millones Datos transferidos por Segundos: 1866 millones Datos transferidos por Segundos: 2000 millones

DIMMs de 240 contactos 10 PC3-16.000 (DDR32.000) 11 PC3-14.900 (DDR31.866) 12 PC3-12.800 (DDR31.600)

DDR3 SDRAM 250-1000 12800 MB/s MHz 233-933 MHz 14930 MB/s 200-800 MHz 16000 MB/s

Tiempo entre seales es de: 4 ns. Tiempo entre seales es de: 4,3 ns Tiempo entre seales es de: 5 ns

Memorias Dimm
Nombre estndar DDR-200 DDR-266 DDR-300 DDR-333 DDR-366 DDR-400 DDR-433 DDR-466 DDR-500 DDR-533 DDR2-400 DDR2-533 DDR2-600 DDR2-667 DDR2-800 DDR2-1000 DDR2-1066 DDR2-1150 DDR2-1200 DDR3-1066 DDR3-1200 DDR3-1333 DDR3-1375 DDR3-1466 DDR3-1600 DDR3-1866 DDR3-2000 Velocidad del reloj 100 MHz 133 MHz 150 MHz 166 MHz 183 MHz 200 MHz 216 MHz 233 MHz 250 MHz 266 MHz 100 MHz 133 MHz 150 MHz 166 MHz 200 MHz 250 MHz 266 MHz 286 MHz 300 MHz 133 MHz 150 MHz 166 MHz 170 MHz 183 MHz 200 MHz 233 MHz 250 MHz Tiempo entre seales 10 ns 7,5 ns -ns 6 ns 5,5 ns 5 ns 4,6 ns 4,2 ns 4 ns 3,7 ns 10 ns 7,5 ns 6,7 ns 6 ns 5 ns 3,75 ns 3,75 ns 3,5 ns 3,3 ns 7,5 ns 6,7 ns 6 ns 5,9 ns 5,5 ns 5 ns 4,3 ns 4 ns Velocidad del reloj de E/S 100 MHz 133 MHz 150 MHz 166 MHz 183 MHz 200 MHz 216 MHz 233 MHz 250 MHz 266 MHz 200 MHz 266 MHz 300 MHz 333 MHz 400 MHz 500 MHz 533 MHz 575 MHz 600 MHz 533 MHz 600 MHz 667 MHz 688 MHz 733 MHz 800 MHz 933 MHz 1000 MHz Datos transferidos por segundo 200 millones 266 millones 300 millones 333 millones 366 millones 400 millones 433 Millones 466 millones 500 millones 533 millones 400 millones 533 millones 600 millones 667 millones 800 millones 1000 millones 1066 millones 1150 millones 1200 millones 1066 millones 1200 millones 1333 millones 1375 millones 1466 millones 1600 millones 1866 millones 2000 millones Nombre del mdulo PC1600 PC2100 PC2400 PC2700 PC3000 PC3200 PC3500 PC3700 PC4000 PC4300 PC2-3200 PC2-4300 PC2-4800 PC2-5300 PC2-6400 PC2-8000 PC2-8500 PC2-9200 PC2-9600 PC3-8500 PC3-9600 PC3-10667 PC3-11000 PC3-11700 PC3-12800 PC3-14900 PC3-16000 Mxima capacidad de transferencia 1600 MB/s 2133 MB/s 2400 MB/s 2667 MB/s 2933 MB/s 3200 MB/s 3500 MB/s 3700 MB/s 4000 MB/s 4264 MB/s 3200 MB/s 4264 MB/s 4800 MB/s 5336 MB/s 6400 MB/s 8000 MB/s 8530 MB/s 9200 MB/s 9600 MB/s 8530 MB/s 9600 MB/s 10664 MB/s 11000 MB/s 11700 MB/s 12800 MB/s 14930 MB/s 16000 MB/s

Relacin con el resto del sistema


Dentro de la jerarqua de memoria la RAM se encuentra en un nivel despus de los registros del procesador y de las cachs en cuanto a velocidad. Los mdulos de memoria se conectan elctricamente a un controlador de memoria que gestiona las seales entrantes y salientes de los integrados DRAM. Las seales son de tres tipos: direccionamiento, datos y seales de control. En el mdulo de memoria esas seales estn divididas en dos buses y un conjunto miscelneo de lneas de control y alimentacin, Entre todas forman el bus de memoria que conecta la RAM con su controlador:

y y y

Bus de datos: Son las lneas que llevan informacin entre los integrados y el controlador. Por lo general estn agrupados en octetos siendo de 8, 16,32 y 64 bits, cantidad que debe igualar el ancho del bus de datos del procesador. Bus de direcciones: Es un bus en el cual se colocan las direcciones de memoria a las que se requiere acceder. Seales miscelneas: Entre las que estn las de la alimentacin (Vdd, Vss) que se encargan de entregar potencia a los integrados. Estn las lneas de comunicacin para el integrado de presencia que sirve para identificar cada mdulo

Anexos

Memoria de toros

FPM-RAM

EDO-RAM

BEDO-RAM

Mdulos SIMM:

Mdulos DIMM:

Mdulos S O-DIMM: