Está en la página 1de 3

Fotorresistencia

Objetivo
Caracterizar una fotorresistencia obteniendo su curva de respuesta para distintas intensidades luminosas.

Introduccin Terica:
La fotorresistencia o LDR (Light-Dependent-Resistor) es un componente fotosensible a la luz. A diferencia de la resistencia fija donde el valor hmico no vara, la fotorresistencia tiene la particularidad de variar su valor hmico en funcin de la luz que incide sobre ella, cuanto ms luz recibe ms bajo es su valor hmico y cuanto menos luz recibe ms alto es su valor hmico. Una fotorresistencia est hecha de un semiconductor de alta resistencia. Si la luz que incide en el depsito es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos por la elasticidad del semiconductor dando a los electrones de la suficiente energa para saltar de la banda de conduccin, aumentando as la conductividad del dispositivo y disminuyendo su resistencia. Smbolo:

Las fotorresistencias se caracterizan por la ecuacin:

Donde: R: resistencia de la fotorresistencia. A, : constantes que dependen del semiconductor utilizado. E: densidad superficial de la energa recibida.

Partes de una fotorresistencia:

La resistencia de este tipos de componentes vara en funcin de la luz que recibe en su superficie. As, cuando estn en oscuridad su resistencia es alta y cuando reciben luz su resistencia disminuye considerablemente. Cuando incide la luz en el material fotoconductor se generan pares electrn - hueco. Al haber un mayor nmero de portadores, el valor de la resistencia disminuye. De este modo, la fotorresistencia iluminada tiene un valor de resistencia bajo. Las clulas son tambin capaces de reaccionar a una amplia gama de frecuencias, incluyendo infrarrojo (IR), luz visible, y ultravioleta (UV). Los materiales que intervienen en su construccin son Sulfuro de Cadmio, utilizado como elemento sensible a las radiaciones visibles y sulfuro de plomo se emplean en las LDR que trabajan en el margen de las radiaciones infrarrojas. Estos materiales se colocan en encapsulados de vidrio o resina.

Foto generacin de portadores.

Si dejamos de iluminar, los portadores foto generados se recombinarn hasta volver hasta sus valores iniciales. Por lo tanto el nmero de portadores disminuir y el valor de la resistencia ser mayor. Por supuesto, el material de la fotorresistencia responder a unas longitudes de onda determinadas.

Estado de conduccin sin foto generacin.

Es decir, la variacin de resistencia ser mxima para una longitud de onda determinada. Esta longitud de onda depende del material y el dopado, y deber ser suministrada por el proveedor. En general, la variacin de resistencia en funcin de la longitud de onda presentan curvas como las de la figura siguiente:

En general, un dispositivo fotoelctrico puede ser intrnseco o extrnseco. En dispositivos intrnsecos, los nicos electrones disponibles estn en la banda de la valencia, por lo tanto el fotn debe tener bastante energa para excitar el electrn a travs de toda la banda prohibida. Por otro lado en los dispositivos extrnsecos tienen impurezas agregadas, que tienen energa de estado a tierra ms cercano a la banda de conduccin puesto que los electrones adquieren una energa inicial mayor que en el caso intrnseco, y por lo tanto no tienen que saltar lejos, es necesaria una energa (frecuencia, intensidad) menor para lograr el paso de un electrn a la banda de conduccin. En el caso especfico de las fotorresistencias existen las lineales y no lineales: LDR lineales: son mejor conocidas como fotodiodos pero bajo ciertas aplicaciones es posible tratarlas como fotorresistencias debido al comportamiento lineal que presentan. Para considerar un fotodiodo como una fotorresistencia lineal simplemente se polariza en inverso. LDR no lineales: son aquellas hechas comnmente cuyo comportamiento no depende de la polaridad aplicada sobre ella.