Está en la página 1de 77

RICARDO ALONSO FLORES TORRES

IKZURY MACARTINA CAMACHO ARVIZU

2077920

IMTC

21/11/2022
GRUPO: 204
Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017
Curva característica el diodo con multímetro

Experimento 1
Curva Característica Del diodo

Objetivo.
Obtener la curva de respuesta del diodo a través de un circuito formado por una resistencia y un
diodo, medir las caídas de voltaje y flujo de corriente.
Hacer uso adecuado del multímetro.
Usar escalas adecuadas.
Lista de Material
1 Protoboard
1 Resistencia de 1K (La potencia la puedes calcular en base al voltaje que se va aplicar)
1 Diodo 1N4148 (Busca la página web del fabricante y descargar hoja de especificaciones del
diodo)
Equipo
(Proporcionado en el Laboratorio)
1 Multímetro
1 Fuente de voltaje variable de 0 a 10 volts.
Teoría preliminar
El circuito (Figura 6) consta de una resistencia en serie con un diodo, la fuente a utilizar es una
fuente de voltaje variable entre 0 y 10 volts. Al variar la fuente de voltaje cambiará la corriente y
el voltaje a través del diodo, tomar dichos valores para graficar la curva real del diodo, que será
aproximadamente la que observamos en libros de texto (Figura 5)
La característica general de un diodo semiconductor se puede definir mediante la ecuación de
Shockley, para las regiones de polarización en directa y en inversa (Boylestad, 2009):

Dónde:
𝐼𝐷 Corriente del diodo
𝑉𝐷
IS Corriente de saturación en inversa
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑛𝑉𝑇− 1) (𝐴𝑚𝑝𝑒𝑟𝑒𝑠)
VD Voltaje de polarización en directa aplicado a través del
diodo
n factor de idealidad, el cual es una función de las
condiciones de operación y construcción física; varía entre 1
y 2 según una amplia diversidad de factores.

El voltaje térmico VT está dado por:


(2)
𝑘𝑇
𝑉𝑇 = (𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠)
𝑞
Donde:
k es la constante de Boltzmann 1.38*10-23 J/K
T es la temperatura absoluta en Kelvin = 273+ la temperatura en °C
q es la magnitud de la carga del electrón 1.6*10-19 Coulomb
La temperatura que normalmente se considera para un sistema electrónico operando en un lugar cerrado
es de 27°C.

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2018


Curva característica el diodo con multímetro

Figura 5 Curva obtenida utilizando la ecuación (2) de Shockley en MATLAB® (Attia, 1999)

Procedimiento:
1.-Implementar el siguiente circuito (Figura 6):

Figura 6 Diagrama del circuito (Diodo polarizado en directa a través de una resistencia)
2.- Colocar los aparatos de medición como se muestra a continuación ( Figura 7):

Figura 7 Conexiones para medir corriente (a) y voltaje (b).

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2018


Curva característica el diodo con multímetro

3.- Efectuar las siguientes mediciones al estar variando la fuente de voltaje con los valores que
aparecen en la tabla.
Ley de Ohm
VD ID
+V (Volts) (En caso de que no
Volts miliamperio
funcione el Amperímetro)
0 0
0
200 427.4 pA
0.2
399.4 510.8 pA
0.4
485.7 14.2 uA
0.5
527.7 72.2 uA
0.6
547.2 152.8 uA
0.7
559.1 240.8 uA
0.8
567.5 332.4 uA
0.9
574.1 425.8 uA
1
579.4 520.5 uA
1.1
583.9 616 uA
1.2
587.9 712.09 uA
1.3
591.3 905.5 uA
1.4
594.4 905.5 mA
1.5
597.2 1.003 mA
1.6
606.3 1.3 mA
2
632.3 3.3 mA
4
647.4 5.3 mA
6
658.8 7.3 mA
8
668.2 9.3 mA
10
Tabla 3 Valores de Voltaje y Corriente en el Diodo. (No olvides incluir las unidades en los valores medidos.)

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2018


Curva característica el diodo con multímetro

4.- Registrar la siguiente información

Equipo utilizado Fabricante-Modelo No. de serie


Multímetro Digital
Osciloscopio
Generador de funciones
Fuente de voltaje
OTRO (Especifica):

Reporte :
1. Anota el procedimiento utilizado en el multímetro para la medición de voltaje y corriente:

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2018


Curva característica el diodo con multímetro

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2018


Curva característica el diodo con multímetro

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2018


Curva característica el diodo con multímetro

2. Graficar ( ) la corriente contra el voltaje del diodo utiliza MATLAB ® y aplica la aproximación
necesaria para que la curva se asemeje lo más posible a la teoría. Consulta: Karris, S. T. (2005).
Electronic Devices and Amplifier Circuits with MATLAB®Applications. Orchard Publications.
(Opcional, consulta con tu profesor)

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2018


Curva característica el diodo con multímetro

3. Graficar del voltaje y la corriente en el diodo (También puedes usar EXCEL® y OCTAVE ®, para
realizar tus graficas). (John W. Eaton, 2017)

Anota la escala
por división
utilizada en
cada eje.

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2018


Curva característica el diodo con multímetro

Investigar:
4. ¿Qué es un LED?
El LED es un componente capaz de transformar la energía eléctrica en energía luminosa.
Consiste en un semiconductor, capaz de emitir luz sin otros procesos que no son tan eficientes
y necesarios en otros tipos de lámparas, como el consumo de filamentos o las emisiones de
gases.

5. ¿Qué sucede si se conecta un diodo o un LED directamente a la fuente?

Se daña debido a que se le brinda una cantidad mayor de energía a la que este puede soportar
y se puede fundir o quemar.

6. ¿Qué función tiene la resistencia en un circuito con Diodos?

Ayudar a regular el paso de la corriente para evitar que pase más de lo necesario a los
componentes y estos se dañen

7. ¿Cuál es la corriente máxima de operación, del diodo que utilizaste?


9.332 mV

¿Anota de dónde obtuviste el valor?


8. ¿Cuál es el voltaje pico inverso máximo del diodo que utilizaste?
668.241 mV

¿De dónde obtuviste el dato?


Se obtuvo del multímetro que se utilizo
9. Si el diodo lo fueras utilizar para crear un rectificador de onda completa, ¿funcionaría?, ¿Por
qué?
Si ya que al estar conectados en serie funcionan igual.

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2018


Curva característica el diodo con multímetro

10. Investigar el voltaje de operación de los diodos de acuerdo al material de fabricación y de los
LEDs de acuerdo a su color y llena la siguiente tabla:

Material Color Voltaje de Operación


Si N/A 0.73 V

Ge N/A 0.3 V

GaAs N/A 1.03 V

Azul 3.4 V

Rojo 1.9 V

Verde 2.4 V

Blanco 3.4 V

Ámbar 2.1 V

Naranja 2.4 V

Amarillo 1.72 V

Nota: También debes anotar el material para cada color de los leds en la primer columna.
Tabla 4 Valores de los voltajes de operación de acuerdo al material del diodo y del color del
LED.

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2018


Curva característica el diodo con multímetro

RECURSOS DE APOYO para el Experimento 1


Boylestad, R. L. (2009). Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos. México:
PEARSON EDUCACIÓN.
Nashelsky, R. L. (1996). Laboratory Manual Electronic Devices and Circuit Theory. New Jersey:
Prentice Hall.
Karris, S. T. (2005). Electronic Devices and Amplifier Circuits with MATLAB®Applications. Orchard
Publications.
John W. Eaton, David Bateman, Søren Hauberg, Rik Wehbring (2016).GNU Octave version 4.2.0
manual: a high-level interactive language for numerical computations. URL
http://www.gnu.org/software/octave/doc/interpreter/
Observar los siguientes videos:
((España), 2017), La Unión PN. ¿Cómo funcionan los diodos? (Versión en castellano),
https://www.youtube.com/watch?v=hsJGw_c-Nn4
((España), EL LED - ¿Cómo funciona el led? - Spanish version (español) , 2017),
https://www.youtube.com/watch?v=N73txERy5Fs
Fabricantes de semiconductores:
Texas Instruments:
https://www.ti.com/
ST Semiconductor:
http://www.st.com/content/st_com/en/products/diodes-and-rectifiers.html
Software de simulación:
NI Multisim, National Instruments,
https://lumen.ni.com/nicif/esa/academicevalmultisim/content.xhtml
NI Multisim Live, National Instruments,
https://beta.multisim.com/create/
Labview, National Instruments,
http://www.ni.com/download-labview/esa/
DC/AC Virtual Lab,
https://dcaclab.com/es/home
Easy EDA,
https://easyeda.com/
MATLAB ®,
https://www.mathworks.com/academia/students.html?s_tid=acmain_sp_gw_bod

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2018


Curva característica del diodo en el osciloscopio

Experimento 2

Curva característica del diodo en el osciloscopio

Objetivo
• Obtener la curva de respuesta del diodo en el osciloscopio utilizando un circuito formado
por una resistencia, un diodo, un puente de diodos y un transformador.
• Aprender a utiliza el osciloscopio, en el modo XY.
• Utilizar las escalas adecuadas en el osciloscopio.
Lista de Material
1 Puente rectificador de 1 Amp. a 50 V.
1 Diodo 1N4148 (Usar el mismo del experimento anterior).
1 Transformador de 120/12 VCA de 1 Amp.
1 Resistencia de 1K.
1 Resistencia de 3.3K.
Equipo
1 Osciloscopio. (Verifica la marca y modelo en el laboratorio y descarga el manual de la
página del fabricante)

Procedimiento
1.- Implementar el circuito de la Figura 8

Figura 8 Diagrama del circuito para observar la curva del diodo en el osciloscopio

2.-Ajustar las escalas en el osciloscopio, de acuerdo a las magnitudes que se van a medir.
3.- Conectar un osciloscopio a los puntos (X, Y, G) que se marcan en el diagrama.
4.- Ajustar los controles del osciloscopio para operar en el modo XY; ajustar la escala vertical a 2
V/div, y la escala horizontal a 0.5 V/div.
5.- Observar la curva característica del diodo; hacer uso de los controles de posición vertical y
horizontal para colocar la curva en el origen de la pantalla del osciloscopio (Debe iniciar en el
origen de los ejes X, Y).

