Ingeniería y Ciencia de Materiales Metálicos 1

Capítulo 1: CRISTALOGRAFÍA

1. SÓLIDOS CRISTALINOS

La estructura de un sólido cristalino se construye por la repetición infinita y regular

de un patrón en el espacio. Esta estructura puede dividirse en una red, que determina
puntos del espacio, y una base, o unidad estructural, que se repite en el espacio. Esta base
puede ser un átomo, un ion, una molécula…

Como el cristal es periódico, se puede caracterizar atendiendo al motivo que llena

todo el espacio al repetirse. Este motivo –definido, por simplicidad, como un paralele-
pípedo– se denomina celdilla unidad, y se caracteriza por las longitudes de sus aristas –
a, b y c–, y los ángulos que forman entre ellas –α, β y γ–, de forma que dos aristas forman
el ángulo que no coincide con sus letras –el ángulo α es el que forman las aristas b y c–.

La celdilla unidad no es única: existen infinitas celdillas unidad para cada red. La
elección de la celdilla se realiza según criterios de simetría. De todas ellas, se llaman cel-
dillas primitivas a todas las celdillas unidad de volumen mínimo.

2. SISTEMAS CRISTALINOS MÁS FRECUENTES EN LOS METALES PUROS

Los sólidos cristalinos pueden presentar siete sistemas cristalinos –cúbico, hexago-
nal, tetragonal, trigonal o romboédrico, ortorrómbico, monoclínico y triclínico (Figura
2.1)–. De todos ellos, el sistema cúbico es el más habitual en metales, y permite abordar
también los sistemas ortorrómbico y tetragonal. Los metales puros cristalizan, principal-
mente, según tres redes cristalinas: el cúbico centrado en el cuerpo –CC, o BCC (del inglés,
body-centered cubic)–, el cúbico centrado en las caras –CCC, o FCC (del inglés, face-cen-
tered cubic)– y el hexagonal compacto –HC, o HCP (del inglés, hexagonal compact pa-
ckage)–. Para caracterizar estas estructuras, se estudian el espacio ocupado por los áto-
mos y el espacio libre que queda entre ellos.
2 Capítulo 1: Cristalografía

Figura 2.1 Celdilla unidad de los siete sistemas cristalinos

2.1. Sistema cúbico centrado en el cuerpo (CC/BCC)

El sistema cúbico centrado en el cuerpo se abrevia por las siglas CC o BCC (del inglés,
body-centered cubic). En la notación de Pearson, aparece referida como cI (del inglés,
cubic Inner-centered).

En la celdilla de este sistema (Figura 2.2) aparecen representados cinco átomos. Sin
embargo, los que se encuentran en los vértices del cubo están compartidos por 8 celdillas
–las vecinas–, de modo que a cada una de estas celdillas le corresponde 1/8 de átomo. El
central, por su parte, está íntegramente contenido en la celdilla. El número de iones, en-
1
tonces, en la celdilla CC/BCC es de (8 · ) + 1 = 2
8

Figura 2.2 Celdilla unidad de un cristal CC/BCC (izquierda),

y de una de sus caras con los átomos truncados (derecha)
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El número de coordinación de un sistema cristalino se define como la cantidad de

vecinos más próximos a cada uno de sus iones. En la Figura 2.2 se observa que el átomo
central es tangente a los ocho de los vértices –se llegaría al mismo resultado si se consi-
dera uno de los átomos situados en los vértices de la celdilla cúbica, que tiene como veci-
nos los ocho átomos del centro de las celdillas vecinas–.

Las celdillas cúbicas presentan ángulos rectos y lados iguales, por lo que quedan
definidas por su parámetro de red, a, que corresponde al lado del cubo. La relación entre
el radio de los átomos que forman la red y el parámetro de red se obtiene buscando las
tangencias de la celdilla, que en este caso se encuentran en la diagonal mayor del cubo.
Esta diagonal contiene cuatro veces el radio atómico (Figura 2.3).

