Universidad Autónoma de Nuevo León

Facultad de Ingeniería Mecánica y

Eléctrica

Materia: Lab.Sensores y Actuadores

Practica #4:
La fotorresistencia

Nombre Matricula Carrera

Julio Cesar Rodríguez Ramírez 1879090 IMTC
Francisco Alejandro Mireles Ruiz 1868155 IMTC
Ricardo Daniel Cruz luna 1920496 IMTC

Profesor(a). – Ing. Arturo Amador Hernández

Brigada.- 219 Hora.-N6 (Martes) Equipo.- #3

Semestre Enero- Junio 2022

Introducción
El resistor dependiente de la luz, también conocido como fotorresistencia o LDR,
por sus siglas en inglés, es un componente eléctrico cuya resistencia varía
dependiendo de la cantidad de luz que lo ilumina. Su aplicación en el campo de
trabajo se limita debido a que cuentan con un retardo diferente en el tiempo de
respuesta cuando se pasa de oscuro a iluminado y de iluminado a oscuro. Este
tiempo de respuesta suele ser de 0.1 segundos. Esto hace que sólo sea
recomendable utilizarlos en aplicaciones donde la intensidad de iluminación no varíe
con rapidez. Por ejemplo, son ideales para lámparas que enciendan
automáticamente cuando sea de noche, ya que no se requiere una gran precisión
de lectura y estos sensores son fácilmente accesibles.Dependiendo del
semiconductor del que estén compuestos, estos sensores pueden detectar una
amplia gama de frecuencias, incluyendo las frecuencias que se encuentran dentro
del espectro de luz visible, así como aquella de la luz infrarroja (IR) y la luz
ultravioleta (UV).
Objetivo
El objetivo que se persigue en esta práctica es que el alumno aprenda acerca del
funcionamiento de la fotorresistencia, su comportamiento cuando se le somete a
distintos niveles de iluminación y las aplicaciones que ésta puede tener. Conocer
sus principales características, tipos y aplicaciones. Además, se construirá un
dispositivo que regule la luz incidente sobre una fotorresistencia.
Marco teórico
Las fotorresistencias (en inglés “Light Dependent Resistors” LDR) son dispositivos
basados en la variación de resistencia eléctrica de un semiconductor al incidir en él
radiación de luz en el rango óptico (10 nm< l< 1mm).
La conductividad eléctrica de un material depende del número de
portadores en la banda de conducción. En un semiconductor es,
normalmente,
la agitación térmica la causa de que parte de sus electrones salten de la
banda de valencia a la de conducción, siendo por lo tanto la temperatura
el parámetro que determina, junto a sus características intrínsecas, la
conductividad del material.

Sin embargo, la energía necesaria para el salto puede proceder de otro tipo de
fuentes, como por ejemplo radiación óptica. En este caso es la energía de los
fotones que colisionan con el material, la fuente para este salto. Si esta energía,
determinada por la frecuencia de la radiación, es lo suficientemente alta para
permitir el salto, sin exceder el umbral para que se desprendan del material.
Tendremos el denominado efecto fotoeléctrico interno. En este caso a mayor
iluminación mayor conductividad. Este efecto es aprovechado para la construcción
de resistencias variables con la luz (LDR). Dependiendo del material con el que se
construyan, y por tanto del ancho de la banda prohibida, se obtienen diferentes
respuestas espectrales (relación entre la sensibilidad del dispositivo y la frecuencia
de la radiación incidente). Su funcionamiento se basa en el efecto fotoeléctrico. Un
fotorresistor está hecho de un semiconductor de alta resistencia como el sulfuro de
cadmio, CdS. Si la luz que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones
son absorbidos por las elasticidades del semiconductor dando a los electrones la
suficiente energía para saltar la banda de conducción. El electrón libre que resulta,
y su hueco asociado, conducen la electricidad, de tal modo que disminuye la
resistencia. Los valores típicos varían entre 1 MΩ, o más, en la oscuridad y 100 Ω
con luz brillante.

Las células de sulfuro del cadmio se basan en la capacidad del cadmio de variar su
resistencia según la cantidad de luz que incide en la célula. Cuanta más luz incide,
más baja es la resistencia. Las células son también capaces de reaccionar a una
amplia gama de frecuencias, incluyendo infrarrojo (IR), luz visible, y ultravioleta
(UV).
En general la relación entre la resistencia del elemento y la iluminación incidente E
(densidad superficial de energía recibida expresada en lux) es fuertemente no lineal.
Esta relación se suele modelar mediante la expresión:

Donde A y a dependen del material y condiciones de fabricación. Otra manera de

expresar esta relación es tomando logaritmos:

Como puede comprobarse existe una relación lineal entre los logaritmos de la
resistencia y nivel de iluminación. Estos dispositivos son baratos, disponen de un
tiempo de respuesta relativamente grande (son lentos) y su respuesta espectral es
fácilmente adaptable a la del ojo humano.
Si se construye un divisor de voltaje con la fotorresistencia y una segunda
resistencia, se tendrá un voltaje proporcional al valor de la resistencia por lo tanto a
la intensidad de la luz.
Un LED, o un diodo emisor de luz por sus siglas en ingles, es un dispositivo
semiconductor (diodo) que cuando se polariza en directa y es atravesado por la
corriente eléctrica emite luz policromática, es decir, con diferentes longitudes de
onda. El color depende del material semiconductor empleado en la construcción del
diodo.
Un fotorresistor está hecho de un semiconductor de alta resistencia. Si la luz que
incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos por la
elasticidad del semiconductor dando a los electrones la suficiente energía para
saltar la banda de conducción. El electrón libre que resulta (y su hueco asociado)
conduce electricidad, de tal modo que disminuye la resistencia.
Un dispositivo fotoeléctrico puede ser intrínseco o extrínseco. En dispositivos
intrínsecos, los únicos electrones disponibles están en la banda de la valencia, por
lo tanto el fotón debe tener bastante energía para excitar el electrón a través de toda
la banda prohibida. Los dispositivos extrínsecos tienen impurezas agregadas, que
tienen energía de estado a tierra más cercano a la banda de conducción puesto que
los electrones no tienen que saltar lejos, los fotones más bajos de energía (es decir,
de mayor longitud de onda y frecuencia más baja) son suficientes para accionar el
dispositivo.
La fotorresistencia se puede realizar para diferentes formas de trabajos:
• Sensores por barrera de luz
Las barreras tipo emisor-receptor están compuestas de dos partes, un componente
que emite el haz de luz, y otro componente que lo recibe. Se establece un área de
detección donde el objeto a detectar es reconocido cuando el mismo interrumpe el
haz de luz. Debido a que el modo de operación de esta clase de sensores se basa
en la interrupción del haz de luz, la detección no se ve afectada por el color, la
textura o el brillo del objeto a detectar. Estos sensores operan de una manera
precisa cuando el emisor y el receptor se encuentran alineados. Esto se debe
a que la luz emitida siempre tiende a alejarse del centro de la trayectoria.
• Sensores de reflexión sobre espejo
El emisor envía un rayo de luz que llega al receptor si se refleja en un espejo y no
es interrumpido por un objeto o si se refleja en un objeto. Tienen el emisor y el
receptor montados en la misma caja y situados por lo tanto a un mismo lado del
objeto que se desea detectar. Utilizar un reflector que recibe los rayos de luz
provenientes del emisor y los envía al receptor.
Funcionamiento
La detección del objeto opaco se produce mediante la interrupción del haz de luz
que se dirige del emisor al reflector o del que se dirige desde este último hacia el
receptor.
 • Sensores de reflexión sobre objeto
Tienen el componente emisor y el componente receptor en un solo cuerpo, el haz
de luz se establece mediante la utilización de un reflector catadióptrico. El objeto es
detectado cuando el has formado entre el componente emisor, el reflector y el
componente receptor es interrumpido. Debido a esto, la detección no es afectada
por el color de este. La ventaja de las barreras réflex es que el cableado es en un
solo lado, a diferencia de las barreras emisor-receptor que es en ambos lados. Hay
dos tipos de fotocélulas de reflexión sobre objeto, las de reflexión difusa y las de
reflexión definida.
• Sensores de reflexión directa o de reflexión sobre objeto
Se caracterizan porque el emisor y el receptor se montan en la misma caja y el
objeto que se quiere detectar actúa como reflector.
De acuerdo con el valor de los ángulos de emisión y de recepción, pueden ser:
➢ Sensores de reflexión difusa (DiffuseReflectiveSensors).
➢ Sensores de reflexión definida (DefiniteReflectiveSensors).
Son sensores cuyo ángulo de emisión es muy grande y los rayos de luz se reflejan
en múltiples direcciones. Por ello sólo una parte de los rayos que salen del emisor
alcanzan el receptor después de reflejarse en el objeto a detectar.
Tienen una zona muerta en la que no se
garantiza la detección del objeto, tal como
se indica en la figura. Dicha zona debe
ser tenida en cuenta cuando se pretende
detectar objetos que están situados muy
próximos a la fotocélula.
Con el fin de eliminar la zona muerta, se
fabrican fotocélulas que posee una
configuración especial en la que los ejes
ópticos del emisor y del receptor
coinciden.
Reporte
Desarrollo
Se deberá operar el equipo de manera tal que el alumno observe el comportamiento
del sensor fotorresistivo en función de la luz que incide en él, para de esta manera
obtener la gráfica que lo ilustre de manera correcta. Se utilizará el equipo de
laboratorio junto con el NI ELVIS y el software LabVIEW para lograr este objetivo.
Datos obtenidos

Numero de Leds Voltaje

0 5.06
1 5.07
2 5.023
3 4.926
4 4.647
5 4.801
6 4.492
7 4.486
8 4.47
Grafica

0 1 2 3 4 5 6 7
Imágenes de Evidencia
Conclusión
El LDR es un componente que hace variar su resistencia dependiendo de la luz
visible, ya que este tiene una fotorresistencia que es sensible a la luz. Como ya
sabemos que la resistencia es una propiedad de los materiales que impide el flujo
de la corriente eléctrica por él, entre mayor sea la resistencia, mayor ser la oposición
al flujo eléctrico.
En vista de los datos obtenidos en la práctica pudimos comprobar cómo iba
subiendo el voltaje confirme íbamos haciendo más espacio para que pasara la luz
al sensor.
Referencias Bibliográficas
• L., & L. (2017, 12 enero). Fotorresistencia: Definición, características y tipos.

IngenieríaElectrónica. https://ingenieriaelectronica.org/fotorresistencia-definicion-

caracteristicas-y-tipos/

• Slicing 3D, R. (2020, 8 noviembre). LDR – Fotoresistencia. RSLICING3D.

https://www.rslicing3d.com/programacion-arduino-complementos/fotoresistencia-

ldr/