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


Curva característica del diodo en el osciloscopio

6.- Tomar una fotografía ( ) de la curva característica del diodo mostrada en la pantalla del
osciloscopio, asegurarse que las perillas y escalas de los canales del osciloscopio sean visibles,
inserta la fotografía en tu reporte e indica los valores de las escalas utilizados en los ejes de voltaje
(X) y corriente (Y) del diodo. En caso de estar usando un osciloscopio digital, guardar la imagen y
los datos en formato CSV en una memoria USB (Consulta el manual del modelo correspondiente,
BKprecision® o Tektronik®).

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


Curva característica del diodo en el osciloscopio

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


Curva característica del diodo en el osciloscopio

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


Curva característica del diodo en el osciloscopio

RECURSOS DE APOYO para el Experimento 2

Boylestad, R. L. (2009). Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos. México:


PEARSON EDUCACIÓN.
Hambley, A. R. (2001). Electrónica. Madrid: Prentice Hall.
Malvino, A. P., & Bates, D. J. (2007). Principios de electrónica. McGraw-Hill Interamericana de
España S.L.
Neamen, D. A. (1999). Análisis y diseño de circuitos electrónicos. México: McGraw-Hill
Interamericana.
Nashelsky, R. L. (1996). Laboratory Manual Electronic Devices and Circuit Theory. New Jersey:
Prentice Hall.
Attia, J. O. (1999). Electronics and circuit analysis using MATLAB. CRC Press.
Karris, S. T. (2005). Electronic Devices and Amplifier Circuits with MATLAB®Applications. Orchard
Publications.
BK Precision. (15 de Marzo de 2017). Obtenido de www.bkprecision.com
Tektronics. (15 de Marzo de 2017). Obtenido de www.tektronics.com

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


Experimento 3
Circuito Recortador
Objetivo
• Comprobar el funcionamiento de un circuito recortador.
• Aprender a utilizar el generador de funciones.
• Conocer con los botones y perillas del generador de funciones.
• Medir frecuencia, voltaje máximo y voltaje pico-pico en el osciloscopio.
• Afianzar los conocimientos del uso adecuado del osciloscopio.
Material
1 Potenciómetro lineal de 1KΩ
1 Resistencia de 100 KΩ
1 Diodo 1N4148 (Descargar la hoja de especificaciones)
Equipo
1 Osciloscopio (Revisar marca y modelo; descargar y leer el manual de operación)
1 Fuente de alimentación
1 Generador de funciones (Revisar marca y modelo; descargar y leer el manual de operación)
Teoría Preliminar
En el circuito recortador serie (Figura 9)el diodo únicamente conduce cuando la señal de entrada
(Vi) excede (es mayor) al voltaje de referencia (VC). De tal manera que el comportamiento del
circuito se puede resumir de la siguiente manera:

𝑽𝒐 = 𝑽𝒊 para 𝑽 𝒊 < 𝑽𝑪
𝑽𝒐 = 𝑽𝑪 para 𝑽 𝒊 > 𝑽𝑪
lo anterior considerando que el diodo es ideal (recuerda que el voltaje de operación para un diodo
ideal es cero y para el diodo práctico es 0.7V).

Figura 9 Circuito recortador en serie (CHA=CH1 y CHB=CH2)


Nota: El potenciómetro deberá ser colocado en el protoboard de tal forma que no genere falsos.
Un extremo del potenciómetro se conecta al nodo de la fuente, el otro extremo al nodo común y
la terminal central al cátodo del diodo (VB). El diodo deberá estar conectado correctamente, para
que el circuito funcione de forma adecuada.

Procedimiento
Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017
1.- Implementar el circuito recortador ( Figura 9)

2.-Configurar el Generador de Funciones a una frecuencia de 1 KHz y una Amplitud de 10 vp-p


con una Forma de Onda Seno, asegurarse que las perillas que no se utilicen estén completamente
a la izquierda.

3.- Usar el multímetro digital (En modo Voltímetro C.D.) para cerciorarse que la señal no tiene
componente de C.D. Si la tiene cancelarla con el control de offset del generador de funciones.
(Recuerda haber leído el manual de operaciones del generador de funciones)

4.- Usar el multímetro digital para ajustar el potenciómetro, hasta que el voltaje de C.D. en VB sea
de 3 Volts.
Se recomienda dejar conectado el multímetro en las terminales del potenciómetro, para estar
monitoreando el valor del voltaje.

5.-Eligir escalas adecuadas en el osciloscopio.

6.-Configurar el osciloscopio en modo de C.D.(acoplamiento), conecta las señales de entrada


(CH1) y de salida respectivamente (CH2). Usa la misma escala de voltaje en ambos canales.

7.- Dibujar ( )la forma de onda de los voltajes Vi y Vo.

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


REPORTE

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


1.- Explicar el funcionamiento del circuito recortador serie (Figura 9).
Se diseñan con el objetivo de recortar o eliminar una parte de la señal que se le introduce en
sus terminales de entrada y permita que pase el resto de la forma de onda sin distorsión o con
la menor distorsión posible.

2.- Explicar el comportamiento del circuito recortador serie (Figura 9), si el procedimiento se ajusta
para VB=0
No pasa la suficiente corriente para alimentar el diodo es decir es casi despreciable ya que es
menor voltaje de corte del diodo

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


3.- Explique el funcionamiento del circuito recortador serie (Figura 9), cuando la fuente VBB es iguala -
12V (Paso 7 del procedimiento).

El corte que se realiza es debajo del eje x y se maneja puro voltaje negativo.

4.- En un Circuito recortador serie (Figura 9), porqué se asignaron los valores en la resistencia del
potenciómetro (Rp), RP1=0.25KΩ RP2 = 0.75KΩ.

Porque son las resistencias con las que cuenta el potenciómetro por su alto valor de
conductividad

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


RECURSOS DE APOYO para el Experimento 3
Boylestad, R. L. (2009). Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos. México:
PEARSON EDUCACIÓN.
Nashelsky, R. L. (1996). Laboratory Manual Electronic Devices and Circuit Theory. New Jersey:
Prentice Hall.
Attia, J. O. (1999). Electronics and circuit analysis using MATLAB. CRC Press.
Karris, S. T. (2005). Electronic Devices and Amplifier Circuits with MATLAB®Applications. Orchard
Publications.
Alicante, R. I. (19 de Mayo de 2017). Laboratorio Integrado de Ingeniería Industrial . Obtenido de
Práctica 1. Simulación de circuitos electrónicos mediante PSIM.:
https://rua.ua.es/dspace/bitstream/10045/23718/1/LII-P1 Simulador.pdf
Attia, J. O. (1999). Electronics and circuit analysis using MATLAB. CRC Press.
GÓMEZ, M. Á. (24 de Mayo de 2017). Dispositivos Electrónicos I / Tecnología Electrónica.
Obtenido de http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema7.pdf
Instruments, N. (5 de Junio de 2017). Opciones de evaluación de multisim. Obtenido de
http://www.ni.com/multisim/try/esa/
Izquierdo, G. V. (22 de Mayo de 2017). Circuitos con diodos. Obtenido de
http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-sistemas-electronicos/material-de-clase-
1/tema-2.-circuitos-con-diodos.pdf
John W. Eaton, D. B. (3 de Junio de 2017). GNU Octave version 4.2.0 manual: a high-level
interactive language for numerical computations. Obtenido de URL
http://www.gnu.org/software/octave/doc/interpreter/
Laquidara, I. A. (12 de 09 de 2011). Facultad de Ingeniería Universidad Nacional de la Plata.
Recuperado el 8 de 5 de 2017, de
http://catedra.ing.unlp.edu.ar/electrotecnia/electronicos2/download/Apuntes/Teo1.1-
FuentesCCnoregu.pdf
Olea, A. A. (25 de Mayo de 2017). El Limitador/. Obtenido de
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema4/Paginas/Pagina18.htm
Olea, A. A. (22 de Mayo de 2017). ELECTRÓNICA BÁSICA/ Curso de Electrónica Básica en Internet.
Obtenido de
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema5/Paginas/Pagina2.htm

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


Circuito Sujetador

Experimento 4
Circuito Sujetador

Objetivo
• Observar el comportamiento de un circuito sujetador.
• Aplicar los conocimientos adquiridos en el uso del generador de funciones.
• Aplicar los conocimientos adquiridos en el uso del osciloscopio.
Lista de Material
1 Potenciómetro de 1K Ω
1 Resistencia 100K Ω, ½ W
1 Diodo 1N914
1 Capacitor 0.1 μf, 100V
Equipo
1 Osciloscopio
1 Generador de señales
1 Multímetro digital
1 Fuente de alimentación
Teoría Preliminar.
Existen dos formas de agregar una componente de C.D. a una señal de entrada de C.A.
• Agregando una fuente de voltaje de C.D. en serie.
• Agregando un circuito sujetador (Capacitor, Resistencia y Diodo).

