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1. INTRODUCCIÓN
Los defectos de la estructura cristalina no tienen por qué ser algo perjudicial meta-
lúrgicamente hablando: modifican las propiedades de los metales –ya sean mecánicas,
térmicas, eléctricas…–, y su efecto puede ser beneficioso o perjudicial. Se clasifican según
su geometría como superficiales, lineales o puntuales, según afecten a toda una superficie,
a una línea o a una posición puntual de la red.
2. DEFECTOS SUPERFICIALES
Un cristal ideal es la repetición periódica e infinita de una celdilla unidad. Sin em-
bargo, la coordinación de los iones que se encuentran en la superficie de una pieza es
distinta a la de los del interior del cristal, puesto que las celdillas a las que pertenecen no
presentan ninguna celdilla vecina en una de sus caras. Por este motivo, la existencia de
superficies exteriores en los materiales supone un defecto superficial.
De forma general, cuando un metal solidifica, los cristales sólidos comienzan a cre-
cer en muchos puntos distintos del caldo –del metal fundido–, y cada uno de estos cris-
tales presenta su orientación cristalina propia al azar. Cuando el metal termina de solidi-
ficar los cristales se encuentran entre sí, y aparecen discontinuidades en la red cristalina
producto del encuentro de esas orientaciones cristalinas al azar, como se muestra en la
Figura 2.1.
Cada uno de esos cristales –o granos– es una región que presenta la ordenación tri-
dimensional que corresponda al sistema de cristalización del material del que se trate.
Las dimensiones de los granos metálicos suelen ir desde los micrómetros a los milímetros.
Los iones situados en la frontera entre dos granos no presentan la coordinación óp-
tima de la estructura cristalina –que es la situación de mínima energía–. Por ello, toda la
región que envuelve a los granos de un material formado por distintos cristales es un de-
fecto superficial, puesto que presenta mayor energía que la situación ideal.
Ingeniería y Ciencia de Materiales Metálicos 3
El exceso de energía de los bordes de grano es unas 3o veces menor que el de las
superficies exteriores, y depende del ángulo entre las dos orientaciones cristalinas. Expe-
rimentalmente se comprueba que el exceso de energía crece fuertemente entre 0º y 5º de
desorientación entre granos vecinos, y más suavemente desde 5º en adelante. Por esta
razón, se definen los bordes de grano de ángulo pequeño como aquellos en los que la
desorientación entre granos es inferior a 5º y los bordes de grano de ángulo grande como
aquellos en los que la desorientación es superior a 5º (Figura 2.2).
Figura 2.2 Representación bidimensional de dos bordes de grano de ángulo grande y de ángulo pequeño
en un material policristalino
Para minimizar la energía del sistema, los materiales policristalinos tienden a redu-
cir la cantidad de bordes de grano que contienen en su estructura. Por eso, el espesor de
los bordes de grano es tan reducido como sea posible: cuando la diferencia entre las orien-
taciones de dos granos vecinos es grande, la anchura del borde que los separa es única-
mente de varios Å. Además, la morfología de los granos de un material recocido –la situa-
ción más cercana al equilibrio termodinámico– se aproxima a la de un tetracaidecaedro
–el poliedro que resulta de truncar los seis vértices de un octaedro (Figura 2.3)–, que es
la morfología tridimensional con menor relación entre superficie y volumen que permite
llenar por repetición el espacio.
4 Capítulo 2: Defectos en metales reales
Para minimizar la energía libre, cuando los iones tienen cierta libertad de movi-
miento –bajo condiciones que se abordarán al final del tema–, tienden a reducir la canti-
dad de borde de grano, y, por tanto, a aumentar el tamaño de los granos que ya existen.
Figura 2.4 Granos de ferrita –una de las formas cristalinas del hierro– en una chapa de transformador
fabricada con acero de muy bajo contenido en carbono tras ataque con nital-3
Para normalizar el tamaño de los granos de una probeta, se utiliza el índice de ta-
maño de grano (G) –introducido por Grossman–, que depende del número medio de gra-
nos observado en una micrografía de 1 mm2 (m) según la siguiente expresión:
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m = 2G+3
Se trata de una superficie defectuosa que aparece como consecuencia del apila-
miento incorrecto de planos compactos en metales del sistema FCC o HCP. Como se men-
cionó en el capítulo 1, los sistemas FCC y HCP son sistemas muy semejantes entre sí, cuya
diferencia es su distinta secuencia de apilamiento de planos compactos. En el sistema FCC
se observa un apilamiento ABC|ABC|ABC y en el HCP de tipo AB|AB|AB. El defecto de
apilamiento aparece, por ejemplo, en el sistema FCC cuando se tiene una región de un
cristal con un apilamiento del tipo …ABC|ABC|AB|ABC|ABC…, que puede ser visto como
un cristal FCC en el que aparece una región de muy pequeño espesor con apilamiento
HCP. Las energías superficiales de los defectos de apilamiento suelen ser unas 10 veces
inferiores que las de los bordes de grano.
