Tarea Sesión 11 – Equipo B

Juan Carlos García López

Cristian Torres González
Problemas Sesión 11.
Revisar los siguientes problemas del capítulo 6 del Libro de Pierret.
6.5. Con referencia a la derivación de V bi en la subsección 5.1.4, demuestre
que la ecuación. (6.15) la condición de contorno se puede obtener si se
continúa asumiendo J N =0 cuando V A ≠ 0. Utilice la ec.(5.10) resultado para
eliminar V bi en su expresión para n(−X P)
ecuación 6.15 (pag 67)
n 2i ( ( )−1)
qV A
kT
∆ n p ( −x p ) = e
NA
ecuación 5.10 (pag 57)
( )
( )
qV bi
kT N N N N
V bi= ln A 2 D → A 2 D =e kT
q ni ni
Si V A ≠ 0 , V ( x n ) =V bi −V A
−dV
ε= → dV =εdx
dx
Xn

V =− ∫ ε dx=V bi −V A
−Xp
Por otra parte, como:
dn
J N =q μ n n ε+q Dn =0
dx
D n kT
Recordando que = , despejamos ε
μn q
−q Dn dn −kT dn
ε= =
q μn n dx qn dx
Xn Xn Xn
kT dn kT 1 kT
V bi −V A =− ∫ ε dx= ∫ dx= ∫ n dn= q (ln ( n ( x n ) ) −ln ⁡(n (−x p ) ))
−X p −X p
qn dx q −X p

V bi −V A =
kT
q
ln
n ( xn)
(
n ( −x p ) )
n ( xn )
=e
( ( q V bi −V A )
kT )
n (−x p )
n ( xn )
=
NAND (e −qkTV ) A

n (−x p ) n2i
ni n ( x n ) ( kT )
2 qV A
n ( xn )
n (−x p ) = = e
NAND (e −qkTV A
) N A N D
2
ni
Como n ( x n )=N D
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n ( )
2 qV A

n (−x p ) = i e kT
NA
Como
n2
n 0 (−x p ) = i
NA
∆ n p ( −x p ) =n (−x p )−n0 (−x p )
n i ( kT ) ni
2 qVA 2
∆ n p ( −x p ) = e −
NA NA
( ( )−1)
2 qV A
n
∆ n p ( −x p ) = i e kT
NA

6.6. Considerando que una unión escalonada de silicio n*-p ( Na=1015 [ c m−3 ] ,
T B=10 [ us ], A=10−3 [c m2 ]) es ideal, realice cálculos para determinar niveles de
corriente esperados del dispositivo bajo diferentes condiciones de
temperatura y polarización.
a) Calcule la corriente de diodo ideal en T =300[ K ] cuando (i) V A ,=−50[V ], (ii)
V A =−0,1 [ V ], (iii) V A =0.1 [ V ] y (iv) V A =0.5 [ V ].

Información
−3 2
A=10 [ c m ]

μn=1345
c m2
Vs [ ]
T B=10 [ us ]
Na=1015 [ c m−3 ]
k =8.617 x 10
−5 eV

K [ ]
q=1.6 x 10 [ C ]
−19

T =300[ K ]

( [ ]) ( [ ])
2
eV
D N =k∗T∗μ n= 8.617 x 10
−5
( 300 [ K ] ) 1345 c m
K Vs

D N =34.7695
cm2
s [ ]
LN =√ D N τ B =√(10 [ us ] )(34.7695[])
LN =0.005896 [cm]
D N n2i
I 0=qA
LN N A
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( [ ]) (
cm 2

( )
34.7695 2
s 10 [ c m−3 ] )
10
I 0=( 1.6 x 10
−19
[ C ] ) ( 10 [ c m ] )
−3 2

0.005896 [ cm ] 1015 [ c m−3 ]