En el circuito Sujetador (Figura 11), durante el semi-ciclo negativo de la señal de entrada, el


capacitor se carga hasta un voltaje igual a 𝑽𝒎á𝒙– 𝑽𝑪 (Figura 10), el tiempo que le lleva cargarse es
conocido como la constante de tiempo de carga y descarga de un capacitor (  = 𝑅𝐶).

Durante el semi-ciclo positivo la constante de tiempo  es mucho mayor que la mitad del periodo.
𝑇
( >> ) y esto no permite que el capacitor se descargue, por lo tanto, el diodo no conduce,
2
analizando la malla con LVK (Leyes de Voltajes de Kirchhoff) obtenemos:
Ecuación 3 𝑉𝑜(𝑡) = 𝑉𝑖(𝑡) + 𝑉𝑚á𝑥– 𝑉𝐶
Esta última ecuación (3) es la expresión del voltaje de salida en función del tiempo.

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


Circuito Sujetador

Figura 10 Voltaje Máximo de la señal de entrada.

Figura 11 Circuito sujetador (CHA=CH1 y CHB=CH2)

Nota: El potenciómetro deberá ser colocado en el protoboard de tal forma que no genere falsos.
Un extremo del potenciómetro se conecta al nodo de la fuente, el otro extremo al nodo común
(Terminal negativa de la fuente) y la terminal central al cátodo del diodo (Terminal positiva del
diodo, el voltaje a la salida del potenciómetro será identificado con VB). Debes asegurarte que el
diodo esté conectado correctamente, para que el circuito funcione de forma adecuada.

Procedimiento.
1. Implementar el circuito sujetador (Figura 11)
2. Configurar el Generador de Funciones a una frecuencia de 1 KHz y una Amplitud de 10 vp-
p con una Forma de Onda Seno, asegurarse que las perillas que no se utilicen estén
completamente a la izquierda.
3. Usar el multímetro digital (Como voltímetro C.D.) para cerciorarse que la señal de entrada
Vi no tiene componente de C.D. Si la tiene, cancelarla con control de offset del generador
de funciones.

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


Circuito Sujetador

4. Usar el multímetro digital como voltímetro para ajustar el potenciómetro, hasta que el
voltaje de C.D. en VB sea de 3 volts.
5. Seleccionar las escalas adecuadas en el Osciloscopio
6. Observar ( ) en el osciloscopio en modo de C.D., las señales de entrada y de salida
respectivamente. Usar la misma escala de voltaje en ambos canales. (CH1 y CH2)

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


Circuito Sujetador

7. Explicar el funcionamiento del circuito sujetador (Figura 11) .

Son circuitos compuestos por diodos, resistencias y condensadores, que permiten sostener una
señal, un valor diferente de cero. (También se conoce como circuito atrapador). Si el
condensador se encuentra descargado, al aplicar tensión, él se comportará como un corto
(oponiéndose al cambio de voltaje). Para que exista conducción, se requiere que la señal inicie
su recorrido con un voltaje negativo, esto hará que el condensador se cargue a un voltaje Vm.
Al comenzar la fuente la disminución de tensión, el voltaje en el cátodo es: VK = Vi + Vm; el cual
nunca disminuirá de 0, y entonces la salida, será una señal alterna “sujetada” en un nivel de
continua igual a Vm.

8. ¿Cuál es la función del capacitor en el circuito?


Son circuitos que debido a sus componentes sujetan la señal recibida por estos mismos ya
sea por medio de un corto circuito o la filtración de corriente.

9. Define la CONSTANTE de TIEMPO de carga y descarga para el capacitor:


Ayuda a suministrar voltaje al circuito

10. ¿Qué importancia tiene la CONSTANTE de TIEMPO en el análisis del circuito?

El capacitor tiene una constante de tiempo de 5t o puede variar dependiendo a los intervalos de
carga que maneje cada uno en el circuito

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


Circuito Sujetador

RECURSOS DE APOYO para el Experimento 4


Boylestad, R. L. (2009). Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos. México:
PEARSON EDUCACIÓN.
Nashelsky, R. L. (1996). Laboratory Manual Electronic Devices and Circuit Theory. New Jersey:
Prentice Hall.
Attia, J. O. (1999). Electronics and circuit analysis using MATLAB. CRC Press.
Karris, S. T. (2005). Electronic Devices and Amplifier Circuits with MATLAB®Applications. Orchard
Publications.
Alicante, R. I. (19 de Mayo de 2017). Laboratorio Integrado de Ingeniería Industrial . Obtenido
de Práctica 1. Simulación de circuitos electrónicos mediante PSIM.:
https://rua.ua.es/dspace/bitstream/10045/23718/1/LII-P1 Simulador.pdf
Attia, J. O. (1999). Electronics and circuit analysis using MATLAB. CRC Press.
GÓMEZ, M. Á. (24 de Mayo de 2017). Dispositivos Electrónicos I / Tecnología Electrónica.
Obtenido de http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema7.pdf
Instruments, N. (5 de Junio de 2017). Opciones de evaluación de multisim. Obtenido de
http://www.ni.com/multisim/try/esa/
Izquierdo, G. V. (22 de Mayo de 2017). Circuitos con diodos. Obtenido de
http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-sistemas-electronicos/material-de-clase-
1/tema-2.-circuitos-con-diodos.pdf
John W. Eaton, D. B. (3 de Junio de 2017). GNU Octave version 4.2.0 manual: a high-level
interactive language for numerical computations. Obtenido de URL
http://www.gnu.org/software/octave/doc/interpreter/
Laquidara, I. A. (12 de 09 de 2011). Facultad de Ingeniería Universidad Nacional de la Plata.
Recuperado el 8 de 5 de 2017, de
http://catedra.ing.unlp.edu.ar/electrotecnia/electronicos2/download/Apuntes/Teo1.1-
FuentesCCnoregu.pdf
Olea, A. A. (25 de Mayo de 2017). El Limitador/. Obtenido de
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema4/Paginas/Pagina18.htm
Olea, A. A. (22 de Mayo de 2017). ELECTRÓNICA BÁSICA/ Curso de Electrónica Básica en
Internet. Obtenido de
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema5/Paginas/Pagina2.htm

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


Rectificador de onda completa tipo puente

Experimento 5

Rectificador de onda completa tipo puente

Objetivo.
• Observar y medir las formas de onda de voltaje presente en un circuito rectificador de onda
completa tipo puente.
• Medir voltajes pico-pico en el osciloscopio.
• Medir voltajes rms (VCA) en el multímetro.
• Obtener la curva de regulación de una fuente no regulada.
• Obtener la curva de rizado de una fuente no regulada.
• Obtener y medir la corriente de pico repetitiva en los diodos.
• Observar el efecto que produce la modificación del valor del capacitor del filtro.
Lista de Material.
1 Cinta de aislar. (Para cubrir las conexiones del transformador a la clavija)
1 Transformador 120/12 VCA con capacidad de 1 Amp. o más.
1 Clavija. (Para la conexión del transformador al contacto de voltaje de 120VcA)
4 Diodos 1N4148. (Descargar hoja de especificaciones de la página del fabricante y verificar
la corriente máxima de conducción y el voltaje pico inverso, PIV)
2 Capacitores electrolíticos de 330F, de 50V o más.
1 Resistencia de 1 de 3W o mayor. (Se puede hacer el cálculo de potencia, antes de
comprarla, si utilizas una resistencia de baja potencia es probable que se queme)
10 Resistencias de 100 de 3W o mayor. (Se puede hacer el cálculo de potencia antes de
comprarlas, recuerda que usar componentes con una potencia no adecuada, se pueden
quemar los componentes)
Nota: Recuerda que entre más potencia soporte el dispositivo, más grande es su volumen y el
calibre de sus terminales. A mayor potencia en el circuito, más calor será disipado a través
de las resistencias. (Precaución: las resistencias pudieran calentarse)

Equipo
1 Osciloscopio.
1 Multímetro digital.
Teoría Preliminar.
La señal rectificada de onda completa se puede observar en el osciloscopio en el modo de C.D.,
conectando la punta del canal 1 (CH1) entre los puntos O y G, siempre y cuando la carga esté
conectada y el capacitor desconectado (Figura 12).

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


Rectificador de onda completa tipo puente

Figura 12 Circuito simulado en Multisim 14®, (Instruments, 2017) donde se muestra en el osciloscopio la forma
de onda a la salida del rectificador tipo puente y el voltaje máximo, sin capacitor.

Si el capacitor se conecta, la señal pulsante se filtra, obteniéndose un rizado cuya amplitud es


función directa de la corriente de carga e inversa al valor del capacitor. El rizado puede
observarse en el osciloscopio en el modo de C.A.(Figura 13)

Figura 13 Circuito simulado en Multisim 14® (Instruments, 2017), donde se muestra en el osciloscopio la forma
de onda del voltaje de rizo, pico-pico, a la salida del rectificador tipo puente con capacitor.