2.4. Maclas
Se denomina macla a una superficie interior de un grano que separa dos regiones
cristalinas que son cristalográficamente imágenes especulares (Figura 2.5). Los iones que
se encuentran en una macla han de ser considerados como un defecto, puesto que su en-
torno no es el ideal, al pertenecer simultáneamente a dos zonas cristalinas diferentes. Es-
tos iones, cuya energía es mayor que la de los que están en un cristal ideal, forman el plano
de macla, que es el plano de simetría entre las dos regiones que separa.
Macla
C’
c
6 Capítulo 2: Defectos en metales reales
Figura 2.5 a) Representación en una celdilla FCC del plano en el que aparecen las maclas y de la dirección
de maclado a lo largo de la cual los iones de la macla se han desplazado de su posición original, b) Repre-
sentación esquemática de una porción de cristal maclado, c) Representación de la distribución de iones en
las inmediaciones de una macla
Figura 2.6 Diferencia esquemática de las deformaciones por deslizamiento y por maclado
Figura 2.7 Cobre electrolítico estirado en frío atacado con una solución alcohólica de FeCl3
3. DEFECTOS LINEALES
Según la teoría de la elasticidad lineal aplicada a cristales ideales, para que se pro-
duzca una deformación plástica por deslizamiento en un cristal –es decir, el deslizamiento
simultáneo de una mitad del cristal respecto de la otra mitad– es necesario que la proyec-
ción sobre una dirección compacta de la tensión de cizalla aplicada al cristal (τx) supere
un valor umbral, denominado esfuerzo crítico resuelto, que es del orden de G/30, donde
G es el módulo de cizalla.
τ τ
τx τx
y
τx τx
x τ τ
Figura 2.9 Representación esquemática de la deformación plástica por deslizamiento que se produce en
un cristal por el desplazamiento de una dislocación
Por tanto, una dislocación es una región defectuosa que separa dos zonas que tienen
la estructura de un cristal ideal, por lo que los iones situados en esta región cuentan con
exceso de energía. Para minimizar la energía del sistema, el espesor de las dislocaciones
es el menor posible, y son consideradas como defectos que se extienden a lo largo de la
línea de dislocación, que en presencia de un campo tensional adecuado se desplaza sobre
el plano de deslizamiento produciendo el desplazamiento relativo de dos mitades del cris-
tal (Figura 2.10).
Figura 2.10 Representación esquemática de la deformación por deslizamiento producida por una disloca-
ción de cuña y por una dislocación de tornillo en un bloque cristalino
Según la orientación relativa entre las direcciones del esfuerzo aplicado al cristal y
de la línea de dislocación, las dislocaciones se pueden clasificar en tres grupos: de cuña,
de tornillo, o mixtas (Figura 2.10):
Las dislocaciones de cuña son las que presentan una línea de dislocación perpendi-
cular al esfuerzo aplicado, y al desalineamiento de los iones del cristal dislocado. En la
10 Capítulo 2: Defectos en metales reales
Figura 2.11 Representación tridimensional de una dislocación de cuña (izquierda), y simplificación en dos
dimensiones (derecha)
El vector de Burgers de una dislocación siempre tiene la dirección del esfuerzo apli-
cado al cristal. Por ello, en las dislocaciones de cuña el vector de Burgers y la línea de
dislocación son siempre perpendiculares.
Figura 2.12 Zona a compresión y zona a tracción en la cercanía de una dislocación de cuña
Las dislocaciones de tornillo son en las que la línea de dislocación es paralela al es-
fuerzo cortante aplicado y paralela al desalineamiento de los iones del cristal dislo-
cado (Figura 2.13).