Figura 2.3 Cara de la celdilla unidad de un cristal CC/BCC (izquierda), plano que contiene a las diago-
nales mayores del cubo (centro) y situación de estas proyecciones en un hexaedro (derecha)

Aplicando el teorema de Pitágoras al plano que contiene a las diagonales mayores

del cubo, se obtiene:

2 a√3
4r = √a2 + (a√2) = a√3 ⇒ r =
4

La eficiencia del empaquetamiento cristalino se mide por su compacidad –que tam-

bién se conoce como factor de empaquetamiento atómico (APF, del inglés atomic packing
factor)–, definida como el cociente entre el volumen ocupado y el volumen total de la
celdilla. Para un cristal CC/BCC, el volumen ocupado en una celdilla es el que ocupan los
dos átomos contenidos en la misma –suponiendo que son esferas rígidas–, y el volumen
total es el del paralelepípedo, por lo que:

3
4 3 4 a√3
2 · 3 π  ( 4 )
Vocupado 2 · 3 πr π√3
APF = = = = = 0.68
Vtotal a3 a3 8
4 Capítulo 1: Cristalografía

Esto implica que el 68 % del volumen de un cristal CC/BCC está ocupado por los
átomos, mientras que el 32 % restante está libre.

Los intersticios son los huecos presentes en una estructura cristalina. En los cristales
CC/BCC, aparecen dos tipos diferentes de intersticios: unos más grandes –intersticios
mayores– y otros más pequeños –intersticios menores–.

Los intersticios mayores de los cristales CC/BCC están delimitados por cuatro áto-
mos vecinos (Figura 2.4), formando un tetraedro que no es regular. Considerando una de
las caras del cubo, los intersticios mayores están colocados a mitad de celdilla, y a un
cuarto en cada una de las direcciones. Por simetría, en cada cara aparecen cuatro posicio-
nes intersticiales, y cada una de ellas está compartida por dos celdillas. En total, por lo
1
tanto, aparecen en cada celdilla (4 · 2) · 6 = 12 intersticios mayores.

Figura 2.4 Intersticios mayores del sistema CC/BCC: situación en 3D (izquierda), en 2D sobre una cara
del cubo (centro), y dimensiones (derecha)

El radio del mayor átomo que puede alojarse en uno de estos intersticios sin defor-
mar el cristal, riM, se puede determinar a partir del triángulo rectángulo que se forma so-
bre la cara del cubo, en el que hay tangencias (Figura 2.4):

a 2 a 2 5a2 √5 5
r + riM √
= ( ) +( ) = √ =a = r√ ⇒ riM = 0.291r
2 4 16 4 3

En los cristales CC/BCC aparecen también intersticios menores, que están rodeados
por seis átomos en forma de octaedro irregular (Figura 2.5). Estos intersticios se encuen-
tran en el centro de las caras y en el centro de las aristas de la celdilla, por lo que en cada
1 1
celdilla hay (6 · 2) + (12 · 4) = 6 intersticios menores. Su radio, rim, se puede determinar

teniendo en cuenta que la mitad de la arista de la celdilla debe ser igual a la suma del radio
metálico y del radio del intersticio:
Ingeniería y Ciencia de Materiales Metálicos 5

a 2√3
a = 2r + 2rim ⇒ rim = −r=( − 1) r = 0.155r
2 3

Figura 2.5 Intersticios menores del sistema CC/BCC: situación en 3D (izquierda),

y en 2D sobre una cara del cubo (derecha)

Como estos intersticios tiene forma de octaedro irregular, la deformación que sufre
la red cuando un átomo más grande que el hueco se coloca en posición intersticial no es
igual en ambas direcciones: únicamente se desplazan los átomos que en la Figura 2.5 co-
rresponden a los vértices superior e inferior del octaedro. Este efecto será muy importante
para justificar por qué ciertos elementos se colocan preferentemente en posiciones inters-
ticiales menores para formar fases.