La resistencia de 1 tiene un valor prácticamente despreciable y su propósito es monitorear la


corriente en los diodos. La caída de voltaje entre los puntos A y B es proporcional a dicha
corriente. Por lo tanto, la magnitud de dicha corriente es elevada, esta resistencia deberá ser por
lo menos de 2 watts. (Calcular la corriente y potencia consumida por la resistencia) y
probablemente se calentará (Precaución).

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


Rectificador de onda completa tipo puente

Figura 14 Circuito rectificador tipo puente.

Procedimiento

1.- Implementar el circuito de la Figura 14. La carga es un arreglo de resistencias de 100 y al


iniciar las mediciones el capacitor tiene un valor de 330F, y al final de 660F al conectar los
dos en paralelo.

2.- Verificar las conexiones de las resistencias, desconectando el puente entre los puntos O y O1
y el puente entre los puntos G y G1 y conectando el multímetro como Óhmetro, debe marcar
un valor entre 900  y 1100 . En caso de no tener este valor en el multímetro, verifica las
conexiones entre las resistencias.

3.-Conectar de nuevo los puentes entre los puntos O y O1, G1 y G, conecta el multímetro entre
los puntos O y G, en modo de voltaje de CD (Las puntas de medición quedarán en paralelo la
carga, verifica que la polarización del circuito coincida con la del multímetro, de no serlo, el
valor del voltaje será negativo).

4.-Ajustar escalas adecuadas en el Osciloscopio (Esto debe realizarse de manera MANUAL).

5.- Conectar al osciloscopio en los puntos O y G (En paralelo con la carga y multímetro). De la
siguiente manera:

O a la entrada del canal 1 (CH 1).


G al común del osciloscopio.

6.- Ajustar los controles del osciloscopio para operar inicialmente en:

Modo de C.D.
2 o 5 mV/div.
5 ms/div. (La escala de tiempo debe ajustarse de acuerdo al periodo de la señal a
1 1
medir, en este caso la frecuencia es de 60 Hz, por lo que el periodo: T = , T = ,
f 60
T=0.016 seg.)
Línea (LINE), como fuente de disparo (SOURCE) en caso de estar usando un osciloscopio
analógico.

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


Rectificador de onda completa tipo puente

7.- Observar la forma de onda de la señal rectificada. Toma lectura del voltaje máximo en el
osciloscopio.
Vm= 144 mV

Imagen 7 Forma de onda a la salida del rectificador de onda completa.


8.-Graficar de la forma de onda rectificada a la salida del puente de diodos.

9.- Con el multímetro digital mide el voltaje de C.D. de salida.

VCD= 14.98 V

10.- Conectar un solo capacitor (330F) como filtro y efectuar las mediciones de voltaje de
salida (𝑽𝟎) y de voltaje de rizo (𝑽𝒓), llenar la Tabla 5.

Medir 𝑽𝟎 con multímetro digital con la selección de volts de C.D. y


𝑽𝒓 medirlo en el osciloscopio en modo de C.A. en una escala adecuada (En el rango de mili Volts).

11.-Tomar una foto a la pantalla del osciloscopio y al multímetro por cada valor de RL (Esto es
opcional, consúltalo con tu profesor) (Recuerda ajustar la escala de voltaje en cada medición)

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


Rectificador de onda completa tipo puente

𝑽𝟎 𝑽𝟎
𝑹𝑳 𝑽𝟎 𝑽𝒓 𝑰𝑳 = 𝑹𝑳 𝑽𝟎 𝑽𝒓 𝑰𝑳 =
𝑹𝑳 𝑹𝑳

1000 Ω 500 Ω

900 Ω 400 Ω

800 Ω 300 Ω

700 Ω 200 Ω

600 Ω 100 Ω

Tabla 5 Valores de Vr y Vo para una carga variable.


(No olvides colocar un puente cada vez que retires una resistencia, para cerrar el circuito y fluya la corriente.)

12.- Conectar los dos capacitores electrolíticos en paralelo y observa que sucede en el voltaje de
rizo (Toma una fotografía a la pantalla del osciloscopio). Tomar valores:
𝑽𝟎=
𝑽 𝒓=
Al terminar desconectar el capacitor que agregaste.
13.- Conectar al osciloscopio solamente los siguientes puntos de prueba (En las terminales de
Rin).
A al canal 1 (CH1).
B al común del osciloscopio del canal 1 (CH1).
14.- Observar (toma una fotografía de la pantalla del osciloscopio) y toma lectura del valor
del voltaje de pico repetitivo en los diodos.

VPR= (con este valor calcula la corriente pico repetitiva)

IPR=

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


Rectificador de onda completa tipo puente

Reporte.
1.- En los pasos 5 y 6 mediste los valores de los voltajes de salida máximo y de C.D. Determine el
valor teórico del voltaje de C.D. (Consulta el libro de texto, Boylestad, 10ª edición, capítulo 2)
𝟐𝑽𝒎

𝑽𝑪𝑫 =
𝝅
VCD=

2.- Con los datos de la Tabla 5, obtener la curva de regulación de la fuente.

Imagen 8 Curva de regulación de la fuente obtenida con (anotar el software utilizado)

3.- Obtener la curva de rizo de la fuente no regulada. Para ello graficar Vr contra IL. (Graficar en
EXCEL® o MATLAB®)

Imagen 9 Curva de rizo obtenida graficando los datos de Vr e Il usando (Anotar el software utilizado)

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


Rectificador de onda completa tipo puente

RECURSOS DE APOYO para el Experimento 5

Attia, J. O. (1999). Electronics and circuit analysis using MATLAB. CRC Press.
Boylestad, R. L. (2009). Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos. México:
PEARSON EDUCACIÓN.
Karris, S. T. (2005). Electronic Devices and Amplifier Circuits with MATLAB®Applications. Orchard
Publications.
Instruments, N. (5 de Junio de 2017). Opciones de evaluación de multisim. Obtenido de
http://www.ni.com/multisim/try/esa/
Laquidara, I. A. (12 de 09 de 2011). Facultad de Ingeniería Universidad Nacional de la Plata.
Recuperado el 8 de 5 de 2017, de
http://catedra.ing.unlp.edu.ar/electrotecnia/electronicos2/download/Apuntes/Teo1.1-
FuentesCCnoregu.pdf
Nashelsky, R. L. (1996). Laboratory Manual Electronic Devices and Circuit Theory. New Jersey:
Prentice Hall.

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


Regulador Zener

Experimento 6
Regulador Zener

Objetivo.
• Comprobar el principio de funcionamiento del regulador Zener.
• Calcular el porcentaje de regulación.
Lista de Material.
1 Diodo Zener de 12V de 1 W o más. (Descargar hoja de especificaciones de Internet)
1 Resistencia de 58 de 1 W o más.
2 Resistencias de 1.2K, de 1 W

Equipo
1 Multímetro digital.
1 Fuente de alimentación

Teoría Preliminar.
Se diseñó el circuito regulador Zener (Figura 15) bajo las siguientes condiciones.
a) La corriente en la carga varía de 10 a 20 mA.
b) El voltaje de la fuente varia de 10 a 20 V.
Si consideramos constante el valor de la resistencia de carga es factible medir el porciento de
regulación de la siguiente forma:
𝑉𝑂𝑚á𝑥 − 𝑉𝑂𝑚𝑖𝑛
% 𝑅𝑒𝑔 =
𝑉𝑂𝑛𝑜𝑚𝑖𝑛𝑎𝑙
En donde Vo nominal es igual a 12 Volts.

Figura 15 Regulador Zener

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


Regulador Zener

Procedimiento.
1.- Implementar el circuito Regulador Zener (Figura 15). Ajuste la fuente a 10V y la carga a 0.6 K
(2 resistencias de 1.2K en paralelo).

2.- Tomar lectura del voltaje de salida mínimo Vomin, utilizando el multímetro digital en volts de
C.D.
Vomin= 14.1o V

3.- Ajustar para obtener un voltaje de la fuente de 20V y una carga de 0.6 K.

4.- Tomar lectura del voltaje de salida máximo Vomax, usando el multímetro digital como
voltímetro en la escala de volts de C.D.
Vomax= 14.4

5.- Repetir los pasos del 1 al 4 con un valor de carga igual a 1.2 K.
Vomin= 8.99 V
Vomax= 9.47 V
6.- Registra la siguiente información:
Equipo utilizado Fabricante-Modelo No. de serie
Multímetro Digital
Osciloscopio
Generador de funciones
Fuente de voltaje
OTRO (Especifica):

REPORTE.
1.- Calcular el valor de la resistencia 𝑅𝑖 (58Ω) del circuito regulador zener (Figura 15) (Considerar
el circuito de diseño visto en el libro de texto).
Datos:
Vmax= 20V
Vmin= 10V
Ilmax= 20mA
Ilmin= 10mA
Vz= 12V

2.- Investigar como calcular y Determinar el % de regulación del circuito con la carga a 0.6 K.
Utiliza los resultados de los pasos del 2 al 4 del procedimiento.

3.- Determinar el % de regulación del circuito con la carga a 1.2 K. Utiliza los resultados
obtenidos en el paso # 5 del procedimiento.