I 0=9.43 x 10−14

I =I ( e
( VA
kT )−1)
0

VA[V] I[A]
-0.5 -9.4345e-14
-0.1 -9.2374e-14
0.1 4.4212e-12
0.5 2.3695e-05

b) Suponiendo que T B no varía significativamente con la temperatura, repita

la parte a) para T =500 ¿].
información
T =500[ K ]
14 −3
ni =2.716 x 10 [cm ]
c m2
[ ]( )
T −2.3 c m2
[ ]( )
−2.3
500
μn=1345 ∗ =1345 ∗
Vs 300 Vs 300

μn=415.4035
c m2
Vs [ ]
( [ ]) [ ] )( [ ])
2
eV
D N =k∗T∗μ n= 8.617 x 10−5 ( 500 K 415.4035 c m
K Vs

D N =17.8976 [ cm2
s ]
√
ln =√ DN τ= ( 10 [ us ]) 17.8976

ln=0.004230[cm]
(
cm 2
s [ ])

( [ ]) (
2
cm

( )
17.8976 2
D N n2i s 10 [ c m−3 ] )
10
=( 1.6 x 10 [ C ] ) ( 10 [ c m ] )
−19 −3 2
I 0=qA
LN N A 0.005896 [ cm ] 10 [ c m ]
15 −3

I 0=4.9931 x 10 [ A ]
−5

I =I ( e
( VA
kT )−1)
0
VA[V] I[A]
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-0.5 -4.9931e-05
-0.1 -4.5029e-05
0.1 0.0004
0.5 5.4745

+¿¿
6.13. Dado un diodo de unión escalonada plana p -n Si con un dopaje en el
lado n de N D=1015 [ c m−3 ] y T =300[ K ], determine

a) El V BR aproximado del diodo.

V BR ≈ 300[V ]

b) El ancho de agotamiento en el voltaje de ruptura.

W=
√ 2 K s ε0
qND √
(V bi −V A )=
2 K s ε0
q ND
(V BR )=
√ 2 (11.8 ) ( 8.85 x 10−14 ) (300)
−19 15
(1.6 x 10 [C ])(10 [c m ])
−3

W =19.7892[μm]
e) La magnitud máxima del campo eléctrico en la región de empobrecimiento en la
ruptura
Voltaje.

qND q ND ( 1.6 x 10−19

[ C ] ) ( 1015 [ c m−3 ] ) ( 19.78 x 10−6 [m] )
|ε|max =|ε (0)|= xn = W=
K s ε0 K s ε0 ( 11.8 ) ( 8.85 x 10−14 )

|ε|max =3.032 x 105 [ ]

V
cm
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6.16 Se espera que el componente de difusión de la corriente domine en los

diodos de Si a temperaturas suficientemente elevadas. ¿Qué es una
temperatura suficientemente elevada?
Para responder a esta pregunta, suponga que tiene un diodo de unión
escalonada S i+ ¿−n ¿ donde N D=1016 [ c m−3 ], τ 0=τ P, L=10−2 [ cm] para
300 K ≤T ≤ 500 K . Determine la temperatura donde I DIFF=I R −I G con polarización
V
inversa de V bi −V A = BR
2
Información

N D=10 [ c m ]
16 −3

L=10−2 [ cm]
2
D P ni
I DIFF =−I 0=−qA
LP N A
ni
I R −G =−qA W
2 τ0

Igualando

W D P ni
=
2 τ 0 LP N A

Como asumimos τ 0=τ P

LP N A W
ni = W =N D
2 τ P DP 2 LP

W=
√ 2 K s ε0
qND
(V bi −V A )

Como V BR=V bi −V A

W=
√ K sε 0
(V )
q N D BR

√
−14
(11.8)( 8.85 x 10 )
W= 16 −19
(55)
(1 0 )(1.6 x 10 )
−4
W =1.89 x 1 0 [cm]
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Entonces
16 −4
W (1 0 )(1.89 x 1 0 )
ni =N D =
2 LP −2
2(1 0 )
−4
ni =1.89 x 10 [cm]

Con respecto a la figura 2.20

T D =470 [K ]