Algunos metales que presentan estructuras CC/BCC son el litio, el sodio, el potasio,
el bario, el titanio –a temperaturas superiores a 882 ℃–, el vanadio, el cromo, el molib-
deno, el wolframio y las formas alotrópicas α y δ del hierro –que son las estables por de-
bajo de 910 ℃ y por encima de 1396 ℃, respectivamente. La propiedad de ciertos ele-
mentos químicos de presentar estructuras cristalinas diferentes según la temperatura se
conoce como alotropía o polimorfismo.

2.2. Sistema cúbico centrado en las caras (CCC/FCC)

El sistema cúbico centrado en las caras se abrevia por sus siglas CCC o FCC (del
inglés, face-centered cubic). También se conoce como cúbico compacto, o CCP (del inglés,
cubic close-packed). En la notación de Pearson, aparece referida como cF (del inglés, cu-
bic Face-centered).

La celdilla del sistema CCC (Figura 2.6) está formada por cuatro átomos, ya que los
ocho átomos situados en los vértices se comparten por las ocho celdillas vecinas, y los seis
1
que están en el centro de las caras se comparten por dos celdillas contiguas: (8 · 8) +
1
(6 · ) = 4.
2
6 Capítulo 1: Cristalografía

Figura 2.6 Celdilla unidad de un cristal CCC/FCC (izquierda),

y de una de sus caras con los átomos truncados (derecha)

El número de coordinación en este sistema se puede determinar estudiando el

átomo situado en el centro de la cara superior: este átomo tiene como vecinos tangentes
los cuatro vértices de la cara superior, y los cuatro centros de las caras laterales –y, por
simetría, los de las cuatro caras laterales de la celdilla superior–: el número de coordina-
ción es 12.

Los átomos situados en la diagonal de las caras del cubo son tangentes entre sí, por
lo que la relación entre el parámetro de red y el radio atómico y la compacidad (APF) son:

a√2
4r = a√2 ⇒ r =
4

3
4 3 4 a√2
4 · 3 π  ( 4 )
Vocupado 4 · 3 πr π√2
APF = = = = = 0.74
Vtotal a3 a3 6

El valor de compacidad del sistema CCC/FCC es el mayor que se puede alcanzar en

un sistema monoatómico. Por esta razón se conoce a este sistema como cúbico compacto.

Los intersticios mayores de un cristal CCC/FCC están delimitados por seis átomos
que forman un octaedro regular (Figura 2.7) –como hay un intersticio mayor en el centro,
el octaedro se puede visualizar eliminando los átomos de los vértices de una celdilla–. Se
encuentran en el centro de la celdilla y en el centro de sus doce aristas, por lo que en cada
1
celdilla hay 1 + (12 · 4) = 4. Sobre una arista del cubo, se disponen dos radios atómicos y

dos radios del intersticio, por lo que:

a
a = 2r + 2riM ⇒ riM = − r = (√2 − 1)r = 0.414r
2
Ingeniería y Ciencia de Materiales Metálicos 7

Figura 2.7 Intersticios mayores del sistema CCC/FCC: situación en 3D –celdilla CCC/FCC sin vértices–
(izquierda), y en 2D sobre una cara del cubo (derecha)

Los intersticios menores están delimitados por cuatro átomos situados sobre los vér-
tices de un tetraedro regular (Figura 2.8). En cada celdilla hay ocho, ya que se encuentran
en el centro de los cubos de arista mitad en que se puede dividir la celdilla. Por simetría,
la diagonal del cubo contiene dos de estos cubos, es decir, cuatro veces la distancia del
vértice al centro del tetraedro. Un cuarto de la diagonal mayor es, por tanto, equivalente
a la suma de los radios del átomo base y del intersticio:

a√3 3
r + rim = ⇒ rim = (√ − 1) r = 0.225r
4 2

Figura 2.8 Intersticios menores del sistema CCC/FCC: situación en 3D (superior izquierda), representa-
ción de los subcubos que contienen al intersticio (superior derecha), y posición en 2D sobre una cara del
cubo (inferior izquierda), sobre el plano que contiene a las diagonales del cubo (inferior centro), y situa-
ción de estas proyecciones en un hexaedro (inferior derecha)