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


Regulador Zener

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


Regulador Zener

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


Regulador Zener

RECURSOS DE APOYO del Experimento 6


Boylestad, R. L. (2009). Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos. México:
PEARSON EDUCACIÓN
Nashelsky, R. L. (1996). Laboratory Manual Electronic Devices and Circuit Theory. New Jersey:
Prentice Hall.
Izquierdo, G. V. (22 de Mayo de 2017). Circuitos con diodos. Obtenido de
http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-sistemas-electronicos/material-de-clase-
1/tema-2.-circuitos-con-diodos.pdf
Olea, A. A. (22 de Mayo de 2017). ELECTRÓNICA BÁSICA/ Curso de Electrónica Básica en
Internet. Obtenido de
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema5/Paginas/Pagina2.htm
Quiñones, J. G. (22 de Mayo de 2015). ITESM Campus Monterrey, Departamento de Ing.
Eléctrica/Electrónica 1/Diodo zener. Obtenido de
http://www.mty.itesm.mx/etie/deptos/ie/profesores/jgomez/electronica/zener.pdf

Coordinación General Académica de Ingeniería Electrónica, versión 2017


Curvas Características Del Transistor Bipolar

Experimento 7

Curvas Características Del Transistor Bipolar


Objetivo.
• Obtener las curvas características de un transistor bipolar usando el osciloscopio como un
trazador de curvas.
• Determinar la ganancia de corriente directa del transistor.
• Determinar la ganancia de corriente alterna del transistor.
• Medir el  = hfe
Lista de Material.
1 Puente rectificador de 1 Amp. de 50 V.
1 Transistor 2N3904 ó equivalente. (Descargar hoja de especificaciones de Internet)
1 Resistencia 100 K, ½ W
1 Resistencia 100 , ½ W
1 Resistencia 3.3 K, ½ W
1 Transformador 120/12 VCA, a 1 Amp.
Equipo
1 Osciloscopio
1 Multímetro digital
1 Fuente de alimentación variable de 0 a 25 V.
Teoría Preliminar.
Las curvas características del transistor, es un conjunto de curvas, que representa la variación de
corriente de colector ( IC ) con respecto al voltaje entre colector y emisor VCE, para un valor
constante de la corriente de base ( IB).

El circuito de la Figura 16, permite por el lado del circuito base-emisor, ajustar el valor de la
corriente de base. Por ejemplo, si la fuente se ajusta de tal modo que la caída en RB sea de 2 volts,
entonces la corriente de base es de 20 A.

Por el lado del circuito colector-emisor, se aplica una señal rectificada de onda completa. La caída
de voltaje en la resistencia del colector RC, es proporcional a la corriente del colector IC, por lo
que se usara para la deflexión vertical del haz de electrones en el osciloscopio. El voltaje entre
colector y emisor VCE con signo negativo se aplicará en la entrada horizontal del osciloscopio
operando en modo X-Y. De la forma anterior es posible obtener una curva característica del
transistor y solo es cuestión de ajustar de nuevo la corriente de base para observar un nuevo
trazo.
Curvas Características Del Transistor Bipolar

Procedimiento.
1.- Implementar el circuito de la Figura 16 para obtener las curvas del transistor en un osciloscopio
en modo XY.

Figura 16 Circuito para obtener las curvas del transistor en un osciloscopio en modo XY.

2.- Medir la caída en RB con el multímetro digital y ajusta la fuente de alimentación para obtener
una caída de voltaje igual a 2 volts.

3.-Ajustar escalas adecuadas en el Osciloscopio.

4.- Ajustar los controles del osciloscopio de la siguiente forma:

Acoplamiento de CD.
500 mV/div.
Modo XY.
(En caso de usar osciloscopio digital, solo configurarlo de forma adecuada)

5.- Observar lo siguiente:


• Se forma una curva característica del transistor. Relacionada con la corriente de base.
• La deflexión vertical es provocada por la caída en RC.
𝑽𝑹𝒄
• Ecuación 1 =
𝑹𝑪
𝑰𝑪
• La deflexión horizontal es provocada por el voltaje entre colector y emisor VCE y es negativa.
• La escala horizontal es de 10V/div.(Esta debe ajustarse de acuerdo a las características del
modelo del transistor utilizado)
• La corriente de base está determinada por la caída de voltaje en RB.
𝑽𝑹
• Ecuación 2 = 𝑩
𝑹𝑩
𝑰𝑩

5.- Ajustar la perilla de escala horizontal hasta tener un desplazamiento horizontal igual a 4 veces
el actual. El resultado de esto es una escala horizontal de 2.5V/div. En este paso utiliza los
Curvas Características Del Transistor Bipolar

controles de posición vertical y horizontal, para hacer que el origen de la curva esté cerca de la
esquina inferior derecha de la pantalla del osciloscopio.

6.- Dibujar una familia de curvas características para los siguientes valores de caída de voltaje en
RB. (Si cuentas con cámara en tu celular, tomar una ) La curva se observa en el osciloscopio y
se debe de tomar una fotografía.

VRB 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 V
IB 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 
Tabla 6 Valores de corriente de base vs voltaje de resistencia de base
Curvas Características Del Transistor Bipolar
Reporte.
1.- Determinar el valor de la ganancia de corriente directa (F) del transistor para el punto de
operación dado por.
IBq= 60A
VCEq= 10V
Emplear la familia de curvas obtenidas en el paso 6 del procedimiento.
ICq=
F =
Medir con el multímetro digital el valor del hfe y compáralo con el calor calculado.

2.- Determinar el valor de la ganancia de corriente alterna () del transistor para el siguiente
punto de operación:
IBq= 60A
VCEq= 10V

Para ello determinar de la misma familia de curvas:

IC2=
para IB2= 80A
IC1=
para IB1=40A
=
Curvas Características Del Transistor Bipolar

RECURSOS DE APOYO del Experimento 7


Alicante, R. I. (19 de Mayo de 2017). Laboratorio Integrado de Ingeniería Industrial . Obtenido de
Práctica 1. Simulación de circuitos electrónicos mediante PSIM.:
https://rua.ua.es/dspace/bitstream/10045/23718/1/LII-P1 Simulador.pdf
Attia, J. O. (1999). Electronics and circuit analysis using MATLAB. CRC Press.
Boylestad, R. L. (2009). Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos. México:
PEARSON EDUCACIÓN.
Complutense, U. (24 de Mayo de 2017). CIRCUITOS AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL.
Obtenido de https://cv3.sim.ucm.es/access/content/group/portal-uatducma-
43/webs/material_original/Diapos/TEMA04.pdf
Córdoba, F. d. (22 de Mayo de 2017). El transistor bipolar. Obtenido de
http://www.famaf.proed.unc.edu.ar/pluginfile.php/24577/mod_resource/content/3/Gu%
C3%ADa%20Transistor%20Bipolar.pdf
Ejea, P. E. (24 de Mayo de 2017). El transistor bipolar/Universidad deValencia/Escuela Técnica
Superior de Ingeniería. Obtenido de http://www.uv.es/~esanchis/cef/pdf/Temas/A_T2.pdf
GÓMEZ, M. Á. (24 de Mayo de 2017). Dispositivos Electrónicos I / Tecnología Electrónica.
Obtenido de http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema7.pdf
Instruments, N. (5 de Junio de 2017). Opciones de evaluación de multisim. Obtenido de
http://www.ni.com/multisim/try/esa/
Izquierdo, G. V. (23 de Mayo de 2017). TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR BJT. Obtenido de
http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-sistemas-electronicos/material-de-clase-
1/tema-3.-transistores-de-union-bipolar-bjt.pdf
John W. Eaton, D. B. (3 de Junio de 2017). GNU Octave version 4.2.0 manual: a high-level
interactive language for numerical computations. Obtenido de URL
http://www.gnu.org/software/octave/doc/interpreter/
Olea, A. A. (22 de Mayo de 2017). ELECTRÓNICA BÁSICA/ Curso de Electrónica Básica en Internet.
Obtenido de
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema5/Paginas/Pagina2.htm
R. Carrillo, J. H. (24 de Mayo de 2017). Departamento de Ingeniería Eléctrica Universidad de la
Frontera. Obtenido de Analisis y modelos a pequeÒa seÒal del transistor:
http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_CTOI/Tr04Iee2.pdf
Diseño de un amplificador emisor común

Experimento 8

Diseño de un amplificador emisor común


Objetivo.
Diseñar un amplificador E-C y
Medir los parámetros de funcionamiento del amplificador.
Lista de Material.
1 Transistor 2N3904 (Descargar hoja de especificaciones de Internet)
1 Resistencia 22K, ½W
1 Resistencia 120K, ½W
2 Resistencia 10K, ½W
1 Resistencia 1.2K, ½W
1 Resistencia 330, ½W
2 Capacitores de 47F, 50V
1 Capacitor 100F, 50V
Equipo.
1 Osciloscopio
1 Fuente de poder
1 Generador de funciones
Teoría Preliminar .
El diseño del amplificador Emisor-Colector (E-C) se efectuará con las siguientes características:
Av = -20
VCC =12V
Ro >= 8K
BJT = 2N3904
RL = 10K
 = hfe=100 (Medir en el multímetro el hfe de tu transistor)

Diseño para Máxima Oscilación Simétrica.