Línea
de
dislocación
τ
Figura 2.13 Representación tridimensional de una dislocación de tornillo
L
L
Figura 2.14 Representación del avance de una dislocación de tornillo con cambio de plano
Las dislocaciones pueden anclarse en zonas del cristal debido a la presencia de otros
defectos como se explicará más adelante. Cuando una dislocación se ancla en dos defectos
separados por una distancia L (a), y sobre ella actúa una tensión τ, la dislocación tiende a
curvarse (b). Para tensiones crecientes, la curvatura de la dislocación aumenta hasta que
el radio alcanza un valor crítico (L/2) para cierta tensión, τcr (c). Si la tensión aplicada es
mayor que este valor crítico τcr, la dislocación aumentará su radio y se volverá inestable
(d). Cuando se mantiene la tensión, los dos tramos de la dislocación que se aproximan (e)
llegan a tocarse, y la dislocación se divide en un bucle y otra dislocación en su interior (f).
Esta dislocación vuelve a sufrir el mismo proceso bajo la acción del esfuerzo aplicado (g).
4. DEFECTOS PUNTUALES
Los defectos puntuales son las irregularidades de la red que afectan a una o a varias
posiciones próximas de red. Según la naturaleza del defecto, se pueden clasificar a su vez
como intrínsecos o extrínsecos (Figura 2.17).
14 Capítulo 2: Defectos en metales reales
Los defectos puntuales intrínsecos son los defectos relacionados con la ausencia o
incorrecta ubicación en la red de iones del metal base. Dentro de esta categoría se encuen-
tran las vacantes (1), los defectos autointersticiales (2) y los defectos de Frenkel (5).
En cambio, los defectos extrínsecos son los que están asociados a la presencia de
iones o átomos extraños en el interior del cristal, como las impurezas sustitucionales (3)
y las impurezas intersticiales (4).
El exceso de energía que aportan los defectos puntuales a los cristales es inferior al
de las dislocaciones, por lo que su existencia no es debida únicamente a deformaciones
en frío. Pueden tener diversos orígenes, como la colocación incorrecta de iones durante
la solidificación, la variación de energía interna de los iones por variaciones térmicas que
los desplace de sus posiciones de equilibrio, la acción de radiaciones, o la introducción
intencionada –como en el caso de los dopados para componentes electrónicos–.
4.1. Vacantes
nV = n · e−Q⁄kT
Ingeniería y Ciencia de Materiales Metálicos 15
Sin embargo, esa ecuación no informa del tiempo necesario para que se alcance el
número de vacantes de equilibrio a una cierta temperatura, puesto que ese tiempo de-
pende de la temperatura y de la historia térmica hasta alcanzar dicha temperatura.
Puesto que las dos estructuras que se obtienen con los distintos enfriamientos son
diferentes también lo serán las propiedades resultantes, como se representa en la Figura
2.19. La justificación del aumento de resistencia a la deformación plástica en metales con
el incremento de la población de vacantes se debe a la interacción entre distintos tipos de
defectos, y se estudiará más adelante en este capítulo.
Figura 2.19 Dependencia de las propiedades mecánicas con el enfriamiento de un material metálico
intersticial es muy baja puesto que supone una deformación de la red muy grande (Figura
2.20). Por ello, la barrera de potencial para que un ion se sitúe en un intersticio es de 5 eV
–cinco veces la de formación de una vacante–, de modo que estos defectos son casi inexis-
tentes a temperatura ambiente, y a temperaturas próximas a la de fusión existe tan sólo
un defecto autointersticial por cada 109 iones.
Se observa que la variación del parámetro de red, así como el endurecimiento pro-
ducido, son mucho mayores en el caso de impurezas intersticiales como el C y el N que en
el caso de impurezas sustitucionales.
Figura 2.21 Variación del parámetro de red y endurecimiento producido por la adición de 1 % en peso de
distintos elementos a la ferrita
Hasta ahora, se han presentado los distintos tipos de defectos de forma indepen-
diente. Sin embargo, todos estos defectos coexisten en los metales reales y, por tanto, se
dan interacciones entre ellos. Por un lado, la interacción de las dislocaciones con otros
defectos–incluidas otras dislocaciones– influye de forma notable en las propiedades me-
cánicas de los materiales metálicos. Por otra parte, las superficies, los bordes de grano y
las dislocaciones influyen en la solubilidad de las impurezas y en su movimiento por el
interior del material.