Algunos ejemplos de metales con estructura CCC/FCC son el calcio, el aluminio, el

cobalto, el níquel, el platino, el cobre, el oro, la plata, el plomo y el hierro γ –la variedad
alotrópica que es estable entre 910 y 1396 ℃–.
8 Capítulo 1: Cristalografía

2.1. Sistema cúbico simple

El sistema cúbico simple se conoce también como cúbico primitivo. En la notación

de Pearson, aparece referida como cP (del inglés, cubic Primitive). La forma más sencilla
de disponer los átomos en una red cuadrangular regular es colocando uno en cada vértice
(Figura 2.9). Este sistema no aparece en los metales –únicamente en algunos elementos
como el oxígeno o el flúor cuando solidifican–, pero es interesante para estudiar algunas
redes basadas en él. Presenta un átomo por celdilla –ocho octavos, por compartición–.

Figura 2.9 Celdilla unidad de un cristal cúbico simple (izquierda),

y de una de sus caras con los átomos truncados (derecha)

La arista de la celdilla es igual a dos veces el radio atómico (a = 2r). La compacidad

(APF) de este sistema es:

4 3 4 a 3
Vocupado 1 · 3 πr 1 · 3 π (2 ) π
APF = = 3
= 3
= = 0.52
Vtotal a a 6

Se forma un único intersticio cúbico en el centro del cubo –con número de coordi-
nación 8, como el sistema CC/BCC–, cuyo radio puede obtenerse de la diagonal mayor
del cubo:

2r + 2ri = a√3 = 2r√3 ⇒ ri = r(√3 − 1) = 0.732r

Figura 2.10 Intersticio del sistema cúbico simple: situación en 2D sobre el plano que contiene a las dia-
gonales del cubo
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2.2. Sistema hexagonal compacto (HC/HCP)

La celdilla de un cristal con estructura hexagonal compacta HC/HCP es una prisma

hexagonal, formado por tres capas: dos basales y una intermedia (Figura 2.11). Las capas
basales contienen seis sextos de átomo en sus vértices más medio central, y la capa inter-
1
media contiene tres átomos enteros. El número de átomos total es, entonces 2 · (6 · 6) +
1
(2 · 2) + 3 = 6 átomos por celdilla.

Figura 2.11 Celdilla unidad de un cristal HC/HCP (izquierda),

y perfil y planta de una cara basal y la intermedia superpuestas (derecha)

En esta red, la tangencia a lo largo de las aristas de la base impone que a = 2r. Como
las capas De la condición de tangencia entre las esferas situadas en el plano central del
prisma hexagonal y las situadas en las bases, se deduce que la relación entre la altura de
la celdilla, c, y la arista de la base, a, debe ser el doble de la del tetraedro que se forme
entre dos de sus capas.

Figura 2.12 Tetraedros que se forman en un cristal HC/HCP, para calcular la relación entre altura y
arista
10 Capítulo 1: Cristalografía

b√6
La altura de un tetraedro es , siendo b su arista, que en este caso coincide con el
3
a√6
parámetro de red. Por lo tanto, c = 2 · = 1.633 · a. El número de coordinación en este
3

sistema es 12 –los vecinos más próximos a uno de los átomos del centro de una cara son
los seis situados en los vértices de la misma cara, y los seis –tres y tres– que se encuentran
en los planos centrales de los prismas hexagonales vecinos de los que forma parte esa
base. El cálculo de la compacidad (APF) resulta:

4
Vocupado 6 · 3 πr 3 π
APF = = = = 0.74
Vtotal 1 √3 3√2
6 · (2 · a · 2 a) · c

El número de coordinación y la compacidad en los sistemas CCC/FCC y HC/HCP

son iguales y, además, máximos para modelos de esferas rígidas. Esto ocurre porque, en
realidad, estos dos sistemas son muy cercanos en su estructura. El apilamiento más efi-
ciente de esferas idénticas sobre un plano se consigue cuando cada esfera es tangente a
otras seis –lo cual ocurre en ambos sistemas–. Los dos sistemas están formados por pla-
nos compactos –concepto que se definirá más adelante, pero que intuitivamente se define
como aquel en el que los átomos son todos ellos tangentes entre sí–. Partiendo de dos
capas de átomos apiladas, la posición de la tercera es la que determina el sistema crista-
lino (Figura 2.13). Si los átomos de la tercera capa se disponen de forma que coinciden
con los de la primera, el sistema es hexagonal compacto. Si los átomos se disponen de
forma que no coincidan con las capas anteriores, el sistema es cúbico centrado en las ca-
ras.
Ingeniería y Ciencia de Materiales Metálicos 11

Figura 2.13 Apilamiento de los sistemas HC/HCP y CCC/FCC

Los intersticios de los cristales con máxima compacidad –CCC/FCC y HC/HCP–

tienen la misma geometría y el mismo tamaño. En la celdilla HC/HCP aparecen seis in-
tersticios octaédricos –mayores– con radio riM = 0.41r, y doce intersticios tetraédricos –
menores– con radio rim = 0.225r.

Figura 2.14 Intersticios tetraédricos –menores– y octaédricos –mayores– en el sistema HC/HCP

Únicamente el helio sólido presenta una estructura HC/HCP ideal. Los metales con
estructura hexagonal compacta no presentan la relación c/a ideal de 1.633, sino valores
cercanos:

Metal Be Ti Co Mg Zn Cd
c/a 1.581 1.586 1.622 1.623 1.861 1.886
12 Capítulo 1: Cristalografía

3. ÍNDICES DE MILLER

Ciertos aspectos del comportamiento de los sólidos cristalinos están relacionados

con la disposición de los átomos en el cristal en planos y direcciones. El convenio univer-
salmente aceptado para denotar planos y direcciones en un cristal es el de los índices de
Miller. El sistema de referencia que se utiliza en celdillas cúbicas son tres ejes paralelos a
las aristas de la celdilla, en el que los parámetros a, b y c se utilizan como unidades de
medida en cada eje. La definición original de los ejes se hizo en sentido no congruente –
horario–, pero por la influencia de la geometría cartesiana es habitual verlos referidos en
sentido congruente –antihorario–. En la mayoría de los casos este detalle no es relevante.

3.1. Índices de Miller para determinar planos

Para obtener los índices de Miller de un plano, se siguen estos pasos:

1. Elegir un sistema de referencia cuyo origen no contenga al plano

2. Calcular el corte del plano con los tres ejes –si el plano es paralelo a algún eje, se
considera que lo corta en infinito–

3. Se hace el inverso del corte con cada eje

4. Se reducen los números a enteros

5. Los números negativos se marcan con una línea horizontal sobre el índice en cues-
tión

6. Se colocan los números resultantes entre paréntesis y sin comas que los separen:
(h k l)

7. Si el plano forma una familia de planos –si es cristalográfico, concepto que se ex-
plica más adelante– se denota entre llaves: {h k l}
Ingeniería y Ciencia de Materiales Metálicos 13

Figura 3.1 Ejemplo de cálculo de los índices de Miller de un plano

3.1.1 Distancia interplanar y familias de planos

Aunque al introducir el concepto de índices de Miller resulta cómodo referirse a un

plano en particular, en una estructura periódica como la de un cristal, los planos con idén-
tica orientación y distribución de átomos son indistinguibles. Realmente, la notación
(h k l) hace referencia a un conjunto de planos paralelos (Figura 3.2), con un espaciado
interplanar dhkl, que se define para sistemas cúbicos como:

a
dhkl =
√h2 + k 2 + l2

Figura 3.2 Concepto de planos paralelos (izquierda), y concepto de planos equivalentes (derecha)

Para referirnos, entonces, a todas la familia de planos con la misma distribución de

iones que la (h k l), sea cual sea su orientación, se utiliza la notación {h k l}. En estas fa-
milias, aparecen planos equivalentes, como se observa en las cuatro orientaciones del
plano {1 1 1} de la Figura 3.2.
14 Capítulo 1: Cristalografía

3.1.2 Planos cristalográficos

Para que un plano sea considerado cristalográfico, han de cumplirse dos condicio-
nes: que contenga a todos los átomos del cristal –puesto que se repite en el espacio–, y
que ninguno de los planos del conjunto esté vacío.