PASO 1.- Seleccionar el valor de la resistencia del colector RC.
RC>= Ro
RC= 10K
PASO 2.- Establecer ecuaciones de diseño.
(𝑅𝐶∗𝑅𝐿)
Ecuación 3 𝐴𝑣 = (𝑅𝐶+𝑅𝐿)(𝑅𝐸1+𝑅𝑖𝑏)
𝑉𝐶𝐶
Ecuación 4 𝐼𝑐𝑞 = (𝑅𝐶𝐴+𝑅𝐶𝐷)
𝑉𝐶𝐶
Ecuación 5 𝑅𝐸 = (10 ∗𝐼𝑐𝑞)
0.026
Ecuación 6 𝑅𝑖𝑏 =
𝐼𝑐𝑞

Ecuación 7 𝑅𝐸 = 𝑅𝐸1 + 𝑅𝐸2

Práctica 8
Diseño de un amplificador emisor común

Sustituir los valores conocidos en las primeras tres ecuaciones se obtienen:


5
Ecuación 8 20 = 𝑅𝐸1+0.026
𝐼𝑐𝑞
12
Ecuación 9 𝐼𝑐𝑞 = 5+𝑅 𝐸1 +10+𝑅𝐸
1.2
Ecuación 10 𝑅𝐸 = 𝐼𝑐𝑞

PASO 3.- Determinar los valores de Icq, RE y RE1.


Se encuentran resolviendo las últimas tres ecuaciones del paso anterior:
Icq= 0.699mA
RE= 1.72 K
RE1= 0.363 K
Seleccionar 330 
RE2= (1.72-0.363)KΩ= 1.357 K Seleccionar 1.2 K

PASO 4.- Calcular RB.


𝑅𝐸
Ecuación 11 = = 17.2 𝐾
10
𝑅𝐵
PASO 5.- Calcular el voltaje de Thévenin VBB
𝐼𝑐𝑞∗𝑅𝐵
Ecuación 12 𝑉𝐵𝐵 =
+𝑉𝐵𝐸+𝐼𝑐𝑞𝑅𝐸

VBB= 1.82V

PASO 6.- Calcular las resistencias R1 y R2.


𝑉𝐶𝐶∗𝑅𝐵
Ecuación 13 𝑅1 = 𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐵𝐵
R1= 20.27KΩ Seleccionar 22 K
𝑉𝐶𝐶∗𝑅𝐵
Ecuación 14 𝑅2 = 𝑉𝐵𝐵
R2= 113.4 K Seleccionar 120 K

PASO 7.-Determinar la resistencia de entrada:


𝑅𝐵∗(ℎ𝑖𝑒+𝑅𝐸)
Ecuación 15 =
(𝑅𝑏+ℎ𝑖𝑒+𝑅𝐸)
𝑅𝑖
Ri= 15.6K
5
Ecuación 16 20 = 0.026
𝑅𝐸1+ 𝐼
𝑐𝑞
12
Ecuación 17 𝐼𝑐𝑞 = 5+𝑅 𝐸1 +10+𝑅𝐸
1.2
Ecuación 18 𝑅𝐸 = 𝐼𝑐𝑞

Procedimiento.
1.- Implementar el circuito del amplificador E-C (Figura 19), sin colocar la resistencia de carga (RL).
Observar que los valores corresponden al diseño planteado en la teoría preliminar.

Práctica 8
Diseño de un amplificador emisor común

Figura 17 Diagrama del circuito para medir los voltajes del punto de operación

Desconectar el transistor del circuito y medir , para esto debes tener identificada la distribución de
las terminales Base, Emisor y Colector, esto lo puedes consultar en la hoja de especificaciones del
fabricante del BJT (Data Sheet)

 = hfe= (Medir en el multímetro el hfe de tu transistor)

Figura 18 Receptáculo del multímetro para medir el hfe del transistor BJT
Mediciones de voltaje en directa (CD) con Multímetro
2.- Medir el punto de operación, tomando lectura de los siguientes voltajes de CD con el multímetro
digital:
VCC= Voltaje de polarización de la fuente de alimentación
VC = Voltaje del Colector
VB = Voltaje de la Base
VE = Voltaje del Emisor

Nota: Todos estos voltajes se miden con respecto a tierra (Común, negativo de la fuente)

3.- Observar que se cumplan las siguientes condiciones:


𝑽𝑩 𝑽𝑬 + 𝟎. 𝟔
𝑽𝒄 > 𝑽𝑩
𝑽𝑪 > 𝑽𝑬
𝑽𝑪 < 𝑽𝑪𝑪

Práctica 8
Diseño de un amplificador emisor común

En caso de que no se cumplen estas condiciones, revisar las conexiones, revisar que el transistor
este bien conectado y que el voltaje entre Base-Emisor (B-E) sea aproximadamente 0.7 V.
(Las terminales del transistor deben estar bien identificadas, consulta la hoja de especificaciones) y
analiza los pasos del 1 al 3 nuevamente.

Figura 19 Amplificador con transistor BJT configurado en Emisor Común


Mediciones de CA (Corriente Alterna)
4.-Ajustar la escala de tiempo y las de voltaje en el osciloscopio a valores adecuados.
5.- Aplicar en la entrada del amplificador una señal senoidal de 5KHz y 200 mVp-p aproximadamente.
Observar en el osciloscopio las señales de entrada (CH1) y de salida (CH2) simultáneamente.
6.- Tomar lectura de las amplitudes de los voltajes pico a pico de entrada (Vi)y de salida (Vo).
Nota: La resistencia de carga (RL) se coloca en el circuito hasta el paso 9.
Vo=
Vi=
*Observar que la señal de salida, esta invertida con respecto a la señal de entrada. (desfase de señal
de salida con respecto a la de entrada en 180°)
7.-Calcular la Ganancia de Voltaje
0𝑉
𝐴𝑉 = 𝑉
𝑖

8.- Medir el valor de la resistencia de entrada del amplificador, insertar una resistencia de 10 K
entre los puntos A y B.
Tomar lectura con el osciloscopio de los siguientes voltajes, es decir cambiar el canal 1 al punto A
en la entrada del circuito y el canal 2 al punto B en el nodo donde se conecta la resistencia con el
capacitor de acoplamiento de entrada. (alternativamente puedes utilizar el multímetro digital en
voltaje de CA)

Práctica 8
Diseño de un amplificador emisor común

Figura 20 Diagrama de conexiones para medir VA y VB

VA= Osciloscopio VB= Osciloscopio


VA= Multímetro VB= Multímetro
El valor de Ri se puede determinar sabiendo que
𝑉𝐴 ∗ 𝑅𝑖
𝑉𝐵 =
10𝐾 + 𝑅𝑖

𝑅𝑖= .

Al terminar de medir los voltajes (VA y VB) retirar del circuito la resistencia de 10 KΩ.

9.- Medir la resistencia de salida del amplificador, tomando nota de los siguientes voltajes de CA.
Con la carga RL= 10K conectada.
Vo=
Con la carga de RL´=5 K (usa dos de 10 K en paralelo)
Vo´=
La resistencia de salida se puede determinar con la siguiente relación:
𝑉𝑜 𝑅𝐿 (𝑅𝑜+𝑅𝐿)
= (Realiza el cálculo)
𝑉𝑜´ 𝑅𝐿´ (𝑅𝑜+𝑅𝐿)

Práctica 8
Diseño de un amplificador emisor común

Reporte
1.- Realizar el análisis del diseño del amplificador E-C utilizando las leyes de Kirchhoff (nodos o
mallas) planteado en la sección de teoría preliminar.

2.- Utilizar las curvas de operación del transistor para encontrar el valor de Icq (corriente de operación
del colector), con los resultados obtenidos en el paso 2 del procedimiento.

3.- Determinar el valor de la ganancia de voltaje del amplificador, haciendo uso de los resultados
obtenidos en el paso 6 del procedimiento.

Práctica 8
Diseño de un amplificador emisor común

4.- Determinar el valor de la resistencia de entrada del amplificador, con los resultados del paso 8
del procedimiento. Demostrar la relación planteada. Calcular la resistencia de entrada teórica y
efectuar una comparación.

5.- Determinar el valor de la resistencia de salida, con los resultados obtenidos en el paso 9 del
procedimiento. Demostrar la relación planteada.

Práctica 8
Diseño de un amplificador emisor común

Práctica 8
Diseño de un amplificador emisor común

Práctica 8
Recursos de apoyo

RECURSOS DE APOYO de la práctica 8


Alicante, R. I. (19 de Mayo de 2017). Laboratorio Integrado de Ingeniería Industrial . Obtenido de
Práctica 1. Simulación de circuitos electrónicos mediante PSIM.:
https://rua.ua.es/dspace/bitstream/10045/23718/1/LII-P1 Simulador.pdf
Attia, J. O. (1999). Electronics and circuit analysis using MATLAB. CRC Press.
Boylestad, R. L. (2009). Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos. México:
PEARSON EDUCACIÓN.
Complutense, U. (24 de Mayo de 2017). CIRCUITOS AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL.
Obtenido de https://cv3.sim.ucm.es/access/content/group/portal-uatducma-
43/webs/material_original/Diapos/TEMA04.pdf
Córdoba, F. d. (22 de Mayo de 2017). El transistor bipolar. Obtenido de
http://www.famaf.proed.unc.edu.ar/pluginfile.php/24577/mod_resource/content/3/Gu%C3
%ADa%20Transistor%20Bipolar.pdf
Ejea, P. E. (24 de Mayo de 2017). El transistor bipolar/Universidad de Valencia/Escuela Técnica
Superior de Ingeniería. Obtenido de http://www.uv.es/~esanchis/cef/pdf/Temas/A_T2.pdf
GÓMEZ, M. Á. (24 de Mayo de 2017). Dispositivos Electrónicos I / Tecnología Electrónica. Obtenido
de http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema7.pdf
Instruments, N. (5 de Junio de 2017). Opciones de evaluación de Multisim. Obtenido de
http://www.ni.com/multisim/try/esa/
Izquierdo, G. V. (23 de Mayo de 2017). TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR BJT. Obtenido de
http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-sistemas-electronicos/material-de-clase-1/tema-
3.-transistores-de-union-bipolar-bjt.pdf
John W. Eaton, D. B. (3 de Junio de 2017). GNU Octave version 4.2.0 manual: a high-level
interactive language for numerical computations. Obtenido de URL
http://www.gnu.org/software/octave/doc/interpreter/
Olea, A. A. (22 de Mayo de 2017). ELECTRÓNICA BÁSICA/ Curso de Electrónica Básica en Internet.
Obtenido de
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema5/Paginas/Pagina2.htm
R. Carrillo, J. H. (24 de Mayo de 2017). Departamento de Ingeniería Eléctrica Universidad de la
Frontera. Obtenido de Análisis y modelos a pequeña señal del transistor:
http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_CTOI/Tr04Iee2.pdf