Los mecanismos a través de los que se produce este aumento de resistencia se cono-
cen con el nombre de mecanismos de endurecimiento, y se pueden clasificar según las
irregularidades que interactúan con las dislocaciones. Los principales mecanismos de en-
durecimiento son cuatro: el que se produce por deformación en frío –con otras disloca-
ciones–, por afino de grano –por interacción con el borde de grano–, por formación de
solución sólida –con impurezas–, y por precipitación –con partículas de distinta natura-
leza al cristal–.
puedan desplazarse. Por esta razón, se recurre comúnmente a realizar recocidos en me-
tales cuando se desea reducir su densidad de dislocaciones.
Figura 2.23 Endurecimiento por deformación en frío: una dislocación ve su movimiento impedido por la
presencia de otras dislocaciones
Figura 2.24 Formación de codos de dislocación por interacción de dos dislocaciones perpendiculares
Cuando hay una densidad de dislocaciones (ρ) casi nula –como, por ejemplo, en los
llamados whiskers metálicos–, la resistencia mecánica es muy elevada, puesto que no
existen apenas dislocaciones que faciliten la deformación por deslizamiento. A medida
que el material cuenta con mayor concentración de dislocaciones, se facilita la deforma-
ción por deslizamiento y, por ello, la resistencia mecánica es muy inferior. Sin embargo,
al aumentar la concentración de dislocaciones por encima de un valor crítico, la interac-
ción entre ellas comienza a ser significativa y se produce el endurecimiento del material.
22 Capítulo 2: Defectos en metales reales
Figura 2.25 Relación entre la resistencia mecánica y la densidad de dislocaciones (ρ) de un material: una
cantidad muy alta o muy baja de dislocaciones implica un aumento de resistencia
k
H = H0 +
√d
Una solución sólida se forma cuando los átomos o iones de un elemento –soluto– se
dispersan en el interior de la estructura cristalina de otro elemento –disolvente–, ya sea
en posiciones sustitucionales o en posiciones intersticiales. En ambos casos se produce
una distorsión de la red del disolvente que, como se ha indicado anteriormente, se traduce
en la necesidad de un mayor esfuerzo aplicado para que se produzca el desplazamiento
de las dislocaciones. Este sobreesfuerzo se aprecia como un endurecimiento del material.
Como se indicó al abordar los defectos puntuales, las impurezas intersticiales pro-
ducen una deformación de la red mayor que las sustitucionales, y por ello producen un
mayor endurecimiento. En el caso de las soluciones sólidas sustitucionales, la deforma-
ción de la red –y, por tanto, el endurecimiento– es mayor cuanto mayor es la diferencia
entre el tamaño de los iones del disolvente y del soluto– con independencia de cuál de los
dos sea mayor–. En la Figura 2.26 se representa la variación de resistencia mecánica del
cobre en función del contenido de aleantes, poniendo de manifiesto el endurecimiento
por formación de solución sólida de sustitución.
Figura 2.26 Las cifras que aparecen tras cada elemento hacen referencia a la diferencia porcentual entre
su radio metálico y el del cobre.
plano de deslizamiento de las dislocaciones de cuña. Por el contrario, las impurezas sus-
titucionales de mayor radio que el metal anfitrión y las impurezas intersticiales, se ven
atraídas hacia posiciones por debajo del plano de deslizamiento de las dislocaciones de
cuña, ya que la perturbación que produce su presencia en la red cristalina es menor en
zonas que se encuentran en un estado de tracción. Esta distribución preferencial de im-
purezas en torno a las dislocaciones se denomina atmósfera de Cottrell.
La forma en la que las dislocaciones ven frenado su movimiento varía, según el tipo
de dislocación de la que se trate. Cuando las dislocaciones de tornillo encuentran un obs-
táculo en su avance, pueden salvarlo cambiando el plano sobre el que deslizan. Como se
expuso anteriormente, el plano de deslizamiento de estas dislocaciones no está unívoca-
mente definido. La Figura 2.28 muestra de forma esquemática este mecanismo: varias
dislocaciones de tornillo del mismo signo se apilan contra un obstáculo, hasta que la ten-
sión alcanza un valor suficientemente alto para permitir que deslicen sobre un plano pa-
ralelo al inicial de deslizamiento tras moverse sobre otro plano que interseca a los dos
anteriores.
obstáculo
Figura 2.28 Cambio de plano de una dislocación de tornillo para evitar el obstáculo que impide su movi-
miento
Ingeniería y Ciencia de Materiales Metálicos 25
Figura 2.29 Trepado de dislocaciones de cuña: la dislocación se mueve de forma perpendicular a su plano
de deslizamiento en la cercanía de una impureza
Sin embargo, cuando estos precipitados son blandos o demasiado pequeños las dis-
locaciones pueden cizallarlos y continuar su desplazamiento (efecto Friedel). Para ello, es
necesario un esfuerzo que es proporcional al tamaño del precipitado.