Figura 3.3 Planos cristalográficos en cristales C.C.

Figura 3.4 Planos cristalográficos en cristales C.C.C.

En el sistema CC/BCC, los planos cristalográficos cumplen que la suma de sus índi-
ces, h+k+l, es par. En el sistema CCC/FCC, los tres índices de los planos cristalográficos
son todos pares –incluyendo al cero–, o todos impares. Esta regla sólo es aplicable si no
existen en la familia planos vacíos.
Ingeniería y Ciencia de Materiales Metálicos 15

3.1.3 Planos densos y planos compactos

Se definen los planos densos como los de máxima densidad planar del sistema, y los
planos compactos como los planos en los que hay tangencia en todos los átomos de la red.
En el sistema CC/BCC, no existen planos compactos –no hay planos en los que todos los
átomos sean tangentes–, pero los planos de mayor densidad son los {1 1 0}, que contienen
la dirección compacta 〈1 1 1〉, en la que los átomos son todos tangentes entre sí –por lo
que es dirección densa, y además compacta–. En el sistema CCC/FCC, los planos com-
pactos son los {1 1 1}, y la dirección densa y compacta es la 〈1 1 0〉.

3.2. Índices de Miller para determinar direcciones

Los índices de Miller de una dirección se obtienen reduciendo a enteros las compo-
nentes de un vector que sea paralelo a ella, y que pase por el origen. El resultado se escribe
entre corchetes, sin separación de comas. Si aparece algún número negativo, se usa el
mismo convenio que para los planos –una línea horizontal sobre el número–.

Para referirse a todas direcciones con la misma distribución de iones que la [h k l] se

emplea la notación 〈h k l〉.

En sistemas cúbicos, una dirección perpendicular a un plano tiene los mismos índi-
ces que dicho plano, es decir: [h k l] ⊥ (h k l).

4. CÁLCULO DE PROPIEDADES A PARTIR DE LA CRISTALOGRAFÍA

4.1. Densidad teórica de un cristal

A partir de la descripción de las redes cristalinas puede calcularse la densidad teó-

rica de un cristal –ya sea elemento puro, o compuesto cristalino. Para un cristal –puesto
que las densidades de la celdilla y del cristal deben coincidir–, la densidad es la masa
contenida en una celdilla –que depende del número de átomos por celdilla (n), y la masa
atómica (A)– dividida por su volumen (V). Para el cálculo en unidades de masa, es nece-
sario incluir también el número de Avogadro (NA = 6.022 · 1023 mol−1 ):

n·A
ρ=
NA · V
16 Capítulo 1: Cristalografía

En el caso de tratarse de una fase formada por dos o más elementos –compuestos o
soluciones sólidas con elementos sustitucionales o intersticiales–, se deben considerar
todos ellos, en la cantidad en la que se incluyan en la celdilla:

∑i(ni · Ai )
ρ=
NA · V

4.2. Densidades atómicas volumétrica, planar y lineal

Las densidades atómicas se definen, en cristalografía, como el número de átomos

por unidad de volumen –por celdilla–, por unidad de superficie –en un plano cristalográ-
fico–, o por unidad de longitud –en una dirección cristalográfica–.

La densidad atómica volumétrica corresponde al número de átomos por celdilla (n),

que ya se calculó para los casos más habituales.

La densidad atómica planar se puede calcular a partir de la distancia interplanar:

n n a n
Dhkl = · dhkl = · =
a3 a3 √h2 + k 2 + l2 a2 √h2 + k 2 + l2

Por último, la densidad atómica lineal se define como el número de átomos por uni-
dad de longitud cuyo centro se encuentra sobre esa dirección.