Práctica 8
Curvas características del FET

Práctica 9

Curvas características del JFET canal N


Objetivos.
• Obtener las curvas características del transistor de efecto de campo, usando el osciloscopio
como un trazador de curvas.
• Determinar la transconductancia del JFET canal N.
Lista de Material
1 Puente rectificador de 1 Amp.
1 Transistor 2N5951 o 2SK168 o equivalente. (Descargar hoja de especificaciones de Internet)
1 Resistencia 100, ½W
1 Resistencia 10K, ½W
2 Resistencias 3.3K, ½W
1 Transformador 120/12 VCA
Equipo
1 Osciloscopio.
1 Multímetro digital.
1 Fuente de alimentación.

Teoría Preliminar.
Las curvas características del JFET, son un conjunto de curvas que describen el
comportamiento de la corriente de salida Id, con respecto al voltaje de salida VDS, para distintos
valores de voltaje de entrada VGS. Figura 21 Diagrama del circuito para trazar las curvas del JFET canal N en el
osciloscopio.
El circuito de la Figura 21, permite por el lado de la (G) compuerta-(S) surtidor, ajustar el valor del
voltaje VGS. Por ejemplo, VGS=0 si la fuente esta desconectada, o bien VGS puede tomar un valor
negativo de: –0.5V si el valor de la fuente se ajusta.
Por el otro lado del circuito (D)drenador (S) surtidor, se aplica una señal rectificada de onda
completa. La caída de voltaje en la resistencia del drenador RD, es proporcional a la corriente en el
drenador ID, por lo que se usará para el eje vertical (Y) en el osciloscopio. El voltaje entre (D) drenador
y (S) surtidor VDS con signo negativo se aplicará a la entrada horizontal (X) del osciloscopio, operando
en el modo X-Y. De la forma anterior es posible obtener una sola curva característica del JFET y solo
es cuestión de ejecutar de nuevo el voltaje VGS, para observar un nuevo trazo.

Práctica 8
Curvas características del FET

Procedimiento.
1.- Implementar el circuito de la Figura 21

Figura 21 Diagrama del circuito para trazar las curvas del JFET canal N en el osciloscopio.

2.- Con el multímetro digital medir el voltaje entre compuerta-surtidor VGS. (Figura 22 Conexión del
multímetro para medir VGS, VD y el osciloscopio en modo XY.) Iniciar con VGS = 0 volts desconectando o
desactivando la fuente de alimentación.

Figura 22 Conexión del multímetro para medir VGS, VD y el osciloscopio en modo XY.

3. Ajustar los controles del osciloscopio de la siguiente forma:


Acoplamiento de CD
200 mV/div, inicialmente (La escala debe ajustarse, para que la curva se
aprecie de la mejor forma)
Modo XY

Práctica 8
Curvas características del FET

4.- Observar lo siguiente :


Se forma una curva característica del FET.
La deflexión vertical (Y) es provocada por la caída en RD por lo que la escala queda 2mA/div
(La escala puede variar, para que la curva se aprecie de la mejor forma).
La deflexión horizontal es provocada por el voltaje entre el (D) drenador y (S) surtidor y es
negativa.

5.- Ajustar los controles de posición vertical (Y) y horizontal (X), para hacer que el origen de la curva
este en el origen de las escalas de la pantalla de osciloscopio.
6.- Dibujar la familia de curvas características para los siguientes valores de VGS.(En la tabla). Dibujar
la curva que sé que observa en el osciloscopio en la cuadricula. (Si utilizas un transistor equivalente,
verificar los voltajes para VGS en las curvas proporcionadas por el fabricante en la hoja de
especificaciones).

VGS 0V -0.5 V -1 V -1.5 V -2 V -2.5 V -3 V


ID
NOTA: Los valores del VGS son negativos, por lo que la fuente debe conectarse con la polaridad
adecuada. (Invirtiendo las terminales, como aparece en los diagramas de los circuitos)
Para cambiar el voltaje VGS, ajusta el valor de la fuente de alimentación y mide el voltaje VGS con el
multímetro digital.

Identifica cada curva


con el valor de VGS
correspondiente.

Imagen 11 Curvas de operación para el transistor FET (Anotar el modelo utilizado)


7.- Registrar la siguiente información
Equipo utilizado Fabricante-Modelo No. de serie
Multímetro Digital
Osciloscopio
Generador de funciones
Fuente de voltaje
OTRO (Especifica):

Práctica 8
Curvas características del FET

Reporte.
1.- Determinar el valor de la transconductancia gm del FET para el punto de operación dado por:
VGSq =-1.5
VDSq =10V

Emplear la familia de curvas obtenidas en el paso 6 del procedimiento. Para lograr lo anterior utilizar
VDS=10V.
Id2= para VGS = -1V
Id1= para VGS = -
2V
4.46mA
∆𝑽𝒊
𝒈𝒎 = =
∆𝑽𝑮𝑺

2.- Graficar la curva de transferencia del FET.


La curva de transferencia de la gráfica de ID contra VGS:

Identifica cada curva


con el valor de ID vsVGS
correspondiente.

Práctica 8
Curvas características del FET

Imagen 12 Curva de transferencia del FET (Anotar el modelo utilizado)

3.- De la curva de transferencia determinar los siguientes valores característicos:


IDss = 7mA
Corriente de saturación del drenador.
Vp = 10V
Voltaje de estrangulamiento de la compuerta.

Práctica 8
Recursos de apoyo

RECURSOS DE APOYO de la práctica 9


Alicante, R. I. (19 de Mayo de 2017). Laboratorio Integrado de Ingeniería Industrial . Obtenido de
Práctica 1. Simulación de circuitos electrónicos mediante PSIM.:
https://rua.ua.es/dspace/bitstream/10045/23718/1/LII-P1 Simulador.pdf
Attia, J. O. (1999). Electronics and circuit analysis using MATLAB. CRC Press.
Boylestad, R. L. (2009). Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos. México:
PEARSON EDUCACIÓN.
Instruments, N. (5 de Junio de 2017). Opciones de evaluación de multisim. Obtenido de
http://www.ni.com/multisim/try/esa/
John W. Eaton, D. B. (3 de Junio de 2017). GNU Octave version 4.2.0 manual: a high-level
interactive language for numerical computations. Obtenido de URL
http://www.gnu.org/software/octave/doc/interpreter/
Rosario, U. T. (24 de Mayo de 2017). Transistores de Efecto de Campo. Obtenido de
https://www.frro.utn.edu.ar/repositorio/catedras/electrica/3_anio/electronica_1/apuntes/T
ransistor%20de%20Efecto%20de%20Campo.%20-%20fets_2002.pdf
Sevilla, D. d. (23 de Mayo de 2013). Departamento de Ingeniería Electrónica/Universidad de Sevilla.
Obtenido de http://www.gte.us.es/ASIGN/CE_2A/
University, H. G. (24 de Mayo de 2017). Curvas Características del JFET. Obtenido de
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/Electronic/fet.html#c4
Vasco, U. d. (24 de Mayo de 2017). TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. Obtenido de
https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2728/mod_resource/content/1/electro_gen/teoria/tema
-7-teoria.pdf
Vigo, D. d. (24 de Mayo de 2017). Dispositivos Electrónicos II. Obtenido de
http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEII/Practica2-enunciado.pdf

Práctica 8
Recursos de apoyo

Práctica 8
Recursos de apoyo

Práctica 8
Diseño De Un Amplificador Surtidor Común

Práctica 10

Diseño De Un Amplificador Surtidor Común


Objetivo.
• Diseñar un amplificador Surtidor Común.
• Medir los parámetros de funcionamiento del amplificador.
Lista de material.
1 FET 2N5951 o 2SK168 o equivalente. (Descargar hoja de especificaciones de Internet)
2 Resistencias de 100K, ½W
1 Resistencia de 10K, ¼W
2 Resistencias de 2.2K, ½W
1 Resistencia de 68, ½W
1 Resistencia de 470, ½W
2 Capacitores de 10F, 50V
1 Capacitor de 100F, 50V
Equipo
1 Osciloscopio
1 Generador de señales
1 Fuente de alimentación
Teoría preliminar.
Para diseñar un amplificador surtidor-común (Figura 23) con las siguientes especificaciones:
Av=-5
RL=10K
Rin=100K
Se usará el transistor JFET 2N5951 que tiene los siguientes parámetros (Si el transistor es otro
modelo, anotar aquí los valores que aparecen en la hoja de especificaciones):
Vp=-2.5V
V p=
IDss=10mA
IDss=
La fuente de alimentación disponible es de 12V, y se recomienda el siguiente punto de operación:
IDq= 2.5mA
VDSq=6V
Se procederá al diseño de acuerdo con el siguiente procedimiento:

PASO1.- Especificar punto de operación.