Figura 2.31 Comparación entre el efecto Friedel (superior) y el mecanismo de Orowan (inferior)
Ingeniería y Ciencia de Materiales Metálicos 27
marcados en la Figura 2.32, según se trate de iones sustitucionales –ya sean del metal
base o de impurezas– o de átomos intersticiales. Cada uno de estos procesos requiere una
energía de activación distinta para que ocurra. Por ejemplo, no es igual de favorable ener-
géticamente que un ion se desplace hasta una vacante adyacente, que un movimiento de
intercambio simple entre dos iones, puesto que el segundo necesita que se desplacen los
átomos vecinos, y, por tanto, una energía mayor.
Figura 2.32 Mecanismos de difusión: intercambio simple (1), intercambio cíclico (2), difusión por vacan-
tes (3), difusión intersticial (4), desplazamiento mixto (5), y movimiento craudiónico (6)
Figura 2.33 Desplazamiento de átomos sin difusión (arriba), y transporte neto de átomos –difusión–
(abajo)
Como ejemplos de situaciones en las que el flujo difusivo tiene una especial relevan-
cia, se pueden destacar muchos de los cambios de fase que tienen lugar en los materiales
para disminuir su energía libre cuando varía su temperatura, el aumento del tamaño de
grano en materiales policristalinos, o la reducción de gradientes de concentración de una
sustancia en un material. Este último caso, dada su sencillez, se toma como ejemplo a
continuación para presentar la expresión que permite calcular el flujo difusivo bajo ciertas
condiciones.
⃗J = −D · ⃑⃑⃑⃑⃗
∇c
30 Capítulo 2: Defectos en metales reales
donde J es el flujo difusivo, o cantidad de sustancia que atraviesa una cierta superficie por
unidad de tiempo, D es la difusividad o coeficiente de difusión de dicha sustancia en el
⃑⃑⃑⃑⃗ es el gradiente de concentración de la sustancia que se difunde.
sistema y ∇c
El coeficiente de difusión D da una idea de la facilidad que tienen los iones o átomos
de una sustancia para difundir en otra o en ella misma–en cuyo caso se le denomina coe-
ficiente de autodifusión–, y sigue una ecuación de Arrhenius,
D = D0 · e−Q⁄RT
Por tanto, para una determinada sustancia a una temperatura dada, su coeficiente
de difusión es mayor cuanto menor es la energía de activación de los saltos difusivos. En
el caso de impurezas intersticiales, el mecanismo con menor energía de activación –y, por
tanto, el más frecuente– es la difusión intersticial, mientras que en el caso de iones susti-
tucionales es la difusión por vacantes, como se expondrá a continuación.
El estudio de la difusión con cristales reales entre dos sólidos distintos se realizó por
primera vez en 1947 –experimento de Kirkendall y Smigelskas–. Se dispusieron dos blo-
ques suficientemente largos, uno de cobre y otro de níquel, en contacto por una de las
caras. Se situaron unos hilos inertes e insolubles en el níquel y en el cobre en la interfaz
entre los bloques, para observar su desplazamiento en el caso de que hubiese difusión
entre ambos bloques (Figura 2.34, izquierda).
Figura 2.34 Experimento de Kirkendall y Smigelskas: situaciones inicial (izquierda) y final (derecha)
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Estos resultados manifestaron que el flujo difusivo de los iones de cobre hacia el
bloque de níquel había sido mayor que el de los iones de níquel hacia el bloque de cobre,
puesto que se observaba una ganancia de material en el bloque de níquel. El único meca-
nismo de difusión de iones sustitucionales congruente con este resultado es la difusión
por vacantes, puesto que los saltos de iones de cobre y níquel son independientes entre
sí. Además, también se justifica la aparición de porosidad en el bloque de cobre puesto
que existe un flujo neto de vacantes desde el bloque de níquel que coalescen formando
poros.
por vacantes adquiere la misma importancia que la que ocurre a través de las dislocacio-
nes. Por tanto, en metales con acritud –deformados en frío– se observan mayores flujos
difusivos.
Figura 2.35 Mecanismos de difusión de átomos sustitucionales en sólidos policristalinos: difusión por
vacantes (iones rojos), difusión en la superficie (iones amarillos), y difusión en el borde de grano (áto-
mos verdes)