5. DEFORMACIÓN PLÁSTICA POR DESLIZAMIENTO

La deformación plástica de un cristal metálico también está relacionada con sus pla-
nos y direcciones densos y compactos. El deslizamiento –uno de los mecanismos micros-
cópicos de deformación plástica más importantes en metales– es fácilmente observable
mediante técnicas metalográficas. Las líneas de la zona rayada en la Micrografía 5.1 –
conocidas como líneas de deslizamiento– son consecuencia del desplazamiento relativo y
de planos en el cristal. Las distintas orientaciones de estas líneas muestran que la direc-
ción del deslizamiento en un cristal no es necesariamente única.
Ingeniería y Ciencia de Materiales Metálicos 17

Micrografía 5.1 Líneas de deslizamiento en las proximidades de una huella de dureza Vickers
–zona clara que aparece a la izquierda– (izquierda, 1000x, aluminio sin ataque),
y esquema de la deformación por deslizamiento (derecha)

El deslizamiento se produce cuando un esfuerzo supera la fuerza de cohesión del

enlace atómico, y parte de un cristal se desplaza respecto a la otra sobre un plano crista-
lográfico, de modo que el cristal queda inalterado. Para que esto suceda, el deslizamiento
debe producirse en una dirección cristalográfica, y la magnitud del desplazamiento debe
coincidir con la distancia entre dos átomos consecutivos en esa dirección (Figura 5.1).

Figura 5.1 Deslizamiento en un cristal en una dirección favorable en la que el salto requerido es menor
(izquierda), y en una dirección no favorable en la que el salto es mayor (derecha)

Para minimizar este salto, el deslizamiento se produce sobre los planos y direcciones
densos. Los sistemas de deslizamiento, entonces, están formados por un plano cristalo-
gráfico con alta densidad planar y una dirección compacta contenida en el mismo, a lo
largo de la cual se produce el deslizamiento.
18 Capítulo 1: Cristalografía

Tabla 5.1 Sistemas de deslizamiento en los cristales CC/BCC y CCC/FCC

Sistema Dirección de Plano de Número de sistemas de

cristalino deslizamiento deslizamiento deslizamiento
6 · 2 = 12
{1 1 0}
12 · 1 = 12
CC/BCC 〈1 1 1〉 {1 1 2}
24 · 1 = 24
{1 2 3}
Total: 48
CCC/FCC 〈1 1 0〉 {1 1 1} 4 · 3 = 12

Para el sistema CCC/FCC, los únicos planos de deslizamiento son los planos com-
pactos {1 1 1}. Como estos planos pueden presentar cuatro orientaciones diferentes (Fi-
gura 3.2), y para cada una de ellas es posible encontrar tres direcciones compactas distin-
tas –las diagonales del cubo–, el número de sistemas de deslizamiento en los cristales
CCC/FCC es doce. En los cristales CC/BCC, el deslizamiento se produce según la dirección
compacta 〈1 1 1〉, preferentemente sobre los planos de mayor densidad
{1 1 0}, aunque también pueden activarse de forma simultánea otros planos que la con-
tienen, pero no son paralelos al anterior –{1 1 2} y {1 2 3}–.

Los resultados experimentales muestran que el esfuerzo de cizalla crítico para pro-
vocar el deslizamiento elemental –de un salto atómico–, toma valores cercanos a 1 MPa
para los cristales CCC/FCC. En cambio, en los cristales CC/BCC son del orden de las de-
cenas de MPa. Los metales CC/BCC resultan, en general, más resistentes que los
CCC/FCC –a pesar de tener más sistemas de deslizamiento–, mientras que estos, como
contrapartida, se pueden deformar plásticamente con mayor facilidad. Esto se justifica
porque los sistemas de deslizamiento en el sistema CC/BCC son menos eficientes –sólo
incluyen, como mucho, dos direcciones compactas, frente a las tres del CCC/FCC–, a pe-
sar de ser más numerosos.