Datos: IDq=2.5 mA, VDSq=6 V
2𝐼𝑑𝑠𝑠
Ecuación 1 𝑔𝑚𝑜 = 𝑉𝑝
𝐼𝐷𝑞
Ecuación 2 = 𝑔𝑚𝑜 (𝐼𝐷𝑠𝑠)2
𝑔𝑚

Práctica 10
Diseño De Un Amplificador Surtidor Común

Ecuación 3 gm= 4 milimhos


𝐼𝐷𝑞 2
Ecuación 4 = 𝑉𝑝 [1 − ( )]
𝐼𝐷𝑠𝑠
𝑉𝐺𝑆𝑞
VGSq= -1.25V

PASO2.- Plantear las ecuaciones de funcionamiento


(𝑉𝐷𝐷−𝑉𝐷𝑆𝑞)
Ecuación 5 𝑅𝑠 + 𝑅𝑑 = 𝐼𝐷𝑞
−𝑔𝑚(𝑅𝑑//𝑅𝑙)
Ecuación 6 𝐴𝑣 = 1+𝑔𝑚𝑅𝑠1

Ecuación 7 𝑉𝐺𝑆𝑞 = −𝐼𝐷𝑞𝑅𝑠


Ecuación 8 𝑅𝑠 = 𝑅𝑠1 + 𝑅𝑠2
Sustituir los valores en las ecuaciones anteriores, se obtendrán los siguientes valores
RD=1.9K seleccionar 2.2K
RS1=69 seleccionar 68 
RS2=431 seleccionar 470 

PASO3.- Seleccionar RG
𝑹𝑮𝑅𝑖𝑛
RG=100K

Procedimiento
1.- Implementar el circuito del amplificador S-C (Figura 23), sin colocar la resistencia de carga (RL).
Observar que los valores corresponden al diseño planteado en la teoría preliminar.

Práctica 10
Diseño De Un Amplificador Surtidor Común

Figura 23 Circuito Surtidor Común.

2.- Medir el punto de operación, tomando lectura de los siguientes voltajes de C.D. con el
multímetro digital. (El generador de funciones debe estar desconectado)
VDD = 12V
VD = 8.504v =
VG 6 9 1 . 2 7 2 n V =
VS = 2.08 V

Práctica 10
Diseño De Un Amplificador Surtidor Común

Figura 24 Medición de voltajes VD, VG y VS

3.- Observar que se cumpla las siguientes condiciones:


𝑽𝑮  𝟎
𝑽𝑺 > 0
𝑽𝑫 > 𝑽𝑺
𝑽𝑫 < 𝑽𝑫𝑫
Si no se cumplen estas condiciones, revisar las conexiones, revisar el transistor y analizar los pasos
del 1 al 3 nuevamente.

4.- Aplicar en la entrada del amplificador una señal senoidal de 5 KHz y 200mVp-p
aproximadamente. Observar en el osciloscopio las señales de entrada y de salida simultáneamente.
(Realiza el ajuste necesario en las escalas de voltaje para cada canal)

Práctica 10
Diseño De Un Amplificador Surtidor Común

Figura 25 Conexión del Generador de Funciones a la entrada del circuito con el Canal A del Osciloscopio y el
Canal B del Osciloscopio a la Salida del Amplificador Surtidor común.

5.- Tomar la lectura de las amplitudes de los voltajes de entrada y de salida, la resistencia de carga
debe ser colocada en el paso 7.
Vo = 763mV osciloscopio
Vi = 200mV osciloscopio
Observar que la señal de salida, esta invertida con respecto a la señal de entrada (Desfase de
180°).
Investigar cómo medir el corrimiento de fase en el osciloscopio.

Anotar el procedimiento para que el osciloscopio despliegue en la pantalla el valor del corrimiento
de fase.

1- Conecte las dos señales eléctricas en el osciloscopio. Hay dos entradas en osciloscopios estos
están etiquetados "A" y "B". Activar entradas pulsando la "A" y botones "B".

2- Encienda el osciloscopio. Dos señales difusas deben ser visibles en la pantalla del osciloscopio.
Cambiar el botón de voltios/división hasta la vertical de ambas señales es visible en la pantalla del
osciloscopio. Voltios/división cambia la escala vertical y la cantidad de voltios que representa
cada marcador.

3- Cambiar el botón de tiempo/división (base de tiempo) hasta que ambas señalen sinusoidales son
claramente visibles. Cada entrada tiene una perilla de control vertical aparte. Ajuste las perillas
de control vertical para colocar una señal sobre el otro, por lo tanto, pueden ser claramente
vistos y comparados.

4- Medir el desplazamiento de fase. El desplazamiento de fase es la diferencia horizontal en las


señales. Para medir el desplazamiento de fase, encontrar un pico de ambas señales. Medir el
número de divisiones horizontales entre los dos picos.
Práctica 10
Diseño De Un Amplificador Surtidor Común

5- Multiplicar el valor de división de tiempo por el número de divisiones horizontales que separan
los picos de las dos señales. Por ejemplo, si la división de tiempo es de 5

6.-Medir el valor de la resistencia de entrada del amplificador, insertar una resistencia de 100K
entre los puntos A y B. (A la entrada del circuito, antes del capacitor de acoplamiento de entrada)
Tomar la lectura con el osciloscopio de los siguientes voltajes (alternativamente puedes utilizar el
multímetro digital en voltaje de C.A.), el canal 1 del osciloscopio debe estar conectado a la entrada
en el punto A en paralelo con el generador de funciones y el canal 2 debe ser conectado en el
punto B (en el nodo donde se conecta la resistencia con el capacitor de acoplamiento de entrada) :
VA= 35.3mV Osciloscopio VA= 35.35mV Multímetro
VB= 17.6mV Osciloscopio VB= 17.647mV Multímetro

Práctica 10
Diseño De Un Amplificador Surtidor Común

Figura 26 Medición de los voltajes VA y VB con el multímetro y osciloscopio.

El valor de Ri se puede determinar sabiendo que


𝑅𝑖
Ecuación 9 𝑉𝐵 = 𝑉𝐴[ ]
(100𝐾+𝑅𝑖)
Al terminar retira del circuito la resistencia de 100 K.

7.- Medir la resistencia de salida del amplificador, tomar nota de los siguientes voltajes de C.A.
Con la carga RL=10K conectada.
Vo= 107.03 mV Multímetro Vo= 107mV Osciloscopio
Con una carga RL´=2.2K (use un nuevo valor)
Vo´= 77.71mV Multímetro Vo´= 77.6mV Oscoloscopio

Práctica 10
Diseño De Un Amplificador Surtidor Común

Figura 27 Medición de voltajes de Salida con carga RL de 10 KΩ con Osciloscopio y multímetro

La resistencia de salida se puede determinar de la siguiente relación:

𝑅𝐿
𝑉𝑜
Ecuación 10 = 𝑅𝐿´
𝑅𝑜+𝑅 ´
𝑉𝑜′ ( 𝑅 +𝑅𝐿 )
𝑜 𝐿
(Realizar los cálculos)
8.-Registra la siguiente información:
Equipo utilizado Fabricante-Modelo No. de serie
Multímetro Digital
Osciloscopio
Generador de funciones
Fuente de voltaje
OTRO (Especifica):

Reporte.
1.- Repetir con mayor detalle el diseño del amplificador surtidor común planteado en la sección de
teoría preliminar. (Anotar paso a paso el análisis teórico, incluir las gráficas del fabricante).

Práctica 10
Diseño De Un Amplificador Surtidor Común

Práctica 10
Diseño De Un Amplificador Surtidor Común

2.- Determinar indirectamente el valor de IDq, con los resultados obtenidos en el paso 2 del
procedimiento.

3.- Determinar el valor de la ganancia de voltaje del amplificador, haciendo uso de los resultados
obtenidos en el paso 5 del procedimiento.

4.- Determinar el valor de la resistencia de entrada del amplificador, con los resultados del paso 6
del procedimiento. Comparar con el valor teórico.

Práctica 10
Diseño De Un Amplificador Surtidor Común

5.- Determinar el valor de la resistencia de salida con los resultados obtenidos en el paso 7 del
procedimiento.

Práctica 10
Diseño De Un Amplificador Surtidor Común

Práctica 10
Recursos de apoyo

Complutense, U. (24 de Mayo de 2017). CIRCUITOS AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL.


Obtenido de https://cv3.sim.ucm.es/access/content/group/portal-uatducma-
43/webs/material_original/Diapos/TEMA04.pdf
Rosario, U. T. (24 de Mayo de 2017). Transistores de Efecto de Campo. Obtenido de
https://www.frro.utn.edu.ar/repositorio/catedras/electrica/3_anio/electronica_1/apuntes/
Transistor%20de%20Efecto%20de%20Campo.%20-%20fets_2002.pdf

Práctica 10
Práctica 10

También podría gustarte